JPH0536142A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0536142A JPH0536142A JP91287271A JP28727191A JPH0536142A JP H0536142 A JPH0536142 A JP H0536142A JP 91287271 A JP91287271 A JP 91287271A JP 28727191 A JP28727191 A JP 28727191A JP H0536142 A JPH0536142 A JP H0536142A
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- silicon nitride
- magneto
- film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 光磁気記録媒体において、記録磁性層２を保
護するために設けられる窒化シリコン膜３，４を、表面
の比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以下、表面粗度が０．８
Ｓ以下のＳｉターゲットを使用して直流反応性スパッタ
リング法によって成膜する。 【効果】 良好な光学特性を有する窒化シリコン膜が短
時間に成膜され、光磁気記録媒体の製造効率，品質を向
上することができる。
護するために設けられる窒化シリコン膜３，４を、表面
の比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以下、表面粗度が０．８
Ｓ以下のＳｉターゲットを使用して直流反応性スパッタ
リング法によって成膜する。 【効果】 良好な光学特性を有する窒化シリコン膜が短
時間に成膜され、光磁気記録媒体の製造効率，品質を向
上することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザ光等により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体に関する。
てレーザ光等により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、磁性薄膜を部分的に
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするもの
で、書換え可能な高密度記録媒体として注目されてい
る。
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするもの
で、書換え可能な高密度記録媒体として注目されてい
る。
【０００３】この種の光磁気記録媒体としては、たとえ
ば希土類−遷移金属合金非晶質薄膜を記録磁性層とする
光磁気記録媒体が提案されている。この希土類−遷移金
属合金非晶質薄膜は、膜面に対して垂直な磁化容易軸を
有するとともにカー回転角やファラデー回転角が大き
く、光磁気記録媒体の記録磁性層に適した磁性薄膜であ
り、たとえば希土類としてＴｂ，遷移金属としてＦｅを
用いたＴｂＦｅ非晶質薄膜，またこのＴｂＦｅにＣｏを
添加したＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜等が記録磁性層として
実用化されつつある。
ば希土類−遷移金属合金非晶質薄膜を記録磁性層とする
光磁気記録媒体が提案されている。この希土類−遷移金
属合金非晶質薄膜は、膜面に対して垂直な磁化容易軸を
有するとともにカー回転角やファラデー回転角が大き
く、光磁気記録媒体の記録磁性層に適した磁性薄膜であ
り、たとえば希土類としてＴｂ，遷移金属としてＦｅを
用いたＴｂＦｅ非晶質薄膜，またこのＴｂＦｅにＣｏを
添加したＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜等が記録磁性層として
実用化されつつある。
【０００４】このような希土類−遷移金属合金非晶質薄
膜を記録磁性層とする光磁気記録媒体においては、希土
類−遷移金属合金非晶質薄膜が非常に酸化され易いた
め、通常、上記記録磁性層をはさむようにして保護膜が
設けられる。上記保護膜としては、記録磁性層への酸素
の侵入が防止できるとともに耐熱性を有し且つレーザ光
が該保護膜を通過することによって劣化しないような光
学的性質であることが要求され、たとえば反応性スパッ
タリング法によって成膜された窒化シリコン膜等が使用
されている。
膜を記録磁性層とする光磁気記録媒体においては、希土
類−遷移金属合金非晶質薄膜が非常に酸化され易いた
め、通常、上記記録磁性層をはさむようにして保護膜が
設けられる。上記保護膜としては、記録磁性層への酸素
の侵入が防止できるとともに耐熱性を有し且つレーザ光
が該保護膜を通過することによって劣化しないような光
学的性質であることが要求され、たとえば反応性スパッ
タリング法によって成膜された窒化シリコン膜等が使用
されている。
