JPH0462408B2 - - Google Patents
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- JPH0462408B2 JPH0462408B2 JP60226786A JP22678685A JPH0462408B2 JP H0462408 B2 JPH0462408 B2 JP H0462408B2 JP 60226786 A JP60226786 A JP 60226786A JP 22678685 A JP22678685 A JP 22678685A JP H0462408 B2 JPH0462408 B2 JP H0462408B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、高性能磁気記録再生装置に用いるア
モルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法に
関する。 〔発明の背景〕 従来の磁気ヘツドは、磁気コア材料としてフエ
ライトが用いられ、該磁気コアの接合に用いる接
着材としては非磁性であり、しかもフエライトの
熱膨張率と合い、その上耐候性、耐摩耗性、強度
なども必要とされることから接合温度が高い600
℃以上のガラスが使用されていた。 近年、高密度記録化が進むにつれて、従来の磁
気ヘツドの性能を上回る高性能磁気ヘツドが要求
されるようになつた。そこで高い飽和磁束密度と
高い透磁率を示すアモルフアス磁性合金が、高性
能磁気ヘツド用材料として注目された（特公昭59
−180817号）。しかし、アモルフアス磁性合金の
磁気コアは、その接合をアモルフアス磁性合金の
結晶化温度以上で行うことはできず、その実用化
をはばんでいた。飽和磁束密度が8000G以上の高
い値を有するアモルフアス磁性合金の結晶化温度
は高いものでも550℃程度である。飽和磁束密度
が高いものほど、記録時の特性が良好なものが得
られるが、こうしたものほど結晶化温度が低く、
熱に不安定である。また、透磁率は結晶化によつ
て急激に低下し、再生時の特性を劣化させる。 〔発明の目的〕 本発明の第１の目的は、磁気特性の優れたアモ
ルフアス磁性合金磁気ヘツドを提供することにあ
る。 第２の目的は、アモルフアス磁性合金の磁気特
性を劣化させない接着材により磁気コアを接合し
たアモルフアス磁性合金磁気ヘツドを提供するこ
とにある。 その他の目的については以下の記載により明ら
かとなろう。 〔発明の概要〕 本発明は、アモルフアス磁性合金の磁気特性が
その結晶化温度と密接な関係があり、とくに該磁
気ヘツドの磁気コアの接合時の加熱温度によつて
左右される点に着目した。 そこで、結晶化温度よりどのくらい低い温度な
らば、磁気ヘツドとしての磁気特性に影響を及ぼ
さないことができるかについて検討を行なつた。
その結果、結晶化温度より50℃以上低い温度であ
れば、問題がないことを見い出した。 本発明の磁気ヘツドにおいては、製造時、使用
時を問わず用いているアモルフアス磁性合金の結
晶化温度以上に加熱しないことは当然であり、と
くに結晶化温度より50℃以上低い温度が磁気特性
に影響を与えないために必要な温度の上限界値で
ある。 次に、磁気ヘツドが磁気特性に影響するほどの
加熱を受けるのは、磁気ヘツドの製造時のコアの
接合時である。 即ち、磁気コアにアモルフアス磁性合金を用い
た磁気ヘツドにおいては、その磁気コアの接合に
使用する接着材が、前記アモルフアス磁性合金の
結晶化温度より50℃以上低い温度で接着可能な接
着材で接合されたアモルフアス磁性合金磁気ヘツ
ドにある。 次に、磁気ヘツドとしては、強固で耐久性のあ
るものが当然要求される。また、磁気ヘツドは少
なくとも２個の磁気コアを接合し、接合後必要な
寸法に切断される。その切断作業は一般に水等を
かけならがダイヤモンドカツターによつてスライ
スされるので、該接着材としては耐水性があるこ
とも必要である。 本発明においては、こうした接着材として各種
の材料を広く検討し、とくにV2O5を主成分とし
P2O5−Sb2O3を含むガラスが本発明の目的を達成
する接着材として優れていることを見い出した。
上記V2O5−P2O5−Sb2O3系ガラスは、従来の磁
気ヘツドに用いられてきた硼けい酸鉛（PbO−
B2O3−SiO2−Al2O3）系ガラス（特開昭59−
146431号）に比べて作業点も約460℃と遜色なく、
とくに熱膨張係数が75×10-7／℃と低いのでフエ
ライトコアの接着にとくに適している。また、
V2O5−P2O5系ガラスはこれまで耐水性が悪く
（窯業協会誌90（８）1982、415頁）失透し易いと
云われていた。しかし、Sb2O3を加えることによ
つて耐水性を改善することができた。後述の第２
表から明らかなように、硼けい酸鉛系ガラスの約
20倍の耐水性を有する。 また、V2O5−P2O5−Sb2O3系ガラスに、PbO、
Tl2O、Nb2O5から選ばれる少なくとも１種を含
有させることによつて、作業点を420℃付近まで
下げることができるので、従来にない優れた特性
