JPH11236664A - スパッタリング用ターゲットのバッキングプレート - Google Patents
スパッタリング用ターゲットのバッキングプレートInfo
- Publication number
- JPH11236664A JPH11236664A JP4182598A JP4182598A JPH11236664A JP H11236664 A JPH11236664 A JP H11236664A JP 4182598 A JP4182598 A JP 4182598A JP 4182598 A JP4182598 A JP 4182598A JP H11236664 A JPH11236664 A JP H11236664A
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- target material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ターゲット材料中に不純物が混入するのを防止
でき、スパッタリングの生産性も良好なスパッタリング
用ターゲットのバッキングプレートを提供する。 【解決手段】バッキングプレート基材（１ａ）の表面に
ニッケル層（１ｂ）を設けたことを特徴とする。ニッケ
ル層（１ｂ）の厚みは、0.１μｍ以上、５０μｍ以下と
することが望ましい。
でき、スパッタリングの生産性も良好なスパッタリング
用ターゲットのバッキングプレートを提供する。 【解決手段】バッキングプレート基材（１ａ）の表面に
ニッケル層（１ｂ）を設けたことを特徴とする。ニッケ
ル層（１ｂ）の厚みは、0.１μｍ以上、５０μｍ以下と
することが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング用
ターゲットを構成するバッキングプレートに関し、より
詳しくは、表面に特定厚みのニッケル層を設けたバッキ
ングプレートに関する。
ターゲットを構成するバッキングプレートに関し、より
詳しくは、表面に特定厚みのニッケル層を設けたバッキ
ングプレートに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スパッタリング用ターゲットのバ
ッキングプレートとしては、純度９９.9６重量％以上の
無酸素銅（ＪＩＳ Ｃ１０２０Ｐ）が広く使用されてい
る。従来、このバッキングプレートとスパッタリング用
ターゲット材料（以下、単に「ターゲット材料」とい
う。）とのボンディングは、Ｉｎ−Ｚｎ合金、Ｉｎ−Ｓ
ｎ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金等のＩｎを主体とするＩｎ合金
や、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金等のＳｎを主体と
するＳｎ合金等のボンディング材料を用い、ターゲット
の製造温度が１５０〜３５０℃で行われてきた。
ッキングプレートとしては、純度９９.9６重量％以上の
無酸素銅（ＪＩＳ Ｃ１０２０Ｐ）が広く使用されてい
る。従来、このバッキングプレートとスパッタリング用
ターゲット材料（以下、単に「ターゲット材料」とい
う。）とのボンディングは、Ｉｎ−Ｚｎ合金、Ｉｎ−Ｓ
ｎ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金等のＩｎを主体とするＩｎ合金
や、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金等のＳｎを主体と
するＳｎ合金等のボンディング材料を用い、ターゲット
の製造温度が１５０〜３５０℃で行われてきた。
【０００３】ところが、１５０℃以上に加熱された銅製
バッキングプレートを用いてスパッタリング用ターゲッ
トを製造すると、ターゲット材料中に銅が拡散する現象
が発生し、また、一般に、ターゲット材料を数回貼り替
えると、バッキングプレートの無酸素銅に焼き鈍し現象
が発生し、バッキングプレートの強度が劣化する。この
状態で、スパッタリング作業を続けると、スパッタリン
グ作業中に使用される冷却水の水圧で、バッキングプレ
ートが変形する事故も発生しかねない。
バッキングプレートを用いてスパッタリング用ターゲッ
トを製造すると、ターゲット材料中に銅が拡散する現象
が発生し、また、一般に、ターゲット材料を数回貼り替
えると、バッキングプレートの無酸素銅に焼き鈍し現象
が発生し、バッキングプレートの強度が劣化する。この
状態で、スパッタリング作業を続けると、スパッタリン
