JPH0542727B2 - - Google Patents
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- JPH0542727B2 JPH0542727B2 JP58096057A JP9605783A JPH0542727B2 JP H0542727 B2 JPH0542727 B2 JP H0542727B2 JP 58096057 A JP58096057 A JP 58096057A JP 9605783 A JP9605783 A JP 9605783A JP H0542727 B2 JPH0542727 B2 JP H0542727B2
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- JP
- Japan
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- erasing
- ferrite
- gap
- magnetic head
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Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 14
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、消去用磁気ヘツドに関する。
背景技術とその問題点
従来の例えば、VTR用の回転消去用磁気ヘツ
ド（フライングイレーズヘツド）は、フエライト
コア半体同士を接合し、単に磁気ギヤツプを広く
形成しただけの消去用磁気ヘツドである。しか
し、記録が高密度化してくると、磁気記録媒体と
してはメタルテープ化指向となり、従来の消去用
磁気ヘツドでは、消去不完全となりやすく対応し
きれない。一方、つなぎ撮りを可能にし、またオ
ーデイオのFM、PCM化に伴つて回転消去用磁
気ヘツドの必要性が高まつてきている。
ド（フライングイレーズヘツド）は、フエライト
コア半体同士を接合し、単に磁気ギヤツプを広く
形成しただけの消去用磁気ヘツドである。しか
し、記録が高密度化してくると、磁気記録媒体と
してはメタルテープ化指向となり、従来の消去用
磁気ヘツドでは、消去不完全となりやすく対応し
きれない。一方、つなぎ撮りを可能にし、またオ
ーデイオのFM、PCM化に伴つて回転消去用磁
気ヘツドの必要性が高まつてきている。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み、高保持力磁気記録
媒体に対応できる優れた消去特性及び高い信頼性
を有する消去用磁気ヘツドを提供するものであ
る。
媒体に対応できる優れた消去特性及び高い信頼性
を有する消去用磁気ヘツドを提供するものであ
る。
発明の概要
本発明は、１対のフエライトコア半体よりな
り、磁気記録媒体進入側のコア半体の突き合わせ
面にフエライトよりも飽和磁束密度の大きな磁性
材料薄層が形成され、この磁性材料薄層と他方の
コア半体との間に磁気ギヤツプが形成され、上記
記録媒体進入側のコア半体のフエライトと上記磁
性材料薄層との間に非磁性材層が形成されて成る
消去用磁気ヘツドである。
り、磁気記録媒体進入側のコア半体の突き合わせ
面にフエライトよりも飽和磁束密度の大きな磁性
材料薄層が形成され、この磁性材料薄層と他方の
コア半体との間に磁気ギヤツプが形成され、上記
記録媒体進入側のコア半体のフエライトと上記磁
性材料薄層との間に非磁性材層が形成されて成る
消去用磁気ヘツドである。
かかる構成により、消去特性が優れ、且つ信頼
性の高い消去用磁気ヘツドを得ることができる。
性の高い消去用磁気ヘツドを得ることができる。
実施例
以下、本発明の回転消去用磁気ヘツドに適用し
た場合の実施例を図面を参照して説明する。
た場合の実施例を図面を参照して説明する。
本発明においては、第１図及び第２図に示すよ
うに、回転消去用磁気ヘツド１のコア半体２及び
３をフエライトで構成し、磁気記録媒体例えば磁
気テープの進入側（矢印Ａは磁気テープの走行方
向を示す）に位置するコア半体２の突き合わせ面
に、フエライトよりも飽和磁束密度Bsの大きな
磁性材料である例えばセンダストよりなる薄層４
を形成し、この薄層４と合体される他方のコア半
体３との間に磁気ギヤツプｇを形成すると共に、
この磁気テープ進入側のコア半体２のフエライト
と磁性材料薄層４との界面に0.1〜0.5μm程度の擬
似ギヤツプg′を形成する。この擬似ギヤツプg′は
ガラス融着時にガラス６が上記界面に滲むことに
