JP2624101B2 - 複合型磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲの映像信号の記
録再生に用いる複合型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】昨今のＶＴＲの高画質化の要請に伴い、
映像信号の記録再生に用いる磁気ヘッドは、磁気テープ
との摺動ノイズの発生を抑えるためにMnZn単結晶フェラ
イトに代わり、MnZn単結晶フェライトとMnZn多結晶フェ
ライトを接合させた接合型MnZnフェライトが用いられて
いる。

【０００３】図１１は、従来の接合型磁気ヘッドの一例
を示した斜視図である。

【０００４】この接合型磁気ヘッド１０は、磁気テープ
との摺接面１ａ，１ｂと、トラック幅規制溝２ａ，２ｂ
とが形成された前部磁気ギャップ部分３ａ，３ｂをMnZn
単結晶フェライトで構成し、一方に巻線溝４が形成され
た後部磁気ギャップ部分５ａ，５ｂをMnZn多結晶フェラ
イトで構成し、この両MnZnフエライトを接合した一対の
コア半体６ａ，６ｂを、その突き合わせ面７ａ，７ｂ同
士を対向させて突き合わせ、トラック幅規制溝２ａ，２
ｂにガラス８ａ，８ｂを充填して接合したものであり、
Ｇは磁気ギャップである。

【０００５】また、前部磁気ギャップ部分３ａ，３ｂの
MnZn単結晶フェライトは、同図に示す如く、磁気テープ
との摺動面１ａ，１ｂを｛１１２｝面に、突き合わせ面
７ａ，７ｂを｛１１１｝面に、摺動面１ａ，１ｂと突き
合わせ面７ａ，７ｂに隣接する磁路形成面９を｛１１
０｝面にし、且つ、この磁路形成面９上のMnZn単結晶フ
ェライトの結晶軸［１１０］が摺動面１ａ，１ｂに向か
って互いに接近する矢はず模様を描く。即ち、MnZn単結
晶フェライトの結晶軸［１１０］がギャップ突き合わせ
面７ａ，７ｂに対して角度θを形成し、その角度θは０
度＜θ＜９０度となるように構成されている。

【０００６】上述した従来の接合型磁気ヘッド１０は、
従来のMnZn単結晶フェライト磁気ヘッドに較べて、同等
の再生出力が得られ、摺動ノイズは低く、例えば、Ｓー
ＶＨＳ ＶＴＲにおける輝度信号とカラー信号のＣ／Ｎ
は、どちらも 1 dB 以上は改善される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら昨今、こ
れまで以上の記録密度の向上を図るために磁気テープの
保磁力Hcは、これまでの 700 Oe から1000 Oe 以上に高
められている。これらの高保磁力Hcの磁気テープに情報
を十分に記録するためには、記録磁界の絶対値が大き
く、且つ、その分布の鋭い磁界を発生する磁気ヘッドが
要求される。

【０００８】そのために、MnZn単結晶フェライトからな
る一対のコア半体の各々の突き合わせ面に、MnZn単結晶
フェライトより飽和磁束密度Bsの高い磁性膜、例えば、
Co-Zr-Nbアモルファス膜やFe-Si-Alセンダスト膜を形成
し、この磁性膜を介して接合した MIG型磁気ヘッドがあ
る。

【０００９】しかし、上述した従来の MIG型磁気ヘッド
には以下のごとき欠点がある。 （１） MIG型磁気ヘッドを構成するコア材が、MnZn単結
晶フェライトであるためにMnZn単結晶フェライト特有の
摺動ノイズが大きい。 （２）磁性膜にCo-Zr-Nbアモルフアスを用いた MIG型磁
気ヘッドでは、磁性膜の飽和磁束密度Bsが約8000 Gauss
となるので、例えば、保磁力Hcが 1400 Oeの磁気テープ
に情報を十分に書き込むには不十分である。特にカラー
信号を含む低周波数の信号の記録特性が不十分である。 （３）磁性膜にFe-SI-Alセンダストを用いた MIG型磁気
ヘッドでは、磁性膜の飽和磁束密度Bsは約 10000 Gauss
となるので、高保磁力磁気テープに映像信号を低周波数
から高周波数に亘って十分に記録できるが、Co-Zr-Nbア
モルフアス磁性膜のような非晶質膜と異なり、Fe-Si-Al
センダスト膜は結晶質であり、且つ、その熱膨張率が大
きいので、磁性膜を堆積させるコア材の表面状態によっ
て膜の内部応力が影響を受け易くなる。従って、 MIG型
磁気ヘッド製作過程において、この磁性膜の透磁率が加
工歪みなどの悪影響を受けて劣化し、再生出力特性が不
十分となる。

【００１０】以上、述べたように従来の MIG型磁気ヘッ
ドでは、昨今の高保磁力磁気テープを用いて摺動ノイ
ズ、記録特性、再生特性を満足することが困難である。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、磁気記録媒体との摺
接面と、トラック幅規制溝とが形成された前部磁気ギャ
ップ部分をMnZn単結晶フェライトで構成し、巻線溝と後
部磁気ギャップが形成された後部磁気ギャップ部分をMn
Zn多結晶フェライトで構成し、前記両フエライトを接合
してなる一対のコア半体の各々の突き合わせ面に成膜し
た磁性膜同士を対向させ、前記トラック幅規制溝にガラ
スを充填してなる複合型磁気ヘッドにおいて、前記磁性
膜は、Co-Hf-Taアモルファス磁性膜であって、その組成
はCo: 85〜90at%,Hf: 5〜10 at%,Ta: 6〜11 at%からな
り、かつ、前記ガラスの熱膨張率αｇ（固着温度から室
温までの温度範囲）は、前記Co-Hf-Taアモルファス磁性
膜の熱膨脹率αｔ及び前記MnZn単結晶フエライトの熱膨
脹率αｆよりも低いことを特徴とする複合型磁気ヘッド
を提供するものである。

【００１２】

【実施例】本発明は、昨今の高保磁力Hc（1000 Oe 以
上）の磁気テープを用いて、摺動ノイズ、記録特性、再
生特性を満足させることができる複合型磁気ヘッドを提
供するものである。

【００１３】図１は、本発明による複合型磁気ヘッド２
０の一実施例の斜視図である。

【００１４】同図における本発明による複合型磁気ヘッ
ド２０は、磁気記録媒体との摺接面２１ａ，２１ｂと、
トラック幅規制溝２２ａ，２２ｂとが形成された前部磁
気ギャップ部分２３ａ，２３ｂを、例えば、52 mol% 〜
56 mol%のFe₂ O ₃ ，25 mol% 〜 30 mol%のMnO ，15 m
ol% 〜 21 mol%のZnO を含有する単結晶フエライトで構
成し、巻線溝２４と後部磁気ギャップ２５が形成された
後部磁気ギャップ部分２６ａ，２６ｂを52 mol% 〜 56
mol%のFe₂ O ₃ ，27 mol% 〜 33 mol%のMnO ，15 mol%
〜 21 mol%のZnO を含有する多結晶フエライトで構成
し、この単結晶フエライトと多結晶フエライトを接合し
て一対のコア半体２７ａ，２７ｂとし、この一対のコア
半体２７ａ，２７ｂの各々の突き合わせ面２８ａ，２８
ｂ上に、飽和磁束密度Bsが 10000 Gauss以上のCo-Hf-Ta
アモルフアス磁性膜（Co：87.5 at%，Hf：6.5 at% ，T
a：6 at% ）２９ａ，２９ｂを成膜し、このCo-Hf-Taア
モルフアス磁性膜２９ａ，２９ｂ同士を対向させ、トラ
ック幅規制溝２２ａ，２２ｂにガラス３０ａ，３０ｂを
充填して一対のコア半体２７ａ，２７ｂを接合したもの
である。

【００１５】上記の如く構成された本発明による複合型
磁気ヘッド２０における、本発明のの特徴であるCo-Hf-
Taアモルフアス磁性膜２９ａ，２９ｂと、トラック幅規
制溝２２ａ，２２ｂに充填するガラス３０ａ，３０ｂに
ついて以下に詳述する。

【００１６】図２は、Co-Hf-Taアモルフアス磁性膜２９
ａ，２９ｂの飽和磁束密度Bsを大きく左右するCo組成濃
度と、その飽和磁束密度Bsの関係を示した図である。

【００１７】同図において、高保磁力Hcの磁気テープに
映像信号を低周波数から高周波数に亘って十分に記録で
きる約 10000 Gauss以上の飽和磁束密度Bsは、Co組成濃
度が少なくとも略 85 at% 以上であることが分かる。し
かし、Co組成濃度の増加に伴って飽和磁束密度Bsは上昇
するが、Co組成濃度が 90 at% 以上になるとアモルフア
スとはならず結晶化してしまう現象が発生するので、Co
組成濃度は90% 以下でなければならない。したがって、
本発明のCo-Hf-Taアモルフアス磁性膜２９ａ，２９ｂの
Co組成濃度は85〜90 at%に限定される。

【００１８】図３は、Co-Hf-Taアモルフアス磁性膜２９
ａ，２９ｂの磁歪常数λｓの組成三元図、図４はCo-Hf-
Taアモルファス磁性膜を用いた複合型磁気ヘッドとMnZn
単結晶フエライト磁気ヘッドの再生能力差を示した図で
ある。

【００１９】図４において、（a)は磁歪常数λｓの絶対
値が 2×10^-6以下のCo-Hf-Taアモルファス磁性膜を用い
た複合型磁気ヘッド、 (b)は磁歪常数λｓの絶対値が 2
×10^-6より大きいCo-Hf-Taアモルファス磁性膜を用いた
複合型磁気ヘッドで、MnZn単結晶フエライトヘッドで記
録した信号を（a),(b)各々の複合型磁気ヘッドで再生し
た再生出力を、MnZn単結晶フエライトヘッドで記録再生
した場合を 0dBとして比較した。この結果から、磁性膜
の磁歪常数λｓが大きい程、再生能力差が低くなること
が分かる。この傾向は、ほぼ磁歪常数λｓの絶対値の大
きさに反比例するものである。この図示した（ａ）
（ｂ）の再生能力差は、アモルファス磁性膜の磁歪常数
λｓの差によるもので、磁歪常数λｓの大きい磁性膜ほ
ど、 MIG型磁気ドのヘッド製造過程で入る種々の外部か
らの応力によって、この磁性膜の透磁率が低下し、それ
によって再生効率も下がり、再生出力を低下させる。従
って、Co-Hf-Taアモルファス磁性膜２９ａ，２９ｂの磁
歪常数λｓの絶対値を 2×10^-6以下にすることによって
再生出力を可能な限り大きくすることができることが分
る。図３は、この磁歪常数λｓの絶対値 2×10^-6と、先
に限定したCo組成濃度85〜90 at%との関係を示したもの
で、同図よりHf,Ta 組成濃度を規定することができる。
即ち、同図よりHf:5〜10%,Ta:6〜11% となる。

【００２０】このように高保磁力磁気テープを用いるた
め要求される 10000 Gauss以上の飽和磁束密度Bsと、絶
対値が 2×10^-6以下である磁歪常数λｓを満足するCo-H
f-Taアモルフアス磁性膜２９ａ，２９ｂの組成は、Co:
85〜90 at%,Hf: 5〜10 at%,Ta: 6〜11 at%に限定され
る。

【００２１】さらに、図５は、Co-Hf-Taアモルフアス磁
性膜２９ａ，２９ｂが磁性を失う結晶化温度T の組成三
元図である。

【００２２】本発明のCo-Hf-Taアモルフアス磁性膜２９
ａ，２９ｂの先に限定したCo: 85〜90 at%,Hf: 5〜10 a
t%,Ta: 6〜11 at%の磁性膜の結晶化温度T は、同図より
525℃以上であることが分かる。この 525℃以上である
結晶化温度T は、トラック幅規制溝２２ａ，２２ｂにガ
ラス３０ａ，３０ｂを充填する際のガラス溶融温度を上
回るもので、磁気ヘッド製造段階でCo-Hf-Taアモルフア
ス磁性膜２９ａ，２９ｂが磁性を失うことなく、作業を
容易とする温度である。

【００２３】上述した如く、組成を限定したCo-Hf-Taア
モルファス磁性膜（Co: 85〜90 at%,Hf: 5〜10 at%,Ta:
6〜11 at%）を用いた複合型磁気ヘッドの記録特性に付
いてさらに記述する。

【００２４】図６は、飽和磁束密度Bsと記録能力差（信
号書き込み能力）を示す図である。

【００２５】測定評価はＶＨＳ−ＶＴＲシステムによ
り、保磁力Hcが 1400 Oeの磁気テープと、記録用ヘッド
には磁性膜の飽和磁束密度Bsを 7000 Gauss から 11000
Gaussにまで変えたトラック幅25μｍ、実行ギャップ幅
0.3μｍの MIGヘッドを用い、再生用ヘッドには飽和磁
束密度Bsが約 5000 Gauss のMnZn単結晶フェライトヘッ
ドを用いた。同図において、記録用ヘッドの磁性膜の飽
和磁束密度Bsを 7000 Gauss,8000 Gauss,9000 Gauss,10
000 Gauss,11000 Gauss に変化させた５種類のヘッドで
記録した信号をMnZn単結晶フエライトヘッドで再生し
て、その再生出力を比較したものである。同図から、飽
和磁束密度Bsが8000 Gaussである複合型磁気ヘッドと、
飽和磁束密度Bsが10000 GsのCo-Hf-Taアモルファス磁性
膜を用いた複合型磁気ヘッドとは、例えばカラー信号領
域の 630 KHzでは 2.0 dB も記録特性が改善されること
が分る。

【００２６】更に、本発明の複合型磁気ヘッド２０の特
徴であるガラス３０ａ，３０ｂの熱膨張率αｇについて
詳述する。

【００２７】本発明の複合型磁気ヘッド２０のトラック
幅規制溝２２ａ，２２ｂに充填したガラス３０ａ，３０
ｂは、熱膨張率αｇが86×10^-7／℃の鉛系のものであ
る。また、このガラス３０ａ，３０ｂの固着温度（500
℃）から室温までの温度範囲におけるCo-Hf-Taアモルフ
アス磁性膜２９ａ，２９ｂの熱膨脹率αｔは 100×10^-7
／℃であり、MnZn単結晶フエライトの熱膨脹率αｆは 1
15×10^-7／℃である。

【００２８】図７は、本発明の複合型磁気ヘッド２０の
再生出力比を示す図であり、ガラス３０ａ，３０ｂの熱
膨張率αｇを、MnZn単結晶フエライトとCo-Hf-Taアモル
ファス磁性膜２９ａ，２９ｂの熱膨張率αｆ，αｔに対
する熱膨張率比で表し、それぞれにおける周波数 7 MHz
での自己録再生出力の結果を示したものである。

【００２９】同図から、ガラス３０ａ，３０ｂの熱膨脹
率αｇを、MnZn単結晶フエライトの熱膨脹率αｆの70％
〜80％の間に、且つ、Co-Hf-Taアモルファス磁性膜２９
ａ，２９ｂの熱膨張率αｔの80％〜ら90％の間に設定し
た場合に再生出力が最大になることが分かる。この傾向
はほぼ全周波数についても同じ傾向を示すものである。

【００３０】これは、ガラス３０ａ，３０ｂの熱膨張率
αｇが、MnZn単結晶フエライトやCo-Hf-Taアモルファス
磁性膜２９ａ，２９ｂの熱膨脹率αｆ，αｔに近ずくに
つれて、前記フエライトや、前記Co-Hf-Taアモルファス
磁性膜２９ａ，２９ｂにガラス３０ａ，３０ｂからの応
力が大きくなり、 MIG型磁気ヘッドの磁芯を構成するフ
エライトや、Co-Hf-Taアモルファス磁性膜２９ａ，２９
ｂの透磁率を劣化させるために MIG型磁気ヘッドの再生
出力が下がるものと考えられる。逆に、ガラス３０ａ，
３０ｂの熱膨張率αｇが、フエライトやCo-Hf-Taアモル
ファス磁性膜２９ａ，２９ｂの熱膨張率αｆ，αｔに較
べて低すぎると、 MIG型磁気ヘッドの製造時にガラス３
０ａ，３０ｂやフエライトにクラックを生じ、製造を困
難にする。

【００３１】また、本実施例に記載したガラス３０ａ，
３０ｂは、その軟化温度T は 427℃，作業温度は 545℃
のものを用いた。したがって、トラック幅規制溝２２
ａ，２２ｂには、Co-Hf-Taアモルファス磁性膜２９ａ，
２９ｂの結晶化温度 525℃以下の 490℃でガラス３０
ａ，３０ｂを溶融充填し、磁気ギャップＧを形成するこ
とができる。この磁気ギャップＧは、石英ガラス膜を所
定のギャップ幅と同じ厚さにしてある。これらの製法は
周知の方法によるものである。

【００３２】上述した本発明による複合型磁気ヘッド２
０は、昨今の高保磁力Hcの磁気テープを用いる時に要望
される特性、即ち 磁性膜の飽和磁束密度Bsが、 10000 Gauss以上である
こと 磁性膜の磁歪常数λｓの絶対値が、 2×10^-6以下であ
ること 磁性膜の結晶化温度T が、 525℃であること を満足するものである。

【００３３】図８〜図１０は、本発明による複合型磁気
ヘッド２０と従来の磁気ヘッドの再生出力スペクトル図
である。

【００３４】図８は本発明による複合型磁気ヘッド２
０、図９は従来の MIG型磁気ヘッド、図１０は従来の単
結晶フエライトヘッドの再生出力スペクトル図で、測定
に用いた磁気テープは保磁力Hcが 1400 Oe，ヘッド・テ
ープ相対速度は 5.8 m/sであり、信号周波数は 6.5 MHz
である。これら図８〜図１０を比較するに、本発明のCo
-Hf-Taアモルファス磁性膜２９ａ，２９ｂを用いた複合
型磁気ヘッド２０は、従来のMnZn単結晶フエライトとFe
-Si-Al磁性膜、或いは、Co-Zr-Nb磁性膜の組み合わせに
よる MIG型磁気ヘッドに較べて記録特性、再生特性、摺
動ノイズが改善されて、輝度信号（ 6.5 MHz）のＣ／
Ｎ、カラー信号のＣ／Ｎがそれぞれ 1dB以上も向上して
いる。この値はフエライト材を用いない非磁性基板材を
用いた積層構造型ヘッドと同等の性能を示すものであ
り、かつ、コスト的にも安価に製作できるという利点が
ある。

【００３５】また、本実施例では、磁気テープが摺接す
るMnZn単結晶フェライトの結晶方位を、図１１に示した
従来の接合型磁気ヘッド１０の前部磁気ギャップ部分３
ａ，３ｂのMnZn単結晶フェライトと同じく、磁気テープ
の摺接面２１ａ，２１ｂの結晶面を｛１１２｝面に、突
き合わせ面２８ａ，２８ｂを｛１１１｝面に、磁路形成
面３１ａ，３１ｂを｛１１０｝面として、且つ、この３
１ａ，３１ｂの｛１１０｝面上の結晶軸［１１０］が磁
気テープ摺接面２１ａ，２１ｂに向かって互いに矢はず
模様を描くように、つまり、この結晶軸［１１０］が、
それぞれのコア半体２７ａ，２７ｂ上で、突き合わせ面
２８ａ，２８ｂと角度θ（０度＜θ＜９０度）を成すよ
うに構成されており、その角度θの具体的な値は55度で
ある。

【００３６】これらの結晶面｛１１０｝，｛１１１｝，
｛１１２｝及び｛１００｝は、その結晶面が +10度から
-10度の範囲で傾く場合には、その物性的性質は傾きの
ない結晶面とほぼ同じ性質となることはすでに周知であ
る。

【００３７】また、結晶面｛１１０｝は、下記表１に記
載された各結晶面を代表し、結晶軸［１１０］も、下記
表２に記載された各結晶軸を代表するもので、その他の
結晶面、結晶軸も同様である。

【００３８】

【表１】

【００３９】

【表２】 上述したMnZn単結晶フェライトの結晶方位は、本発明に
よる複合型磁気ヘッド２０の効果をより一層顕著なもの
とするために示したもので、特に限定するものではな
い。

【００４０】

【発明の効果】上述したように本発明の複合型磁気ヘッ
ドは、磁気記録媒体との摺接面と、トラック幅規制溝と
が形成された前部磁気ギャップ部分を単結晶フェライト
で構成し、巻線溝と後部磁気ギャップが形成された後部
磁気ギャップ部分を多結晶フェライトで構成し、前記両
フエライトを接合してなる一対のコア半体の各々の突き
合わせ面に成膜した、組成がCo: 85〜90 at%,Hf: 5〜10
at%,Ta: 6〜11 at%からなるCo-Hf-Taアモルファス磁性
膜同士を対向させ、前記トラック幅規制溝に前記Co-Hf-
Ta磁性膜と前記単結晶フエライトの各々の熱膨脹率より
も低くい熱膨脹率のガラスを充填して構成することによ
り、高密度記録用の高保磁力磁気テープを用いたときの
長波長域の記録特性を改良し、且つ短波長域の輝度信号
のＣ／Ｎ比をも改良することが可能となり、常に安定し
た記録再生特性を持つ磁気ヘッドを安価に製作できる。
従ってＶＴＲの再生画質においてカラー特性及び輝度信
号特性、特にＣ／Ｎ比に優れた効果を発揮する複合型磁
気ヘッドの提供を可能にするものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による複合型磁気ヘッドの一実施例の斜
視図である。

【図２】Co-Hf-Taアモルフアス磁性膜の飽和磁束密度Bs
とCo組成濃度の関係を示した図である。

【図３】Co-Hf-Taアモルフアス磁性膜の磁歪常数λｓの
組成三元図である。

【図４】Co-Hf-Taアモルファス磁性膜を用いた複合型磁
気ヘッドとMnZn単結晶フエライトヘッドの再生能力差を
示した図である。

【図５】Co-Hf-Taアモルフアス磁性膜が磁性を失う結晶
化温度T の組成三元図である。

【図６】飽和磁束密度Bsと記録能力差（信号書き込み能
力）を示す図である。

【図７】本発明による複合型磁気ヘッドの再生出力比を
示す図である。

【図８】本発明による複合型磁気ヘッドの再生出力スペ
クトルである。

【図９】従来の MIG型磁気ヘッドの再生出力スペクトル
である。

【図１０】従来の単結晶フエライトヘッドの再生出力ス
ペクトルである。

【図１１】従来の接合型磁気ヘッドの一例を示した斜視
図である。

【符号の説明】

２１ａ，２１ｂ 摺接面 ２２ａ，２２ｂ トラック幅規制溝 ２３ａ，２３ｂ 前部磁気ギャップ部分 ２４ 巻線溝 ２５ 後部磁気ギャップ ２６ａ，２６ｂ 後部磁気ギャップ部分 ２７ａ，２７ｂ 一対のコア半体 ２８ａ，２８ｂ 突き合わせ面 ２９ａ，２９ｂ Co-Hf-Taアモルフアス磁性膜 ３０ａ，３０ｂ ガラス ３１ａ，３１ｂ 磁路形成面 Ｇ 磁気ギャップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−225336（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−84714（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−290732（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−205504（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−315109（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−78005（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気記録媒体との摺接面と、トラック幅規
   制溝とが形成された前部磁気ギャップ部分をMnZn単結晶
   フェライトで構成し、巻線溝と後部磁気ギャップが形成
   された後部磁気ギャップ部分をMnZn多結晶フェライトで
   構成し、前記両フエライトを接合してなる一対のコア半
   体の各々の突き合わせ面に成膜した磁性膜同士を対向さ
   せ、前記トラック幅規制溝にガラスを充填してなる複合
   型磁気ヘッドにおいて、 前記磁性膜は、Co-Hf-Taアモルファス磁性膜であって、
   その組成はCo: 85〜90at%,Hf: 5〜10 at%,Ta: 6〜11 at
   %からなり、かつ、前記ガラスの熱膨張率αｇ（固着温
   度から室温までの温度範囲）は、前記Co-Hf-Taアモルフ
   ァス磁性膜の熱膨脹率αｔ及び前記MnZn単結晶フエライ
   トの熱膨脹率αｆよりも低いことを特徴とする複合型磁
   気ヘッド。
2. 【請求項２】前記ガラスの熱膨張率αｇ（固着温度から
   室温までの温度範囲）は、前記MnZn単結晶フエライトの
   熱膨張率αｆの70〜80% の間にあり、且つ、前記Co-Hf-
   Taアモルファス磁性膜の熱膨張率αｔの80〜90% の間に
   あることを特徴とする請求項１記載の複合型磁気ヘッ
   ド。