JPH0586463A - スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 - Google Patents
スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法Info
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- JPH0586463A JPH0586463A JP15912991A JP15912991A JPH0586463A JP H0586463 A JPH0586463 A JP H0586463A JP 15912991 A JP15912991 A JP 15912991A JP 15912991 A JP15912991 A JP 15912991A JP H0586463 A JPH0586463 A JP H0586463A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ターゲット11は、柱状の基体12と、基体
外周面12aに積層された中間層13,14と、中間層
14外周面に積層されたCr,Ti,Zrのうち少なく
とも1種を含むSi合金のターゲット層15とから構
成。基体はステンレススチール、Cu合金から選択され
た少なくとも1種、中間層はMo,Ti,W,Niのう
ち少なくとも1種、中間層の最外層はNiとする。中間
層は複数の層、基体は筒状であるとしてもよい。ターゲ
ットの製造方法は、溶射法により基体の外周面に中間層
とターゲット層を順次積層する。 【効果】 ターゲット層が基体から剥離するのを防止す
ることができ、耐腐食性及び冷却効率を高めることがで
きる。また、ターゲット層の機械加工をする必要がなく
なり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不要にな
る。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容易に製
造することが可能になる。
外周面12aに積層された中間層13,14と、中間層
14外周面に積層されたCr,Ti,Zrのうち少なく
とも1種を含むSi合金のターゲット層15とから構
成。基体はステンレススチール、Cu合金から選択され
た少なくとも1種、中間層はMo,Ti,W,Niのう
ち少なくとも1種、中間層の最外層はNiとする。中間
層は複数の層、基体は筒状であるとしてもよい。ターゲ
ットの製造方法は、溶射法により基体の外周面に中間層
とターゲット層を順次積層する。 【効果】 ターゲット層が基体から剥離するのを防止す
ることができ、耐腐食性及び冷却効率を高めることがで
きる。また、ターゲット層の機械加工をする必要がなく
なり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不要にな
る。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容易に製
造することが可能になる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、基体の外周面に溶射
法によりSi合金のターゲット層を形成したスパッタリ
ング用ターゲット及びその製造方法に関するものであ
る。
法によりSi合金のターゲット層を形成したスパッタリ
ング用ターゲット及びその製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、Si合金をターゲット層としたD
Cスパッタリング用ターゲット(以下、単にターゲット
と略称する)としてはプレーナ型(円板状もしくは角板
状)のターゲットが広く使用されている。しかし、この
ターゲットは、材料の使用効率が20%以下と非常に低
く、また連続スパッタリングや長尺物のスパッタリング
ができない等の欠点もあるために、最近では円筒状のタ
ーゲットが用いられつつある。
Cスパッタリング用ターゲット(以下、単にターゲット
と略称する)としてはプレーナ型(円板状もしくは角板
状)のターゲットが広く使用されている。しかし、この
ターゲットは、材料の使用効率が20%以下と非常に低
く、また連続スパッタリングや長尺物のスパッタリング
ができない等の欠点もあるために、最近では円筒状のタ
ーゲットが用いられつつある。
【0003】図2は従来より用いられている円筒状のタ
ーゲットの一例を示す断面図である。このターゲット1
は、円筒状のステンレス製のバッキングチューブ(基
体)2の外周面2aに、溶射法によりSi合金のターゲ
ット層3を均一に形成したものである。
ーゲットの一例を示す断面図である。このターゲット1
は、円筒状のステンレス製のバッキングチューブ(基
体)2の外周面2aに、溶射法によりSi合金のターゲ
ット層3を均一に形成したものである。
【0004】このターゲット1は、ターゲット層3の使
用効率が80〜90%程度と非常に高く、またガラス面
や鏡面等、面積の広い部分に均一にスパッタリングでき
ることから、今後益々用途が広がると期待されているタ
ーゲットである。
用効率が80〜90%程度と非常に高く、またガラス面
や鏡面等、面積の広い部分に均一にスパッタリングでき
ることから、今後益々用途が広がると期待されているタ
ーゲットである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲット1を用いてスパッタリングすると、スパッタ中に
ターゲット層3がバッキングチューブ2から剥離する恐
れがあるという問題があった。
ゲット1を用いてスパッタリングすると、スパッタ中に
ターゲット層3がバッキングチューブ2から剥離する恐
れがあるという問題があった。
【0006】その理由は、ターゲット層3とバッキング
チューブ2との熱膨張係数が異なることから、スパッタ
リング毎にターゲット層3とバッキングチューブ2がそ