よつて形成された所謂滲み層からなる非磁性材層
で、擬似的な磁気ギヤツプとしての役割を果た
す。
うに、回転消去用磁気ヘツド１のコア半体２及び
３をフエライトで構成し、磁気記録媒体例えば磁
気テープの進入側（矢印Ａは磁気テープの走行方
向を示す）に位置するコア半体２の突き合わせ面
に、フエライトよりも飽和磁束密度Bsの大きな
磁性材料である例えばセンダストよりなる薄層４
を形成し、この薄層４と合体される他方のコア半
体３との間に磁気ギヤツプｇを形成すると共に、
この磁気テープ進入側のコア半体２のフエライト
と磁性材料薄層４との界面に0.1〜0.5μm程度の擬
似ギヤツプg′を形成する。この擬似ギヤツプg′は
ガラス融着時にガラス６が上記界面に滲むことに
よつて形成された所謂滲み層からなる非磁性材層
で、擬似的な磁気ギヤツプとしての役割を果た
す。
このように、本来の磁気ギヤツプｇに近接して
擬似ギヤツプg′が形成された本消去用磁気ヘツド
１は、いわゆるダブルギヤツプ型の磁気ヘツドと
類似の構造を有するので、消去率が高く、しかも
磁気ギヤツプｇにおいて磁気テープの進入側にフ
エライトより磁束密度の高いセンダスト薄層４が
設けられていることによつてさらに消去率が高く
なる。第３図は、本消去用磁気ヘツドの消去特性
を示す特性図である。この特性図は、本消去用磁
気ヘツド１をVTRに搭載して、メタルテープを
3.5m／ｓで走行させた場合の長波長（５〜7μm）
消去率を消去電流に対して測定したものである。
ここで、曲線Ａは擬似ギヤツプg′が進入側にある
本消去用磁気ヘツド１の場合、曲線Ｂは擬似ギヤ
ツプg′を形成しないで通常の磁気ギヤツプｇだけ
の消去用磁気ヘツドの場合、曲線Ｃは擬似ギヤツ
プg′が磁気テープの逃げ側にある消去用磁気ヘツ
ド（参考例）の場合である。この特性図で明らか
なように、目標消去率を−20dBとすると、比較
例（曲線Ｂ）については、約180mAで達成され
ているが、曲線の勾配からして電流を180mA以
上にしても−20dB以下になるとは限らず、消し
残しが生ずる虞がある。これに対して、本消去用
磁気ヘツド１にあつては（曲線Ａ）、約95mAで
目標消去率の−20dBが達成されており、しかも
曲線の勾配からして消去電流を95mA以上にすれ
ば、確実に消去することができる。
擬似ギヤツプg′が形成された本消去用磁気ヘツド
１は、いわゆるダブルギヤツプ型の磁気ヘツドと
類似の構造を有するので、消去率が高く、しかも
磁気ギヤツプｇにおいて磁気テープの進入側にフ
エライトより磁束密度の高いセンダスト薄層４が
設けられていることによつてさらに消去率が高く
なる。第３図は、本消去用磁気ヘツドの消去特性
を示す特性図である。この特性図は、本消去用磁
気ヘツド１をVTRに搭載して、メタルテープを
3.5m／ｓで走行させた場合の長波長（５〜7μm）
消去率を消去電流に対して測定したものである。
ここで、曲線Ａは擬似ギヤツプg′が進入側にある
本消去用磁気ヘツド１の場合、曲線Ｂは擬似ギヤ
ツプg′を形成しないで通常の磁気ギヤツプｇだけ
の消去用磁気ヘツドの場合、曲線Ｃは擬似ギヤツ
プg′が磁気テープの逃げ側にある消去用磁気ヘツ
ド（参考例）の場合である。この特性図で明らか
なように、目標消去率を−20dBとすると、比較
例（曲線Ｂ）については、約180mAで達成され
ているが、曲線の勾配からして電流を180mA以
上にしても−20dB以下になるとは限らず、消し
残しが生ずる虞がある。これに対して、本消去用
磁気ヘツド１にあつては（曲線Ａ）、約95mAで
目標消去率の−20dBが達成されており、しかも
曲線の勾配からして消去電流を95mA以上にすれ
ば、確実に消去することができる。
次に、本消去用磁気ヘツドの製法の１例を説明
する。
する。
先ず、第４図Ａに示すように、Mn−Znフエラ
イト基板１１を研削した後、鏡面研磨を行う。
イト基板１１を研削した後、鏡面研磨を行う。
次に、第４図Ｂに示すように、基板１１を真空
装置内に配置し、例えばスパツタリングでセンダ
ストの薄層１２を３〜10μm厚に被着形成する。
装置内に配置し、例えばスパツタリングでセンダ
ストの薄層１２を３〜10μm厚に被着形成する。
次に、第４図Ｃに示すように、基板１１を所定
のトラツク幅Twが得られるように砥石を使用し
てトラツク幅規制用の溝１３を形成する。
のトラツク幅Twが得られるように砥石を使用し
てトラツク幅規制用の溝１３を形成する。
次に、第４図Ｄに示すように、この溝１３に軟
化点300℃以上のガラス１４を400〜750℃、90分
の条件で充填する。こね作業温度を変えることに