【０００５】ところで、反応性スパッタリング法として
は、一般に２極直流反応性スパッタリング法および高周
波反応性スパッリング法が代表的な方法として知られて
いる。
は、一般に２極直流反応性スパッタリング法および高周
波反応性スパッリング法が代表的な方法として知られて
いる。
【０００６】上記２極直流反応性スパッタリング法によ
って薄膜を形成するには、先ず、減圧条件下、Ａｒ等の
不活性ガスにＮ2 やＯ2 等を混合して導入し、電極間に
直流高圧を印加して放電（グロー放電）させる。する
と、不活性ガスはイオン化して、陰極側へ高速で衝突
し、陰極上へ配置された物質（ターゲット）を飛び出さ
せる。そして、その飛び出した物質が窒化物あるいは酸
化物となって基板上へ堆積して薄膜が形成されることと
なる。
って薄膜を形成するには、先ず、減圧条件下、Ａｒ等の
不活性ガスにＮ2 やＯ2 等を混合して導入し、電極間に
直流高圧を印加して放電（グロー放電）させる。する
と、不活性ガスはイオン化して、陰極側へ高速で衝突
し、陰極上へ配置された物質（ターゲット）を飛び出さ
せる。そして、その飛び出した物質が窒化物あるいは酸
化物となって基板上へ堆積して薄膜が形成されることと
なる。
【０００７】一方、高周波反応性スパッタリング法は、
上記２極直流反応性スパッタリング法においてグロー放
電を起こすために印加される直流高圧の代わりに５０ｋ
Ｈｚ以上の高周波電圧を印加して高周波グロー放電を起
こし、同様の原理により薄膜を形成する方法である。
上記２極直流反応性スパッタリング法においてグロー放
電を起こすために印加される直流高圧の代わりに５０ｋ
Ｈｚ以上の高周波電圧を印加して高周波グロー放電を起
こし、同様の原理により薄膜を形成する方法である。
【０００８】これら反応性スパッタリング法は、それぞ
れ長所，短所を有しており、使用するターゲットの物性
および要求される成膜速度等に応じて適宜選択される。
すなわち、上記２極直流反応性スパッタリング法は、装
置および操作が簡便であり、成膜速度が速いという利点
を有しているが、高抵抗物質や絶縁体をターゲットとす
ると、ターゲットが正イオンによって帯電してスパッタ
リングが不可能である。
れ長所，短所を有しており、使用するターゲットの物性
および要求される成膜速度等に応じて適宜選択される。
すなわち、上記２極直流反応性スパッタリング法は、装
置および操作が簡便であり、成膜速度が速いという利点
を有しているが、高抵抗物質や絶縁体をターゲットとす
ると、ターゲットが正イオンによって帯電してスパッタ
リングが不可能である。
【０００９】これに対し、高周波反応性スパッタリング
法は、高周波放電を利用しているので、絶縁体等をター
ゲットとした場合でもグロー放電が維持され、薄膜形成
が可能であるが、成膜速度が２極直流反応性スパッタリ
ング法に及ばないといった欠点を有している。
法は、高周波放電を利用しているので、絶縁体等をター
ゲットとした場合でもグロー放電が維持され、薄膜形成
が可能であるが、成膜速度が２極直流反応性スパッタリ
ング法に及ばないといった欠点を有している。
【００１０】光磁気記録媒体において、基板上あるいは
記録磁性層上に窒化シリコン膜を反応性スパッリング法
によって成膜する場合、Ｓｉをターゲットとしてスパッ
タリングを行うことになる。ここで、Ｓｉは高抵抗物質
であるため、２極直流反応性スパッリング法によって窒
化シリコン膜を成膜しようとすると異常放電が発生し、
良好な薄膜形成がなされない。このため、光磁気記録媒
体において、窒化シリコン膜を成膜する場合、通常は、
高周波反応性スパッリング法が採用される。
記録磁性層上に窒化シリコン膜を反応性スパッリング法
によって成膜する場合、Ｓｉをターゲットとしてスパッ
タリングを行うことになる。ここで、Ｓｉは高抵抗物質
であるため、２極直流反応性スパッリング法によって窒
化シリコン膜を成膜しようとすると異常放電が発生し、
良好な薄膜形成がなされない。このため、光磁気記録媒
体において、窒化シリコン膜を成膜する場合、通常は、
高周波反応性スパッリング法が採用される。
【００１１】しかしながら、高周波反応性スパッタリン
グ法は、上述の如く成膜速度が遅いため、このような方
法で窒化シリコン膜を成膜すると、製造工程において窒
化シリコン膜の成膜にかなりの時間を費やすことにな
り、光磁気記録媒体の製造効率の低下を招くといった不
都合が生じてしまう。
グ法は、上述の如く成膜速度が遅いため、このような方
法で窒化シリコン膜を成膜すると、製造工程において窒
化シリコン膜の成膜にかなりの時間を費やすことにな
り、光磁気記録媒体の製造効率の低下を招くといった不
都合が生じてしまう。
【００１２】そこで、窒化シリコン膜の成膜に費やす時
間を短縮するため、ターゲットとなるＳｉに予めＰある
いはＢをヘビードープして抵抗値を低下させておき、こ
の抵抗値が低下したＳｉをターゲットとして２極直流反
応性スパッリング法によって窒化シリコン膜を成膜する
試みがなされている。
間を短縮するため、ターゲットとなるＳｉに予めＰある
いはＢをヘビードープして抵抗値を低下させておき、こ
の抵抗値が低下したＳｉをターゲットとして２極直流反
応性スパッリング法によって窒化シリコン膜を成膜する
試みがなされている。
【００１３】すなわち、この方法は、Ｓｉの抵抗値を予
め下げて使用することによって、問題となる異常放電を
防止し、２極直流反応性スパッタリング法による窒化シ
リコン膜の成膜を可能にしたものである。この方法によ
って窒化シリコン膜を成膜すれば、２極直流反応性スパ
ッタリング法の高速成膜性により窒化シリコン膜の成膜
に費やされる時間が短縮され、製造効率の向上が図られ
ることとなる。
め下げて使用することによって、問題となる異常放電を
防止し、２極直流反応性スパッタリング法による窒化シ
リコン膜の成膜を可能にしたものである。この方法によ
って窒化シリコン膜を成膜すれば、２極直流反応性スパ
ッタリング法の高速成膜性により窒化シリコン膜の成膜
に費やされる時間が短縮され、製造効率の向上が図られ
ることとなる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ｓｉは、通
常、インゴットから切り出されたものがそのままターゲ
ットとして使用されるが、この切り出し加工の際に、表
面に不純物が付着したり、表面が酸化したりするため、
ＰあるいはＢをドープしても、表面だけは依然として抵
抗が高い状態のままとなっている。したがって、このよ
うなＳｉをそのままターゲットとして２極直流反応性ス
パッタリング法によって窒化シリコン膜を成膜しようと
すると、異常放電が発生してダストが生じることがあ
る。
常、インゴットから切り出されたものがそのままターゲ
ットとして使用されるが、この切り出し加工の際に、表
面に不純物が付着したり、表面が酸化したりするため、
ＰあるいはＢをドープしても、表面だけは依然として抵
抗が高い状態のままとなっている。したがって、このよ
うなＳｉをそのままターゲットとして２極直流反応性ス
パッタリング法によって窒化シリコン膜を成膜しようと
すると、異常放電が発生してダストが生じることがあ
る。
【００１５】また、切り出されたままのＳｉターゲット
は、表面が機械加工面であるため微小な凹凸があり、粗
度が２５Ｓ程度と高い。このため、ターゲットの入射イ
オンの入射角が均一とならない等の理由により、成膜開
始時から長時間に亘り形成される薄膜の特性，成膜速度
が安定せず、この方法で成膜された窒化シリコン膜を保
護膜とする光磁気記録媒体は、エラーレートが大きく、
良好な記録再生特性が得られない。
は、表面が機械加工面であるため微小な凹凸があり、粗
度が２５Ｓ程度と高い。このため、ターゲットの入射イ
オンの入射角が均一とならない等の理由により、成膜開
始時から長時間に亘り形成される薄膜の特性，成膜速度
が安定せず、この方法で成膜された窒化シリコン膜を保
護膜とする光磁気記録媒体は、エラーレートが大きく、
良好な記録再生特性が得られない。
【００１６】このため、この方法によって窒化シリコン
膜を成膜する場合には、実際の薄膜形成に先立って、約
２．５ｋＷ・Ｈｒのプレスパッタが行われるのが通常で
あり、このため時間的ロスが大きく、２極直流反応性ス
パッタリング法によっても窒化シリコン膜の成膜に要す
る時間が十分短縮できないのが実情である。
膜を成膜する場合には、実際の薄膜形成に先立って、約
２．５ｋＷ・Ｈｒのプレスパッタが行われるのが通常で
あり、このため時間的ロスが大きく、２極直流反応性ス
パッタリング法によっても窒化シリコン膜の成膜に要す
る時間が十分短縮できないのが実情である。
【００１７】そこで本発明はこのような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、窒化シリコン膜を成膜する
のに要する時間が短く、製造効率の向上を図ることが可
能であるとともに上記窒化シリコン膜が光磁気記録媒体
の保護膜として適した特性をもって形成される光磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
みて提案されたものであり、窒化シリコン膜を成膜する
のに要する時間が短く、製造効率の向上を図ることが可
能であるとともに上記窒化シリコン膜が光磁気記録媒体
の保護膜として適した特性をもって形成される光磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は上述の目的を達成するために、希土類−遷移金属合金
非晶質薄膜を記録材料とする記録磁性層と、窒化シリコ
ン膜よりなる透明誘電体層を有する光磁気記録媒体にお
いて、上記窒化シリコン膜が、表面の比抵抗が１×１０
-2Ω・ｃｍ以下のＳｉターゲットを用いて直流反応性ス
パッタリング法により成膜された薄膜であることを特徴
とするものである。
は上述の目的を達成するために、希土類−遷移金属合金
非晶質薄膜を記録材料とする記録磁性層と、窒化シリコ
ン膜よりなる透明誘電体層を有する光磁気記録媒体にお
いて、上記窒化シリコン膜が、表面の比抵抗が１×１０
-2Ω・ｃｍ以下のＳｉターゲットを用いて直流反応性ス
パッタリング法により成膜された薄膜であることを特徴
とするものである。
【００１９】また、上記窒化シリコン膜が、表面の粗度
が０．８Ｓ以下であるＳｉターゲットを用いて直流反応
性スパッタリング法により成膜された薄膜であることを
特徴とするものである。
が０．８Ｓ以下であるＳｉターゲットを用いて直流反応
性スパッタリング法により成膜された薄膜であることを
特徴とするものである。
【００２０】
【作用】表面の比抵抗が高いＳｉターゲット，たとえば
Ｓｉインゴットから切りだされたままのＳｉターゲット
を使用して直流反応性スパッタリング法によって窒化シ
リコン膜を成膜しようとすると、ターゲットが正イオン
によって帯電して異常放電が発生し、薄膜形成開始時か
ら長時間に亘って薄膜の形成速度，形成される薄膜の特
性が安定せず、良好な薄膜形成がなされない。
Ｓｉインゴットから切りだされたままのＳｉターゲット
を使用して直流反応性スパッタリング法によって窒化シ
リコン膜を成膜しようとすると、ターゲットが正イオン
によって帯電して異常放電が発生し、薄膜形成開始時か
ら長時間に亘って薄膜の形成速度，形成される薄膜の特
性が安定せず、良好な薄膜形成がなされない。
【００２１】これに対し、表面の比抵抗が１×１０-2Ω
・ｃｍとされたＳｉターゲットを使用して直流反応性ス
パッタリングによって成膜すると、異常放電が発生せ
ず、さらに上記Ｓｉターゲットの表面粗度が０．８Ｓ以
下であれば、表面形状が極めて凹凸の少ない状態である
ので、ターゲットの入射イオン角が均一なものとなり、
成膜早期から、窒化シリコン膜が安定な成膜速度で良好
な光学的特性をもって形成される。
・ｃｍとされたＳｉターゲットを使用して直流反応性ス
パッタリングによって成膜すると、異常放電が発生せ
ず、さらに上記Ｓｉターゲットの表面粗度が０．８Ｓ以
下であれば、表面形状が極めて凹凸の少ない状態である
ので、ターゲットの入射イオン角が均一なものとなり、
成膜早期から、窒化シリコン膜が安定な成膜速度で良好
な光学的特性をもって形成される。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を適用した実施例について、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００２３】本実施例の光磁気記録媒体は、図１で示す
ように基板１の一主面に記録磁性層２，窒化シリコン膜
３，４および反射層５よりなる記録部６を積層し、さら
にこの記録部６の表面を光硬化性樹脂層７を覆ってなる
ものである。
ように基板１の一主面に記録磁性層２，窒化シリコン膜
３，４および反射層５よりなる記録部６を積層し、さら
にこの記録部６の表面を光硬化性樹脂層７を覆ってなる
ものである。
【００２４】基板１は、厚さ数ｍｍ程度の円板状基板で
あって、その材質としては、アクリル樹脂，ポリカーボ
ネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ樹脂等のプ
ラスチック樹脂の他，ガラス等も使用される。なお、こ
の基板表面のうち、前期記録層を設ける側の表面には、
通常再生時に使用するレーザ光波長のおよそ４分の１の
深さを持った案内溝や番地符号ピット等（いずれも図示
は省略する。）が設けられる。
あって、その材質としては、アクリル樹脂，ポリカーボ
ネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ樹脂等のプ
ラスチック樹脂の他，ガラス等も使用される。なお、こ
の基板表面のうち、前期記録層を設ける側の表面には、
通常再生時に使用するレーザ光波長のおよそ４分の１の
深さを持った案内溝や番地符号ピット等（いずれも図示
は省略する。）が設けられる。
【００２５】上記記録部６は、希土類−遷移金属合金非
晶質薄膜よりなる記録磁性層２，第１の窒化シリコン膜
３，第２の窒化シリコン膜４並びに反射層５からなる４
層構造を有し、基板１上に第１の窒化シリコン膜３，記
録磁性層２，第２の窒化シリコン膜４，反射層５なる順
序で積層されている。なお、記録磁性層２となる上記希
土類−遷移金属合金非晶質薄膜としては、ＴｂＦｅ系非
晶質薄膜，ＴｂＦｅＣｏ系非晶質薄膜等が使用され、特
にＴｂＦｅＣｏ系非晶質合金非晶質薄膜は上記記録磁性
層２として好適である。また、上記反射膜５としては、
熱的に良導体であることが望ましく、入手の容易さや成
膜のし易さ等を考慮すると、アルミニウムが適してい
る。
晶質薄膜よりなる記録磁性層２，第１の窒化シリコン膜
３，第２の窒化シリコン膜４並びに反射層５からなる４
層構造を有し、基板１上に第１の窒化シリコン膜３，記
録磁性層２，第２の窒化シリコン膜４，反射層５なる順
序で積層されている。なお、記録磁性層２となる上記希
土類−遷移金属合金非晶質薄膜としては、ＴｂＦｅ系非
晶質薄膜，ＴｂＦｅＣｏ系非晶質薄膜等が使用され、特
にＴｂＦｅＣｏ系非晶質合金非晶質薄膜は上記記録磁性
層２として好適である。また、上記反射膜５としては、
熱的に良導体であることが望ましく、入手の容易さや成
膜のし易さ等を考慮すると、アルミニウムが適してい
る。
【００２６】上記窒化シリコン膜３，４は、記録磁性層
２への酸素，水の侵入を防止するとともに多重反射によ
るカー回転角の増大を目的として設けられるものであ
る。
２への酸素，水の侵入を防止するとともに多重反射によ
るカー回転角の増大を目的として設けられるものであ
る。
【００２７】上記窒化シリコン膜３，４を基板上あるい
は記録磁性層上に成膜する方法としては、成膜に要する
時間の短縮を図るため、２極直流反応性スパッタリング
法が採用される。ここで、２極直流反応性スパッタリン
グ法においては、ターゲットの比抵抗が高かったり、表
面に微小な凹凸がある場合には、スパッタリング中に異
常放電が発生したり、スパッタ率が安定しない等の理由
により良好な薄膜形成がなされない。そこで、ここでは
Ｓｉターゲットとして表面の比抵抗が１×１０-2Ω・ｃ
ｍ以下であるとともに表面粗度が０．８Ｓ以下のものを
使用する。
は記録磁性層上に成膜する方法としては、成膜に要する
時間の短縮を図るため、２極直流反応性スパッタリング
法が採用される。ここで、２極直流反応性スパッタリン
グ法においては、ターゲットの比抵抗が高かったり、表
面に微小な凹凸がある場合には、スパッタリング中に異
常放電が発生したり、スパッタ率が安定しない等の理由
により良好な薄膜形成がなされない。そこで、ここでは
Ｓｉターゲットとして表面の比抵抗が１×１０-2Ω・ｃ
ｍ以下であるとともに表面粗度が０．８Ｓ以下のものを
使用する。
【００２８】なお、ここでいう０．８Ｓとは、ＪＩＳに
おいて表面粗さの指標として規定される最大高さＲｍａ
ｘの区分値に相当するものであり、表面粗さを示す三角
記号で言えば三角４つで示される。表面粗度が０．８Ｓ
である場合、表面は極めて鏡面に近い状態である。
おいて表面粗さの指標として規定される最大高さＲｍａ
ｘの区分値に相当するものであり、表面粗さを示す三角
記号で言えば三角４つで示される。表面粗度が０．８Ｓ
である場合、表面は極めて鏡面に近い状態である。
【００２９】表面の比抵抗および表面粗度が上記範囲で
あるＳｉターゲットは例えば以下のようにして得ること
ができる。
あるＳｉターゲットは例えば以下のようにして得ること
ができる。
【００３０】すなわち、Ｓｉそのものは高抵抗物質であ
るため、たとえば単結晶引き上げ法等によりＳｉインゴ
ットを作製する際に、材料に予めＰあるいはＢを添加し
ておき、単結晶の育成を行う。このようにして作製され
たＳｉインゴットは、Ｐ，Ｂにより、比抵抗が１×１０
-3Ω・ｃｍ程度と低い値を示す。そして、この低抵抗と
されたＳｉインゴットから、ターゲットとなるＳｉ塊を
切り出し、切り出されたＳｉ塊をＳｉターゲットとして
使用する。しかし、切り出されたままのＳｉ塊は、切り
出し加工の際に、Ｓｉ塊表面に不純物が付着したり、表
面が酸化したりするため、表面が高い比抵抗を示す。ま
た、表面が機械加工面であるため微小な凹凸があり、こ
のままターゲットとして使用すると、成膜開始時から長
時間に亘り形成される薄膜の特性，成膜速度が安定しな
い。
るため、たとえば単結晶引き上げ法等によりＳｉインゴ
ットを作製する際に、材料に予めＰあるいはＢを添加し
ておき、単結晶の育成を行う。このようにして作製され
たＳｉインゴットは、Ｐ，Ｂにより、比抵抗が１×１０
-3Ω・ｃｍ程度と低い値を示す。そして、この低抵抗と
されたＳｉインゴットから、ターゲットとなるＳｉ塊を
切り出し、切り出されたＳｉ塊をＳｉターゲットとして
使用する。しかし、切り出されたままのＳｉ塊は、切り
出し加工の際に、Ｓｉ塊表面に不純物が付着したり、表
面が酸化したりするため、表面が高い比抵抗を示す。ま
た、表面が機械加工面であるため微小な凹凸があり、こ
のままターゲットとして使用すると、成膜開始時から長
時間に亘り形成される薄膜の特性，成膜速度が安定しな
い。
【００３１】そこで、この表面に形成された不純物層，
酸化物層等の絶縁層および表面の凹凸を除去し、表面の
比抵抗を１×１０-2Ω・ｃｍ以下とするために研磨加工
を行う。
酸化物層等の絶縁層および表面の凹凸を除去し、表面の
比抵抗を１×１０-2Ω・ｃｍ以下とするために研磨加工
を行う。
【００３２】なお、Ｓｉ塊の研磨加工の方法としては、
研磨加工がＳｉ塊表面の絶縁層及び凹凸を除去すること
を目的として行うものであることから、この目的を達成
できる方法であればいずれでもよく、たとえばラッピン
グ，ペレット研磨等の粗面研磨法，あるいは光学ポリッ
シング，液中研磨，メカノケミカルポリッシング，金相
学ポリッシング，化学研磨，電解研磨等の鏡面研磨法等
が採用される。また、これら研磨法のうち特に鏡面研磨
法を採用すれば、Ｓｉターゲット表面のミクロな突起も
除かれるので、表面粗度が０．８Ｓ以下となり、より良
好な窒化シリコン膜形成が可能である。
研磨加工がＳｉ塊表面の絶縁層及び凹凸を除去すること
を目的として行うものであることから、この目的を達成
できる方法であればいずれでもよく、たとえばラッピン
グ，ペレット研磨等の粗面研磨法，あるいは光学ポリッ
シング，液中研磨，メカノケミカルポリッシング，金相
学ポリッシング，化学研磨，電解研磨等の鏡面研磨法等
が採用される。また、これら研磨法のうち特に鏡面研磨
法を採用すれば、Ｓｉターゲット表面のミクロな突起も
除かれるので、表面粗度が０．８Ｓ以下となり、より良
好な窒化シリコン膜形成が可能である。
【００３３】そして、上述のようにして作製されたＳｉ
ターゲットを使用して２極直流反応性スパッタリング法
によって成膜を行う。
ターゲットを使用して２極直流反応性スパッタリング法
によって成膜を行う。
【００３４】まず、スパッタリング装置の真空室内に設
けられたカソードに直径１０インチの上記Ｓｉターゲッ
トを取付けてアルゴンガスを真空室内に導入し、１．５
ｋＷ・Ｈｒのプリスパッタを行う。なお、このとき確認
のため、プリスパッタ中のカソードの電圧および電流を
記録計にてモニターすることにより、異常放電の発生状
況を観察したが、異常放電の発生は全く認められなかっ
た。
けられたカソードに直径１０インチの上記Ｓｉターゲッ
トを取付けてアルゴンガスを真空室内に導入し、１．５
ｋＷ・Ｈｒのプリスパッタを行う。なお、このとき確認
のため、プリスパッタ中のカソードの電圧および電流を
記録計にてモニターすることにより、異常放電の発生状
況を観察したが、異常放電の発生は全く認められなかっ
た。
【００３５】プリスパッタ後、実際に窒化シリコン膜を
形成する目的物を真空室内にセットするとともに真空室
内にアルゴンガス及び窒素ガスを導入して、２極直流反
応性スパッタリング法により約１００ｎｍの窒化シリコ
ン膜を成膜した。なお、このときエリプソメータを使用
し成膜速度および屈折率の測定を行ったが、プリスパッ
タ直後からターゲットライフ約６００ｋＷ・Ｈｒｓま
で、成膜速度および屈折率が安定であることが確認され
た。
形成する目的物を真空室内にセットするとともに真空室
内にアルゴンガス及び窒素ガスを導入して、２極直流反
応性スパッタリング法により約１００ｎｍの窒化シリコ
ン膜を成膜した。なお、このときエリプソメータを使用
し成膜速度および屈折率の測定を行ったが、プリスパッ
タ直後からターゲットライフ約６００ｋＷ・Ｈｒｓま
で、成膜速度および屈折率が安定であることが確認され
た。
【００３６】このように表面の比抵抗，表面粗度が所定
の範囲とされたＳｉターゲットを使用すれば、プリスパ
ッタ時間を従来の光磁気ディスクにおいて窒化シリコン
膜を成膜する際に行われる場合よりも短く設定しても、
成膜される窒化シリコン膜は、異常放電によるダスト等
の影響を受けず、安定した成膜速度で良好な光学特性を
もって形成される。
の範囲とされたＳｉターゲットを使用すれば、プリスパ
ッタ時間を従来の光磁気ディスクにおいて窒化シリコン
膜を成膜する際に行われる場合よりも短く設定しても、
成膜される窒化シリコン膜は、異常放電によるダスト等
の影響を受けず、安定した成膜速度で良好な光学特性を
もって形成される。
【００３７】なお、このとき使用した２極直流スパッタ
リング装置の仕様は以下の通りであり、成膜ガスの流量
は制御系にて制御されるようになっている。 真空排気系：ロータリーポンプおよびクライオポンプ
（到達圧力は１０-7Ｔｏｒｒ台前半） 陰極：１０インチワイドエロージョンタイプカソード 電源：アークカット回路付き直流電源
リング装置の仕様は以下の通りであり、成膜ガスの流量
は制御系にて制御されるようになっている。 真空排気系：ロータリーポンプおよびクライオポンプ
（到達圧力は１０-7Ｔｏｒｒ台前半） 陰極：１０インチワイドエロージョンタイプカソード 電源：アークカット回路付き直流電源
【００３８】一方、上記記録磁性層２，反射膜５は、蒸
着やスパッタ等の，いわゆる気相メッキ技術により形成
される。このとき各層の膜厚は任意に設定することがで
きるが、通常は数百〜数千Å程度に設定される。上記記
録層２，窒化シリコン膜３，４，反射層５において、膜
厚は、各層単独での光学的性質のみならず、組み合わせ
による効果を考慮して決めることが好ましい。これは、
たとえば記録磁性層の膜厚がレーザ光の波長に比べて薄
い場合に、レーザ光が記録磁性層を透過して各層境界で
反射した光と多重干渉し、膜厚の組み合わせにより実効
的な光学および磁気光学特性が大きく変動するためであ
る。
着やスパッタ等の，いわゆる気相メッキ技術により形成
される。このとき各層の膜厚は任意に設定することがで
きるが、通常は数百〜数千Å程度に設定される。上記記
録層２，窒化シリコン膜３，４，反射層５において、膜
厚は、各層単独での光学的性質のみならず、組み合わせ
による効果を考慮して決めることが好ましい。これは、
たとえば記録磁性層の膜厚がレーザ光の波長に比べて薄
い場合に、レーザ光が記録磁性層を透過して各層境界で
反射した光と多重干渉し、膜厚の組み合わせにより実効
的な光学および磁気光学特性が大きく変動するためであ
る。
【００３９】紫外線硬化樹脂層７は、記録部表面６の平
坦化や保護を目的として設けられるものであるが、この
紫外線硬化樹脂層の膜厚は、３〜５μｍ程度であり、通
常はアクリル系紫外硬化樹脂等が用いられる。
坦化や保護を目的として設けられるものであるが、この
紫外線硬化樹脂層の膜厚は、３〜５μｍ程度であり、通
常はアクリル系紫外硬化樹脂等が用いられる。
【００４０】以上のように窒化シリコン膜が、表面の比
抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ、表面粗度が０．８Ｓである
Ｓｉターゲットを使用して２極直流反応性スパッタリン
グ法によって成膜された光磁気記録媒体は、２極直流反
応性スパッタリング法の高速成膜性により、窒化シリコ
ン膜の成膜に要する時間が短縮され、製造効率の大幅な
向上を図ることが可能である。
抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ、表面粗度が０．８Ｓである
Ｓｉターゲットを使用して２極直流反応性スパッタリン
グ法によって成膜された光磁気記録媒体は、２極直流反
応性スパッタリング法の高速成膜性により、窒化シリコ
ン膜の成膜に要する時間が短縮され、製造効率の大幅な
向上を図ることが可能である。
【００４１】また、プレスパッタが１．５ｋＷ・Ｈｒ程
度であっても成膜中に異常放電が発生することがなく、
窒化シリコン膜が安定な成膜速度で良好な光学的特性を
もって形成されるので、これにより良好な記録再生特性
が達成される。
度であっても成膜中に異常放電が発生することがなく、
窒化シリコン膜が安定な成膜速度で良好な光学的特性を
もって形成されるので、これにより良好な記録再生特性
が達成される。
【００４２】なお、ここでは窒化シリコン（Ｓｉ
3 Ｎ3 ）膜を誘電体膜とする光磁気ディスクについて述
べたが、ＳｉＡｌＯＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＡｌＯ，ＳｉＡ
ｌＮ，ＡｌＯＮ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等を誘
電体膜とする光磁気ディスクに本発明を応用しても良
い。この場合も誘電体膜をターゲットとして表面の比抵
抗，表面粗度が所定範囲とされたＳｉあるいはＡｌを使
用し、２極直流反応性スパタリングにて誘電体膜を成膜
すれば、上述の場合と同様、製造効率，記録再生特性に
優れた光磁気ディスクを得ることが可能である。
3 Ｎ3 ）膜を誘電体膜とする光磁気ディスクについて述
べたが、ＳｉＡｌＯＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＡｌＯ，ＳｉＡ
ｌＮ，ＡｌＯＮ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等を誘
電体膜とする光磁気ディスクに本発明を応用しても良
い。この場合も誘電体膜をターゲットとして表面の比抵
抗，表面粗度が所定範囲とされたＳｉあるいはＡｌを使
用し、２極直流反応性スパタリングにて誘電体膜を成膜
すれば、上述の場合と同様、製造効率，記録再生特性に
優れた光磁気ディスクを得ることが可能である。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体においては、記録層を酸化から保護
するために設けられる窒化シリコン膜が、直流反応性ス
パッタリング法によって成膜されているので、直流反応
性スパッタリングの高速成膜性により、窒化シリコン膜
を短時間に成膜することができる。また、このスパッタ
リングの際に、ターゲットとして表面の比抵抗が１×１
０-2Ω・ｃｍ以下，表面粗度が０．８Ｓ以下であるＳｉ
ターゲットを使用しているので、プレスパッタの時間が
短くても成膜中に異常放電が発生することなく、窒化シ
リコン膜が安定な成膜速度で良好な光学的特性をもって
形成される。したがって、製造工程における窒化シリコ
ン膜の形成に費やされる時間を短くできるので、光磁気
記録媒体成膜装置の稼働率および製造効率の向上を図る
ことが可能となる。
明の光磁気記録媒体においては、記録層を酸化から保護
するために設けられる窒化シリコン膜が、直流反応性ス
パッタリング法によって成膜されているので、直流反応
性スパッタリングの高速成膜性により、窒化シリコン膜
を短時間に成膜することができる。また、このスパッタ
リングの際に、ターゲットとして表面の比抵抗が１×１
０-2Ω・ｃｍ以下，表面粗度が０．８Ｓ以下であるＳｉ
ターゲットを使用しているので、プレスパッタの時間が
短くても成膜中に異常放電が発生することなく、窒化シ
リコン膜が安定な成膜速度で良好な光学的特性をもって
形成される。したがって、製造工程における窒化シリコ
ン膜の形成に費やされる時間を短くできるので、光磁気
記録媒体成膜装置の稼働率および製造効率の向上を図る
ことが可能となる。
【００４４】また、上述の如く窒化シリコン膜は、光磁
気記録媒体の保護膜として良好な光学的特性をもって形
成されるので、このような窒化シリコン膜が形成された
上記光磁気記録媒体は、エラーレートが小さく良好な記
録再生特性を得ることが可能である。
気記録媒体の保護膜として良好な光学的特性をもって形
成されるので、このような窒化シリコン膜が形成された
上記光磁気記録媒体は、エラーレートが小さく良好な記
録再生特性を得ることが可能である。
【図１】本発明を適用した光磁気ディスクの一例を示す
要部概略断面図である。
要部概略断面図である。
１・・・基板
２・・・記録磁性層
３，４・・・窒化シリコン膜
５・・・反射層
６・・・記録部
７・・・光硬化性樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 希土類−遷移金属合金非晶質薄膜を記録
材料とする記録磁性層と、窒化シリコン膜よりなる透明
誘電体層を有する光磁気記録媒体において、 上記窒化シリコン膜が、表面の比抵抗が１×１０-2Ω・
ｃｍ以下のＳｉターゲットを用いて直流反応性スパッタ
リング法により成膜された薄膜であることを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記窒化シリコン膜が、表面粗度が０．
８Ｓ以下であるＳｉターゲットを用いて直流反応性スパ
ッタリング法により成膜された薄膜であることを特徴と
する請求項１記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP91287271A JPH0536142A (ja) | 1991-03-29 | 1991-10-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-91191 | 1991-03-29 | ||
| JP9119191 | 1991-03-29 | ||
| JP91287271A JPH0536142A (ja) | 1991-03-29 | 1991-10-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536142A true JPH0536142A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=14019553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP91287271A Pending JPH0536142A (ja) | 1991-03-29 | 1991-10-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7488526B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-02-10 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and optical recording medium and manufacturing method therefor |
| US20170076923A1 (en) * | 2011-11-08 | 2017-03-16 | Tosoh Smd, Inc. | Silicon sputtering target with special surface treatment and good particle performance and methods of making the same |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP91287271A patent/JPH0536142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7488526B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-02-10 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and optical recording medium and manufacturing method therefor |
| US20170076923A1 (en) * | 2011-11-08 | 2017-03-16 | Tosoh Smd, Inc. | Silicon sputtering target with special surface treatment and good particle performance and methods of making the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000725 |