れぞれ膨張・収縮を繰り返すことにより、ターゲット層
3とバッキングチューブ2との接合強度が低下するため
である。この接合強度がさらに低下した場合、ターゲッ
ト層3に割れが発生したり、あるいは容易にバッキング
チューブ2から剥離したり等の不具合が生じることとな
り、スパッタされる製品の品質に悪影響を及ぼすことと
なる。
チューブ2との熱膨張係数が異なることから、スパッタ
リング毎にターゲット層3とバッキングチューブ2がそ
れぞれ膨張・収縮を繰り返すことにより、ターゲット層
3とバッキングチューブ2との接合強度が低下するため
である。この接合強度がさらに低下した場合、ターゲッ
ト層3に割れが発生したり、あるいは容易にバッキング
チューブ2から剥離したり等の不具合が生じることとな
り、スパッタされる製品の品質に悪影響を及ぼすことと
なる。
【0007】この発明は上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、以上の問題を有効に解決することができるS
i合金のスパッタリング用ターゲット及びその製造方法
を提供することにある。
のであり、以上の問題を有効に解決することができるS
i合金のスパッタリング用ターゲット及びその製造方法
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。
【0009】すなわち、請求項1記載のスパッタリング
用ターゲットは、柱状の基体と、当該基体の外周面に形
成された中間層と、該中間層の外周面に形成されCr,
Ti,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合
金を主成分とするターゲット層とからなることを特徴と
している。
用ターゲットは、柱状の基体と、当該基体の外周面に形
成された中間層と、該中間層の外周面に形成されCr,
Ti,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合
金を主成分とするターゲット層とからなることを特徴と
している。
【0010】また、請求項2記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項1記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記基体は、ステンレススチール、Cu合
金から選択された少なくとも1種を主成分とすることを
特徴としている。
ーゲットは、請求項1記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記基体は、ステンレススチール、Cu合
金から選択された少なくとも1種を主成分とすることを
特徴としている。
【0011】また、請求項3記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項1記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層は、Mo,Ti,W,Niから
選択された少なくとも1種を主成分とすることを特徴と
している。
ーゲットは、請求項1記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層は、Mo,Ti,W,Niから
選択された少なくとも1種を主成分とすることを特徴と
している。
【0012】また、請求項4記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項1,2または3記載のスパッタリン
グ用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の層から
なることを特徴としている。
ーゲットは、請求項1,2または3記載のスパッタリン
グ用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の層から
なることを特徴としている。
【0013】また、請求項5記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項4記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層の最外層は、Niを主成分とす
ることを特徴としている。
ーゲットは、請求項4記載のスパッタリング用ターゲッ
トにおいて、前記中間層の最外層は、Niを主成分とす
ることを特徴としている。
【0014】また、請求項6記載のスパッタリング用タ
ーゲットは、請求項1または2記載のスパッタリング用
ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であることを特
徴としている。
ーゲットは、請求項1または2記載のスパッタリング用
ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であることを特
徴としている。
【0015】また、請求項7記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法は、柱状の基体の外周面に、溶射法
により、中間層と、Cr,Ti,Zrから選択された少
なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲット
層を順次積層することを特徴としている。
ーゲットの製造方法は、柱状の基体の外周面に、溶射法
により、中間層と、Cr,Ti,Zrから選択された少
なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲット
層を順次積層することを特徴としている。
【0016】また、請求項8記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法は、請求項7記載のスパッタリング
