JPH0574783A - シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法 - Google Patents
シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法Info
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- JPH0574783A JPH0574783A JP23480591A JP23480591A JPH0574783A JP H0574783 A JPH0574783 A JP H0574783A JP 23480591 A JP23480591 A JP 23480591A JP 23480591 A JP23480591 A JP 23480591A JP H0574783 A JPH0574783 A JP H0574783A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 不純物酸素の析出に伴うイントリンシック・
ゲッタリング効果を有するシリコンウェハーに関し、ゲ
ッタリングの処理を、従来の酸素析出核の形成の低温熱
処理と成長の高温熱処理とを省略しても行えるやり方を
提案する。 【構成】 不純物としてゲルマニウムを１００ppm 以上
含有しているシリコンウェハーとする。シリコン単結晶
インゴットを製作し、該インゴットからウェハーを製作
し、該ウェハーを熱処理してイントリンシック・ゲッタ
リング処理を施すウェハーゲッタリングの処理方法にお
いて、シリコン溶液中にゲルマニウムをドープして、前
記シリコン単結晶インゴットにゲルマニウム原子を１０
００ppm 以上含有させるように構成する。
ゲッタリング効果を有するシリコンウェハーに関し、ゲ
ッタリングの処理を、従来の酸素析出核の形成の低温熱
処理と成長の高温熱処理とを省略しても行えるやり方を
提案する。 【構成】 不純物としてゲルマニウムを１００ppm 以上
含有しているシリコンウェハーとする。シリコン単結晶
インゴットを製作し、該インゴットからウェハーを製作
し、該ウェハーを熱処理してイントリンシック・ゲッタ
リング処理を施すウェハーゲッタリングの処理方法にお
いて、シリコン溶液中にゲルマニウムをドープして、前
記シリコン単結晶インゴットにゲルマニウム原子を１０
００ppm 以上含有させるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン単結晶基板で
あるシリコンウェハー、より詳しくは、ウェハーゲッタ
リング技術に関する。本発明は、特に、不純物酸素の析
出に伴うイントリンシック・ゲッタリング効果を有する
シリコンウェハーに関する。
あるシリコンウェハー、より詳しくは、ウェハーゲッタ
リング技術に関する。本発明は、特に、不純物酸素の析
出に伴うイントリンシック・ゲッタリング効果を有する
シリコンウェハーに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常は、シリコン単結晶インゴットから
製作したシリコンウェハーに所定の熱処理で不純物酸素
を析出させるなどして、イントリンシック・ゲッタリン
グ処理を施してから、それぞれの半導体装置の製造工程
における導電型や抵抗値を調節するためのドーパント不
純物を拡散させる熱拡散、シリコンの熱酸化、イオン注
入後のアニーリングなどの高温熱処理を行っている。こ
のような手順を経る理由としては、大きく二つある。一
つは、後述するような理由のために、いきなり高温熱処
理に入っても酸素析出を起こさせることができないとい
う原理的な制約のためである。もう一つは、高温熱処理
がかなりの高温で行われために、その最中に半導体素子
の特性を損なうような金属汚染がシリコン結晶中に混入
し易く、予めこれに対処すべく（ゲッタリングするべ
く）酸素析出物を形成しておくと有効であると考えられ
るためである。
製作したシリコンウェハーに所定の熱処理で不純物酸素
を析出させるなどして、イントリンシック・ゲッタリン
グ処理を施してから、それぞれの半導体装置の製造工程
における導電型や抵抗値を調節するためのドーパント不
純物を拡散させる熱拡散、シリコンの熱酸化、イオン注
入後のアニーリングなどの高温熱処理を行っている。こ