を有する磁気コアにアモルフアス磁性合金を用い
た磁気ヘツドを提供することができる。 アモルフアス磁性合金磁気ヘツド用接着材の
V2O5を主成分とする低温軟化ガラスの好ましい
組成範囲は、重量％でV2O5が55〜70、P2O5が17
〜25、Sb2O3が３〜20、PbOが０〜20、Tl2O2が
０〜15およびNb2O5が０〜５である。更に好まし
い組成範囲は、重量％でV2O5が55〜65、P2O5が
18〜22、Sb2O3が５〜12、PbOが３〜10、Tl2O2
が３〜10およびNb2O5が0.5〜２である。 〔発明の実施例〕 本発明を実施例により、説明する。 実施例に用いたアモルフアス磁性合金の飽和磁
束密度と結晶化温度を第１表に示す。
モルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法に
関する。 〔発明の背景〕 従来の磁気ヘツドは、磁気コア材料としてフエ
ライトが用いられ、該磁気コアの接合に用いる接
着材としては非磁性であり、しかもフエライトの
熱膨張率と合い、その上耐候性、耐摩耗性、強度
なども必要とされることから接合温度が高い600
℃以上のガラスが使用されていた。 近年、高密度記録化が進むにつれて、従来の磁
気ヘツドの性能を上回る高性能磁気ヘツドが要求
されるようになつた。そこで高い飽和磁束密度と
高い透磁率を示すアモルフアス磁性合金が、高性
能磁気ヘツド用材料として注目された（特公昭59
−180817号）。しかし、アモルフアス磁性合金の
磁気コアは、その接合をアモルフアス磁性合金の
結晶化温度以上で行うことはできず、その実用化
をはばんでいた。飽和磁束密度が8000G以上の高
い値を有するアモルフアス磁性合金の結晶化温度
は高いものでも550℃程度である。飽和磁束密度
が高いものほど、記録時の特性が良好なものが得
られるが、こうしたものほど結晶化温度が低く、
熱に不安定である。また、透磁率は結晶化によつ
て急激に低下し、再生時の特性を劣化させる。 〔発明の目的〕 本発明の第１の目的は、磁気特性の優れたアモ
ルフアス磁性合金磁気ヘツドを提供することにあ
る。 第２の目的は、アモルフアス磁性合金の磁気特
性を劣化させない接着材により磁気コアを接合し
たアモルフアス磁性合金磁気ヘツドを提供するこ
とにある。 その他の目的については以下の記載により明ら
かとなろう。 〔発明の概要〕 本発明は、アモルフアス磁性合金の磁気特性が
その結晶化温度と密接な関係があり、とくに該磁
気ヘツドの磁気コアの接合時の加熱温度によつて
左右される点に着目した。 そこで、結晶化温度よりどのくらい低い温度な
らば、磁気ヘツドとしての磁気特性に影響を及ぼ
さないことができるかについて検討を行なつた。
その結果、結晶化温度より50℃以上低い温度であ
れば、問題がないことを見い出した。 本発明の磁気ヘツドにおいては、製造時、使用
時を問わず用いているアモルフアス磁性合金の結
晶化温度以上に加熱しないことは当然であり、と
くに結晶化温度より50℃以上低い温度が磁気特性
に影響を与えないために必要な温度の上限界値で
ある。 次に、磁気ヘツドが磁気特性に影響するほどの
加熱を受けるのは、磁気ヘツドの製造時のコアの
接合時である。 即ち、磁気コアにアモルフアス磁性合金を用い
た磁気ヘツドにおいては、その磁気コアの接合に
使用する接着材が、前記アモルフアス磁性合金の
結晶化温度より50℃以上低い温度で接着可能な接
着材で接合されたアモルフアス磁性合金磁気ヘツ
ドにある。 次に、磁気ヘツドとしては、強固で耐久性のあ
るものが当然要求される。また、磁気ヘツドは少
なくとも２個の磁気コアを接合し、接合後必要な
寸法に切断される。その切断作業は一般に水等を
かけならがダイヤモンドカツターによつてスライ
スされるので、該接着材としては耐水性があるこ
とも必要である。 本発明においては、こうした接着材として各種
の材料を広く検討し、とくにV2O5を主成分とし
P2O5−Sb2O3を含むガラスが本発明の目的を達成
する接着材として優れていることを見い出した。
上記V2O5−P2O5−Sb2O3系ガラスは、従来の磁
気ヘツドに用いられてきた硼けい酸鉛（PbO−
B2O3−SiO2−Al2O3）系ガラス（特開昭59−
146431号）に比べて作業点も約460℃と遜色なく、
とくに熱膨張係数が75×10-7／℃と低いのでフエ
ライトコアの接着にとくに適している。また、
V2O5−P2O5系ガラスはこれまで耐水性が悪く
（窯業協会誌90（８）1982、415頁）失透し易いと
云われていた。しかし、Sb2O3を加えることによ
つて耐水性を改善することができた。後述の第２
表から明らかなように、硼けい酸鉛系ガラスの約
20倍の耐水性を有する。 また、V2O5−P2O5−Sb2O3系ガラスに、PbO、
Tl2O、Nb2O5から選ばれる少なくとも１種を含
有させることによつて、作業点を420℃付近まで
下げることができるので、従来にない優れた特性
を有する磁気コアにアモルフアス磁性合金を用い
た磁気ヘツドを提供することができる。 アモルフアス磁性合金磁気ヘツド用接着材の