用ターゲットの製造方法において、前記基体は、筒状で
あることを特徴としている。
ーゲットの製造方法は、請求項7記載のスパッタリング
用ターゲットの製造方法において、前記基体は、筒状で
あることを特徴としている。
【0017】以下に、この発明を更に詳細に説明する。
前記基体としては、非磁性、機械的強度大、熱伝導率
良、耐食性良、耐熱性良、熱膨張係数小等の種々の特性
を備えた材料が好ましい。また、前記中間層としては、
非磁性、基体とのなじみが良、熱膨張係数小(Si合金
に近似)、他の層と反応し難い等の種々の特性を備えた
材料が好ましい。
前記基体としては、非磁性、機械的強度大、熱伝導率
良、耐食性良、耐熱性良、熱膨張係数小等の種々の特性
を備えた材料が好ましい。また、前記中間層としては、
非磁性、基体とのなじみが良、熱膨張係数小(Si合金
に近似)、他の層と反応し難い等の種々の特性を備えた
材料が好ましい。
【0018】ここで、前記基体の主成分を、ステンレス
スチール、Cu合金から選択された少なくとも1種とし
たのは、酸化性または還元性の雰囲気中においてこれら
の材料が腐食し難いからであり、また、熱伝導性が良好
であることよりターゲットの冷却効率を高めることがで
きるからである。
スチール、Cu合金から選択された少なくとも1種とし
たのは、酸化性または還元性の雰囲気中においてこれら
の材料が腐食し難いからであり、また、熱伝導性が良好
であることよりターゲットの冷却効率を高めることがで
きるからである。
【0019】また、ターゲット層の主成分を、Cr,T
i,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金
としたのは、Si単体ではSiが真性半導体であるため
に電気抵抗が高くDCスパッタができないが、Cr,T
i,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金
とすることにより、該ターゲット層の電気抵抗を低下さ
せて該ターゲット層の電気伝導性を確保することができ
るからである。また、SiにCr,Ti,Zrから選択
された少なくとも1種を加えることにより、該Si合金
の機械的強度及び耐熱性が高まり、前記ターゲット層に
割れが発生したり、また容易にバッキングチューブから
剥離したり等の不具合が解消される。
i,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金
としたのは、Si単体ではSiが真性半導体であるため
に電気抵抗が高くDCスパッタができないが、Cr,T
i,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金
とすることにより、該ターゲット層の電気抵抗を低下さ
せて該ターゲット層の電気伝導性を確保することができ
るからである。また、SiにCr,Ti,Zrから選択
された少なくとも1種を加えることにより、該Si合金
の機械的強度及び耐熱性が高まり、前記ターゲット層に
割れが発生したり、また容易にバッキングチューブから
剥離したり等の不具合が解消される。
【0020】また、中間層の主成分をMo,Ti,W,
Niから選択された少なくとも1種としたのは、これら
の元素が基体とターゲット層のいずれとも反応し難いか
らである。
Niから選択された少なくとも1種としたのは、これら
の元素が基体とターゲット層のいずれとも反応し難いか
らである。
【0021】前記中間層を複数の層とした場合には、前
記基体と接合する層は、非磁性、基体とのなじみが良、
熱膨張係数小(Si合金に近似)、他の層と反応し難い
(脆い金属間化合物を形成しない)等の種々の特性を備
えていることが好ましく、また、ターゲット層と接合す
る層は、非磁性、耐酸化性、熱膨張係数小(Si合金に
近似)、他の層と反応し難い(Siと反応し難く脆い金
属間化合物を形成しない)等の種々の特性を備えている
ことが好ましい。
記基体と接合する層は、非磁性、基体とのなじみが良、
熱膨張係数小(Si合金に近似)、他の層と反応し難い
(脆い金属間化合物を形成しない)等の種々の特性を備
えていることが好ましく、また、ターゲット層と接合す
る層は、非磁性、耐酸化性、熱膨張係数小(Si合金に
近似)、他の層と反応し難い(Siと反応し難く脆い金
属間化合物を形成しない)等の種々の特性を備えている
ことが好ましい。
【0022】また、前記溶射法としては、プラズマ溶射
法が好適に用いられる。このプラズマ溶射法は、不活性
ガス雰囲気中もしくは大気中において発生したプラズマ
を用いて溶融したターゲット材料を基体の外周面に均一
に溶射する方法である。
法が好適に用いられる。このプラズマ溶射法は、不活性
ガス雰囲気中もしくは大気中において発生したプラズマ
を用いて溶融したターゲット材料を基体の外周面に均一
に溶射する方法である。
【0023】例えば、Mo,Ti,W,Niのいずれか
1種を含む中間層を形成する場合、上記の元素の微粒子
を所定量とり、プラズマ発生用トーチにて発生させたプ
ラズマ中にこの微粒子を導入して溶融させる。溶融した
上記元素はプラズマにより基体の表面に吹き付けられて
該表面で固化し、該表面上に上記元素の均一な層を形成
する。
1種を含む中間層を形成する場合、上記の元素の微粒子
を所定量とり、プラズマ発生用トーチにて発生させたプ
ラズマ中にこの微粒子を導入して溶融させる。溶融した
上記元素はプラズマにより基体の表面に吹き付けられて
該表面で固化し、該表面上に上記元素の均一な層を形成
する。
【0024】また、Cr,Ti,Zrから選択された少
なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲット
層を形成する場合、Siの微粒子と、Cr,Ti,Zr
から選択された少なくとも1種からなる微粒子をそれぞ
れ所定量とり、これらを均一に混合させて混合粉体と
し、プラズマ発生用トーチにて発生させたプラズマ中に
