JPWO2013132629A1 - 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 - Google Patents
高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013132629A1 JPWO2013132629A1 JP2014503378A JP2014503378A JPWO2013132629A1 JP WO2013132629 A1 JPWO2013132629 A1 JP WO2013132629A1 JP 2014503378 A JP2014503378 A JP 2014503378A JP 2014503378 A JP2014503378 A JP 2014503378A JP WO2013132629 A1 JPWO2013132629 A1 JP WO2013132629A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- ppmw
- molten
- purity silicon
- purity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 250
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 250
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 249
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 23
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 35
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 21
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/007—Mechanisms for moving either the charge or the heater
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
- C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B21/00—Unidirectional solidification of eutectic materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
炭素濃度(C濃度)150ppmw、ゲルマニウム濃度(Ge濃度)1ppmw、及び金属不純物濃度0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素(B)を0.1ppmwの濃度で添加したシリコン原料10kgを用意した。
結果を表1に示す。
比較として、金属不純物濃度が0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素のみを0.1ppmwの割合で添加し、実施例1と同様にしてシリコンインゴットを作製し、その評価を行った。
結果を表1に示す。
更に比較として、金属不純物濃度が0.1ppmw以下のシリコン原料に、ゲルマニウムを0.3ppmwの割合で添加すると共に、ドーパントとしてホウ素を0.1ppmwの割合で添加し、実施例1と同様にしてシリコンインゴットを作製し、その評価を行った。
結果を表1に示す。
ドーパントとしてホウ素を0.3ppmwの割合で添加したこと以外は、上記の実施例1と同様にしてシリコンインゴットを作製し、その評価を行った。
光劣化は、この実施例2で得られたシリコンインゴットから得られた高さ25%位置の試験板を用い、キャリアライフタイムを測定した後、200mW/cm2のハロゲン光を10分照射した後のキャリアライフタイムを測定し、光照射前後の面内平均値を比較することにより調査した。
比較として、金属不純物濃度が0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素のみを0.3ppmwの割合で添加し、実施例2と同様にしてシリコンインゴットを作製し、その評価を行った。
結果を表1に示す。
炭素濃度(C濃度)400ppmw、ゲルマニウム濃度(Ge濃度)200ppmw、及び金属不純物濃度0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素(B)を0.15ppmwの濃度で添加したシリコン原料400kgを用意した。
結果を表1に示す。
炭素濃度(C濃度)400ppmw、ゲルマニウム濃度(Ge濃度)30ppmw、及び金属不純物濃度0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素(B)を0.15ppmwの濃度で添加したシリコン原料を用いたこと以外は、上記実施例3と同様にして、シリコンインゴットを作製し、酸素濃度及び炭素濃度、残存炭化珪素、及びキャリアライフタイムを測定した。
結果を表1に示す。
炭素濃度(C濃度)1000ppmw、ゲルマニウム濃度(Ge濃度)2000ppmw、及び金属不純物濃度0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素(B)を0.15ppmwの濃度で添加したシリコン原料を用いたこと以外は、上記実施例3と同様にして、シリコンインゴットを作製し、酸素濃度及び炭素濃度、残存炭化珪素、及びキャリアライフタイムを測定した。
結果を表1に示す。
比較として炭素濃度(C濃度)が400ppmwであって、金属不純物濃度が0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素を0.15ppmwの割合で添加したシリコン原料400kgを用い、シリコン原料を溶解した後にAr吹込みを行わずに4時間保持し、抜熱工程でのAr吹込みとを行わなかったこと以外は、上記実施例3と同様にして一方向凝固させてシリコンインゴットを作製し、実施例3と同様にしてその評価を行った。
結果を表1に示す。
炭素濃度(C濃度)80ppmw、ゲルマニウム濃度(Ge濃度)200ppmw、及び金属不純物濃度0.1ppmw以下のシリコン原料に、ドーパントとしてホウ素(B)を0.15ppmwの濃度で添加したシリコン原料を用いたこと以外は、上記実施例3と同様にして、シリコンインゴットを作製し、酸素濃度及び炭素濃度、残存炭化珪素、及びキャリアライフタイムを測定した。
結果を表1に示す。
Claims (9)
- 鋳型容器内で原料の溶融シリコンを一方向凝固させて高純度シリコンを製造する高純度シリコンの製造方法であり、
前記原料として、炭素含有量100〜1000ppmw及びゲルマニウム含有量0.5〜2000ppmwの溶融シリコンを用いることを特徴とする高純度シリコンの製造方法。 - 前記一方向凝固のための抜熱工程に先駆けて、前記鋳型容器内で溶融シリコンの溶融状態を保持する保持工程を設け、この保持工程で前記鋳型容器の内壁面に厚さ20μm以上の炭化珪素付着層を形成する請求項1に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記溶融シリコンの保持工程の際に、鋳型容器内の溶融シリコンに強制対流を与える攪拌を行う請求項2に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記溶融シリコンの保持工程の際に、鋳型容器内の溶融シリコンに強制対流を与える攪拌を行った後に、この攪拌を停止して保持する請求項2に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記溶融シリコンの抜熱工程の際に、鋳型容器内の溶融シリコンに強制対流を与える攪拌を行う請求項1〜4に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記高純度シリコンが太陽電池用シリコンであり、原料の溶融シリコンが、金属不純物濃度1000ppmw以下であると共に、ドーパントとしてホウ素を含有する請求項1〜5のいずれかに記載の高純度シリコンの製造方法。
