JPH0718964B2 - 集積光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

集積光デバイスおよびその製造方法

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JPH0718964B2 JP63116938A JP11693888A JPH0718964B2 JP H0718964 B2 JPH0718964 B2 JP H0718964B2 JP 63116938 A JP63116938 A JP 63116938A JP 11693888 A JP11693888 A JP 11693888A JP H0718964 B2 JPH0718964 B2 JP H0718964B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板上に光導波路を配設した集積光デバイス
およびその製造方法に関するもので、さらに詳細には、
光導波路の複屈折性を調節することにより所望の偏波依
存性あるいは偏波無依存性をもつように構成した集積光
デバイスおよびその製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 平面基板上に形成された単一モード光導波路、特にシリ
コン基板上に形成された石英系単一モード光導波路は、
例えばN.Takato el al.:“Guided-Wave Multi/Demultip
lexer for Optical FDM Transmissin",Technical Diges
t of ECOC′86,p.443に記載されている。このような石
英系単一モード光導波路は、そのコア部の断面の寸法を
通常使用されている石英系単一モード光ファイバに合わ
せて５〜10μｍ程度に設定することができるので、光フ
ァイバとの整合性に優れた実用的な集積光デバイスの実
現手段として期待されている。
第14A図および第14B図はこのような石英系単一モード光
導波路を用いた従来の集積光テバイスの一例としての導
波形マッハ・ツェンダー光干渉計の構成を説明するため
の、それぞれ、平面図および第14A図におけるAA′線に
沿った断面を拡大して示す断面図である。
第14A図および第14B図において、１はシリコン基板であ
る。２および３はシリコン基板１上に石英計ガラス材料
により形成された方向性結合器である。これら方向性結
合器２および３は互いに近接した２本の石英系単一モー
ド光導波路2-1と2-2および3-1と3-2からなり、その結合
率はいずれもほぼ50％になるように設定されている。４
および５は方向性結合器２および３の光導波路2-1と3-1
との間および光導波路2-2と3-2との間をそれぞれ連結す
る２本の光導波路てあり、これら光導波路４および５は
長さがΔＬだけ異なっている。これらの光導波路2-1,2-
2,3-1,3-2,4および５はシリコン基板１上に配置されて
いるクラッドガラス層12に埋設されたコアガラス部より
成る。1aおよび2aは光導波路2-1および2-2の各入力ポー
ト、1bおよび2bは光導波路3-1および3-2の各出力ポート
である。６はクラッドガラス層12の上において光導波路
５の上方に配置した薄膜ヒータである。
この光デバイスにおいて、入力ポート1aから入射した信
号光の光周波数を変化させていくと、 （ｃは光速,nは光導波路の屈折率） を周期として出力ポート1bおよび2bから交互に信号光を
取り出せることが知られている。
第15図は、この周期性を示し、入力ポート1aに信号光と
して基板１に水平な偏波方向を有するTE偏光を入射した
場合の出力ポート1bおよび2bからの出力光の光周波数特
性を示すものである。ここで、実線は出力ポート1bから
の出力光、破線は出力ポート2bからの出力光の場合を示
す。したがって、例えば、1.55μｍ帯において、Δｆ＝
10GHzだけ光周波数間隔の離れた２本の信号光f1およびf
2を入力ポート1aから同時に入射させる場合を考えてみ
る。ここで、上式に従ってΔＬ≒10mmに設定しておく
と、出力ポート1bおよび2bから２本の信号光f1およびf2
を分離して取り出すことができる。実際には、一方の光
導波路５の上部には、光導波路５の実効的な光路長を熱
光学効果によって１波長程度変化させるための移相器と
しての薄膜ヒータ６を配設し、この薄膜ヒータ６への印
加電力を調整することにより導波形マッハ・ツェンダー
光干渉計の上述の周期を信号光f1およびf2の周波数値と
同期させるとともに、希望の出力ポートに、希望の信号
光を取り出す。それにより、第14A図および第14B図に示
した光干渉計は全体として光周波数多重合分波器として