この混合粉体を導入してSiを軟化させると同時にSi
以外の金属(Cr,Ti,Zrから選択された少なくと
も1種)を溶融させる。軟化したSiや溶融したSi以
外の金属はプラズマにより基体の表面に吹き付けられて
該表面で固化し、該表面上にSiとSi以外の金属が均
一に混じった合金相を形成する。
なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲット
層を形成する場合、Siの微粒子と、Cr,Ti,Zr
から選択された少なくとも1種からなる微粒子をそれぞ
れ所定量とり、これらを均一に混合させて混合粉体と
し、プラズマ発生用トーチにて発生させたプラズマ中に
この混合粉体を導入してSiを軟化させると同時にSi
以外の金属(Cr,Ti,Zrから選択された少なくと
も1種)を溶融させる。軟化したSiや溶融したSi以
外の金属はプラズマにより基体の表面に吹き付けられて
該表面で固化し、該表面上にSiとSi以外の金属が均
一に混じった合金相を形成する。
【0025】
【作用】この発明の請求項1記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、基体と、Cr,Ti,Zrから選択され
た少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲ
ット層との間に接合強度の大きい中間層を形成すること
により、前記ターゲット層が基体から剥離するのを防止
する。
ーゲットでは、基体と、Cr,Ti,Zrから選択され
た少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲ
ット層との間に接合強度の大きい中間層を形成すること
により、前記ターゲット層が基体から剥離するのを防止
する。
【0026】また、請求項2記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記基体の主成分をステンレススチー
ル、Cu合金から選択された少なくとも1種とすること
により、耐腐食性及び冷却効率を高める。
ーゲットでは、前記基体の主成分をステンレススチー
ル、Cu合金から選択された少なくとも1種とすること
により、耐腐食性及び冷却効率を高める。
【0027】また、請求項3記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記中間層の主成分を、Mo,Ti,
W,Niから選択された少なくとも1種とすることによ
り、基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の
恐れがなくなる。
ーゲットでは、前記中間層の主成分を、Mo,Ti,
W,Niから選択された少なくとも1種とすることによ
り、基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の
恐れがなくなる。
【0028】また、請求項4記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記中間層を複数の層とすることによ
り、それぞれの層をその層に必要な機能を有する材料で
構成することができる。
ーゲットでは、前記中間層を複数の層とすることによ
り、それぞれの層をその層に必要な機能を有する材料で
構成することができる。
【0029】また、請求項5記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記中間層の最外層をNiを主成分とす
ることにより、この最外層とターゲット層とは反応し難
くなり、脆い金属間化合物を形成することがなくなる。
ーゲットでは、前記中間層の最外層をNiを主成分とす
ることにより、この最外層とターゲット層とは反応し難
くなり、脆い金属間化合物を形成することがなくなる。
【0030】また、請求項6記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、前記基体を筒状とすることにより、基体
の機械的強度が高まる。
ーゲットでは、前記基体を筒状とすることにより、基体
の機械的強度が高まる。
【0031】また、請求項7記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、溶射法を用いて各層を順次積
層することにより、各層間の接合強度が向上し、冷却効
率も向上する。また、ターゲット層の機械加工をする必
要がなくなり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不
要となる。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容
易かつ速やかに製造することが可能になる。
ーゲットの製造方法では、溶射法を用いて各層を順次積
層することにより、各層間の接合強度が向上し、冷却効
率も向上する。また、ターゲット層の機械加工をする必
要がなくなり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不
要となる。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容
易かつ速やかに製造することが可能になる。
【0032】また、請求項8記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、前記基体を筒状とすることに
より、基体を円筒状に加工する工程が削減される。
ーゲットの製造方法では、前記基体を筒状とすることに
より、基体を円筒状に加工する工程が削減される。
【0033】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図1は、
円筒状のターゲット11の断面図である。このターゲッ
ト11は、円筒状のバッキングチューブ(基体)12の