より、フエライト基板１１とセンダストの薄層１
２との界面へのガラス１４の滲みの度合を調整す
ることができる。この後、基板１１の表面を鏡面
研磨する。
化点300℃以上のガラス１４を400〜750℃、90分
の条件で充填する。こね作業温度を変えることに
より、フエライト基板１１とセンダストの薄層１
２との界面へのガラス１４の滲みの度合を調整す
ることができる。この後、基板１１の表面を鏡面
研磨する。
次に、第４図Ｅに示すように、この基板１１を
例えばＡ−A′線に沿つて所定のブロツク１６に
切断する。
例えばＡ−A′線に沿つて所定のブロツク１６に
切断する。
この第４Ｅ図の状態でフエライト基板１１とセ
ンダストの薄層１２との界面の断面をみると、第
５図に示すようにガラス１４による界面への滲み
が起きていることが観察された。作業温度によつ
てこのガラスによる滲み層２１の幅ｄが異るが、
750℃前後において幅ｄは最大0.5μmになる。こ
の滲み層２１が擬似ギヤツプg′の作用をもつ。な
お、第４図Ｃの状態においては、擬似ギヤツプと
なるような層は観察されなかつた。又、この滲み
層２１は第４図Ｂのセンダスト層１２を形成する
際のスパツタリングの条件によつても形成度合が
異なる事も観察された。即ちヘツドとして問題が
生じない限度においてセンダスト層１２のフエラ
イト基板１１への付着度を低下させると、低い作
業温度であつても最大0.55μm程度の擬似ギヤツ
プg′が形成される。
ンダストの薄層１２との界面の断面をみると、第
５図に示すようにガラス１４による界面への滲み
が起きていることが観察された。作業温度によつ
てこのガラスによる滲み層２１の幅ｄが異るが、
750℃前後において幅ｄは最大0.5μmになる。こ
の滲み層２１が擬似ギヤツプg′の作用をもつ。な
お、第４図Ｃの状態においては、擬似ギヤツプと
なるような層は観察されなかつた。又、この滲み
層２１は第４図Ｂのセンダスト層１２を形成する
際のスパツタリングの条件によつても形成度合が
異なる事も観察された。即ちヘツドとして問題が
生じない限度においてセンダスト層１２のフエラ
イト基板１１への付着度を低下させると、低い作
業温度であつても最大0.55μm程度の擬似ギヤツ
プg′が形成される。
次に、第４図Ｇに示すように、このブロツク１
６と第４図Ｆに示す捲線側コア半体となるブロツ
ク１７とを所要ギヤツプ長となるようなスペーサ
を介してガラス融着させて合体させ、磁気ギヤツ
プｇを形成する。
６と第４図Ｆに示す捲線側コア半体となるブロツ
ク１７とを所要ギヤツプ長となるようなスペーサ
を介してガラス融着させて合体させ、磁気ギヤツ
プｇを形成する。
次に、第４図Ｇに示す２点鎖線１８，１９に沿
つて合体後のブロツク２０を１個の磁気ヘツド相
当分に切断する。この後、側面研磨及び磁気テー
プ対接面の円筒研磨を行い、第１図に示す消去用
磁気ヘツド１を得る。
つて合体後のブロツク２０を１個の磁気ヘツド相
当分に切断する。この後、側面研磨及び磁気テー
プ対接面の円筒研磨を行い、第１図に示す消去用
磁気ヘツド１を得る。
本実施例の消去用磁気ヘツド１によれば、従来
の消去用磁気ヘツドと比べて、大幅に少ない消去
電流であつても目標消去率を達成することがで
き、例えば目標消去率を−20dBとした場合、本
消去用磁気ヘツド１では従来の約50％の電流で消
去することができる。また、擬似ギヤツプg′は、
ガラスのフエライトへの滲出により形成されてい
るため、容易かつ大量にいわゆるダブルギヤツプ
型の本消去用磁気ヘツド１を製造することができ
る。
の消去用磁気ヘツドと比べて、大幅に少ない消去
電流であつても目標消去率を達成することがで
き、例えば目標消去率を−20dBとした場合、本
消去用磁気ヘツド１では従来の約50％の電流で消
去することができる。また、擬似ギヤツプg′は、
ガラスのフエライトへの滲出により形成されてい
るため、容易かつ大量にいわゆるダブルギヤツプ
型の本消去用磁気ヘツド１を製造することができ
る。
尚、上例ではセンダスト層を用いたが、これに
限なずFe−Co系のアモルフアス等の高磁束密度
磁性材を用いることができる。フエライトコア半
体としては、Mn−Zn系に限らず、Ni−Zn系等
を使用することもできる。
限なずFe−Co系のアモルフアス等の高磁束密度
磁性材を用いることができる。フエライトコア半
体としては、Mn−Zn系に限らず、Ni−Zn系等
を使用することもできる。
発明の効果
以上述べたように本発明においては、いわゆる
ダブルギヤツプ型の磁気ヘツドと類似の構造を有
していることから消去率が高く、しかも、磁気記
録媒体進入側のコア半体の突き合わせ面にフエラ