グ作業中に使用される冷却水の水圧で、バッキングプレ
ートが変形する事故も発生しかねない。
【０００４】そこで、焼き鈍し温度の高いクロム銅（Ｊ
ＩＳ Ｚ３２３４）等をバッキングプレート材として使
用する試みがある。しかしながら、従来のＩｎ合金やＳ
ｎ合金は、上記クロム銅と濡れ性が悪く、十分な接合強
度が得られない。この傾向は、バッキングプレート表面
に酸化クロム層が形成されている場合に特に顕著であ
る。
ＩＳ Ｚ３２３４）等をバッキングプレート材として使
用する試みがある。しかしながら、従来のＩｎ合金やＳ
ｎ合金は、上記クロム銅と濡れ性が悪く、十分な接合強
度が得られない。この傾向は、バッキングプレート表面
に酸化クロム層が形成されている場合に特に顕著であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高温
作業においても、ターゲット材料の貼り替えにおいて
も、Ｉｎ合金やＳｎ合金をボンディング材に用いた従来
の方法においても、不純物がターゲット材料に混入せ
ず、ターゲット材料との密着性も良好なスパッタリング
用ターゲットに用いるバッキングプレートを提供するこ
とにある。同時にまた、本発明の目的は、スパッタリン
グ加工の生産性を向上し得るバッキングプレートを提供
することにある。
作業においても、ターゲット材料の貼り替えにおいて
も、Ｉｎ合金やＳｎ合金をボンディング材に用いた従来
の方法においても、不純物がターゲット材料に混入せ
ず、ターゲット材料との密着性も良好なスパッタリング
用ターゲットに用いるバッキングプレートを提供するこ
とにある。同時にまた、本発明の目的は、スパッタリン
グ加工の生産性を向上し得るバッキングプレートを提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、上記目的は、バッキングプレート基材の表面に特
定厚みのニッケル層を形成することにより達成し得るこ
とを見出し、本発明に到った。即ち、本発明は、バッキ
ングプレート基材の表面にニッケル層を設けたことを特
徴とするスパッタリング用ターゲットのバッキングプレ
ートである。上記ニッケル層の厚みは、少なくとも0.１
μｍであることが望ましく、また、その厚みの上限は５
０μｍまでとするのが好適である。ニッケル層の表面粗
度は１０μｍ以下であることが望ましい。本発明の好ま
しい一態様は、銅製のバッキングプレート基材の表面に
上記ニッケル層が設けられたものである。本発明のバッ
キングプレートは、Ｉｎ、Ｉｎ−Ｓｎ合金等のターゲッ
ト材料のバッキングプレートとして好適に用いられる。
結果、上記目的は、バッキングプレート基材の表面に特
定厚みのニッケル層を形成することにより達成し得るこ
とを見出し、本発明に到った。即ち、本発明は、バッキ
ングプレート基材の表面にニッケル層を設けたことを特
徴とするスパッタリング用ターゲットのバッキングプレ
ートである。上記ニッケル層の厚みは、少なくとも0.１
μｍであることが望ましく、また、その厚みの上限は５
０μｍまでとするのが好適である。ニッケル層の表面粗
度は１０μｍ以下であることが望ましい。本発明の好ま
しい一態様は、銅製のバッキングプレート基材の表面に
上記ニッケル層が設けられたものである。本発明のバッ
キングプレートは、Ｉｎ、Ｉｎ−Ｓｎ合金等のターゲッ
ト材料のバッキングプレートとして好適に用いられる。
【０００７】上記の如き構成を有する本発明のバッキン
グプレートは、ボンディング材料を用いることなしにタ
ーゲット材料との密着性が良好である。また、高温作業
においても、ターゲット材料の貼り替えにおいても、Ｉ
ｎ合金やＳｎ合金をボンディング材に用いた従来の方法
においても、ターゲット材料に不純物が混入することを
防止できる。従ってまた、本発明のバッキングプレート
上にターゲット材料を配設することにより、スパッタリ
ングの生産性（スパッタレート）を向上することが可能
である。
グプレートは、ボンディング材料を用いることなしにタ
ーゲット材料との密着性が良好である。また、高温作業
においても、ターゲット材料の貼り替えにおいても、Ｉ
ｎ合金やＳｎ合金をボンディング材に用いた従来の方法
においても、ターゲット材料に不純物が混入することを
防止できる。従ってまた、本発明のバッキングプレート
上にターゲット材料を配設することにより、スパッタリ
ングの生産性（スパッタレート）を向上することが可能
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て添付図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発