外周面12aに、第1の中間層13、第2の中間層1
4、ターゲット層15が順次積層されている。
円筒状のターゲット11の断面図である。このターゲッ
ト11は、円筒状のバッキングチューブ(基体)12の
外周面12aに、第1の中間層13、第2の中間層1
4、ターゲット層15が順次積層されている。
【0034】ここで、バッキングチューブ12はステン
レススチール、Cu合金から選択された少なくとも1種
を主成分とし、第1の中間層13及び第2の中間層14
は、それぞれMo,Ti,W,Niから選択された少な
くとも1種を主成分とし、ターゲット層15は、Cr,
Ti,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合
金を主成分としたものである。
レススチール、Cu合金から選択された少なくとも1種
を主成分とし、第1の中間層13及び第2の中間層14
は、それぞれMo,Ti,W,Niから選択された少な
くとも1種を主成分とし、ターゲット層15は、Cr,
Ti,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合
金を主成分としたものである。
【0035】次に、ターゲット11の製造方法について
説明する。まず、外径150mm、内径120mm、長
さ500mmの形状のCu−0.02%Zr−0.5%
Cr(OMC)製のバッキングチューブ12を用意し、
このバッキングチューブ12の外周面12aに、プラズ
マ溶射法によりTiからなる第1の中間層13を約30
μm、Niからなる第2の中間層14を約20μm、C
rを6%含むSi合金からなるターゲット層15を約5
mm順次積層した。
説明する。まず、外径150mm、内径120mm、長
さ500mmの形状のCu−0.02%Zr−0.5%
Cr(OMC)製のバッキングチューブ12を用意し、
このバッキングチューブ12の外周面12aに、プラズ
マ溶射法によりTiからなる第1の中間層13を約30
μm、Niからなる第2の中間層14を約20μm、C
rを6%含むSi合金からなるターゲット層15を約5
mm順次積層した。
【0036】前記プラズマ溶射法の条件は、下記の通り
である。 (a)第1の中間層13及び第2の中間層14の溶射条
件 ガ ス :混合ガス(Ar+He+H2) プラズマアーク電圧:50V アーク電流:500A ガ ス 量:50l/min (b)ターゲット層15の溶射条件 ガ ス :混合ガス(Ar+He+H2) プラズマアーク電圧:70V アーク電流:700A ガ ス 量:60l/min
である。 (a)第1の中間層13及び第2の中間層14の溶射条
件 ガ ス :混合ガス(Ar+He+H2) プラズマアーク電圧:50V アーク電流:500A ガ ス 量:50l/min (b)ターゲット層15の溶射条件 ガ ス :混合ガス(Ar+He+H2) プラズマアーク電圧:70V アーク電流:700A ガ ス 量:60l/min
【0037】以上により、バッキングチューブ12の外
周面12aに、プラズマ溶射法により第1の中間層1
3、第2の中間層14、ターゲット層15を順次積層し
たターゲット11を製造することができる。
周面12aに、プラズマ溶射法により第1の中間層1
3、第2の中間層14、ターゲット層15を順次積層し
たターゲット11を製造することができる。
【0038】また、前記バッキングチューブ12及び前
記各層の熱膨張率を測定した結果は、バッキングチュー
ブ12では16.9×10-6/℃、第1の中間層では
8.8×10-6/℃、第2の中間層14では13.3×
10-6/℃、ターゲット層15では9.1×10-6/℃
である。
記各層の熱膨張率を測定した結果は、バッキングチュー
ブ12では16.9×10-6/℃、第1の中間層では
8.8×10-6/℃、第2の中間層14では13.3×
10-6/℃、ターゲット層15では9.1×10-6/℃
である。
【0039】表1は、本発明のターゲット(実施例)と
従来のターゲット(比較例)の特性を比較したものであ
る。
従来のターゲット(比較例)の特性を比較したものであ
る。
【0040】
【表1】
【0041】表1から明らかな様に、本発明のターゲッ
ト(実施例)では、使用効率、剥離に至るまでの出力共
に従来のもの(比較例)と比べて大幅に向上しているこ
とがわかる。したがって、ターゲット層の機械的強度が
高まり欠陥も少なくなり、基体とターゲット層との接合
強度も向上していることがわかる。
ト(実施例)では、使用効率、剥離に至るまでの出力共
に従来のもの(比較例)と比べて大幅に向上しているこ
とがわかる。したがって、ターゲット層の機械的強度が
高まり欠陥も少なくなり、基体とターゲット層との接合
強度も向上していることがわかる。
【0042】以上説明した様に、このターゲット11で
は、円筒状のバッキングチューブ12の外周面12a
に、プラズマ溶射法により第1の中間層13、第2の中
間層14、ターゲット層15を順次積層してなることと
したので、ターゲット層15自体の機械的強度を大幅に
向上させるとともに該ターゲット層15とバッキングチ
ューブ12との接合強度も大幅に向上させることがで
き、したがって、ターゲット層15の諸特性を従来のも
のと比べて大幅に向上させることができ、ターゲット層
15がバッキングチューブ12から剥離するのを防止す
ることができる。また、ターゲット層15の厚みが制約
されることもない。
は、円筒状のバッキングチューブ12の外周面12a
に、プラズマ溶射法により第1の中間層13、第2の中
間層14、ターゲット層15を順次積層してなることと
したので、ターゲット層15自体の機械的強度を大幅に
向上させるとともに該ターゲット層15とバッキングチ
ューブ12との接合強度も大幅に向上させることがで
き、したがって、ターゲット層15の諸特性を従来のも
のと比べて大幅に向上させることができ、ターゲット層
