JPS6371907A - 消去ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、主としてＶＴＲに使用される複合型の消去ヘ
ットに関する。

（従来の技術） 消去ヘットにおいては、近年のメタルテープの出現によ
り、高透磁率て高飽和磁束密度を右するソフト磁性薄膜
を形成した複合型の消去用磁気ヘットが使用されて来て
いる。この従来の消去ヘッドは、：ＪＳＧ図の平面図に
示すような記録成体摺動面の構造を有している。第６図
において、１．２はフェライトτてなる対をなす磁性半
体、３は一方の磁性半体２の突合せ面に形成された高透
磁率で高飽和磁束密度を有するソフト磁性薄膜、４は該
磁性ｇ膜３上に形成されたギャップ形成■り、５は該ギ
ャップ形成膜４上に形成された前記磁性薄膜３と同様の
磁性薄膜（磁性薄膜３，５には理解を容易化するために
語線か付しである。）、６は磁性半体ｌと、前記３〜５
の膜を形成した磁性半体２とを一体に接合する溶着ガラ
ス等の接合剤である。

（発明か解決しようとする問題点） このような消去ヘットを用いてメタルテープ等の消去を
行なう場合には、例えば５Ｍｆｌｚ程度の高周波を印加
して発生ずる交流磁場により交流消去を行なう方法か採
用されているか、消去信号である５Ｍｔｌｚの信りかテ
ープ上の信号消去の後も記録されて残ってしまい、ノイ
ズの原因になるという問題点かある。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明は、上記の問題点を解決するため、対をなす磁性
半体の突合せ面に磁性半体よりも高透磁率で高飽和磁束
密度を有する１層以上の磁性薄膜と、２層のギャップ形
成膜とを９膜形成技術により交互に形成することにより
、ダブルギャップ構造を構成すると共に、記録媒体摺動
方向の前方となる第１の作動ギャップの厚さｇｌと後方
の第２の作動ギャップの厚さｇ２との比ｇ　２　／　ｇ
　Ｉを０．１〜０．８に設定したことを特徴とする。

（実施例） 以下本発明の一実施例を図面により説明する。

第１図は本発明による消去ヘットの平面図、第２図は側
面図である。１，２は対をなす磁性半体であり、フェラ
イト、パーマロイ、センダスト等のフロラつてなり、突
合せ面は先端の平面部を除いてテーパー形に形成される
。

７は磁性半体２の突合せ面の全面にわたって形成された
高透磁率て高飽和磁束′、ぞ度を有する第１の磁性薄膜
であり、Ｃｏ−Ｚｒ系等の各種アモルファス合金膜か用
いられ、スパッタリングや蒸着等の薄膜形成技術により
、好ましくは１ｐｒｎ〜４１Ｌｍ程度の厚さに形成され
る。

８はｇ、の厚さく好ましくはＩＪＬｒｎ〜４トｍ）を有
する第１の作動ギャップを形成する第１のギャップ形成
膜てあり、Ｓｉｎ、やＡ１．Ｏ，等によりなり、第２図
に示すように、第１の磁性薄膜７の全面にわたり、スパ
ッタリングや蒸着等の薄膜形成技術により形成される。

９は磁性半体２の突合せ面の全面にわたって形成された
第２の磁性６Ｍ膜であり、この磁性薄膜９は、第１の磁
性薄膜７と同様に、高透磁率で高飽和磁束密度を有する
アモルファス合金でなり、スパッタリングや薄着等の薄
膜形成技術により、好ましくは０．３ルｍ〜２μｍ程度
の厚さに形成される。

１０は前記第１のギャップ形成１１ｉ８の厚さｇ。

に関連した後述のｇ２の厚さを有する第２の作動ギャッ
プを形成する第２のギャップ形成膜であり、この膜は、
前記第２の磁性薄膜９上にスパッタリングや蒸２７！Ｖ
−の薄膜形成技術により、前記第１のギャップ形成膜８
と同様に、磁性半体２の全面にわたっ”Ｃ形成される。