のような手順を経る理由としては、大きく二つある。一
つは、後述するような理由のために、いきなり高温熱処
理に入っても酸素析出を起こさせることができないとい
う原理的な制約のためである。もう一つは、高温熱処理
がかなりの高温で行われために、その最中に半導体素子
の特性を損なうような金属汚染がシリコン結晶中に混入
し易く、予めこれに対処すべく（ゲッタリングするべ
く）酸素析出物を形成しておくと有効であると考えられ
るためである。
【０００３】イントリンシック・ゲッタリング効果を発
揮させるための酸素析出熱工程は、一般的に次のような
熱過程からなる。（１）先ず、シリコンインゴットから
製作したシリコンウェハーを１１００℃程度の高温に加
熱してウェハー表面近傍の不純物をウェハー外部に放出
し、ウェハー表面を無欠陥層（denuded zone) にする
（外方拡散工程、約１〜２時間）。（２）加熱温度を５
００〜８００℃に下げて、いわゆる析出核形成を行う
（普通の場合の工程時間は３〜６時間）。このような低
温処理をすることなく１０００℃以上の高温熱処理して
も数十時間までは酸素析出は起こらない。（３）最後
に、この温度からゆっくりと１０００℃程度に昇温し、
析出核を大きな析出物へと成長させる（析出物の成長工
程）。ここで急速に１０００℃に昇温すると、せっかく
形成した析出核がその熱的不安定性のために消滅してし
まい、多量の析出物を得ることができなくなる。そのた
めに、この析出物成長工程は大体１〜３℃／分程度の極
めてゆっくりの昇温であって、１０時間程度も要する場
合がある。このようにして、析出物形成のための熱処理
工程は１２〜１８時間もかかることになる。
揮させるための酸素析出熱工程は、一般的に次のような
熱過程からなる。（１）先ず、シリコンインゴットから
製作したシリコンウェハーを１１００℃程度の高温に加
熱してウェハー表面近傍の不純物をウェハー外部に放出
し、ウェハー表面を無欠陥層（denuded zone) にする
（外方拡散工程、約１〜２時間）。（２）加熱温度を５
００〜８００℃に下げて、いわゆる析出核形成を行う
（普通の場合の工程時間は３〜６時間）。このような低
温処理をすることなく１０００℃以上の高温熱処理して
も数十時間までは酸素析出は起こらない。（３）最後
に、この温度からゆっくりと１０００℃程度に昇温し、
析出核を大きな析出物へと成長させる（析出物の成長工
程）。ここで急速に１０００℃に昇温すると、せっかく
形成した析出核がその熱的不安定性のために消滅してし
まい、多量の析出物を得ることができなくなる。そのた
めに、この析出物成長工程は大体１〜３℃／分程度の極
めてゆっくりの昇温であって、１０時間程度も要する場
合がある。このようにして、析出物形成のための熱処理
工程は１２〜１８時間もかかることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】析出の核となる微小酸
素析出物は高温で不安定であり（事実上ほとんど消滅し
てしまう）ために、５００〜８００℃微小析出物を形成
してからゆっくりと高温に加熱することで熱的に安定で
あるような大きな析出物を形成し、その後で、個別の半
導体装置製造での高温熱処理を施すというのが従来技術
であった。したがって、析出物形成工程はそれだけで長
時間を要し、かつ製造設備的にもコスト的にもかかる工
程である。
素析出物は高温で不安定であり（事実上ほとんど消滅し
てしまう）ために、５００〜８００℃微小析出物を形成
してからゆっくりと高温に加熱することで熱的に安定で
あるような大きな析出物を形成し、その後で、個別の半
導体装置製造での高温熱処理を施すというのが従来技術
であった。したがって、析出物形成工程はそれだけで長
時間を要し、かつ製造設備的にもコスト的にもかかる工
程である。
【０００５】そこで、酸素析出核の形成と成長とを、高
温熱処理の工程で行うことができれば、工数的には従来
の酸素析出工程全体を省略することが可能となり、手数
およびコストを大幅に削減することができる。本発明の
目的は、シリコンウェハーのイントリンシック・ゲッタ
リングの処理を、従来の酸素析出核の形成の低温熱処理
と析出核からの成長の高温熱処理とを省略しても行える
やり方を提案しかつそれを可能にするシリコンウェハー
を提供することである。
温熱処理の工程で行うことができれば、工数的には従来