機能する。
このような集積光デバイスはシリコン基板上への石英系
ガラス膜の堆積技術と反応性イオンエッチングによる微
細加工技術とを中心とする公知の方法により製造するこ
とができる。
しかし、第14A図および第14B図に示した導波形光干渉計
は、石英系ガラスとシリコン基板との熱膨脹係数の差に
よりガラス膜面内に強い圧縮応力を受けており、これに
より光導波路は複屈折値BO＝５×10-4程度の応力複屈折
性を呈している（BO＝nTM-nTE、ここでnTE＝TE偏光の実
効屈折率、nTM＝TM偏光の実効屈折率）。すなわち、光
導波路の実効屈折率ｎが入射光の偏光方向によってBOだ
け異なる。このため光干渉計の上述の周期特性の位相に
偏光方向によるずれが生じ、信号光の偏光方向を基板面
に水平（TE偏光）あるいは垂直（TM偏光）のいずれか一
方にあらかじめ調整しておかないと光周波数多重合分波
器としての動作が全く不能になるという問題があった。
第14A図および第14B図において、光干渉計を構成する光
導波路の複屈折値を仮に自由に制御できればTE偏光とTM
偏光の周期特性が見かけ上一致するように導波形光干渉
計を作製することが可能であることが知られている。す
なわち、光干渉計の光路長差ΔＬの偏光方向によるわず
かな差BO・ΔＬが信号光の波長の整数倍値（零を含む）
になるように光導波路の複屈折値を調整しつつ光干渉計
を作製すればよいのである。
しかし、従来の集積光テバイス作製法では、ガラス組成
や基板の種類を変える以外に複屈折値を制御する方法が
なく、高機能の集積光デバイスを構成する際の障害とな
っていた。あるいはまた、コア部の形状を正方形状か
ら、横あるいは縦に長い長方形状にすることにより、形
状効果を利用して光導波路複屈折値を変化させることは
できるものの、変化量は10-5のオーダーと小さく、実用
上充分な変化量は得られなかった。その場合に、極端な
長方形状にすると、入出力ポートにおいて光ファイバと
の接続損が急増する問題もあった。
上述の導波形光干渉計の欠点を解決するようにした応力
の複屈折調節溝付き光干渉計が例えば、M.Kawachi et a
l.:“Birefringence Control in High-Silica Single-M
ode Channel WaveguideS on Silicon",Technical Diges
t of OFC/IOOC‘87'TuQ31、またはヨーロッパ特許出願
公開EP-0255270-A2に提案されている。
第16A図および第16B図は、このような応力複屈折調節溝
付き光干渉計の構造の一例を示す、それぞれ、平面図お
よび第16A図のAA′線を沿った断面を拡大して示す断面
図である。第14A図および第14B図に示した光干渉計との
相違点は、光導波路４のコア部近傍のクラッドガラス層
12に、基板１からの応力の一部を解放して光導波路の応
力複屈折を調節するための応力調節溝21aおよび21bを反
応性イオンエッチング技術により加工した点にある。光
干渉計の光路長差ΔＬの偏光方向によるわずかな差が信
号光波長の整数倍になるように、これら溝21aおよび21b
の位置，深さ，幅，長さを設定することにより、原理上
は光干渉計の入力偏波依存性を確かに解消できるが、次
のような製作上の問題点が生じた。
すなわち、第16A図および第16B図に示した集積光デバイ
スの形態の光干渉計を製造するにあたっては、応力調節
溝21aおよび21bは、クラッド層12の一部を反応性イオン
エッチングにより除去することにより形成されるが、そ
の場合に、エッチング工程中に光干渉計の偏波特性を同
時測定（オンラインモニター）できない問題点がある。
これは、反応性イオンエッチンヂのような微細加工は真
空容器内のプラズマ中で実行され、光干渉計に診断光を
入射して偏波特性をモニタしつつ溝加工することが困難
だからである。その結果、ともすれば、過剰にエッチン
グを実行してしまい、所望の偏波特性に正確にチューニ
ングすることが困難であるという問題点があった。
第16A図および第16B図に示した応力調節溝21aおよび21b
の代わりに、応力付与部を光導波路コア部近傍のクラッ
ド層12中に設けて、所望部分の光導波路の複屈折値を調
節する方法も提案されている。第17図は、かかる従来の
応力付与部付き光導波路の構造例を示す断面図であり、
コア部４の両側にこのコア部４に近接して配置された多
結晶性シリコン応力付与部22aおよび22bにより光導波路
４の複屈折値を調節する。しかし、複屈折値を所望の値
に正確に合わせるためには、綿密な応力分布計算により
応力付与部22aおよび22bの形状，位置および必要長さを
算出し、これに基づいてガラス膜およびシリコン膜の堆
積およびエッチングを実行し、少しの誤差も無く所定の
