KR101223415B1 - 전해도금을 이용한 ｃｉｇｓ 박막 제조방법 및 이에 의한 태양전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전구체 용액에 첨가제를 넣어 이상적인 CIGS 조성비에 근접하면서도 공정과정을 단순화시킨 전해도금을 이용한 CIGS 박막 제조방법 및 이에 의한 태양전지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 CIGS 박막 제조방법은 박막의 균일성, 표면 평탄화가 우수하며, 더 나아가 이상적인 CIGS 조성비를 제공한다. 또한, 본 발명에 따른 CIGS 박막의 제조방법은 공정이 간단하면서도 표면의 물리적 특성을 제어할 수 있는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 CIGS 박막 제조방법은 박막의 균일성, 표면 평탄화가 우수하며, 더 나아가 이상적인 CIGS 조성비를 제공한다. 또한, 본 발명에 따른 CIGS 박막의 제조방법은 공정이 간단하면서도 표면의 물리적 특성을 제어할 수 있는 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 전해도금을 이용한 CIGS 박막 제조방법 및 이에 의한 태양전지에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 전구체 용액에 첨가제를 넣어 이상적인 CIGS 조성비에 근접하면서도 공정과정을 단순화시킨 전해도금을 이용한 CIGS 박막 제조방법 및 이에 의한 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 빛 에너지를 전기에너지로 변환시키는 소자로 에너지 문제를 해결하고 21세기 에너지 산업을 주도해 나갈 친환경 대체에너지로 각광받고 있다. 태양전지는 빛을 받으면 전자와 정공을 생산하는 반도체의 기본적 원리를 이용하여 전기를 생산하는 소자로 p-n 접합 구조로 이루어져 있다..
최근 들어 CuInSe2로 대표되는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 반도체 화합물 박막 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지를 대체할만한 재료로 부각되고 있다. 한편으로는 일부 CuInSe2(CIS)의 3원소(ternary) 반도체에 갈륨(Ga) 원소를 In치환으로 도핑하여 효율을 증가시켜 이상적인 밴드갭인 1.4eV로 맞추어 사용하기도 하는데 CuInXGa(1-X)Se2로 표기하며 포괄적으로 CIGS라고 표현한다.
이러한 CIGS 박막은 다원화합물이기 때문에 제조공정이 매우 까다롭다. 태양전지용 CIGS 광흡수층을 제조하는데 일반적으로 사용되는 고진공 증발법 혹은 스퍼터링 공정은 상대적으로 대면적 생산이 어렵고 가격이 높아 태양전지의 가격 경쟁력을 감소시키는 주요한 원인이 되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 대안으로 진공장비가 필요 없는 전착 공정 등에 대한 연구가 세계적으로 활발히 진행 중이다.
일반적으로 CIGS 박막 태양전지 제조에 있어 전착법을 이용하는 경우 박막의 금속 성분의 균일한 제어가 어렵고 비교적 낮은 효율을 갖는다. 또한, 전착법을 사용하여 박막을 제조하는 경우 표면에 불규칙한 균열과 국부적인 금속 입자군이 발생하여 균일한 두께의 박막을 형성하는데 어려움이 있었다.
본 발명은 전착법을 이용하여 금속성분의 이상적인 조성비를 제공하는 CIGS 박막을 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 전착법을 이용하여 균일한 박막의 제어와 동시에 공정이 단순화된 CIGS 박막을 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 하나의 양상은
구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 셀레늄 전구체 및 첨가제를 구비하는 전구체 용액을 제공하는 단계 ; 상기 전구체 용액에 기판 상에 배면 전극이 형성된 작동전극 및 대향전극을 침지하는 단계 ; 상기 전극에 전원을 가하여 상기 배면전극 상에 CIGS 박막을 전착하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 제조방법에 관계한다.