V2O5を主成分とする低温軟化ガラスの好ましい
組成範囲は、重量％でV2O5が55〜70、P2O5が17
〜25、Sb2O3が３〜20、PbOが０〜20、Tl2O2が
０〜15およびNb2O5が０〜５である。更に好まし
い組成範囲は、重量％でV2O5が55〜65、P2O5が
18〜22、Sb2O3が５〜12、PbOが３〜10、Tl2O2
が３〜10およびNb2O5が0.5〜２である。 〔発明の実施例〕 本発明を実施例により、説明する。 実施例に用いたアモルフアス磁性合金の飽和磁
束密度と結晶化温度を第１表に示す。
【表】
アモルフアス磁性合金は、第１表から明らかな
ように飽和磁束密度が高いほど結晶化温度が低
く、そのため磁気コアの接合はより低温で行わな
ければならない。結晶化温度以下の温度であつて
も、その温度で長時間保持されると、結晶化する
ことがある。そこで、ある温度で保持されても結
晶化が進展しない温度範囲について検討した。 アモルフアス磁性合金は結晶化が起こると、透
磁率が急激に低下する。従つて結晶化させないこ
とが必要である。 アモルフアス磁性合金の結晶化がＸ線回折ある
いは電子顕微鏡で観測される以前に、アモルフア
ス合金に何らかの構造変化が起る。この構造変化
が生ずるとアモルフアス磁性合金は徐々に結晶化
が進行する。この構造変化か結晶化に至る詳しい
様子は今のところ不明であるが、その一番影響す
るのが温度である。 本発明者らは、こうした結晶化とそれを促す温
度との関係を調べることにより、アモルフアス磁
性合金を用いた磁気ヘツドの製造時の加熱許容範
囲を見い出そうとした。
ように飽和磁束密度が高いほど結晶化温度が低
く、そのため磁気コアの接合はより低温で行わな
ければならない。結晶化温度以下の温度であつて
も、その温度で長時間保持されると、結晶化する
ことがある。そこで、ある温度で保持されても結
晶化が進展しない温度範囲について検討した。 アモルフアス磁性合金は結晶化が起こると、透
磁率が急激に低下する。従つて結晶化させないこ
とが必要である。 アモルフアス磁性合金の結晶化がＸ線回折ある
いは電子顕微鏡で観測される以前に、アモルフア
ス合金に何らかの構造変化が起る。この構造変化
が生ずるとアモルフアス磁性合金は徐々に結晶化
が進行する。この構造変化か結晶化に至る詳しい
様子は今のところ不明であるが、その一番影響す
るのが温度である。 本発明者らは、こうした結晶化とそれを促す温
度との関係を調べることにより、アモルフアス磁
性合金を用いた磁気ヘツドの製造時の加熱許容範
囲を見い出そうとした。
【表】
○印は結晶化しなかつたことを、×印は結晶化
したことを示す。 第１表(B)はこうしたアモルフアス磁性合金を結
晶化温度より低い温度で保持した場合の結晶化に
至るまでの時間（保持時間）との関係を示す。な
お結晶化の状況はＸ線回折により判定した。 第１表(B)から、アモルフアス磁性合金の結晶化
温度より50℃以上低い温度であれば、実用上磁気
特性に影響がないと判断した。
したことを示す。 第１表(B)はこうしたアモルフアス磁性合金を結
晶化温度より低い温度で保持した場合の結晶化に
至るまでの時間（保持時間）との関係を示す。な
お結晶化の状況はＸ線回折により判定した。 第１表(B)から、アモルフアス磁性合金の結晶化
温度より50℃以上低い温度であれば、実用上磁気
特性に影響がないと判断した。
【表】
第２表に磁気コアの接合および磁気ギヤツプの
形成に用いた低温軟化ガラスの組成と特性を示
す。No.１〜６のガラスはV2O5を主成分とする低
温軟化ガラスであり、No.７とNo.８のガラスは従来
のPbO主成分とする一般的な低温軟化ガラスで、
比較のために用いた。No.８のガラスはその中でも
特に低温で接合ができるものの１つである。表中
の作業点はガラスが104ポアズ程度の粘度を示す
温度であり、一般的には磁気コアの接合には、こ
の近辺の粘度が必要である。耐水性は５×５×５
mmの立方体に加工したガラス片を40c.c.の蒸留水中
に入れ、70℃、２時間加熱したときの重量減
（mg／ｇ）であり、V2O5を主成分とする本発明の
ガラスは従来のPbOを主成分とするガラスより耐
水性が優れている。また、熱膨張係数も、V2O5
を主成分とするガラスの方が従来のPbOを主成分
とするガラスより小さい。 第１表のアモルフアス磁性合金と第２表の低温
軟化ガラスを用いて第１図に示す磁気ヘツドを作
製した。その作製方法は、第２図に示すように、
基板１に巻線溝２およびトラツク溝３を設け磁気
ギヤツプ面を形成し。基板としてはフエライト、
非磁性セラミツクスまたは等温軟化ガラスを用い
た。これらの熱膨張係数は80〜100×10-7／℃で
ある。次に第３図に示すように、磁気ギヤツプ面
にまずアモルフアス磁性合金膜４を高周波スパツ
タ法（以下RFスパツタ法と云う）により、25μｍ
厚に形成し、規定ギヤツプ長が0.30μｍになるよ
うに、その上にギヤツプ長に相当するギヤプツス
ペーサとしてSiO2層５をRFスパツタ法により