の酸素析出工程全体を省略することが可能となり、手数
およびコストを大幅に削減することができる。本発明の
目的は、シリコンウェハーのイントリンシック・ゲッタ
リングの処理を、従来の酸素析出核の形成の低温熱処理
と析出核からの成長の高温熱処理とを省略しても行える
やり方を提案しかつそれを可能にするシリコンウェハー
を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的が、不純物と
してゲルマニウムを１００ppm 以上含有していることを
特徴とするシリコンウェハーによって達成される。そし
て、ウェハーゲッタリングの処理方法としては、シリコ
ン単結晶インゴットを製作し、該インゴットからウェハ
ーを製作し、該ウェハーを熱処理してイントリンシック
・ゲッタリング処理を施す工程からなるゲッタリングの
処理方法において、シリコン溶液中にゲルマニウムをド
ープして、前記シリコン単結晶インゴットにゲルマニウ
ム原子を１０００ppm 以上含有させることによっても達
成できる。
してゲルマニウムを１００ppm 以上含有していることを
特徴とするシリコンウェハーによって達成される。そし
て、ウェハーゲッタリングの処理方法としては、シリコ
ン単結晶インゴットを製作し、該インゴットからウェハ
ーを製作し、該ウェハーを熱処理してイントリンシック
・ゲッタリング処理を施す工程からなるゲッタリングの
処理方法において、シリコン溶液中にゲルマニウムをド
ープして、前記シリコン単結晶インゴットにゲルマニウ
ム原子を１０００ppm 以上含有させることによっても達
成できる。
【０００７】さらに、熱処理が９００〜１３００℃にて
析出核形成工程および析出物成長工程をも兼ねているこ
とは好ましく、さらに、１２００〜１２５０℃としてこ
れらの工程に加えて、ウェハー表面に無欠陥層を形成す
る外方拡散工程もを兼ねることは望ましい。
析出核形成工程および析出物成長工程をも兼ねているこ
とは好ましく、さらに、１２００〜１２５０℃としてこ
れらの工程に加えて、ウェハー表面に無欠陥層を形成す
る外方拡散工程もを兼ねることは望ましい。
【０００８】
【作用】本発明に到る前に、微小酸素析出物の熱的な安
定性を考察するためには、微小酸素析出物の形成や解離
に関する微視的な機構を知らねばならないが、現時点で
はほとんど明らかになっていない。それでも、経験的な
立場から、格子間シリコン原子のように結晶格子の不整
合位置を占めることによって周りの格子押し縮める（周
りの格子間隔を小さくする）ような点欠陥が多く存在す
る場合には、酸素析出は起こりにくくなり、反対に原子
空孔（vacancy)のように周りの格子をルーズにする（周
りの格子間隔を大きくする）ような点欠陥が多く存在す
る場合には、酸素析出は起こり易くなるということが知
られている。それでも、これらの点欠陥はバンドギャッ
プの深いところに準位をつくるような欠陥であるため
に、これらを多量に導入することによって酸素析出の起
こり易さを調整することは半導体素子特性を損なう危険
が大きく、ほとんど実用できない。
定性を考察するためには、微小酸素析出物の形成や解離
に関する微視的な機構を知らねばならないが、現時点で
はほとんど明らかになっていない。それでも、経験的な
立場から、格子間シリコン原子のように結晶格子の不整
合位置を占めることによって周りの格子押し縮める（周
りの格子間隔を小さくする）ような点欠陥が多く存在す
る場合には、酸素析出は起こりにくくなり、反対に原子
空孔（vacancy)のように周りの格子をルーズにする（周
りの格子間隔を大きくする）ような点欠陥が多く存在す
る場合には、酸素析出は起こり易くなるということが知
られている。それでも、これらの点欠陥はバンドギャッ
プの深いところに準位をつくるような欠陥であるため
に、これらを多量に導入することによって酸素析出の起
こり易さを調整することは半導体素子特性を損なう危険
が大きく、ほとんど実用できない。
【０００９】本発明者は、置換型不純物（深い準位を作
らないような不純物）のうちで、格子間隔を拡大さける
傾向を有する（四面体共有結合半径がシリコンよりも大
きな）ものとしてゲルマニウムに着目し、これをシリコ
ンにドープしていった場合に、酸素析出特性が大きく変
化し、添加ゲルマニウムの量（濃度）が１００００ppm
の時に１２５０℃の高温でも十分に析出が起こる（すな
わち、微小析出物が安定に形成されている）ことを見出
した。このことに基づいて本発明に到った。
らないような不純物）のうちで、格子間隔を拡大さける
傾向を有する（四面体共有結合半径がシリコンよりも大
きな）ものとしてゲルマニウムに着目し、これをシリコ
ンにドープしていった場合に、酸素析出特性が大きく変
化し、添加ゲルマニウムの量（濃度）が１００００ppm
の時に１２５０℃の高温でも十分に析出が起こる（すな
わち、微小析出物が安定に形成されている）ことを見出
した。このことに基づいて本発明に到った。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。ゲ
ルマニウムドープの効果を、次のようにして、シリコン
にゲルマニウムをドープし、それに熱処理を施してか
ら、赤外線吸収スペクトルを調べた。
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。ゲ
ルマニウムドープの効果を、次のようにして、シリコン
にゲルマニウムをドープし、それに熱処理を施してか
ら、赤外線吸収スペクトルを調べた。
【００１１】シリコン単結晶インゴットをＣＺ法で作る
際に、シリコン溶融液中にゲルマニウムを添加して、ゲ
ルマニウム濃度が１３０００ppm でかつ初期固溶酸素濃
度が３０ppm であるシリコンインゴットを製作した。こ
のインゴットからシリコンウェハー（基板）を切り出
し、所定表面加工を施した。このウェハーに熱処理７
００℃×１６時間または１２５０℃×２時間を施し
た。
際に、シリコン溶融液中にゲルマニウムを添加して、ゲ
ルマニウム濃度が１３０００ppm でかつ初期固溶酸素濃
度が３０ppm であるシリコンインゴットを製作した。こ
のインゴットからシリコンウェハー（基板）を切り出
し、所定表面加工を施した。このウェハーに熱処理７
００℃×１６時間または１２５０℃×２時間を施し
た。
【００１２】そして、何の熱処理を施していないシリコ
ンウェハー（Ａ）、７００℃の熱処理を施したシリコ
ンウェハー（Ｂ）および１２５０℃の熱処理を施した
シリコンウェハー（Ｃ）について赤外線吸収スペクトル
を調べて図１に示す結果が得られた。図１から分かるよ
うに、図１（Ａ）での熱処理する前のシリコンウェハー
に於ける１１０６cm-1に表された固溶状態の酸素による
ピークの強度（高さ）と比べて、図１（Ｂ）での７００
℃の熱処理のシリコンウェハーではピークの強度（高
さ）が低くなって４％の酸素が析出物となり、そして、
図１（Ｃ）での１２５０℃の熱処理のシリコンウェハ
ーではピークの強度（高さ）がさらに低くなって１７％
の酸素が析出物となった。
ンウェハー（Ａ）、７００℃の熱処理を施したシリコ
ンウェハー（Ｂ）および１２５０℃の熱処理を施した
シリコンウェハー（Ｃ）について赤外線吸収スペクトル
を調べて図１に示す結果が得られた。図１から分かるよ
うに、図１（Ａ）での熱処理する前のシリコンウェハー
に於ける１１０６cm-1に表された固溶状態の酸素による
ピークの強度（高さ）と比べて、図１（Ｂ）での７００
℃の熱処理のシリコンウェハーではピークの強度（高
さ）が低くなって４％の酸素が析出物となり、そして、
図１（Ｃ）での１２５０℃の熱処理のシリコンウェハ
ーではピークの強度（高さ）がさらに低くなって１７％
の酸素が析出物となった。
【００１３】一方、初期固溶酸素濃度は同じであるが、
ゲルマニウムをドープしていない通常のＣＺシリコンイ
ンゴットから製作したシリコンウェハーについて、同様
の熱処理を施して赤外線吸収スペクトルでの吸収ピーク
の強度（高さ）を調べたが、１２５０℃の熱処理の場
合には、図１（Ｃ）のような強度低下は観測されなかっ
た（まれに強度の増加を示すものがあったが、これは既
に微小析出物状態となって結晶中に含まれていた酸素が
高温のために解離して固溶状態に戻ったためと思われ
る）。なお、このことは、従来の技術に関連して述べ
た、通常の結晶では１２００℃以上の高温では酸素析出
（核形成）は起こらないということと一致する。また、
７００℃の熱処理の場合にも、ほとんどの場合にピー
ク強度の低下はかったが、まれに２〜３％の強度低下を
示すものがあった。
ゲルマニウムをドープしていない通常のＣＺシリコンイ
ンゴットから製作したシリコンウェハーについて、同様
の熱処理を施して赤外線吸収スペクトルでの吸収ピーク
の強度（高さ）を調べたが、１２５０℃の熱処理の場
合には、図１（Ｃ）のような強度低下は観測されなかっ
た（まれに強度の増加を示すものがあったが、これは既
に微小析出物状態となって結晶中に含まれていた酸素が
高温のために解離して固溶状態に戻ったためと思われ
る）。なお、このことは、従来の技術に関連して述べ
た、通常の結晶では１２００℃以上の高温では酸素析出
（核形成）は起こらないということと一致する。また、
７００℃の熱処理の場合にも、ほとんどの場合にピー
ク強度の低下はかったが、まれに２〜３％の強度低下を
示すものがあった。
【００１４】このように、ゲルマニウムのドープによっ
て、ドープしていないシリコンウェハーでは１２００℃
以上の高温で解離（消滅）してしまう微小析出物を、熱
的に安定なものにすることができる。それ故に、酸素析
出の速度を支配する主な要因は固溶酸素の拡散速度のみ
となり、形成された微小析出物はこの拡散のみに律速さ
れて成長することになる。上述した説明ではゲルマニウ
ム濃度が１３０００ppm の場合であるが、ゲルマニウム
ドープによる微小析出物の熱的安定性の増大はその濃度
が１０００ppm となるあたりから現れる。そして、ゲル
マニウム濃度が５００００ppm を越えると、単結晶シリ
コンで無くなる部分が生じるので、余り多くドープでき
ない。好ましいゲルマニウムドープ量は８０００〜２０
０００ppm である。
て、ドープしていないシリコンウェハーでは１２００℃
以上の高温で解離（消滅）してしまう微小析出物を、熱
的に安定なものにすることができる。それ故に、酸素析
出の速度を支配する主な要因は固溶酸素の拡散速度のみ
となり、形成された微小析出物はこの拡散のみに律速さ
れて成長することになる。上述した説明ではゲルマニウ
ム濃度が１３０００ppm の場合であるが、ゲルマニウム
ドープによる微小析出物の熱的安定性の増大はその濃度
が１０００ppm となるあたりから現れる。そして、ゲル
マニウム濃度が５００００ppm を越えると、単結晶シリ
コンで無くなる部分が生じるので、余り多くドープでき
ない。好ましいゲルマニウムドープ量は８０００〜２０
０００ppm である。
【００１５】例 シリコン単結晶インゴットをＣＺ法でゲルマニウムを溶
融液に添加して製作し、ゲルマニウム濃度が１３０００
ppm でかつ酸素濃度が３０ppm であるシリコンウェハー
を作った。従来の（通常の）酸素析出熱処理工程を施さ
ずに、不純物（ドーパント）を選択的にシリコンウェハ
ーに拡散させる高温熱処理と同等の１２００℃×６時間
の熱処理を窒素雰囲気下で行った。この熱処理によっ
て、約４０％の固溶酸素を析出させることができ、同時
に、ウェハーの表面から７０μｍ深さまで無欠陥層を酸
素の外方拡散で形成することができた。
融液に添加して製作し、ゲルマニウム濃度が１３０００
ppm でかつ酸素濃度が３０ppm であるシリコンウェハー
を作った。従来の（通常の）酸素析出熱処理工程を施さ
ずに、不純物（ドーパント）を選択的にシリコンウェハ
ーに拡散させる高温熱処理と同等の１２００℃×６時間
の熱処理を窒素雰囲気下で行った。この熱処理によっ
て、約４０％の固溶酸素を析出させることができ、同時
に、ウェハーの表面から７０μｍ深さまで無欠陥層を酸
素の外方拡散で形成することができた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、従来ではほとんど
微小析出物（析出核）のできない高温熱処理において、
本発明に係るゲルマニウムドープのシリコンウェハーで
は、微小析出物（析出核）が形成できるようになる。そ
こで、従来のイントリンシック・ゲッタリング処理での
酸素析出工程を省略するようにして個別の半導体装置製
造でのドーパント拡散などの高温熱処理にて、酸素析出
物を形成することができる。したがって、工程数の削減
となり、時間とコストとを低減することに寄与する。
微小析出物（析出核）のできない高温熱処理において、
本発明に係るゲルマニウムドープのシリコンウェハーで
は、微小析出物（析出核）が形成できるようになる。そ
こで、従来のイントリンシック・ゲッタリング処理での
酸素析出工程を省略するようにして個別の半導体装置製
造でのドーパント拡散などの高温熱処理にて、酸素析出
物を形成することができる。したがって、工程数の削減
となり、時間とコストとを低減することに寄与する。
【図１】図１はシリコンウェハーの赤外線スペクトルの
グラフであり、図１（Ａ）は熱処理していないウェハー
ついて、図１（Ｂ）は７００℃×１６時間の熱処理をし
たウェハーについて、図１（Ｃ）は１２５０℃×２時間
の熱処理をしたウェハーについてのグラフである。
グラフであり、図１（Ａ）は熱処理していないウェハー
ついて、図１（Ｂ）は７００℃×１６時間の熱処理をし
たウェハーについて、図１（Ｃ）は１２５０℃×２時間
の熱処理をしたウェハーについてのグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 不純物としてゲルマニウムを１００ppm
以上含有していることを特徴とするシリコンウェハー。 - 【請求項２】 シリコン単結晶インゴットを製作し、該
インゴットからウェハーを製作し、該ウェハーを熱処理
してイントリンシック・ゲッタリング処理を施すウェハ
ーゲッタリングの処理方法において、シリコン溶液中に
ゲルマニウムをドープして、前記シリコン単結晶インゴ
ットにゲルマニウム原子を１０００ppm 以上含有させる
ことを特徴とするウェハーゲッタリングの処理方法。 - 【請求項３】 前記熱処理が９００〜１３００℃、好ま
しくは１２００〜１２５０℃にて析出核形成工程および
析出物成長工程をも兼ねていることを特徴とする請求項
２記載の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23480591A JPH0574783A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23480591A JPH0574783A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574783A true JPH0574783A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16976668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23480591A Withdrawn JPH0574783A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | シリコンウエハーおよびウエハーゲツタリングの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574783A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142370A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Sumco Solar Corp | 太陽電池用シリコン単結晶基板および太陽電池素子、並びにその製造方法 |
| JP2007137756A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Sumco Solar Corp | 太陽電池用シリコン単結晶基板および太陽電池素子、並びにその製造方法 |
| DE102008054519A1 (de) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines germaniumlegiertes Silicium und ein Verfahren zu seiner Herstellung |
| WO2013132629A1 (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 |
| JP2015044733A (ja) * | 2008-06-16 | 2015-03-12 | シリコー マテリアルズ インコーポレイテッド | 太陽電池製造用のゲルマニウム濃縮シリコン材料 |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP23480591A patent/JPH0574783A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
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