明のバッキングプレートを用いたスパッタリング用ター
ゲットの断面模式図である。図に示すように、本発明に
おいては、バッキングプレート基材１ａの表面にニッケ
ル層１ｂが設けられる。バッキングプレート基材１ａの
形状には、特に制限はない。例えば、四辺形の底面の各
辺に四辺形の側面が配設された直方形の蓋なし箱状の容
器や、円筒状の容器等が挙げられる。ニッケル層１ｂが
設けられたバッキングプレート１の側面の高さと同一に
なるまで、溶融したターゲット材料２を流し込んで、最
終的なスパッタリング用ターゲットを作製する。
て添付図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発
明のバッキングプレートを用いたスパッタリング用ター
ゲットの断面模式図である。図に示すように、本発明に
おいては、バッキングプレート基材１ａの表面にニッケ
ル層１ｂが設けられる。バッキングプレート基材１ａの
形状には、特に制限はない。例えば、四辺形の底面の各
辺に四辺形の側面が配設された直方形の蓋なし箱状の容
器や、円筒状の容器等が挙げられる。ニッケル層１ｂが
設けられたバッキングプレート１の側面の高さと同一に
なるまで、溶融したターゲット材料２を流し込んで、最
終的なスパッタリング用ターゲットを作製する。
【０００９】バッキングプレート基材１ａの材質は、熱
伝導率を考慮すると、銅製のものが好ましい。また、バ
ッキングプレート１とターゲット材料２との密着性を考
慮すると、ニッケル層１ｂの表面粗度が１０μｍ以下で
あることが好ましい。表面粗度を１０μｍ以下とするこ
とにより、バッキングプレートとターゲット材料との密
着性が強固なものとなる。ニッケル層１ｂの表面粗度を
上記値とするためには、バッキングプレート基材１ａの
表面粗度を１０μｍ以下とすればよく、それには、バッ
キングプレート基材１ａの表面に、ラッピング、ポリッ
シング、エッチング等の処理を施すことが好ましい。本
発明における表面粗度は、表面粗度計（〔株〕小坂研究
所製サーフコーダー、形式：ＡＹ−３１）を用いてＪＩ
Ｓ Ｂ−０６０１に規定される方法により測定した。
伝導率を考慮すると、銅製のものが好ましい。また、バ
ッキングプレート１とターゲット材料２との密着性を考
慮すると、ニッケル層１ｂの表面粗度が１０μｍ以下で
あることが好ましい。表面粗度を１０μｍ以下とするこ
とにより、バッキングプレートとターゲット材料との密
着性が強固なものとなる。ニッケル層１ｂの表面粗度を
上記値とするためには、バッキングプレート基材１ａの
表面粗度を１０μｍ以下とすればよく、それには、バッ
キングプレート基材１ａの表面に、ラッピング、ポリッ
シング、エッチング等の処理を施すことが好ましい。本
発明における表面粗度は、表面粗度計（〔株〕小坂研究
所製サーフコーダー、形式：ＡＹ−３１）を用いてＪＩ
Ｓ Ｂ−０６０１に規定される方法により測定した。
【００１０】上記ニッケル層１ｂは、如何なる方法で形
成されてもよい。例えば、メッキ法、蒸着法などの公知
の技術で形成される。ターゲット材料２への不純物の混
入を防止することを考慮すると、ニッケル層の厚みは、
少なくとも0.１μｍである。不純物の混入を防止するこ
とのみを考慮すれば厚みの上限については特に制限はな
いが、経済性の点を考慮すると、通常５０μｍ以下であ
ることが好ましい。
成されてもよい。例えば、メッキ法、蒸着法などの公知
の技術で形成される。ターゲット材料２への不純物の混
入を防止することを考慮すると、ニッケル層の厚みは、
少なくとも0.１μｍである。不純物の混入を防止するこ
とのみを考慮すれば厚みの上限については特に制限はな
いが、経済性の点を考慮すると、通常５０μｍ以下であ
ることが好ましい。
【００１１】本発明のバッキングプレートには、如何な
るターゲット材料も適用できるが、ターゲット材料がＩ
ｎ、Ｉｎ−Ｓｎ合金である場合に特に好適である。
るターゲット材料も適用できるが、ターゲット材料がＩ
ｎ、Ｉｎ−Ｓｎ合金である場合に特に好適である。
【００１２】本発明のバッキングプレートを用いたスパ
ッタリング用ターゲットは、例えば、次のようにして製
造される。まず、銅製のバッキングプレート基材１ａに
ケミカルエッチング処理を施し、表面粗度を１０μｍ以
下とする。その表面に厚み２０μｍのニッケルメッキを
施すことによりニッケル層１ｂを形成して、本発明のバ
ッキングプレート１を製造する。次に、このバッキング
プレート１を１５０〜２５０℃に加熱し、ターゲット材
料２としての溶融したＩｎ−Ｓｎ合金を流し込み、その
後、徐冷する。加熱温度は、ターゲット材料の融点によ
り上記範囲内で適宜決定される。徐冷は、バッキングプ
レートの下側から行い、通常、空冷方式、水冷方式が採
られる。このような作業を行う装置としては、ホットプ
レート等が一般的である。以上によりスパッタリング用
ターゲットが製造される。
ッタリング用ターゲットは、例えば、次のようにして製
造される。まず、銅製のバッキングプレート基材１ａに
ケミカルエッチング処理を施し、表面粗度を１０μｍ以
下とする。その表面に厚み２０μｍのニッケルメッキを
施すことによりニッケル層１ｂを形成して、本発明のバ
ッキングプレート１を製造する。次に、このバッキング
プレート１を１５０〜２５０℃に加熱し、ターゲット材
料２としての溶融したＩｎ−Ｓｎ合金を流し込み、その
後、徐冷する。加熱温度は、ターゲット材料の融点によ
り上記範囲内で適宜決定される。徐冷は、バッキングプ
レートの下側から行い、通常、空冷方式、水冷方式が採
られる。このような作業を行う装置としては、ホットプ
レート等が一般的である。以上によりスパッタリング用
ターゲットが製造される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。なお、製造されたターゲット
の評価項目および評価方法は以下の通りである。 (1) ターゲット材料中の不純物分析（ｐｐｍ） 誘導結合高周波プラズマ（ＩＣＰ）発光分析を用いて、
ターゲット材料の組成元素以外の元素について、銅に関
しては２０ｐｐｍを基準に、ニッケルに関しては３０ｐ
ｐｍを基準に、それ以上含まれる場合を不純物としてカ
ウントした。 (2) スパッタリング時のレート（ｎｍ／ｋＷ・ｓ） ２.3Ｗ／ｃｍ2 で２７秒間スパッタリングした時のスパ
ッタ膜の膜厚を測定し、これに基づきレートを算出し
た。 (3) １時間スパッタリング後のターゲットの表面状態 金属光沢の度合（色合い）を目視で観察した。 (4) スパッタ膜の比抵抗（Ω・ｃｍ） 電気抵抗測定装置（三菱油化〔株〕製、形式：ロレスタ
ＳＰ）を用いて、４探針法により測定した。
をさらに詳細に説明する。なお、製造されたターゲット
の評価項目および評価方法は以下の通りである。 (1) ターゲット材料中の不純物分析（ｐｐｍ） 誘導結合高周波プラズマ（ＩＣＰ）発光分析を用いて、
ターゲット材料の組成元素以外の元素について、銅に関
しては２０ｐｐｍを基準に、ニッケルに関しては３０ｐ
ｐｍを基準に、それ以上含まれる場合を不純物としてカ
ウントした。 (2) スパッタリング時のレート（ｎｍ／ｋＷ・ｓ） ２.3Ｗ／ｃｍ2 で２７秒間スパッタリングした時のスパ
ッタ膜の膜厚を測定し、これに基づきレートを算出し
た。 (3) １時間スパッタリング後のターゲットの表面状態 金属光沢の度合（色合い）を目視で観察した。 (4) スパッタ膜の比抵抗（Ω・ｃｍ） 電気抵抗測定装置（三菱油化〔株〕製、形式：ロレスタ
ＳＰ）を用いて、４探針法により測定した。
【００１４】〔実施例１〕まず、スパッタリング用ター
ゲットを下記のようにして製造した。純度９９.9９％の
銅により図１に示すような断面形状のバッキングプレー
ト基材１ａを作製し、これにニッケルメッキして、厚み
２μｍのニッケル層１ｂを有するバッキングプレート１
を得た。次に、純度９９.9９％のＩｎＳｎインゴット
（Ｉｎ＝８０重量％）を黒鉛素材のるつぼ内で溶融し、
これを１６０℃に加熱された上記バッキングプレート上
に、液面がバッキングプレートを満たすまで流し込ん
だ。その直後、表層の低級酸化物をすくい取り除いた
後、ターゲットを冷却して固着させた。このターゲット
を用いて、スパッタリング（スパッタ電力：２.3Ｗ／ｃ
ｍ2 時間：２７秒間）を行なった。この場合のターゲッ
ト材料中の不純物、スパッタレート、ターゲットの表面
状態及びスパッタ膜の比抵抗について上記方法により評
価し、得られた結果を〔表１〕に示す。
ゲットを下記のようにして製造した。純度９９.9９％の
銅により図１に示すような断面形状のバッキングプレー
ト基材１ａを作製し、これにニッケルメッキして、厚み
２μｍのニッケル層１ｂを有するバッキングプレート１
を得た。次に、純度９９.9９％のＩｎＳｎインゴット
（Ｉｎ＝８０重量％）を黒鉛素材のるつぼ内で溶融し、
これを１６０℃に加熱された上記バッキングプレート上
に、液面がバッキングプレートを満たすまで流し込ん
だ。その直後、表層の低級酸化物をすくい取り除いた
後、ターゲットを冷却して固着させた。このターゲット
を用いて、スパッタリング（スパッタ電力：２.3Ｗ／ｃ
ｍ2 時間：２７秒間）を行なった。この場合のターゲッ
ト材料中の不純物、スパッタレート、ターゲットの表面
状態及びスパッタ膜の比抵抗について上記方法により評
価し、得られた結果を〔表１〕に示す。
【００１５】〔実施例２〕ニッケルメッキの厚みを２０
μｍとした以外は、実施例１と同様にしてターゲットを
製造し、評価を行った。 〔実施例３〕ニッケルメッキの厚みを５０μｍとした以
外は、実施例１と同様にしてターゲットを製造し、評価
を行った。 〔実施例４〕ターゲット材料を、Ｉｎ＝９０重量％のＩ
ｎＳｎインゴットとした以外は、実施例１と同様にして
ターゲットを製造し、評価を行った。 〔実施例５〕ターゲット材料を、Ｉｎ＝９５重量％のＩ
ｎＳｎインゴットとした以外は、実施例１と同様にして
ターゲットを製造し、評価を行った。 〔実施例６〕ターゲット材料をＩｎとした以外は、実施
例１と同様にしてターゲットを製造し、評価を行った。
μｍとした以外は、実施例１と同様にしてターゲットを
製造し、評価を行った。 〔実施例３〕ニッケルメッキの厚みを５０μｍとした以
外は、実施例１と同様にしてターゲットを製造し、評価
を行った。 〔実施例４〕ターゲット材料を、Ｉｎ＝９０重量％のＩ
ｎＳｎインゴットとした以外は、実施例１と同様にして
ターゲットを製造し、評価を行った。 〔実施例５〕ターゲット材料を、Ｉｎ＝９５重量％のＩ
ｎＳｎインゴットとした以外は、実施例１と同様にして
ターゲットを製造し、評価を行った。 〔実施例６〕ターゲット材料をＩｎとした以外は、実施
例１と同様にしてターゲットを製造し、評価を行った。
【００１６】〔比較例１〕ニッケルメッキの厚みを0.０
５μｍとした以外は、実施例１と同様にしてターゲット
を製造し、評価を行った。 〔比較例２〕バッキングプレートにニッケル層を設けな
かった以外は、実施例１と同様にしてターゲットを製造
し、評価を行った。以上の実施例２〜６及び比較例１、
２の評価結果も共に〔表１〕に示す。
５μｍとした以外は、実施例１と同様にしてターゲット
を製造し、評価を行った。 〔比較例２〕バッキングプレートにニッケル層を設けな
かった以外は、実施例１と同様にしてターゲットを製造
し、評価を行った。以上の実施例２〜６及び比較例１、
２の評価結果も共に〔表１〕に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】上記〔表１〕に示した評価結果からも理
解される通り、特定の厚みのニッケル層を設けた本発明
に係るバッキングプレートを用いることにより、ターゲ
ット材料に不純物が混入するのを有効に防止し得る。ま
た、このバッキングプレートを用いたスパッタリング用
ターゲットによるスパッタリングの生産性（スパッタレ
ート）は従来のものに比べ極めて高い。
解される通り、特定の厚みのニッケル層を設けた本発明
に係るバッキングプレートを用いることにより、ターゲ
ット材料に不純物が混入するのを有効に防止し得る。ま
た、このバッキングプレートを用いたスパッタリング用
ターゲットによるスパッタリングの生産性（スパッタレ
ート）は従来のものに比べ極めて高い。
【００１９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、例えばバッキングプレートの形状、材質、ニ
ッケル層の形成手段、ターゲット材料の充填方法等々は
スパッタリングの条件等により適宜変更し得るものであ
り、従って、本発明はその目的の範囲内において上記の
説明から当業者が容易に想到し得るすべての変更実施例
を包摂するものである。
のでなく、例えばバッキングプレートの形状、材質、ニ
ッケル層の形成手段、ターゲット材料の充填方法等々は
スパッタリングの条件等により適宜変更し得るものであ
り、従って、本発明はその目的の範囲内において上記の
説明から当業者が容易に想到し得るすべての変更実施例
を包摂するものである。
【図１】 本発明のバッキングプレートを用いたスパッ
タリング用ターゲットの断面模式図である。
タリング用ターゲットの断面模式図である。
1 バッキングプレート 1a バッキングプレート基材 1b ニッケル層 2 ターゲット材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 彰 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井化学株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 バッキングプレート基材（１ａ）の表面