応力付与部付き光導波路構造を形成しなければならない
という製作上の問題点があった。
以上、導波形マッハ・ツェンダー光干渉Ｋの入力偏波依
存性を例にとり集積光デバイス製造に際しての光導波路
複屈折調節の重要性と従来製法における問題点を述べた
が、他の集積光デバイス、例えば、光リング共振器，フ
ァブリーペロー共振器，偏波分離器，モード変換器，光
波長板，方向性結合器などを製造する上でも同様の問題
点がある。
上述の石英系単一モード光導波路に限らず、他の材料系
の単一モード光導波路を用いた集積光デバイスを製造す
る場合においても、光導波路の複屈折特性を調節して、
所望の偏波特性を有するデバイスを実現することが望ま
れている。例えば、多成分系ガラス基板面の所望位置に
ガラスの屈折率を増加させるイオンを拡散させてコア部
を形成するイオン拡散ガラス導波路を基本とした集積光
デバイスにおいても、光導波路コア部は基板から応力を
受け、これにより応力複屈折性が発生していることが知
られている。集積光デバイスに所望の偏波依存性を付与
するためには、この応力複屈折値を正確に制御すること
がやはり要求されるが、光導波路製造上の製作誤差を許
容しつつ精密に複屈折値をチューニングする方法は無か
った。
以上に説明したガラス系集積光デバイスの他に、LiNbO3
系光導波路,InP系やGaAs系等の半導体光導波路,YIG系等
の磁性体光導波路を用いた集積光デバイスの作製にあた
っても、光導波路複屈折値を精密に制御することが強く
要求されている。例えば、GGG基板上にYIG系光導波路を
形成して集積形光アイソレータを構成する試みが行われ
ているが、YIG光導波路を信号光が伝搬する際に、偏波
面の円滑なファラディ回転が営まれるためには、YIG光
導波路かGGG基板から受ける応力複屈折値を零に設定す
る必要がある。この目的のためにYIG光導波路上部に石
英ガラス膜を応力付与部として形成する方法等が提案さ
れているが、第16A図および第16B図や第17図の従来例に
ついて説明したのと同様の理由により、正確な複屈折制
御は困難であった。YIG光導波路の上部に重りをのせてG
GG基板からの応力をキャンセルする方法も提案されてい
るが、重りによりGGG基板そのものが破損する危険も多
々あり、しかもまた、一つの基板上に多数の光素子を集
積する際には重りをのせるのは現実的ではなかった。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の集積光デバイス製造技術における上記欠点、すな
わち、光導波路の複屈折値を精密かつ容易に調節するこ
とができないという欠点は、光導波路の複屈折特性が重
要な役割を果たす集積光デバイス、たとえば光干渉計，
リング共振器，偏光分離器，アイソレータなどを設計お
よび製造する上での大きな障害となっていた。
そこで、本発明の目的は、従来技術の上記の制約を解消
して光導波路の正確な複屈折制御が可能な集積光デバイ
スおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、所望の偏波依存性を付与され、あ
るいは逆に偏波依存性の無い集積光デバイスおよびその
製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、上述した応力調節溝を形成するためのマスク
として用いた非晶質シリコン膜自体が強力な応力作用を
下側の光導波路に及ぼしていることを見出し、その認識
の下に完成したものである。
すなわち、本発明では、複屈折制御のために、光導波路
クラッド層上に光導波路コア部に及ぼす応力を外部刺激
（トリミング）により非可逆的に変化させることのでき
る応力付与膜を設ける。
このような応力付与膜の一部を所望の光導波路複屈折特
性が得られるようにトリミングし、例えばレーザビーム
照射により応力付与膜の一部に相変化や蒸発を引き起こ
して、これにより集積光デバイスに所望の偏波特性を付
与する。
さらにまた、本発明では、応力付与膜をトリミングする
際に、集積光デバイスに診断光を入射し、デバイスの偏
波特性など所定のデバイス特性をモニタしつつトリミン
グを行い、極めて正確に複屈折制御および偏波特性制御
を行うことができるようにする。
本発明集積光デバイスは基板と、基板上に配置されたク
ラッド層およびクラッド層に埋設され、光伝搬作用をも
つコア部を有する単一モード光導波路と、クラッド層上
の所定部分に配置され、トリミングによりコア部に作用
する応力を非可逆的に変化させて、残留応力により単一
モード光導波路の応力複屈折値を調節し得る応力付与膜
とを具えたことを特徴とする。
ここで、応力付与膜を、非晶質シリコン膜とすることが
できる。
また、単一モード光導波路を、SiO2を主成分とする石英