この第２のギャップ形成膜１０は、接合剤６として一般
的には溶着ガラスを用いる関係上、磁性薄膜ｌＯと溶着
ガラス６との反応を防止するため、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、
Ｚｎのいずれかからなる金属膜、もしくはその酸化金属
膜を保護膜を保護膜として、前記５ｉｎ２やＡ１□０：
１等に積層して形成することか好ましい。

具体例として、磁性半体１．２として、Ｍ　ｎ　−Ｚｎ
系フェライトを用い、第１の磁性薄膜７および第２の磁
性薄膜９としてＣｏ−Ｚｒ系アモルファス磁性材を用い
、第１の磁性薄膜７を２ルｍの厚さに、第２の磁性ｆ７
ｊ膜９をｌｐｍの厚さに形成し、第１のギャップ形成膜
８をＳ　ｉ　Ｏ２により２川ｍの厚さに形成し、第２の
ギャップ形成膜１０を８１０２　層０　、２　ｇ　Ｉｎ
とその上の（、、ＲＩＩ□。

４ｇｍの積層構造に形成し、５ＭＩＩｚの消去信号を用
いて試験したところ、第３図に示すように、従来構造、
すなわち第２のギャップｇ２部分のない従来品のヘッド
摺動方向についての磁界強度分布（点線で示す。）に対
し、本発明による場合には、実線て示すように、ヘッド
後部（第１図の矢印１４は記録媒体の相対移動方向を示
し、第２のギャップｇ２側が第１のギャップｇ１に対し
て後方となる。）の交流磁界強度か緩やかに減少する。

このように、記録媒体相対移動方向について広い範囲に
わたって交流磁界強度か分布することにより、本具体例
による消去ヘッドの消去率は従来例に比較して−５，１
ｄＢも向上した。

この消去特性は、ギャップ厚の比ｇ　２　／　ｇ　Ｉか
関係し、第４図に示すように、この比か０．１以下であ
れば消去率か従来例に対して一２ｄＢ以下となるのであ
まり効果は無く、また、０．８以上となると、第３図の
２点鎖線Ａに示すように磁界強度分布の広がりか減少す
るのて好ましくない。

第５図は本発明の他の実施例てあり、本実施例は、前記
第１の磁性釣膜７を無くしたものであり、本実施例によ
っても前記と同様の効果を奏することがてきる。

（発明の効果） 以上述べたように、未発１１においては、１層以上の磁
性薄膜と２層のギャップ形成膜とを交互に形成すること
によりダブルギャップ構造を形成すると共に、ギャップ
厚の比を所定範囲に設定したので、消去ヘッドの記録媒
体移動方向の交流磁界強度分布を広げることができ、消
去ヘッドの高周波における消去特性が向上し、消去のた
めに印加する高周波信号が記録媒体上に記録として残留
する現象を抑制することかできる。このため、本発明に
よれば、信頼性の高い消去ヘットか実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による消去ヘッドの一実施例を示す平面
図、第２図は該実施例の平面図、第３図は本発明と従来
例の記録媒体移動方向における磁界強度分布を比較して
示す特性図、第４［Ａはギャップ厚の比に対する消去率
の変化を示す特性図、第５図は本発明による消去ヘッド
の他の実施例を示す平面図、第６図は従来の消去ヘット
の平面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 対をなす磁性半体の突合せ面に磁性半体よりも高透磁率
   で高飽和磁束密度を有する１層以上の磁性薄膜と、２層
   のギャップ形成膜とを薄膜形成技術により交互に形成す
   ることにより、ダブルギャップ構造を構成すると共に、
   記録媒体摺動方向の前方となる第１の作動ギャップの厚
   さｇ＿１と後方の第２の作動ギャップの厚さｇ＿２との
   比ｇ＿２／ｇ＿１を０．１〜０．８に設定したことを特
   徴とする消去ヘッド。