0.15μｍ厚に形成した。 次に第４図に示すように、アモルフアス磁性合
金膜およびギヤツプスペーサを形成したコアブロ
ツク１，１′を左右突き合せ、第２表の低温軟化
ガラスから成る棒６を配置し、ガラスの粘度が
104ポアズ程度になる温度まで加熱し、25分間保
持して左右のコアブロツクを接合させた。その
後、研磨、研削および切断を行ない、第１図に示
すような磁気ヘツドを作製した。 実施例 １ アモルフアス磁性合金としてCo31Nb14Zr5を、
基板として高温軟化ガラスを、コアブロツクの接
合用ガラスとして第２表のガラスを用い、第１図
の磁気ヘツドを作製した。使用した基板ガラス
（ZnO−B2O3−SiO2−BaO系）の熱膨張係数は80
×10-7／℃である。コアブロツクの接合温度、作
製した磁気ヘツドのギヤツプ長および作製歩留り
を第３表に示す。
形成に用いた低温軟化ガラスの組成と特性を示
す。No.１〜６のガラスはV2O5を主成分とする低
温軟化ガラスであり、No.７とNo.８のガラスは従来
のPbO主成分とする一般的な低温軟化ガラスで、
比較のために用いた。No.８のガラスはその中でも
特に低温で接合ができるものの１つである。表中
の作業点はガラスが104ポアズ程度の粘度を示す
温度であり、一般的には磁気コアの接合には、こ
の近辺の粘度が必要である。耐水性は５×５×５
mmの立方体に加工したガラス片を40c.c.の蒸留水中
に入れ、70℃、２時間加熱したときの重量減
（mg／ｇ）であり、V2O5を主成分とする本発明の
ガラスは従来のPbOを主成分とするガラスより耐
水性が優れている。また、熱膨張係数も、V2O5
を主成分とするガラスの方が従来のPbOを主成分
とするガラスより小さい。 第１表のアモルフアス磁性合金と第２表の低温
軟化ガラスを用いて第１図に示す磁気ヘツドを作
製した。その作製方法は、第２図に示すように、
基板１に巻線溝２およびトラツク溝３を設け磁気
ギヤツプ面を形成し。基板としてはフエライト、
非磁性セラミツクスまたは等温軟化ガラスを用い
た。これらの熱膨張係数は80〜100×10-7／℃で
ある。次に第３図に示すように、磁気ギヤツプ面
にまずアモルフアス磁性合金膜４を高周波スパツ
タ法（以下RFスパツタ法と云う）により、25μｍ
厚に形成し、規定ギヤツプ長が0.30μｍになるよ
うに、その上にギヤツプ長に相当するギヤプツス
ペーサとしてSiO2層５をRFスパツタ法により
0.15μｍ厚に形成した。 次に第４図に示すように、アモルフアス磁性合
金膜およびギヤツプスペーサを形成したコアブロ
ツク１，１′を左右突き合せ、第２表の低温軟化
ガラスから成る棒６を配置し、ガラスの粘度が
104ポアズ程度になる温度まで加熱し、25分間保
持して左右のコアブロツクを接合させた。その
後、研磨、研削および切断を行ない、第１図に示
すような磁気ヘツドを作製した。 実施例 １ アモルフアス磁性合金としてCo31Nb14Zr5を、
基板として高温軟化ガラスを、コアブロツクの接
合用ガラスとして第２表のガラスを用い、第１図
の磁気ヘツドを作製した。使用した基板ガラス
（ZnO−B2O3−SiO2−BaO系）の熱膨張係数は80
×10-7／℃である。コアブロツクの接合温度、作
製した磁気ヘツドのギヤツプ長および作製歩留り
を第３表に示す。
【表】
接合温度は先にも述べたがガラスの粘度が約
104ポアズを示す温度（作業点）を選択した。各
ガラスの接合条件において、アモルフアス磁性合
金は結晶化しなかつたが、PbOを主成分とするNo.
７およびNo.８のガラスの用いた場合は、ギヤツプ
長が広がり、しかもギヤツプ長にバラツキがかな
り見られた。また磁気コアのはく離、接着層にク
ラツクのあるものを除く作製歩留りは50％に達し
なかつた。 ギヤツプ長の広がりおよびバラツキの原因は、
PbOを主成分とする低温軟化ガラスがSiO2を侵
食し易いために、ガラスがギヤツプ部にはいり込
むからである。また歩留りが悪いのは、基板とし
て用いた高温軟化ガラスと接合用ガラスの熱膨張
差が大きいために、接合用ガラス部にクラツクが
入つたり、コアブロツクがはく離してしまつたか
らである。これに対しV2O5を主成分とするNo.１
〜６のガラスを用いた場合は、ギヤツプ長は規定
通りで、歩留りも高かつた。なお、No.２のガラス
の歩留りが若干低いのは、ガラスの熱膨張がいく
ぶん大きいためと考える。 実施例 ２ アモルフアス磁性合金としてCo31Nb14Zr5より
結晶化温度が低いCo33Nb1−Z4をまた基板としは
単結晶（Mn−Zn系）フエライトを用いる。接合
用ガラスとして第２表のガラスを用いて、磁気ヘ
ツドを作製した。使用した単結晶フエライトの熱
膨張係数は95×10-7／℃である。コアブロツクの
接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツプ長およ
び作製歩留りを第４表に示す。なお接合条件は実
施例１と同様である。
104ポアズを示す温度（作業点）を選択した。各
ガラスの接合条件において、アモルフアス磁性合
金は結晶化しなかつたが、PbOを主成分とするNo.
７およびNo.８のガラスの用いた場合は、ギヤツプ
長が広がり、しかもギヤツプ長にバラツキがかな
り見られた。また磁気コアのはく離、接着層にク
ラツクのあるものを除く作製歩留りは50％に達し
なかつた。 ギヤツプ長の広がりおよびバラツキの原因は、
PbOを主成分とする低温軟化ガラスがSiO2を侵
食し易いために、ガラスがギヤツプ部にはいり込
むからである。また歩留りが悪いのは、基板とし
て用いた高温軟化ガラスと接合用ガラスの熱膨張
差が大きいために、接合用ガラス部にクラツクが
入つたり、コアブロツクがはく離してしまつたか
らである。これに対しV2O5を主成分とするNo.１
〜６のガラスを用いた場合は、ギヤツプ長は規定
通りで、歩留りも高かつた。なお、No.２のガラス
の歩留りが若干低いのは、ガラスの熱膨張がいく
ぶん大きいためと考える。 実施例 ２ アモルフアス磁性合金としてCo31Nb14Zr5より
結晶化温度が低いCo33Nb1−Z4をまた基板としは
単結晶（Mn−Zn系）フエライトを用いる。接合
用ガラスとして第２表のガラスを用いて、磁気ヘ
ツドを作製した。使用した単結晶フエライトの熱
膨張係数は95×10-7／℃である。コアブロツクの
接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツプ長およ
び作製歩留りを第４表に示す。なお接合条件は実
施例１と同様である。
【表】
各ガラスの接合条件において、No.７のガラス以
外はアモルフアス磁性合金の結晶化は見られなか
つた。No.７ガラスを使用した磁気ヘツドでは、ア
モルフアス磁性合金が結晶化して、磁気ヘツドと
しての特性が得られなかつた。 No.８のガラスを用いた場合、実施例１に比べ歩
留りが向上したが、ギヤツプ長の広がりおよびバ
ラツキが認められた。 実施例 ３ アモルフアス磁性合金としてCo33Nb13Zr5より
結晶化温度が低いCo35・5Nb11・5Zr3を、基板と
して熱膨張係数が100×10-7／℃の非磁性セラミ
ツクス（2MgO・SiO2系：フオルステライト）、
そしてコアブツクの接合用ガラスとして第２表の
ガラスを用い、磁気ヘツドを作製した。コアブロ
ツクの接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツプ
長および歩留りを第５表に示す。 第５表において、1′は本発明で好ましいとする
組成を示すガラスNo.１ではあるものの、用いたア
モルフアス磁性合金の結晶化温度との関係で、接
合温度によつては好ましくない結果を示すことを
参考例として挙げたものである。
外はアモルフアス磁性合金の結晶化は見られなか
つた。No.７ガラスを使用した磁気ヘツドでは、ア
モルフアス磁性合金が結晶化して、磁気ヘツドと
しての特性が得られなかつた。 No.８のガラスを用いた場合、実施例１に比べ歩
留りが向上したが、ギヤツプ長の広がりおよびバ
ラツキが認められた。 実施例 ３ アモルフアス磁性合金としてCo33Nb13Zr5より
結晶化温度が低いCo35・5Nb11・5Zr3を、基板と
して熱膨張係数が100×10-7／℃の非磁性セラミ
ツクス（2MgO・SiO2系：フオルステライト）、
そしてコアブツクの接合用ガラスとして第２表の
ガラスを用い、磁気ヘツドを作製した。コアブロ
ツクの接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツプ
長および歩留りを第５表に示す。 第５表において、1′は本発明で好ましいとする
組成を示すガラスNo.１ではあるものの、用いたア
モルフアス磁性合金の結晶化温度との関係で、接
合温度によつては好ましくない結果を示すことを
参考例として挙げたものである。
【表】
作業点が高いガラスを用いて強固な接合を行お
うとすると接合温度が高くなりすぎ、アモルフア
ス磁性合金が結晶化してしまうので、作業点の高
いNo.１（No.1′）、No.７およびNo.８のガラスについ
て
はアモルフアス磁性合金の結晶化温度よりも約50
℃低い温度で磁気ヘツドを作製してみた。その結
果、予測した通り強固な接合が得られず歩留りも
極度に低下した。 V2O5を主成分とするNo.２〜６のガラスは、作
業点が十分に低いため、アモルフアス磁性合金が
結晶化することなく磁気ヘツドを作製することが
できた。なお、歩留りは90％以上と非常に高く、
ギヤツプ長もバラツクことなく規定通りであつ
た。また、それらの磁気ヘツドは強固な接合の磁
気ギヤツプを有していた。 実施例 ４ アモルフアス磁性合金として第１表中では最も
飽和磁束密度が大きく、結晶化温度の低い
Co37Nb10Zr3を、また基板としては熱膨張係数が
90×10-7／℃の非磁性セラミツク（BaTiO3系）
を用いた。ゴアブロツクの接合用ガラスとして第
２表のNo.２〜６を用いて、第１図の磁気ヘツドを
作製した。第２表中のNo.１、No.７およびNo.８のガ
ラスはCo37Nb10Zr3のアモルフアス磁性合金に対
してその作業点が高すぎるので用いなかつた。第
６表に、No.２〜６のガラスを用いた場合のコアブ
ロツクの接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツ
プ長および作製歩留りを示す。
うとすると接合温度が高くなりすぎ、アモルフア
ス磁性合金が結晶化してしまうので、作業点の高
いNo.１（No.1′）、No.７およびNo.８のガラスについ
て
はアモルフアス磁性合金の結晶化温度よりも約50
℃低い温度で磁気ヘツドを作製してみた。その結
果、予測した通り強固な接合が得られず歩留りも
極度に低下した。 V2O5を主成分とするNo.２〜６のガラスは、作
業点が十分に低いため、アモルフアス磁性合金が
結晶化することなく磁気ヘツドを作製することが
できた。なお、歩留りは90％以上と非常に高く、
ギヤツプ長もバラツクことなく規定通りであつ
た。また、それらの磁気ヘツドは強固な接合の磁
気ギヤツプを有していた。 実施例 ４ アモルフアス磁性合金として第１表中では最も
飽和磁束密度が大きく、結晶化温度の低い
Co37Nb10Zr3を、また基板としては熱膨張係数が
90×10-7／℃の非磁性セラミツク（BaTiO3系）
を用いた。ゴアブロツクの接合用ガラスとして第
２表のNo.２〜６を用いて、第１図の磁気ヘツドを
作製した。第２表中のNo.１、No.７およびNo.８のガ
ラスはCo37Nb10Zr3のアモルフアス磁性合金に対
してその作業点が高すぎるので用いなかつた。第
６表に、No.２〜６のガラスを用いた場合のコアブ
ロツクの接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツ
プ長および作製歩留りを示す。
【表】
No.２およびNo.５のガラスを用いた場合に、接合
温度を高くしたために、アモルフアス磁性合金が
結晶化してしまい、磁気ヘツドとしては使用不可
能となつたことを参考例として挙げる。これらは
接合温度がアモルフアス磁性合金の結晶化温度と
の差が小さかつたことが原因である。しかし、No.
３、４、６のガラスは、アモルフアス磁性合金を
結晶化させることなく、90％以上の高歩留りで作
製することができた。また、ギヤツプ長も規定通
りであつた。 次に第５図に示す磁気ヘツドを作製した。その
作製方法は、第６図に示すように、アモルフアス
磁性合金膜７を非磁性補強材８，９で挟み、サン
ドイツチ構造としたコアブツクを作製し、巻線溝
１０を加工後、磁気ギヤツプ面１１を平坦に研磨
した。補強材８，９としては非磁性セラミツクス
または高温軟化ガラスを使用した。 次にギヤツプ長が0.26μｍになるように、磁気
ギヤツプ面１１上にギヤツプ長に相当するギヤツ
プスペーサを、第７図に示すように、まずSiO2
層１２をRFスパツタ法により0.10μｍ厚に形成
し、更にその上に第２表の低温軟化ガラス層１３
を同じくRFスパツタ法により0.03μｍ厚に形成し
た。 次に第８図に示すように、コアブロツクを左右
突き合せ、ガラス層１３と同じ組成のガラス棒１
４を配置し、ガラスの粘度が105ポアズ程度にな
る温度まで加熱し、18分間保持することにより、
左右のコアブロツクを接合した。その後、研磨、
研削、切断し、第５図に示すような磁気ヘツドを
作製した。 コアブロツクの接合は、第１図で示した磁気ヘ
ツドのようにトラツク溝にまで確実に低温軟化ガ
ラスを充填するという必要がないので、ガラスの
粘度は105ポアズ程度で十分であつた。すなわち、
ガラスの作業点以下で磁気コアを接合できた。こ
の磁気ヘツドは第１図で示した磁気ヘツドの場合
よりも低温で磁気コアを接合できると云う利点が
ある。 実施例 ５ アモルフアス磁性合金としてCo33Nb13Zr4、補
強材として熱膨張係数が90×10-7／℃の高温軟化
ガラス（SiO2−PbO−K2O−ZnO系）、コアブロ
ツク接合用ガラスとして第２表のガラスを用い
て、第５図の磁気ヘツドを作製した。コアブロツ
クの接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツプ長
および作製歩留りを第７表に示す。
温度を高くしたために、アモルフアス磁性合金が
結晶化してしまい、磁気ヘツドとしては使用不可
能となつたことを参考例として挙げる。これらは
接合温度がアモルフアス磁性合金の結晶化温度と
の差が小さかつたことが原因である。しかし、No.
３、４、６のガラスは、アモルフアス磁性合金を
結晶化させることなく、90％以上の高歩留りで作
製することができた。また、ギヤツプ長も規定通
りであつた。 次に第５図に示す磁気ヘツドを作製した。その
作製方法は、第６図に示すように、アモルフアス
磁性合金膜７を非磁性補強材８，９で挟み、サン
ドイツチ構造としたコアブツクを作製し、巻線溝
１０を加工後、磁気ギヤツプ面１１を平坦に研磨
した。補強材８，９としては非磁性セラミツクス
または高温軟化ガラスを使用した。 次にギヤツプ長が0.26μｍになるように、磁気
ギヤツプ面１１上にギヤツプ長に相当するギヤツ
プスペーサを、第７図に示すように、まずSiO2
層１２をRFスパツタ法により0.10μｍ厚に形成
し、更にその上に第２表の低温軟化ガラス層１３
を同じくRFスパツタ法により0.03μｍ厚に形成し
た。 次に第８図に示すように、コアブロツクを左右
突き合せ、ガラス層１３と同じ組成のガラス棒１
４を配置し、ガラスの粘度が105ポアズ程度にな
る温度まで加熱し、18分間保持することにより、
左右のコアブロツクを接合した。その後、研磨、
研削、切断し、第５図に示すような磁気ヘツドを
作製した。 コアブロツクの接合は、第１図で示した磁気ヘ
ツドのようにトラツク溝にまで確実に低温軟化ガ
ラスを充填するという必要がないので、ガラスの
粘度は105ポアズ程度で十分であつた。すなわち、
ガラスの作業点以下で磁気コアを接合できた。こ
の磁気ヘツドは第１図で示した磁気ヘツドの場合
よりも低温で磁気コアを接合できると云う利点が
ある。 実施例 ５ アモルフアス磁性合金としてCo33Nb13Zr4、補
強材として熱膨張係数が90×10-7／℃の高温軟化
ガラス（SiO2−PbO−K2O−ZnO系）、コアブロ
ツク接合用ガラスとして第２表のガラスを用い
て、第５図の磁気ヘツドを作製した。コアブロツ
クの接合温度、作製した磁気ヘツドのギヤツプ長
および作製歩留りを第７表に示す。
【表】
【表】
各ガラスの接合条件においても、アモルフアス
磁性合金は結晶化しなかつた。PbOを主成分とす
るNo.７およびNo.８のガラスを用いた場合、第１図
に示した磁気ヘツドのように、ギヤツプ長の広が
りやバラツキも規定通りであつたが、作製歩留り
が低く、しかも強固な接合の磁気ギヤツプが得ら
れなかつた。これは、ガラスの粘度が105ポアズ
と作業点以下の温度であることから、PbOを主成
分とするガラスの磁気ギヤツプ部へのSiO2の侵
食が少なかつたためと考える。一方、V2O5を主
成分とするNo.１〜６のガラスの場合は、ギヤツプ
長は規定通りで、歩留りも高く、特にNo.１および
No.３〜No.６のガラスでは、90％以上の高歩留りで
あつた。その上強固で磁気ギヤツプが得られた。 実施例 ６ アモルフアス磁性合金としてCo37Nb10Zr3を、
基板として熱膨張係数が100×10-7／℃の非磁性
セラミツクス（CaTiO3系）を用い、コアブロツ
クの接合用低温軟化ガラスとして第２表中のNo.２
〜６及びNo.８のガラスを用いて、第５図に示す磁
気ヘツドを作製した。第２表中のNo.１およびNo.７
ガラスはCo37Nb10Zr3のアモルフアス磁性合金に
とつて、その接合温度が高すぎる。使用したガラ
スにおけるコアブロツクの接合温度、作製した磁
気ヘツドのギヤツプ長および作製歩留りを第８表
に示す。
磁性合金は結晶化しなかつた。PbOを主成分とす
るNo.７およびNo.８のガラスを用いた場合、第１図
に示した磁気ヘツドのように、ギヤツプ長の広が
りやバラツキも規定通りであつたが、作製歩留り
が低く、しかも強固な接合の磁気ギヤツプが得ら
れなかつた。これは、ガラスの粘度が105ポアズ
と作業点以下の温度であることから、PbOを主成
分とするガラスの磁気ギヤツプ部へのSiO2の侵
食が少なかつたためと考える。一方、V2O5を主
成分とするNo.１〜６のガラスの場合は、ギヤツプ
長は規定通りで、歩留りも高く、特にNo.１および
No.３〜No.６のガラスでは、90％以上の高歩留りで
あつた。その上強固で磁気ギヤツプが得られた。 実施例 ６ アモルフアス磁性合金としてCo37Nb10Zr3を、
基板として熱膨張係数が100×10-7／℃の非磁性
セラミツクス（CaTiO3系）を用い、コアブロツ
クの接合用低温軟化ガラスとして第２表中のNo.２
〜６及びNo.８のガラスを用いて、第５図に示す磁
気ヘツドを作製した。第２表中のNo.１およびNo.７
ガラスはCo37Nb10Zr3のアモルフアス磁性合金に
とつて、その接合温度が高すぎる。使用したガラ
スにおけるコアブロツクの接合温度、作製した磁
気ヘツドのギヤツプ長および作製歩留りを第８表
に示す。
【表】
本発明のアモルフアス磁性合金磁気ヘツドはア
モルフアス磁性合金の特性を低下させることな
く、強固に接合された磁気コアと高精度な磁気ギ
ヤツプの優れた磁気ヘツドを提供することができ
る。 また、本発明のアモルフアス磁性合金磁気ヘツ
ドの製法は、アモルフアス磁性合金を結晶化させ
ることなく、本発明のアモルフアス磁性合金磁気
ヘツドを製造することができる。
モルフアス磁性合金の特性を低下させることな
く、強固に接合された磁気コアと高精度な磁気ギ
ヤツプの優れた磁気ヘツドを提供することができ
る。 また、本発明のアモルフアス磁性合金磁気ヘツ
ドの製法は、アモルフアス磁性合金を結晶化させ
ることなく、本発明のアモルフアス磁性合金磁気
ヘツドを製造することができる。
第１図は本発明に係るアモルフアス磁性合金磁
気ヘツドの一例を示す斜視図、第２図はそのコア
ブロツク基板の斜視図、第３図はアモルフアス磁
性合金膜およびギヤツプスペーサを形成したコア
ブロツクの上面図、第４図はそのコアブロツクを
突き合わせた状態の斜視図、第５図は第１図とは
別の構造の本発明に係るアモルフアス磁性合金磁
気ヘツドの斜視図、第６図はそのコアブロツクの
斜視図、第７図はギヤツプスペーサを形成したコ
アブロツクの側面図、第８図はそのコアブロツク
を突き合わせた状態の側面図である。 １，１′……コアブロツク基板、４，４′……ア
モルフアス磁性合金膜、６……低温軟化ガラス
棒、７……アモルフアス磁性合金膜、８……補強
材、９……補強材、１３……低温軟化ガラス層、
１４……低温軟化ガラス棒。
気ヘツドの一例を示す斜視図、第２図はそのコア
ブロツク基板の斜視図、第３図はアモルフアス磁
性合金膜およびギヤツプスペーサを形成したコア
ブロツクの上面図、第４図はそのコアブロツクを
突き合わせた状態の斜視図、第５図は第１図とは
別の構造の本発明に係るアモルフアス磁性合金磁
気ヘツドの斜視図、第６図はそのコアブロツクの
斜視図、第７図はギヤツプスペーサを形成したコ
アブロツクの側面図、第８図はそのコアブロツク
を突き合わせた状態の側面図である。 １，１′……コアブロツク基板、４，４′……ア
モルフアス磁性合金膜、６……低温軟化ガラス
棒、７……アモルフアス磁性合金膜、８……補強
材、９……補強材、１３……低温軟化ガラス層、
１４……低温軟化ガラス棒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気コアにアモルフアス磁性合金層を設けた
アモルフアス磁性合金磁気ヘツドにおいて、該磁
気コアの接合ガラスが、V2O5を主成分とし、
P2O5およびSb2O3を含むガラスであることを特徴
とするアモルフアス磁性合金磁気ヘツド。 ２ 前記接合ガラスが、アモルフアス磁性合金の
結晶化温度より少なくとも50℃低い温度で、105
ポアズ以下の粘度を有する接着材からなるガラス
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のアモルフアス磁性合金磁気ヘツド。 ３ 一対の磁気コアの各々の対向面に、アモルフ
アス磁性合金層を設けたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のアモルフアス磁性合金磁気
ヘツド。 ４ 磁気コアにアモルフアス磁性合金層を設けた
アモルフアス磁性合金磁気ヘツドにおいて、該磁
気コアの接合ガラスが、V2O5を主成分とし、
P2O5及びSb2O3と、PbO、Tl2O及びNb2O5から
選ばれる少なくとも１種とを含むガラスであるこ
とを特徴とするアモルフアス磁性合金磁気ヘツ
ド。 ５ 前記接合ガラスが、430℃で105ポアズ以下の
粘度を有する組成からなるガラスであることを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載のアモルフア
ス磁性合金磁気ヘツド。 ６ Co−Nb−Zrを主成分とするアモルフアス磁
性合金を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項〜第５項のいずれか記載のアモルフアス磁
性合金磁気ヘツド。 ７ 磁気コアにアモルフアス磁性合金層を設けた
アモルフアス磁性合金磁気ヘツドの磁気コアの接
合に接合ガラスを用いるアモルフアス磁性合金磁
気ヘツドの製法において、V2O5を主成分とし、
P2O5及びSb2O3を含むガラス、またはV2O5を主
成分とし、P2O5、Sb2O3及びPbO、Tl2O及び
Nb2O5から選ばれる少なくとも１種を含むガラス
を、アモルフアス磁性合金の結晶化温度より少な
くとも50℃低い温度で溶融し磁気コアを接合する
ことを特徴とするアモルフアス磁性合金磁気ヘツ
ドの製法。 ８ アモルフアス磁性合金の結晶化温度より少な
くとも50℃低い温度で105ポアズ以下の粘度を有
する接着材を用いて、アモルフアス磁性合金の結
晶化温度より少なくとも50℃低い温度で接合する
ことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のア
モルフアス磁性合金磁気ヘツドの製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226786A JPS6288109A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | アモルフアス磁性合金磁気ヘツドおよびその製法 |
| EP86307894A EP0221697B1 (en) | 1985-10-14 | 1986-10-13 | Magnetic head of amorphous magnetic alloy and process for producing the same |
| DE86307894T DE3688646T2 (de) | 1985-10-14 | 1986-10-13 | Magnetkopf aus einer amorphen magnetischen Legierung und Verfahren zu dessen Herstellung. |
| US06/918,339 US4794483A (en) | 1985-10-14 | 1986-10-14 | Magnetic head having layers of amorphous magnetic alloy bonded together with a glass containing vandium oxide phosphorus oxide and antimony oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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