イトよりも飽和磁束密度の大きな磁性材料薄層が
形成されることからさらに消去率を高めることが
できる。
ダブルギヤツプ型の磁気ヘツドと類似の構造を有
していることから消去率が高く、しかも、磁気記
録媒体進入側のコア半体の突き合わせ面にフエラ
イトよりも飽和磁束密度の大きな磁性材料薄層が
形成されることからさらに消去率を高めることが
できる。
また、磁気記録媒体進入側のコア半体のフエラ
イトと上記磁性材料薄層との間に非磁性材層が形
成されていることから、長波長（５〜7μm）領域
における消去率を向上させることができる。
イトと上記磁性材料薄層との間に非磁性材層が形
成されていることから、長波長（５〜7μm）領域
における消去率を向上させることができる。
このように優れた消去特性を有する本発明は、
VTR、その他の回転消去用磁気ヘツドに用いて
好適なものである。
VTR、その他の回転消去用磁気ヘツドに用いて
好適なものである。
第１図及び第２図は本消去用磁気ヘツドの斜視
図及び要部斜視図、第３図は長波長消去率につい
て測定した特性図、第４図Ａ〜Ｇは本消去用磁気
ヘツドの製法を示す工程図、第５図は本発明の説
明に供する断面図である。 １は消去用磁気ヘツド、２，３はコア半体、４
は磁性材料薄層、６はガラス、ｇは磁気ギヤツ
プ、g′は擬似ギヤツプである。
図及び要部斜視図、第３図は長波長消去率につい
て測定した特性図、第４図Ａ〜Ｇは本消去用磁気
ヘツドの製法を示す工程図、第５図は本発明の説
明に供する断面図である。 １は消去用磁気ヘツド、２，３はコア半体、４
は磁性材料薄層、６はガラス、ｇは磁気ギヤツ
プ、g′は擬似ギヤツプである。
Claims (1)
- １ １対のフエライトコア半体よりなり、該磁気
記録媒体進入側のコア半体の突き合わせ面にフエ
ライトよりも飽和磁束密度の大きな磁性材料薄層
が形成され、該磁性材料薄層と上記他方のコア半
体との間に磁気ギヤツプが形成され、上記記録媒
体進入側のコア半体のフエライトと上記磁性材料
薄層との間に非磁性材層が形成されて成る消去用
磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9605783A JPS59221822A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 消去用磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9605783A JPS59221822A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 消去用磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59221822A JPS59221822A (ja) | 1984-12-13 |
| JPH0542727B2 true JPH0542727B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=14154809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9605783A Granted JPS59221822A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 消去用磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59221822A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371907A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-04-01 | Tdk Corp | 消去ヘツド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561825U (ja) * | 1978-10-20 | 1980-04-26 |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9605783A patent/JPS59221822A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59221822A (ja) | 1984-12-13 |
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