にニッケル層（１ｂ）を設けたことを特徴とするスパッ
タリング用ターゲットのバッキングプレート（１）。 - 【請求項２】 ニッケル層（１ｂ）の厚みが少なくとも
0.１μｍである請求項１に記載のスパッタリング用ター
ゲットのバッキングプレート。 - 【請求項３】 ニッケル層（１ｂ）の厚みの上限が５０
μｍである請求項１又は２に記載のスパッタリング用タ
ーゲットのバッキングプレート。プレート。 - 【請求項４】 ニッケル層（１ｂ）の表面粗度が１０μ
ｍ以下である請求項１から３までのいずれかに記載のス
パッタリング用ターゲットのバッキングプレート。 - 【請求項５】 バッキングプレート基材（１ａ）の材質
が銅である請求項１から４までのいずれかに記載のスパ
ッタリング用ターゲットのバッキングプレート。 - 【請求項６】 ターゲット材料（２）が、Ｉｎ又はＩｎ
−Ｓｎ合金である請求項１から５までのいずれかに記載
のスパッタリング用ターゲットのバッキングプレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182598A JPH11236664A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | スパッタリング用ターゲットのバッキングプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182598A JPH11236664A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | スパッタリング用ターゲットのバッキングプレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236664A true JPH11236664A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12619069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4182598A Pending JPH11236664A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | スパッタリング用ターゲットのバッキングプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11236664A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010024474A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | インジウムターゲットの製造方法 |
| WO2012029356A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
| JP2012184469A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｉｎスパッタリングターゲットの製造方法 |
| WO2013042451A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
| JP2015074788A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｉｎスパッタリングターゲット及びＩｎ膜 |
| CN104818459A (zh) * | 2014-02-04 | 2015-08-05 | Jx日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
| US9139900B2 (en) | 2011-03-01 | 2015-09-22 | JX Nippon Mining Metals Corporation | Indium target and manufacturing method thereof |
| WO2016129621A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2016129622A1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
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