15がバッキングチューブ12から剥離するのを防止す
ることができる。また、ターゲット層15の厚みが制約
されることもない。
【0043】また、このターゲット11の製造方法で
は、バッキングチューブ12とターゲット層15との接
合強度を大幅に向上させることができるので、冷却効率
を大幅に向上させることができる。また、筒状のバッキ
ングチューブ12を用いたので、円筒状に加工する工程
を省くことができる。
は、バッキングチューブ12とターゲット層15との接
合強度を大幅に向上させることができるので、冷却効率
を大幅に向上させることができる。また、筒状のバッキ
ングチューブ12を用いたので、円筒状に加工する工程
を省くことができる。
【0044】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項1
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、柱状の基
体と、当該基体の外周面に形成された中間層と、該中間
層の外周面に形成されCr,Ti,Zrから選択された
少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲッ
ト層とからなることとしたので、中間層が接合強度を高
め、前記ターゲット層が基体から剥離するのを防止する
ことができる。
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、柱状の基
体と、当該基体の外周面に形成された中間層と、該中間
層の外周面に形成されCr,Ti,Zrから選択された
少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲッ
ト層とからなることとしたので、中間層が接合強度を高
め、前記ターゲット層が基体から剥離するのを防止する
ことができる。
【0045】また、請求項2記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項1記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記基体は、ステンレススチール、
Cu合金から選択された少なくとも1種を主成分とした
ので、耐腐食性及び冷却効率を高めることができる。
ーゲットによれば、請求項1記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記基体は、ステンレススチール、
Cu合金から選択された少なくとも1種を主成分とした
ので、耐腐食性及び冷却効率を高めることができる。
【0046】また、請求項3記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項1記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層は、Mo,Ti,W,N
iから選択された少なくとも1種を主成分としたので、
基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の恐れ
がなくなる。
ーゲットによれば、請求項1記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層は、Mo,Ti,W,N
iから選択された少なくとも1種を主成分としたので、
基体とのなじみが改善されてターゲット層の剥離の恐れ
がなくなる。
【0047】また、請求項4記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項1,2または3記載のスパッ
タリング用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の
層からなることとしたので、それぞれの層をその層に必
要な機能を有する材料で構成することができる。
ーゲットによれば、請求項1,2または3記載のスパッ
タリング用ターゲットにおいて、前記中間層は、複数の
層からなることとしたので、それぞれの層をその層に必
要な機能を有する材料で構成することができる。
【0048】また、請求項5記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項4記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層の最外層は、Niを主成
分とすることとしたので、この最外層とターゲット層と
は反応し難くなり、脆い金属間化合物を形成することが
なくなる。
ーゲットによれば、請求項4記載のスパッタリング用タ
ーゲットにおいて、前記中間層の最外層は、Niを主成
分とすることとしたので、この最外層とターゲット層と
は反応し難くなり、脆い金属間化合物を形成することが
なくなる。
【0049】また、請求項6記載のスパッタリング用タ
ーゲットによれば、請求項1または2記載のスパッタリ
ング用ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であるこ
ととしたので、ターゲットの使用効率を高めることがで
きる。
ーゲットによれば、請求項1または2記載のスパッタリ
ング用ターゲットにおいて、前記基体は、筒状であるこ
ととしたので、ターゲットの使用効率を高めることがで
きる。
【0050】また、請求項7記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、柱状の基体の外周面に、
溶射法により、中間層と、Cr,Ti,Zrから選択さ
れた少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするター
ゲット層を順次積層することとしたので、各層間の接合
強度を向上させることができ、冷却効率も向上させるこ
とができる。また、ターゲット層の機械加工をする必要
がなくなり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不要
になる。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容易
に製造することが可能になる。
ーゲットの製造方法によれば、柱状の基体の外周面に、
溶射法により、中間層と、Cr,Ti,Zrから選択さ
れた少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするター
ゲット層を順次積層することとしたので、各層間の接合
強度を向上させることができ、冷却効率も向上させるこ
とができる。また、ターゲット層の機械加工をする必要
がなくなり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不要
になる。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容易
に製造することが可能になる。
【0051】また、請求項8記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、請求項7記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法において、前記基体は、
筒状であることとしたので、基体を円筒状に加工する工
程が削減される。
ーゲットの製造方法によれば、請求項7記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法において、前記基体は、
筒状であることとしたので、基体を円筒状に加工する工
程が削減される。
【図1】本発明のスパッタリング用ターゲットの断面図
である。
である。
【図2】従来のスパッタリング用ターゲットの断面図で
ある。
ある。
11 スパッタリング用ターゲット 12 バッキングチューブ(円筒状の基体) 12a 外周面 13 第1の中間層 14 第2の中間層 15 ターゲット層
Claims (8)
- 【請求項1】 柱状の基体と、当該基体の外周面に形成
された中間層と、該中間層の外周面に形成されCr,T
i,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金
を主成分とするターゲット層とからなることを特徴とす
るスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項2】 前記基体は、ステンレススチール、Cu
合金から選択された少なくとも1種を主成分とすること
を特徴とする請求項1記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項3】 前記中間層は、Mo,Ti,W,Niか
ら選択された少なくとも1種を主成分とすることを特徴
とする請求項1記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項4】 前記中間層は、複数の層からなることを
特徴とする請求項1,2または3記載のスパッタリング
用ターゲット。 - 【請求項5】 前記中間層の最外層は、Niを主成分と
することを特徴とする請求項4記載のスパッタリング用
ターゲット。 - 【請求項6】 前記基体は、筒状であることを特徴とす
る請求項1または2記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項7】 柱状の基体の外周面に、溶射法により、
中間層と、Cr,Ti,Zrから選択された少なくとも
1種を含むSi合金を主成分とするターゲット層を順次
積層することを特徴とするスパッタリング用ターゲット
の製造方法。 - 【請求項8】 前記基体は、筒状であることを特徴とす
る請求項7記載のスパッタリング用ターゲットの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15912991A JPH0586463A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15912991A JPH0586463A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0586463A true JPH0586463A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=15686881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15912991A Withdrawn JPH0586463A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0586463A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530353A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-08-07 | サン−ゴバン グラス フランス | 熱スプレーによって、ケイ素およびジルコニウムに基づくターゲットを製造する方法 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15912991A patent/JPH0586463A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530353A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-08-07 | サン−ゴバン グラス フランス | 熱スプレーによって、ケイ素およびジルコニウムに基づくターゲットを製造する方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |