JP4615161B2 - エピタキシャルウエーハの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、どのようなデバイス形成熱処理（特に、低温、短時間の熱処理）がウエーハに施される場合であっても、ウエーハに十分なゲッタリング能力を持たせるべく、ゲッターサイトとして十分なＢＭＤ（Bulk Micro Defect：内部微小欠陥）をウエーハ内部に形成したエピタキシャルウエーハとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路等のデバイスを作製するためのウエーハとしては、主にＣＺ法によって育成された、シリコン単結晶ウエーハが用いられている。このシリコン単結晶ウエーハの表面近傍を極力無欠陥化すると、デバイスの品質が向上するが、その最も効果的な方法の一つがエピタキシャルウエーハであり、その優位性はほぼ証明されている。
【０００３】
一方、ウエーハのバルク中には高密度の欠陥（ＢＭＤ）を形成した方が、デバイス作製には有利である。というのは、デバイス形成熱処理中には、重金属不純物の汚染にさらされる機会がはなはだ多く、その重金属がデバイス動作に悪影響を及ぼすため、それらをデバイス形成領域である表面近傍から除去する必要にしばしば迫られるからである。その要求に応える方法がゲッタリング技術であり、このゲッタリング技術においてはウエーハのバルク部にゲッタリングサイトとしてＢＭＤを形成することがある。
【０００４】
チョクラルスキー（ＣＺ）法によって製造されるシリコン単結晶は製造段階において不可避的に酸素を含有するが、その酸素濃度の制御は可能であり、種々の酸素濃度を持つＣＺ-シリコンウエーハが目的に応じて製造されている。これらの酸素原子は熱処理を受けると、ウエーハ内部に酸素析出物が形成される。これがＢＭＤの主な成分である。これらのＢＭＤの周囲には結晶格子の歪みを少なからず含んでおり、この歪みに重金属不純物が捕獲される。これは種々のゲッタリング技術のうちの、ＩＧ（Internal Gettering）と呼ばれる方法である。
【０００５】
一般的にこのＩＧ法を適用するにはいくつかの方法が考えられる。最も簡便なものはデバイス形成熱処理中に同時にＢＭＤを形成する方法である。これはデバイス形成熱処理が高温の場合に有効であるが、１０００℃以下のような低温では効果を発揮できない。特に、近年デバイスプロセスは低温化しており、ＢＭＤの形成が期待できなくなっている。このような低温プロセスの場合でも強いゲッタリング能力を欲する時は、デバイスプロセス投入前にＢＭＤを形成する方法もある。これはＤＺ（Denuded Zone）−ＩＧと呼ばれ、高温熱処理により表面付近の酸素原子を外方拡散してウエーハ外へ放出させたのち、酸素析出核形成と成長の２段熱処理を施して、目的に応じたＢＭＤ密度を得る方法である。しかし熱処理が複雑で長時間を要するものであり、コストが非常に高い。
【０００６】
そこでゲッタリングに必要なＢＭＤをウエーハのバルク中に簡便に形成するための手段として、ＣＺ法で引き上げられるシリコン単結晶中に窒素を添加する方法が最近用いられている。シリコン中に窒素と酸素が共存すると、酸素の析出核形成速度が高まるため、容易にＢＭＤが形成できることが知られている。この方法によって製造されたシリコンウエーハは高いＢＭＤ密度を持つため、ゲッタリングには最適なウエーハであるとされていた。
【０００７】
この窒素添加ウエーハのゲッタリング能力と優れた表層品質の両者を同時に実現できるウエーハが窒素添加ウエーハを基板としたエピタキシャルウエーハである。これは従来のエピタキシャルウエーハに比べ、ＢＭＤを最初から含有しているため、高いゲッタリング能力を持つものとされていた。実際に、デバイス形成熱処理を受けた後のウエーハは、ＢＭＤがさらに成長するために十分なゲッタリング能力を有するという特徴を持っていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが最近、デバイス形成熱処理が低温化のみならず、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）化する傾向が出てきた。つまり今まで数時間かかっていたデバイス形成熱処理が、数秒から数分という単位で実施されることになってきた。このような短時間の熱処理では、その過程中にＢＭＤの形成あるいは成長を期待することはほとんどできない。そして、このようなデバイス形成熱処理を施された後のウエーハは、そのウエーハバルク中に検出されるＢＭＤ密度が、十分なＢＭＤ密度とされている１０^８個／ｃｍ^３程度であっても、ゲッタリング能力不足に陥ることがあった。
【０００９】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、後でウエーハに施されるデバイス工程に依存せず、確実に高いゲッタリング能力を持つエピタキシャルウエーハを得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため本発明は、エピタキシャルウエーハであって、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が１０^８個／ｃｍ^３以上であることを特徴とするエピタキシャルウエーハである。
【００１１】
このように、エピタキシャル層を形成した基板のバルク中のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が１０^８個／ｃｍ^３以上であるエピタキシャルウエーハは、その後ウエーハが投入されるデバイスプロセスがＲＴＡ化あるいは低温化されているような場合でも、ゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤが十分な密度で存在するため、十分なゲッタリング能力を発揮することができる。さらに、ウエーハ表面にはエピタキシャル層が形成されているため、ウエーハの表面の品質も良好なものとなる。
なお、酸素析出物のサイズが現状の光学的測定装置により検出可能なサイズである半径３０〜４０ｎｍ（形状を球状と仮定した場合）であれば確実にゲッタリング能力を有するが、それ以下のサイズであっても半径１０ｎｍ以上であれば、ゲッタリング能力を有するものと透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察の結果、確認されている。
【００１２】
また本発明は、チョクラルスキー法により窒素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを製造し、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を行ってウエーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度を１０^８個／ｃｍ^３以上とし、その後、前記シリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法である。
【００１３】
このように、シリコン単結晶ウエーハに熱処理を行ってウエーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度を１０^８個／ｃｍ^３以上とし、その後にエピタキシャル成長を行うことにより、ウエーハバルク中に十分なゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤが十分な密度で存在するものとすることができる。そのため、その後のデバイスプロセスがＲＴＡ化あるは低温化等されていたとしても、要求を満たすゲッタリング能力を有するウエーハを製造することができる。また、この場合の熱処理は、シリコン単結晶に窒素が添加されているため、窒素が添加されていないウエーハのように複雑で長時間の熱処理は必要なく、比較的簡単で短時間の熱処理でよい。そして、ウエーハ表面にはエピタキシャル成長によりエピタキシャル層を形成するため、ウエーハの表層品質も良好なものが得られる。
【００１４】
なお、このシリコン単結晶ウエーハに施す熱処理は、その後に行われる高温下のエピタキシャル成長により酸素析出物のサイズが縮小することがあるので、好ましくはこの熱処理工程で、酸素析出物のサイズを半径３０〜４０ｎｍ以上に、密度を１０^９個／ｃｍ^３以上としておくことが望ましい。すなわち、結果としてエピタキシャル成長後におけるエピタキシャルウエーハのゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物が１０^８個／ｃｍ^３以上となるようにすればよい。
【００１５】
この場合、前記シリコン単結晶ウエーハに行う熱処理として、６００℃〜１０００℃で０．５時間〜８時間の第１熱処理と８００℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の第２熱処理からなる熱処理を行うことが好ましい。
【００１６】
これは、窒素添加によって酸素析出核形成が促進されるにしても、酸素析出過程は析出核形成と成長の２段階に分けられるからである。そして、その各段階において、最適な温度および時間は、初期酸素濃度や添加窒素濃度等によって異なり、熱処理条件を決定するには、最適化の必要がある。従って、本発明による効果を持たせるには、熱処理条件は６００℃〜１０００℃で０．５時間〜８時間の範囲で行う第１熱処理と、８００℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の範囲で行う第２熱処理からなる熱処理を行うことにより、ウエーハバルク中に確実にゲッタリング能力を発揮する１０ｎｍ以上の必要なサイズのＢＭＤを必要な密度で形成することができる。
【００１７】
この場合、前記窒素を添加したシリコン単結晶を引き上げる際に、該単結晶に添加する窒素濃度を１０^１３〜１０^１４個／ｃｍ^３にすることが好ましい。
前述したようにシリコン結晶中への窒素添加により、酸素析出核形成が促進されることが知られている。その際、窒素添加が確実に効果を持つ濃度が１×１０^１３個／ｃｍ^３であるため、この濃度以上とすることが好ましい。一方、窒素濃度が１×１０^１４個／ｃｍ^３以下であれば、シリコンウエーハ表面の欠陥が起因して形成されるエピタキシャル層の積層欠陥（ＳＦ）などのエピ欠陥は著しく抑制されるため、この濃度以下とすることが好ましい。
【００１８】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明者は、デバイス工程に依存せずゲッタリング能力を持つエピタキシャルウエーハを得るため鋭意研究を行った。従来の窒素をドープしたシリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成長を行ったウエーハは、バルク中の酸素析出物を検出可能なサイズまで成長させる熱処理（例えば８００℃／４ｈ＋１０００℃／１６ｈ）を加えた後にＢＭＤ密度を測定すると、デバイスプロセス投入前からＢＭＤを１０^８個／ｃｍ^３程度は有しており、高いゲッタリング能力を有するものとされていた。しかし、その後に投入されるデバイスプロセスによっては、要求されるゲッタリング能力を得られないことがあった。
【００１９】
そこで本発明者は、窒素を添加したシリコン単結晶をそのままウエーハに加工したas-grownの窒素ドープシリコン単結晶ウエーハやそれにエピタキシャル層を成長させただけのエピタキシャルウエーハについて、透過型電子顕微鏡を用いてバルク中のＢＭＤを詳細に調査した。その結果、確かに検出されるＢＭＤの密度は１０^８個／ｃｍ^３程度はあるものの、そのＢＭＤのサイズは大部分が半径１０ｎｍを下回るものであることが判明した。一方、ＤＺ−ＩＧのように高温、長時間の熱処理を施され、必要とされるゲッタリング能力を有するウエーハについても同様に調査を行ったところ、同じＢＭＤ密度であっても、そのＢＭＤのサイズは半径１０ｎｍを上回り、大部分が光学的測定装置により検出可能な半径３０〜４０ｎｍをも上回ることが判明した。
【００２０】
このことから、ＢＭＤが実際にゲッタリング能力を発揮するには、そのサイズが少なくとも半径１０ｎｍ以上、好ましくは半径３０ｎｍ以上はあることを必要とし、このＢＭＤのサイズを少なくとも半径１０ｎｍ以上とすることにより、後のデバイス工程に依存せずにゲッタリング能力を発揮するウエーハを提供することができることが予想された。
【００２１】
そこで、本発明者は窒素を添加したシリコン単結晶ウエーハに対して、エピタキシャル成長を行う前に熱処理を施し、ＢＭＤのサイズを成長させ、実際にゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤ密度を増やすことを想到した。この場合の熱処理は、前述のＤＺ−ＩＧで行う熱処理とは異なり、ウエーハに窒素を添加しているために比較的簡単な短時間の熱処理で必要なＢＭＤを形成することができる。
本発明はこのような基本思想に基づき、諸条件を検討の結果、完成したものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明において、ＣＺ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成するには、例えば特開昭６０−２５１１９０号に記載されているような公知の方法によれば良い。
【００２３】
すなわち、ＣＺ法は、石英ルツボ中に収容された多結晶シリコン原料の融液に種結晶を接触させ、これを回転させながらゆっくりと引き上げて所望直径のシリコン単結晶棒を育成する方法であるが、あらかじめ石英ルツボ内に窒化物を入れておくか、シリコン融液中に窒化物を投入するか、雰囲気ガスを窒素を含む雰囲気等とすることによって、引き上げ結晶中に窒素をドープすることができる。この際、窒化物の量あるいは窒素ガスの濃度あるいは導入時間等を調整することによって、結晶中のドープ量を制御することが出来る。
【００２４】
このように、ＣＺ法によって単結晶棒を育成する際に、窒素をドープすることによって、シリコン中の酸素原子の凝縮を助長し、酸素析出物密度を高くすることが出来る。この場合、窒素濃度は１×１０^１３〜１×１０^１４個／ｃｍ^３にすることが好ましい。これは、窒素濃度が１×１０^１３個／ｃｍ^３以上であれば、酸素析出核がas-grown状態で確実に形成されるため、熱処理後にゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が１×１０⁸個／ｃｍ^３以上となるエピタキシャルウエーハをより確実に作製することができ、また窒素濃度が１×１０^１４個／ｃｍ^３以下であれば、基板であるシリコンウエーハに起因したエピタキシャル層に形成される積層欠陥（ＳＦ）などのエピ結晶欠陥が著しく抑制されるからである。
【００２５】
こうして、ＣＺ法において所望濃度の窒素がドープされたシリコン単結晶棒が得られる。これを通常の方法にしたがい、内周刃スライサあるいはワイヤソー等の切断装置でスライスした後、面取り、ラッピング、エッチング、研磨等の工程を経てシリコン単結晶ウエーハに加工する。もちろん、これらの工程は例示列挙したにとどまり、この他にも研削、洗浄等種々の工程があり得るし、工程順の変更、一部省略等目的に応じ適宜工程は変更使用されている。
【００２６】
次に、このウエーハに熱処理を行ってエピタキシャル成長後のエピタキシャルウエーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有するサイズ、例えば半径１０ｎｍ以上の酸素析出物密度を１０^８個／ｃｍ^３以上とする熱処理を行う。なお、この熱処理は、その後に行われるエピタキシャル成長により酸素析出物のサイズが縮小することがあるので、好ましくはこの熱処理工程で、半径３０〜４０ｎｍ以上の酸素析出物の密度が１０^９個／ｃｍ^３以上となるようにしておくことが望ましい。そして、結果としてエピタキシャル成長後におけるエピタキシャルウエーハの半径１０ｎｍ以上の酸素析出物密度が１０^８個／ｃｍ^３以上となるようにする。この熱処理は、バルク中の酸素析出物のサイズを成長させて上記サイズの酸素析出物の密度を１０^８個／ｃｍ^３以上とできるものであれば、どのような方法によっても良い。特に本発明では、シリコン単結晶ウエーハに窒素が添加されているため、比較的に短時間の熱処理で所望のＢＭＤを形成することができる。
【００２７】
しかし、窒素添加によって酸素析出核形成が促進されるにしても、酸素析出過程は析出核形成と成長の２段階に分けられる。その各段階において、最適な温度および時間は、初期酸素濃度や添加窒素濃度等によって異なり、熱処理条件を決定するには、これらを最適化する必要がある。従って、本発明による効果を確実に持たせるには、シリコン単結晶中の窒素濃度が特に１０^１３〜１０^１４個／ｃｍ^３の場合、熱処理条件は６００℃〜１０００℃で０．５時間〜８時間の範囲で行う第１熱処理と、８００℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の範囲で行う第２熱処理からなる熱処理とすることが好ましい。
【００２８】
第１熱処理が６００℃未満であると新たな析出核形成が期待できず、逆に１０００℃を超えると既に存在する析出核を消滅させるおそれがある。また第２熱処理が８００℃未満であると析出物成長に長時間を要し効果的でなく、１１５０℃を超えるとスリップ転位や金属汚染等が懸念される。
第２熱処理時間が０時間の場合は第１熱処理のみということになるが、窒素が添加されているため、第１熱処理条件の範囲内において比較的高温長時間の熱処理を行えば、目的とする酸素析出物を得ることができる。
【００２９】
この熱処理をする際の雰囲気としては、特に限定されるものではなく、水素、窒素またはアルゴン等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガス、場合によっては酸素等であっても良い。
【００３０】
また、熱処理に使用する装置としては、エピタキシャル成長装置を用いて、熱処理とエピタキシャル堆積を連続的に行うようにすれば、高い生産性で処理できる。また、熱処理を比較的長時間行う場合には、同時に数十枚以上のウエーハの熱処理が可能なヒーター加熱方式の熱処理炉を用いてバッチ処理すると効率的である。
【００３１】
このシリコン単結晶ウエーハのバルク中にゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤを形成する熱処理を行った後、ウエーハ表面にシリコンエピタキシャル層を形成する。このエピタキシャル成長は、一般的なＣＶＤ法により行うことができる。このＣＶＤ法では、例えばシリンダタイプのベルジャ内にシリコン基板を載置するサセプタを配置した輻射加熱方式のエピタキシャル成長炉内にトリクロロシランを導入することにより、シリコン単結晶ウエーハ上にシリコンをエピタキシャル成長させる。
【００３２】
このように、本発明では、デバイス工程投入前のエピタキシャルウエーハ中に、半径１０ｎｍ以上の酸素析出物（ＢＭＤ）が１０^８個／ｃｍ^３以上存在する。従って、デバイス工程がＲＴＡ化し短時間化あるいは低温化していたとしても、十分なゲッタリング能力を発揮することができる。従来の窒素ドープエピタキシャルウエーハはＢＭＤの密度は１０^８個／ｃｍ^３があったとしても、その後のデバイスプロセスが、ＲＴＡ化、低温化した場合は、サイズが１０ｎｍ以上にまで成長せず、ゲッタリング能力を十分には発揮できない場合があった。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明の実施例および比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
ＣＺ法により、直径８インチ、初期酸素濃度１４ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ：日本電子工業振興協会規格）、方位<１００>の結晶棒を引き上げた。その際、原料中にあらかじめ窒化珪素膜を有するシリコンウエーハを投入し、窒素濃度が３×１０^１３個／ｃｍ^３になるよう制御して添加した。この結晶棒を加工して基板ウエーハとした。
【００３４】
この基板ウエーハに（８００℃、２ｈｒ）＋（１０００℃、８ｈｒ）の酸素析出熱処理を窒素雰囲気にて施した後、エピタキシャル層を３μｍ堆積させた。エピタキシャル成長は、シリンダタイプのベルジャ内にシリコン基板を載置するサセプタが配置された輻射加熱方式のエピタキシャル成長炉を用い、１１２５℃の温度でトリクロロシランを導入することにより行った。このエピタキシャルウエーハをＬＳＴ（光散乱トモグラフ法）によってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
このＬＳＴは半導体にレーザ光を照射し、半導体内部の欠陥で散乱した散乱光をモニタして半導体内部の欠陥分布を断層像として観測する手法であり、シリコンウエーハのＢＭＤ測定に適用した場合、ＢＭＤの密度、サイズ、分布等を測定することができる。
【００３５】
こうしてＢＭＤ密度を測定した結果、ＢＭＤ密度は１０^９個／ｃｍ^３であった。その時の球状仮定のＢＭＤ半径は平均約４０ｎｍであった。
【００３６】
このウエーハにＮｉを故意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡で観察したところシャローピットは観察されず、この実施例１のエピタキシャルウエーハが高いゲッタリング能力を持っていることがわかった。
【００３７】
この結果から本発明によるエピタキシャルウエーハでは、十分なサイズを有するＢＭＤの密度が高いため、ゲッタリング能力の優れたエピタキシャルウエーハを作製できることが判る。特に、その後の熱処理によりＢＭＤを発生させる必要がないため、デバイス工程に依存せず、かつデバイス工程の初期からゲッタリング能力を有するウエーハを作製できた。
【００３８】
（実施例２）
実施例１と同様にＣＺ法により、窒素を添加してシリコン単結晶棒を引き上げ、この結晶棒を加工して基板ウエーハとした。
この基板ウエーハに（８５０℃、１ｈｒ）＋（１１００℃、２ｈｒ）の実施例１に比べて短時間の熱処理を施した後、実施例１と同様にエピタキシャル層を３μｍ堆積させた。このエピタキシャルウエーハを実施例１と同様にＬＳＴによってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
【００３９】
ＢＭＤ密度を測定した結果、ＢＭＤ密度は４×１０^９個／ｃｍ^３であった。その時の球状仮定のＢＭＤ半径は平均約３５ｎｍであった。
【００４０】
このウエーハに実施例１と同様にＮｉを故意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡で観察したところシャローピットは観察されず、この実施例２のエピタキシャルウエーハが高いゲッタリング能力を持っていることがわかった。
この結果から、短い熱処理時間でも本発明の効果が得られることが判る。
【００４１】
（比較例１）
実施例１と同様に窒素を添加してシリコン単結晶棒を引き上げ、この結晶棒を加工して基板ウエーハとした。
この基板ウエーハに、実施例１及び実施例２のようなエピタキシャル成長前の熱処理を施さないで直接エピタキシャル層を３μｍ堆積させた。このエピタキシャルウエーハを実施例１と同様にＬＳＴによってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
ＢＭＤ密度を測定した結果、検出されたＢＭＤ密度は１０^７個／ｃｍ^３であった。
【００４２】
このウエーハに実施例１と同様にＮｉを故意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡で観察したところ大量のシャローピットが観察され、この比較例１のエピタキシャルウエーハのゲッタリング能力が不足していることがわかった。
【００４３】
（比較例２）
窒素を添加しないこと以外は実施例１と同様にシリコン単結晶棒を引き上げ、この結晶棒を加工して基板ウエーハとした。
この基板ウエーハに実施例１と同様に（８００℃、２ｈｒ）＋（１０００℃、８ｈｒ）の酸素析出熱処理を窒素雰囲気にて施した後、エピタキシャル層を３μｍ堆積させた。このエピタキシャルウエーハをＬＳＴによってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
ＢＭＤ密度を測定した結果、検出されたＢＭＤ密度は１０^７個／ｃｍ^３であった。
【００４４】
このウエーハに実施例１と同様にＮｉを故意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡で観察したところ大量のシャローピットが観察され、この比較例２のエピタキシャルウエーハのゲッタリング能力が不足していることがわかった。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、かつ同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４６】
例えば本発明において、エピ前熱処理の条件は厳密には問われていないものであり、他の温度による熱処理、時間を用いるか、あるいは数段の熱処理プロセスを組み合わせて同様の効果を持たせたエピタキシャルシリコンウエーハを作製しても、本発明の範囲に含まれる。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明により簡単な方法で後に行われるデバイス工程に依存せず、高いゲッタリング能力を持つエピタキシャルウエーハを得ることができる。

Claims (2)

1. チョクラルスキー法により窒素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを製造し、該シリコン単結晶ウエーハに６００℃〜１０００℃で０．５時間〜８時間の第１熱処理と８００℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の第２熱処理からなる２段階の熱処理を行ってウエーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有する半径１０ｎｍ以上の酸素析出物密度を１０^８個／ｃｍ^３以上とし、その後、前記シリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
2. 前記窒素を添加したシリコン単結晶を引き上げる際に、該単結晶に添加する窒素濃度を１０^１３〜１０^１４個／ｃｍ^３にすることを特徴とする請求項１に記載されたエピタキシャルウエーハの製造方法。