- 請求項1〜6に記載のいずれかの方法で製造された高純度シリコンであり、フーリエ変換赤外分光法(FT-IR)で測定された炭素濃度が10×1017atoms/cm3以下であって、酸素濃度が3×1017atoms/cm3以下であり、かつ、赤外透過法(IR-TM)で測定された100μm以上の残存炭化珪素数が10個/dm3以下であることを特徴とする高純度シリコン。
- 高純度シリコンを製造するために用いられるシリコン原料であり、炭素を100〜1000ppmwの割合で含むと共に、ゲルマニウムを0.5〜2000ppmwの割合で含むことを特徴とする高純度シリコン製造用シリコン原料。
- 前記高純度シリコンが太陽電池用シリコンであり、金属不純物濃度が1000ppmw以下であると共に、ドーパントとしてホウ素を含有する請求項8に記載の高純度シリコン製造用シリコン原料。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2012/055937 WO2013132629A1 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013132629A1 true JPWO2013132629A1 (ja) | 2015-07-30 |
JP5938092B2 JP5938092B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=49116145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014503378A Active JP5938092B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10167199B2 (ja) |
EP (1) | EP2824070B1 (ja) |
JP (1) | JP5938092B2 (ja) |
CN (1) | CN104271506B (ja) |
ES (1) | ES2704906T3 (ja) |
LT (1) | LT2824070T (ja) |
PL (1) | PL2824070T3 (ja) |
SI (1) | SI2824070T1 (ja) |
WO (1) | WO2013132629A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103469303B (zh) * | 2013-09-24 | 2016-08-10 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚 |
CN104556045A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-04-29 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种利用Al-Si合金熔体机械搅拌去除Si中杂质P的方法 |
CN110344113A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-10-18 | 江苏美科硅能源有限公司 | 一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350308A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-03-03 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 溶融ケイ素からの炭素の除去方法 |
JPH0574783A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法 |
WO2006093089A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Kyocera Corporation | 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット及びそれらの製造方法、光電変換素子、並びに光電変換モジュール |
WO2006104107A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Kyocera Corporation | 多結晶シリコン基板及びその製造方法、多結晶シリコンインゴット、光電変換素子、並びに光電変換モジュール |
JP2008127254A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Kyocera Corp | シリコンインゴットの製造方法 |
JP2008156227A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Schott Solar Gmbh | 結晶化シリコンの製造方法および結晶化シリコン |
WO2010127184A1 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Calisolar, Inc. | Quality control process for umg-si feedstock |
JP2011524849A (ja) * | 2008-06-16 | 2011-09-08 | カリソーラー インコーポレイテッド | 太陽電池製造用のゲルマニウム濃縮シリコン材料 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63166A (ja) | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2538044B2 (ja) | 1989-04-07 | 1996-09-25 | 川崎製鉄株式会社 | 金属シリコン脱炭用ランスおよび脱炭方法 |
US5961944A (en) * | 1996-10-14 | 1999-10-05 | Kawasaki Steel Corporation | Process and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon, and process for manufacturing silicon wafer for solar cell |
US5972107A (en) * | 1997-08-28 | 1999-10-26 | Crystal Systems, Inc. | Method for purifying silicon |
JPH11314911A (ja) | 1998-05-07 | 1999-11-16 | Sumitomo Sitix Amagasaki:Kk | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
JP2001000064A (ja) | 1999-06-18 | 2001-01-09 | Kazumi Kimura | 子豚圧死防止具 |
CN1648041A (zh) * | 2004-01-19 | 2005-08-03 | 吴尔盛 | 从金属硅制备超纯硅的方法和装置 |
JP2007000261A (ja) | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 発光機能付き歩行補助具 |
JP4003804B1 (ja) | 2006-05-25 | 2007-11-07 | 日本油脂株式会社 | 液状コーヒーホワイトナー用油脂組成物 |
CN101367522A (zh) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 侯振海 | 生产高纯硅的新材料及工艺 |
US8758507B2 (en) * | 2008-06-16 | 2014-06-24 | Silicor Materials Inc. | Germanium enriched silicon material for making solar cells |
JP5171739B2 (ja) | 2009-06-17 | 2013-03-27 | 両備商事株式会社 | 塗膜除去方法並びに装置 |
TWI403461B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-08-01 | Masahiro Hoshino | Method and apparatus for improving yield and yield of metallurgical silicon |
-
