JP2012184469A - Inスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 CuまたはCu合金製のバッキングプレート1上にNi膜2を成膜する工程と、加熱されたバッキングプレート1のNi膜2上でIn原料3を溶解し、さらに冷却して固化させることでInスパッタリングターゲットを作製する工程とを有している。特に、Ni膜をイオンプレーティング法または溶射法により成膜することが好ましい。
【選択図】図1
Description
上記CIGS膜からなる光吸収層の形成方法として、蒸着法により成膜する方法が知られており、この方法により得られたCIGS膜からなる光吸収層は高いエネルギー変換効率が得られるものの、基板の大型化に伴い蒸着法による成膜においては、膜厚の面内分布の均一性が未だ十分とはいえない。そのために、スパッタ法によってCIGS膜からなる光吸収層を形成する方法が提案されている。
すなわち、従来のInスパッタリングターゲットの製造方法では、Cuのバッキングプレートを加熱して、その上にIn原料を投入して溶解させるため、溶解したIn中にバッキングプレートからCuが拡散してしまい、冷却して固化させた際にInスパッタリングターゲット中に不純物としてCuが含まれてしまうという問題があった。
すなわち、このInスパッタリングターゲットの製造方法では、Ni膜をイオンプレーティング法または溶射法により成膜するので、バッキングプレートとの密着性の良好なNi膜を得ることができる。
すなわち、本発明に係るInスパッタリングターゲットの製造方法によれば、バッキングプレートのNi膜上でIn原料を溶解し、さらに冷却して固化させることでInスパッタリングターゲットを作製するので、バッキングプレートからのCuの拡散を抑制することができると共に、バッキングプレートとInスパッタリングターゲットとの十分な接合強度も得ることができる。
また、上記Ni膜形成工程では、Ni膜2をイオンプレーティング法により成膜する。このイオンプレーティングによる成膜条件は、例えば初期到達真空圧力:1×10−5Torr(1.33×10−3Pa)以下、蒸着時間:約30min、膜厚:約14μmとする。
なお、Ni膜2の厚さは、10〜100μmであることが好ましい。Ni膜2が10μm未満では、バッキングプレートからのCuの拡散を防止できない場合があり、100μmを超えると、バッキングプレートからの剥離が発生する場合がある。
また、バッキングプレート1の加熱はホットプレート6上にバッキングプレート1を設置して行い、In原料3の溶解温度を例えば175℃に設定して加熱する。
本発明の実施例では、シンクロン社製イオンプレーティング装置(型番:BMC−800T)を用いCu製バッキングプレート上にNi膜をイオンプレーティング法により成膜した。また、この成膜条件は、初期到達真空圧力:1×10−5Torr(1.33×10−3Pa)以下、蒸着時間:約30min、膜厚:約14μmとした。
なお、本発明の従来例として、Ni膜を形成せずにCu製バッキングプレート上に原料Inを直接投入し、本実施例と同様の条件で溶解し、固化させたInスパッタリングターゲットも作製して同様に評価した。
このように本実施例の製造方法は、非常に不純物濃度が低いInスパッタリングターゲットが得られている。
また、超音波探傷装置(日立エンジニアリングアンドサービス、FS−LINE)を用いて測定したところ、実施例では接合率が90%であり、Ni膜はInへの濡れ性に優れ、良好に接合されていることが分かった。
例えば、上記の実施形態において、イオンプレーティング法によりNi膜を成膜する方法を例示したが、Ni膜を成膜する方法はイオンプレーティング法に限定されず、溶射法を用いてもよい。この場合でも上記の実施形態と同様の優れた効果が得られる。
Claims (2)
- CuまたはCu合金製のバッキングプレート上にNi膜を成膜する工程と、
加熱された前記バッキングプレートの前記Ni膜上でIn原料を溶解し、さらに冷却して固化させることでInスパッタリングターゲットを作製する工程とを有していることを特徴とするInスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1に記載のInスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記Ni膜をイオンプレーティング法または溶射法により成膜することを特徴とするInスパッタリングターゲットの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016074977A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
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2011
- 2011-03-04 JP JP2011048005A patent/JP2012184469A/ja active Pending
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