다른 양상에서 본 발명은 폴리이미드 기판 ; 상기 기판 상에 적층된 니켈 및 구리로 된 배면전극 ; 상기 배면전극 상에 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따라 형성된 CIGS 박막을 구비하는 광흡수층을 포함하는 태양전지에 관계한다.
본 발명에 따른 CIGS 박막 제조방법은 박막의 균일성, 표면 평탄화가 우수하며, 더 나아가 이상적인 CIGS 조성비를 제공한다. 또한, 본 발명에 따른 CIGS 박막의 제조방법은 공정이 간단하면서도 표면의 물리적 특성을 제어할 수 있는 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명에 사용된 전착장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 CIGS 박막을 구비하는 태양전지의 일구현예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 실시예 1에서 수득한 박막들의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 2에서 수득한 박막들의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 2에서 수득한 박막의 CIGS 성분을 분석한 EDS 데이터이다.
도 6은 실시예 3에서 A계열의 첨가제를 5, 10, 15, 20ppm 투여했을 때 수득한 박막들의 SEM이미지이다
도 7은 B계열 5~15ppm + A계열 5~15ppm의 비율로 첨가제(복합 첨가제)를 넣어 수득한 박막들의 SEM 이미지이다.
도 8은 B계열 5~15ppm + A계열 5~15ppm의 비율로 첨가제(복합 첨가제)를 넣어 수득한 박막의 CIGS 성분을 분석한 EDS 데이터이다.
도 2는 본 발명의 CIGS 박막을 구비하는 태양전지의 일구현예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 실시예 1에서 수득한 박막들의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 2에서 수득한 박막들의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 2에서 수득한 박막의 CIGS 성분을 분석한 EDS 데이터이다.
도 6은 실시예 3에서 A계열의 첨가제를 5, 10, 15, 20ppm 투여했을 때 수득한 박막들의 SEM이미지이다
도 7은 B계열 5~15ppm + A계열 5~15ppm의 비율로 첨가제(복합 첨가제)를 넣어 수득한 박막들의 SEM 이미지이다.
도 8은 B계열 5~15ppm + A계열 5~15ppm의 비율로 첨가제(복합 첨가제)를 넣어 수득한 박막의 CIGS 성분을 분석한 EDS 데이터이다.
본 발명은 하기의 설명에 의하여 모두 달성될 수 있다. 하기의 설명은 본 발명의 바람직한 구체예를 기술하는 것으로 이해되어야 하며, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 첨부된 도면은 이해를 돕기 위하여 실제 층의 두께(또는 높이) 또는 다른 층과의 비율에 비하여 다소 과장되게 표현된 것일 수 있으며, 그 의미는 후술하는 관련 기재의 구체적 취지에 의하여 적절히 이해될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "상에" 및 "위에"라는 표현은 상대적인 위치 개념을 언급하기 위하여 사용되는 것으로서, 언급된 층에 다른 구성 요소 또는 층이 직접적으로 존재하는 경우뿐만 아니라, 그 사이에 다른 층(중간층) 또는 구성 요소가 개재되거나 존재할 수 있다.
본 발명의 CIGS 박막 제조방법은 전구체 용액을 제공하는 단계, 전극을 침지하는 단계 및 전착하는 단계를 포함한다.
상기 전구체 용액을 제공하는 단계는 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 셀레늄 전구체 및 첨가제를 구비하는 전구체 용액을 제공하는 단계이다.
상기 구리 전구체로는 예를 들어 CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, Cu(CH3COO)2 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.
상기 인듐 전구체로는 예를 들어 InCl3, In(NO3)3, In(CH3COO)3, In2(SO4)3 및 이들의 수화물들로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.
상기 갈륨 전구체로는 예를 들어 GaCl3, Ga(NO3)3, GaI3 및 이들의 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.
상기 셀레늄 전구체로는 예를 들어 SeO2, H2SeO3, SeCl4 및 이들의 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다.