2012
- 2012-03-08 JP JP2014503378A patent/JP5938092B2/ja active Active
- 2012-03-08 LT LTEP12870715.5T patent/LT2824070T/lt unknown
- 2012-03-08 US US14/383,321 patent/US10167199B2/en active Active
- 2012-03-08 ES ES12870715T patent/ES2704906T3/es active Active
- 2012-03-08 PL PL12870715T patent/PL2824070T3/pl unknown
- 2012-03-08 EP EP12870715.5A patent/EP2824070B1/en active Active
- 2012-03-08 CN CN201280073015.XA patent/CN104271506B/zh active Active
- 2012-03-08 WO PCT/JP2012/055937 patent/WO2013132629A1/ja active Application Filing
- 2012-03-08 SI SI201231510T patent/SI2824070T1/sl unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6350308A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-03-03 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 溶融ケイ素からの炭素の除去方法 |
JPH0574783A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法 |
WO2006093089A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Kyocera Corporation | 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット及びそれらの製造方法、光電変換素子、並びに光電変換モジュール |
WO2006104107A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Kyocera Corporation | 多結晶シリコン基板及びその製造方法、多結晶シリコンインゴット、光電変換素子、並びに光電変換モジュール |
JP2008127254A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Kyocera Corp | シリコンインゴットの製造方法 |
JP2008156227A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Schott Solar Gmbh | 結晶化シリコンの製造方法および結晶化シリコン |
JP2011524849A (ja) * | 2008-06-16 | 2011-09-08 | カリソーラー インコーポレイテッド | 太陽電池製造用のゲルマニウム濃縮シリコン材料 |
WO2010127184A1 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Calisolar, Inc. | Quality control process for umg-si feedstock |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104271506B (zh) | 2015-11-11 |
LT2824070T (lt) | 2019-04-25 |
US20150028268A1 (en) | 2015-01-29 |
EP2824070B1 (en) | 2018-12-12 |
JP5938092B2 (ja) | 2016-06-22 |
SI2824070T1 (sl) | 2019-05-31 |
US10167199B2 (en) | 2019-01-01 |
EP2824070A4 (en) | 2015-10-14 |
CN104271506A (zh) | 2015-01-07 |
ES2704906T3 (es) | 2019-03-20 |
EP2824070A1 (en) | 2015-01-14 |
PL2824070T3 (pl) | 2019-09-30 |
WO2013132629A1 (ja) | 2013-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100945517B1 (ko) | 다결정 실리콘 잉곳의 제조방법 | |
TWI532891B (zh) | Polycrystalline silicon wafers | |
JP2009051720A (ja) | Siバルク多結晶インゴットの製造方法 | |
SU et al. | Preparation, microstructure and dislocation of solar-grade multicrystalline silicon by directional solidification from metallurgical-grade silicon | |
JP5938092B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 | |
JP2012193423A (ja) | Cu−Ga合金材およびその製造方法 | |
TW201137191A (en) | Method of exocasting an article of semiconducting material | |
JP2008303113A (ja) | 珪素の一方向凝固方法 | |
JP6233114B2 (ja) | 半導体装置用シリコン部材及び半導体装置用シリコン部材の製造方法 | |
JP5861770B2 (ja) | 多結晶シリコンおよびその鋳造方法 | |
JP6401051B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
JP5067301B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2008162865A (ja) | 石英ガラスルツボ | |
JP2007045682A (ja) | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ | |
JP2011138866A (ja) | 多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材 | |
JP2013079411A (ja) | Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2004161575A (ja) | 多結晶シリコンインゴット及び部材の製造方法 | |
JP2007063048A (ja) | 半導体インゴット及び太陽電池素子の製造方法 | |
JP2009023851A (ja) | シリコン単結晶製造用原料の製造方法およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2008156185A (ja) | シリコン単結晶製造用原料とその製造方法ならびにシリコン単結晶の製造方法 | |
JP6016849B2 (ja) | Cu−Ga合金スパッタリングターゲット | |
JP2016222520A (ja) | 太陽電池用シリコン単結晶インゴット、およびその製造方法 | |
JP2013086154A (ja) | 鋳造装置 | |
JP2014141403A (ja) | プラズマエッチング装置用シリコン部材及びプラズマエッチング装置用シリコン部材の製造方法 | |
JP5118268B1 (ja) | 高純度シリコンの製造方法および高純度シリコン |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5938092 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |