JPS6369009A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に情報の磁気記録ないし再生を行
なう磁気ヘッドの製造方法に関し、特に複数の磁気コア
構成部材をガラス溶着により接合してなる磁気コアを備
えた磁気ヘッドの製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 第３図はこの種の磁気ヘッドの一例としてＶＴＲ（ビデ
オテープレコーダ）のビデオ信号用磁気ヘッドの構造を
示している。

第３図において符号１で示すものは磁気コアであり、フ
ェライトからなる磁気コア構成部材である一対の磁気コ
ア半体１ａ、ｌｂを磁気ギャップＧを介して突き合わせ
、溶着ガラス２を用いたガラス溶着により接合して構成
される。

溶着ガラス２は磁気コアｌの磁気テープ摺動面Ｓにおい
て磁気ギャップＧの両側に形成されたトラック幅を決め
る溝３に充填される。

また磁気コアｌには巻線窓４および巻線溝５が形成され
、これらを介して磁気コアｌにコイル巻線６を巻装して
磁気ヘッドが構成される。

ところで、このようなビデオ信号用の磁気ヘッドでは近
年の磁気記録技術の発展に伴なって高飽和磁束密度で高
保磁力の磁気テープへの記録再生が可能であることが要
求されている。

従って上記の磁気コア半体１ａ、ｌｂの全体がフェライ
トからなる従来のフェライトコアでは飽和磁束密度の点
において不充分であるため、磁気コア半体１ａ、ｌｂの
突き合わせ面（ギャップ形成面）にアモルファス、セン
ダストなどの高飽和磁束密度の磁性金属材料からなる磁
性金属膜７を形成した構造が採用されている。Ｉｉｉ性
金属膜７はスパッタリング、蒸着、イオンブレーティン
グなどの真空薄膜形成技術により形成される。

［発明が解決しようとする問題点］ ところでこのように磁性金ａ膜７を形成した磁気コアで
は磁性金属膜７は極めて薄く、磁気コア半体１ａ、ｌｂ
のガラス溶着は高温でなされるため、溶着ガラス２、磁
性金属膜７および磁気コア半体１ａ、ｌｂのフェライト
間で！ａ膨張率をある程度一致させなければ溶着後に磁
性金属膜７の剥離や溶着部分周辺にクラック、ヒビなど
が発生する。すなわちこのタイプのコアでは従来のフェ
ライトコアの場合よりも溶着ガラス２の制約が大きくな
る。

ところが溶着ガラス２として線膨張率を磁性金属膜７お
よびフェライトに合わせたものを構成しようとすると、
溶着ガラスの成分中で５ｉ０２が極端に少なくなったり
、ＬｉＯ２，に２０などの成分が多量になったりして溶
着ガラスが結晶化しやすいものになってしまう、この結
果ガラス溶着時における溶着ガラス加熱温度の降温時に
微結晶化が発生する。

そして結晶化した溶着ガラスとしていない溶着ガラスと
では線膨張率も変化するので結晶化が発生すると上述し
た剥離、ヒビ、クラックなどが発生し、外観不良となる
という問題があった。

［問題点を解決するための手段］ 上述した問題点を解決するため本発明によれば、複数の
磁気コア構成部材をガラス溶着により接合してなる磁気
コアを備えた磁気ヘッドの製造方法において、前記ガラ
ス溶着工程で溶着ガラスの加熱温度の降温時に最高温度
からガラス転移点近傍の温度までの降温速度、は溶着ガ
ラスの結晶化を抑制可能な所定以上の速度とするととも
に、前記溶着後に溶着ガラスの内部応力を除去するため
の再加熱を行なう構成を採用した。

［作　用］ このような構成によればガラス溶着時における溶着ガラ
スの降温速度の設定によって溶着ガラスの結晶化が抑制
され、しかも溶着後の再加熱により溶着ガラスの内部応
力が除去されるので、溶着部分周辺におけるクラック、
ヒビなどの発生を防＋Ｆできる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例の詳細を説明する。

本実施例では第３図に示した構造の前述したＶＴＲのビ
デオ信号用磁気ヘッドをトラック幅２０ＩＬｍ、ギャッ
プ０．１８ｇｍで以下のように作製した。

まず磁気コア半休１ａ、ｌｂを切り出す一対のコアピー
スを磁気コア半体１ａ、ｌｂに対応した断面形状に加工
し、巻線窓４、巻線溝５、および溝３を形成し、次にコ
アピースの突き合わせ面となる面のそれぞれの磁気ギャ
ップ形成部分に磁性金属膜７としてＦｅ−ＡノーＳｉ系
のセンダスト膜を形成した。

さらにセンダスト膜上に磁気ギャップＧを形成するギャ
ップ層としてギャップ幅の局に相当する０、０９ｇｍの
厚さの５ｉ０２層をスパッタリングによって形成した後
、コアピースどうしを突き合わせガラス溶着により接合
した。

このガラス溶着に用いた溶着ガラス２の組成はＰ　ｂ　
Ｏ８４，４＄　、Ｓ　ｉ　０２　１９．３２％、Ａｊ２
２０３２．３＄、Ｂ　２０３　８．ＯＩＺ　ｎ　ＯＯ，
９２＄　、Ｎ　ａ　２１．３％、Ｋ　　２０　３．＋（
８Ｌ！−Ｌ、カラス転移点が３９０℃のものを用いた。

そしてこのような溶着ガラス２を用いて溶着時の加熱は
第１図に示す温度条件で以下のように行なった。

すなわち加熱温度はまず室温から５℃／分の昇温速度で
５００℃まで上げ、５００℃を１５分持続し、さらに１
℃／分の昇温速度で最高温度の６００℃まで上げ、６０
０℃を１００分持続し、しかる後にガラス転移点の３９
０℃まで７０℃／分の降温速度で急激に下げ、３９０℃
からは５℃／分のゆるやかな降温速度で室温まで降温し
た。

この際に最高温度からガラス転移点までの降温速度を７
０℃／分と急速にすることにより溶着ガラス２に結晶が
成長する余裕を与えずに結晶化を抑えることができる。

なおこの時の降温速度はガラスの種類によって異なるが
、５０℃／分以上にすれば結晶化を抑えることができる
。

また急速に降温するのは勿論厳密にガラス転移点までと
しなくても良く、ガラス転移点±３０℃程度の範囲内の
温度とすれば良い。

次に、本実施例では上述のような加熱温度条件によるガ
ラス溶着の後に、コアピースを溶着した溶着ガラスに対
して第２図に示す温度条件で以下のように再加熱を行な
った。

すなわち再加熱温度は室温から５℃／分の昇温速度で、
この場合のガラス転移点より３０℃高い４２０℃まで上
げ、４２０℃を７５分持続させ、しかる後に１℃／分の
ゆるやかな降温速度で室温まで下げた。

このように再加熱を行ない、ゆるやかな降温速度で降温
することにより、溶着ガラス内をならし、溶着時の急速
な降温による急）敷な体積変化で溶着ガラス内に作用し
ている内部応力を除去し、緩和できる。

なお、この再加熱処理の際の最高温度は上記温度に限ら
ないが、ガラス転移点より低いと溶着ガラスの内部応力
が取り切れず、またガラス転移点より５０℃以上高くす
ると溶着ガラスが流れ出し所定のギャップ幅、トラック
幅が得られないので、ガラス転移点からガラス転移点＋
５０℃までの範囲内とするのが良い。

また、このように再加熱の最高温度をガラス転移点に近
い温度にして溶着ガラスを完全には液状にしないことで
、その後にゆっくりと降温しても溶着ガラスの結晶化は
発生しない。

なお、再加熱処理の際の降温時の降温速度は」二記より
早くても良いが、１５℃／分以上とするとガラスの内部
応力が取り切れないので、１５℃／分以下とした方がよ
い。

次にこのようにして再加熱を行なった後に接合されたコ
アピースを所定の厚さに切断して第３図に示す構造の磁
気コアを得て、さらにこれにコイル巻線を巻回して磁気
ヘッドを完成した。

そして完成したヘッドの磁気コア１について磁性金属Ｉ
Ｉ！２７の剥離やガラス溶着部周辺のタラツク、ヒビな
どの発生状況を調べたところ良好な結果が得られた。

なお以上のようにして溶着ガラスの結晶化を押え、かつ
その内部応力を除去する方法は、特に、第３図のヘッド
のように磁気コア半休のギャップ形成面に磁性金属膜を
形成した構造のものに用いて特に好適で顕著な効果が得
られるが、コア半休のギャップ形成面に磁性金属膜を設
けないものについて適用してもそれなりの効果を期待で
きる。

［効　果］ 以」二の説明から明らかなように、本発明によれば、複
数の磁気コア構成部材をガラス溶着により接合してなる
磁気コアを備えた磁気ヘッドの製造方法において、前記
ガラス溶着工程で溶着ガラスの加熱温度の降温時に最高
温度からガラス転移点近傍の温度までの降温速度は溶着
ガラスの結晶化を抑制可能な所定以上の速度とするとと
もに、前記溶着後に溶着ガラスの内部応力を除去するた
めの再加熱を行なう構成を採用したので、磁気コアの溶
着部分周辺のクラック、ヒビなどの欠陥を防止でき、高
品質で高性能の磁気ヘッドを製造できるという効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の詳細な説明すもので、第１図はコアピース
のガラス溶着時における加熱の温度条件を示す線図、第
２図はガラス溶着後に行なう再加熱の温度条件を示す線
図、第３図はＶＴＲのビデオ信号用磁気ヘッドの構造を
示す斜視図である。 ｌ・・・磁気コア ｌａ、ｌｂ・・・磁気コア半休 ２・・・溶着ガラス、　　３・・・溝 ４・・・巻線窓　　　　　５・・・巻線溝６・・・コイ
ル巻線　　　７・・・磁性金属膜第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）複数の磁気コア構成部材をガラス溶着により接合し
   てなる磁気コアを備えた磁気ヘッドの製造方法において
   、前記ガラス溶着工程で溶着ガラスの加熱温度の降温時
   に最高温度からガラス転移点近傍の温度までの降温速度
   は溶着ガラスの結晶化を抑制可能な所定以上の速度とす
   るとともに、前記溶着後に溶着ガラスの内部応力を除去
   するための再加熱を行なうことを特徴とする磁気ヘッド
   の製造方法。 ２）前記ガラス転移点近傍の温度はガラス転移点±３０
   ℃の範囲内の温度とし、この温度までの溶着ガラスの降
   温速度は５０℃／分以上とすることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。 ３）前記溶着後の溶着ガラスの再加熱の最高温度は溶着
   ガラスのガラス転移点からガラス転移点＋５０℃までの
   範囲内とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
   たは第２項に記載の磁気ヘッドの製造方法。 ４）前記再加熱時の溶着ガラスの降温速度は１５℃／分
   以下とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項から
   第３項までのいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方
   法。