상기 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체는 몰비로 1 : 2~3 ; 4.5~5.5 ; 2~3 범위일 수 있다. 일예로는 이들의 몰비가 상기 범위일 때 (2:5:10:5) 이상적인 CIGS 박막 조성비(CuIn0.7Ga0.3Se)를 나타낸다.
본 발명에서는 상기 첨가제로서 A계열 첨가제, B계열 첨가제, C계열 첨가제, 및 C-a(C계열 첨가제와 A계열 첨가제 혼합)계열 첨가제 중 하나 이상을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 두 개 이상을 조합하여 사용하는 것이 좋다.
상기 A계열 첨가제는 Gelita, Arabic Gum, Hydroxyethyl Cellulose등의 고분자 유기첨가제이고, C계열 첨가제는 HCl, NaCl, KCl 등이 있고, B계열 첨가제는 분자량이 1만 이하의 유기첨가제로 MPS(mercapto prpanesufonic ace sodium salt), gelatin, 콜라겐 등이 있다.
상기 첨가제는 전구체 용액에 대해 1~100ppm, 바람직하게는 1~50ppm을 사용할 수 있다.
상기 첨가제를 두 개 이상 사용하는 경우에는 상기 4가지의 첨가제를 임의로 조합하여 사용할 수 있으며, 바람직하게는 B계열 첨가제와 A계열 첨가제를 혼합할 수 있다.
상기 전구체 용액은 전해액 수용액에 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 셀레늄 전구체 및 첨가제를 구비하여 형성될 수 있다.
상기 전해액은 종래 공지된 전해액을 사용할 수 있으며, 일예로서 황산나트륨, K2SO4(황산칼륨), Na3C6H5O7(구연산나트륨), C8H5KO4(프탈산수소칼륨) 등을 사용할 수 있다.
상기 전해액은 그 몰농도가 0.1~1M, 바람직하게는 약 0.5M이다. 상기 범위일때 CIGS박막은 이상적인 CIGS 금속 조성비를 가질 수 있다.
도 1은 본 발명에 사용된 전착장치를 나타낸 개략도이다. 상기 전착장치에 전구체 용액을 넣고 작동 전극(10), 대향전극(20)을 침지한다. 본 발명에서는 기준 전극을 더 포함하는 3 전극셀을 이용할 수도 있다.
상기 작동전극(10)으로 일면에 배면전극이 형성된 상기 기판으로는 유리, 소다회 유리, 세라믹, 스테인레스, 금속, 폴리이미드 등의 유연기판을 사용할 수 있다. 본 발명에서는 폴리이미드를 기판으로 사용하여 유연성 기판을 제조할 수 있다.
상기 기판상에 형성된 배면전극으로는 Mo, Ni, Cu이 사용될 수 있다. 본 발명에서는 폴리이미드 기판상에 Ni, Cu를 증착하여 배면전극을 형성할 수 있다.
본 발명은 연성 CIGS 광흡수층을 제조할 수 있는데, 이를 위해 연성의 폴리이미드 기판과 배면전극으로 Ni, Cu를 사용할 수 있다.
플렉시블 CIGS 광흡수층을 위해서 Ni을 사용하여 박리강도(PI/배면전극)를 향상시키고 계면결합력을 높일 수 있다. 또한 본 발명은 Cu를 증착하여 Seed layer를 형성해 줌으로써 전착시 발생할 수 있는 전착층과 기판(기지)과의 박리를 최소화할 수 있다.
상기 전착단계는 상기 전극에 전원을 가하여 상기 배면전극 상에 CIGS 박막을 전착하는 단계이다.
상기 전착단계는 전원을 정전류 모드 방법으로 가하고, 전류밀도를 0.1~0.5 ASD(암페어/데시미터) 범위에서 2~3단계로 변화시킬 수 있다.
상기 전착단계는 상기 전류밀도를 1000~1100초까지는 0.2~0.3ASD, 바람직하게는 0.3ASD로 가하고, 이후 100~200초는 약 0.45 ~0.55 ASD, 바람직하게는 0.5ASD로 가할 수 있다. 상기 전류밀도가 2 단계로 가해질 때 균일한 박막과 이상적인 CIGS 조성을 나타낼 수 있다.
상기 전착에 의해 형성된 CIGS 박막의 두께가 1~5㎛, 바람직하게는 1.7~2.2㎛이다.
상기 전착단계에서 전구체 용액의 온도가 35~45℃, 보다 바람직하게는 약 40℃부근이다. 상기 전구체 용액의 온도가 상기 범위일 때 표면의 균일성이 더욱 잘 유지될 수 있다.
상기 전착단계는 상기 전구체 용액에 버블(50)을 주입하여 교반을 수행할 수 있다. 도 1을 참조하면, 상기 전착장치 하단에서 에어가 주입되어 버블을 형성한다. 상기 버블에 의한 교반은 종래 마그네틱 교반에 비해 전착층의 균일성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 종래 마그네틱바에 의한 교반은 전착층의 에지(Edge) 부분과 센터(center) 부분의 차이가 있는 반면 상기 버블에 의한 교반은 에지와 센터의 균일성을 더욱 더 향상시킨다.
상기 방법은 상기 전착 단계 후에 200~260℃, 바람직하게는 240~250℃에서 열처리하는 어닐링(annealing) 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 어닐링 단계에 의해 완전한 결정화를 이룰 수 있다.
다른 양상에서 본 발명은 상기 CIGS 박막을 구비하는 태양전지에 관계한다. 상기 CIGS 박막은 태양전지의 광흡수층을 형성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 CIGS 박막을 구비하는 태양전지의 일구현예를 나타내는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 태양전지는 기판(110), 배면전극(120), 광흡수층(130), 버퍼층(140), 윈도층(150), 반사방지막(160) 및 전면전극(170)을 포함한다.
상기 기판(110)이 유리, 소다회 유리, 세라믹, 스테인레스, 금속, 폴리이미드 등의 유연기판을 사용할 수 있다. 본 발명에서는 폴리이미드를 기판으로 사용하여 유연성 기판을 제조할 수 있다.
상기 기판상에 형성된 배면전극으로는 Mo, Ni, Cu이 사용될 수 있다. 본 발명에서는 폴리이미드 기판 상에 Ni, Cu를 증착하여 배면전극을 형성할 수 있다.
상기 광흡수층으로 상기 CIGS 박막의 제조방법에 의해 형성된 박막을 사용할 수 있다. 상기 방법에 의해 제조된 CIGS 박막은 이상적인 CIGS 조성비를 나타내고, 표면 평탄성이 우수하다.
이하에서 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하나 본 발명의 실시예들은 여러 가지로 변형될 수 있으며 본 발명의 범위가 실시예에 의해서 한정되지 않는다.
실시예
플리즈마로 표면 에칭한 폴리이미드 기판을 기지표면의 수분흡수와 산화방지를 위하여 즉시 RF 마그네트론 스퍼터(RF Magnetron Sputter)의 챔버에 장입한 후 챔버의 진공도를 2×10-6 torr 이하가 되게 유지하였다. 목적 Seed 금속을 증착하기 전에 프리 스퍼터링을 10분간 수행 한 후 Ni은 300W의 출력으로 50nm로 Cu는 200W의 출력으로 200nm로 연속 증착하였다.
전해도금을 위한 전구체 용액은 0.5M Na2SO4 전해질 수용액에 CuCl2 , GaCl3 , InCl3 , H2SeO3 전구체를 넣어 제조하였다. 전구체 용액의 pH는 약 3.5, 정전류 모드 방법으로 0.1~0.5ASD(0.1, 0.2, 0.3, 0.4 0.5ASD로 각각 수행), 반응시간은 1200초 동안 이루어졌다. 전착중에 1L/min의 버블을 이용한 교반을 실시하였고, 전해도금 온도는 40℃로 고정하였다. 도 1에 도시된 전착장치를 이용하여 전착을 수행하였다. 이때 기준전극으로는 Hg/Hg2SO4 전극을, 대향전극(counter electrode)으로는 Ti base에 Al2O3 코팅된 불용성 전극을, 작동전극(working electrode)으로는 니켈과 구리가 증착된 PI기판을 사용하였다.
상기 전착 후에 250℃에서 1시간 동안 Ar 및 N2 분위기 하에 열처리를 진행 하였다.
실시예
1
상기 실시예에서 전구체 CuCl2 , GaCl3 , InCl3 , H2SeO3 4가지의 화합물을 투입함에 있어서, CuCl2의 몰농도는 2mM과 5mM, GaCl3의 몰농도는 5mM과 15mM, InCl3의 몰농도는 10mM과 20mM 그리고 H2SeO3의 몰농도는 5mM, 10mM, 15mM로 하여 총 24가지 조합으로 실험을 실시하였다.
도 3은 실시예1에 의해 수득한 박막을 SEM 이미지를 나타낸 것이다. 도 3을 참조하면, 상기 전구체가 2:5:10:5의 몰비를 가지는 경우에 박막의 표면이 균일하고 이상적인 조성비(CuIn0.7Ga0.3Se)에 근접함을 확인할 수 있다.
실시예
2
상기 실시예에서 전류밀도를 0.1, 0.2, 0.3, 0.4 0.5ASD로 각각 수행하여 박막을 형성하였다. 상기 실시예 2에서 수득한 박막들의 SEM 이미지를 도 4에 나타내었으며, 또한, 상기 박막들의 CIGS의 EDS 데이터를 도 5에 나타내었다.
도 4를 참조하면, 0.1ASD일 때 미세 크랙들이 존재하며 박막 입자들이 불균일하게 분포하고 있으며, 0.2ASD에서는 박막의 균일성은 향상되었지만 미세한 크랙이 발견되었다. 0.3ASD에서 증착된 박막은 미세한 크랙들이 사라지고 구형이 입자들이 보다 조밀하게 밀집되어 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 0.4ASD 이상의 조건에서는 박막 위에 과다하게 노듈이 형성되었으며 노듈의 높이는 5㎛이상으로 CIGS 광흡수층으로는 부적합한 양상을 나타냈다.
도 5를 참조하면, CIGS 조성비는 0.3ASD, 0.4ASD, 0.5ASD 일 때 이상적인 조성비에 가장 근접였다. 0.4ASD와 0.5ASD 경우 가장 근접한 CIGS 조성비를 나타냈지만 목표로 하는 박막층의 두께 2㎛를 약 5배 정도 상회하는 전착층의 두께를 보였다. 특히 Ga의 경우 0.1ASD, 0.2ASD와 같이 저 전류일 때 소량 검출되었고 0.4ASD, 특히 0.5ASD 일때는 전체 GIGS의 조성비중 Ga의 비율이 20%에 육박하였다. Cu의 경우 저전류 일 때 Cu의 비율이 70%에 이르렀으며 전류밀도가 높아질수록 그 비율이 상대적으로 줄어들었다. 따라서, 전해도금을 이용한 CIGS 박막층 형성시 단일 스텝으로 일정하게 전착하는 것 보다 2 스텝 혹은 3스텝의 전류밀도로 CIGS의 전착층을 형성하는 것이 바람직함을 확인할 수 있다.
실시예
3
실시예에서 전류밀도를 정전류 모드로 0.3ASD(1000초)로 가한 후 이어서 0.5ASD(200초)로 가하였다. 여기에 첨가제로서 A계열, B계열의 첨가제를 단독 혹은 복합적으로 첨가하여 실험을 수행하였다.
도 6은 실시예 3에서 A계열의 첨가제를 5, 10, 15, 20ppm 투여했을 때 수득한 박막들의 SEM이미지이다. 도 6을 참조하면, A계열 5ppm을 첨가하였을 때 표면의 결정들이 고르게 분포하지 못하고 큰 결정립이 존재하는 반면 첨가량이 많아질수록 이러한 현상들은 줄어들고 표면은 평탄해지는 경향을 나타내었다. A계열의 첨가량이 표면 조도에 영향을 미치며 더 나아가 A계열의 첨가로 표면 조도의 조절이 가능함을 확인할 수 있다.
도 7은 B계열 5~15ppm + A계열 5~15ppm의 비율로 첨가제(복합 첨가제)를 넣어 수득한 박막들의 SEM 이미지이다. 도 8은 상기 복합 첨가제를 넣어 수득한 박막들의 CIGS의 EDS 데이터이다.
도 7을 참조하면, 고정된 B계열 첨가량에 A계열 첨가량이 늘어날수록 표면 결정립은 커지고 박막의 표면이 평탄해 짐을 확인할 수 있다.
도 8을 참조하면, CIGS 조성비 역시 단독 첨가제 투입시 보다 만족할만한 결과를 나타내었다. 특히 B15+A15ppm을 첨가했을 경우 Ga/(Ga+In)=0.355 및 Cu/(In+Ga)=0.875를 나타냈으며 가장 CIGS 이상적인 조성비에 근접한 결과이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 이용될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
10 : 작동전극 20 : 대향전극
30 : 전구체 용액 40 : 기준전극
50 : 버블
30 : 전구체 용액 40 : 기준전극
50 : 버블
Claims (12)
- 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 셀레늄 전구체 및 첨가제를 구비하는 전구체 용액을 제공하는 단계 ; 상기 전구체 용액에 폴리이미드 기판상에 배면 전극이 형성된 작동전극 및 대향전극을 침지하는 단계 ; 및 상기 전극에 전원을 가하여 상기 배면전극 상에 CIGS 박막을 전착하는 단계를 포함하되,
상기 첨가제는 A 계열 첨가제, B 계열 첨가제 및 A 계열 첨가제와 B 계열 첨가제의 혼합물 중 하나 이상이고, 상기 A 계열 첨가제는 Gelita, Arabic Gum 및 Hydroxyethyl Cellulose의 군에서 선택되는 하나 이상이고, 상기 B 계열 첨가제는 분자량이 1만 이하의 유기첨가제인 MPS(mercapto prpanesufonic ace sodium salt), gelatin 및 콜라겐의 군에서 선택되는 하나 이상이고,
상기 전착단계는 전원을 정전류 모드 방법으로 가하고, 전류밀도를 0.1~0.5 ASD(암페어/데시미터) 범위에서 2~3단계로 변화시키는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법. - 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 전구체 용액은 전해액 수용액에 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체, 셀레늄 전구체 및 첨가제를 구비하여 형성되고, 상기 구리 전구체, 인듐 전구체, 갈륨 전구체 및 셀레늄 전구체는 몰비로 1 : 2~3 ; 4.5~5.5 ; 2~3 범위인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 전해액 수용액의 몰농도가 0.1~1M인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 기판상의 배면전극으로 니켈 및 구리가 적층된 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 전착단계는 상기 전류밀도를 1000~1100초까지는 0.2~0.3ASD로 가하고, 이후 100~200초는 0.45 ~0.55 ASD로 가하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 전착단계에서 전구체 용액의 온도가 35~45℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 전착단계는 상기 전구체 용액에 버블을 주입하여 교반을 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 전착 단계 후에 200~260℃에서 열처리하는 어닐링(annealing) 단계를 추가로 포함하는 것을 하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법.
- 폴리이미드 기판 ;
상기 기판 상에 적층된 니켈 및 구리로 된 배면전극 ;
상기 배면전극 상에 제 1항, 제 3항. 제 4항, 제 6항, 및 제 8항 내지 11항 중 어느 한 항에 따라 형성된 CIGS 박막을 구비하는 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
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