系光導波路とすることができる。
本発明集積光デバイスの製造方法は基板上にクラッド層
を形成する工程と、クラッド層に埋設され光伝搬作用を
持つコア部を含む単一モード光導波路を形成する工程
と、単一モード光導波路に残留応力による応力を与え、
かつトリミングにより応力を非可逆的に変化させ得る応
力付与膜をクラッド層上に形成する工程とを具えたこと
を特徴とする。
ここで、応力付与膜を部分的にトリミングして、そのト
リミングされた箇所の下部の単一モード光導波路の応力
複屈折値を調節して、集積光デバイスの所定の光学特性
を調節する工程をさらに具えることができる。
また、応力付与膜をトリミングする工程において、集積
光デバイスに診断光を入射させ、所定の光学特性をモニ
タしつつトリミングを行うことができる。
また、応力付与膜をトリミングする工程において、光ビ
ームを応力付与膜に部分的に照射することによりトリミ
ングを実行することができる。
［作用］ 本発明では光導波路の組成や基板の種類を変えることな
しに、複屈折値を調節できる点で、第16A図および第16B
図の応力調節溝や第17図の応力付与部を有する従来の光
デバイスと異なる。しかも、本発明における応力付与膜
の形成にあたっては、製作精度を要求されず、後工程に
おいて、その応力付与膜をトリミングして、所望の複屈
折特性が選られるようにすればよい。その際に、応力付
与膜をトリミングする際に、集積光デバイスに診断光を
入射し、デバイスの偏波特性など所定のデバイス特性を
モニタしつつトリミングを行うことができるので、極め
て精密な複屈折制御、ひいては光デバイスの偏波特性制
御ができる。
トリミングの概念は電子回路分野における混成集積回路
を製造する際に基板上に蒸着あるいは印刷形成された抵
抗体薄膜の一部をレーザビームによりカッティングして
所望の抵抗値に正確に合わせる技術分野では従来から知
られている。また、集積光デバイス分野においても、方
向性結合器の結合率をチューニングして方向性結合器製
作上の誤差を緩和する目的でトリミングの概念が提案さ
れたことはある。この場合、光照射により屈折率が変化
する材料、例えばカルコゲナイド・ガラス膜をLiNbO3系
方向性結合器の光結合部上部に装荷しておきカルコゲナ
イド・ガラス膜に紫外線を照射しつつ結合率を調節する
ものである。しかし、これまでに応力付与膜のトリミン
グにより光導波路に加えられる応力状態を変化させて、
その光導波路の複屈折値を調節し、以て所望の偏波特性
を持つ複屈折性集積光デバイスを製造した例は皆無であ
る。
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
実施例１ 第１図は本発明の集積光デバイスの第１の実施例として
の導波形光干渉計の構成を示す斜視図である。
この実施例１は、第14A図および第14B図または第16A図
および第16B図の従来構成と異なり、クラッド層12の上
において、結合率50％の２個の方向性結合器２および３
を連結する光導波路４に対応する部分にコア部に及ぼす
応力を外部刺激により非可逆的に変化させ得る応力付与
膜31が装荷されている。
第１図において、シリコン基板１上の石英系単一モード
光導波路４および５のクラッド層12は厚さは50μｍのSi
O2系ガラスである。コア部は８μｍ角のSiO2-TiO2系ガ
ラスであって、クラッド層12の中央に配置される。応力
付与膜31はクラッド層12上の一部に形成した厚さ６μｍ
で幅200μｍの非晶質シリコン膜であり、必要に応じ
て、外部刺激（例えばレーザビーム照射）を加えて局所
的に多結晶シリコンと相変化させ、下部のコア部に及ぼ
す応力を変化させることができる。したがって、トリミ
ング終了後の状態では、応力付与膜31は、第１図に示す
ように、トリミング未実施領域（本例では非晶質領域）
31aとトリミング実施領域（本例では多結晶領域）31bと
に区分される。６はクラッドガラス層12の上において光
導波路５の上方に配置した薄膜ヒータである。
応力付与膜31を形成しない従来の場合には、単一モード
光導波路の応力複屈折値Ｂはシリコン基板からの圧縮応
力を反映してＢ≒５×10-4であった。これに対して、非
晶質シリコン応力付与膜31を形成すると、この応力付与
膜31は光導波路４に引張り応力を与えるので、基板１か
らの圧縮応力を一部打ち消す方向に作用し、応力付与膜
31の下部の光導波路４における複屈折値はＢ≒3.5×10
-4まで減少するが、応力付与膜31の一部分31b例えばレ
ーザビームで加熱して多結晶化させると、このトリミン
グ実施領域31bでは応力付与膜31の応力が緩和され、ほ
ぼもとの値Ｂ≒５×10-4にまで回復することを本発明者
らは見出した。
このレーザビームトリミング操作は、光干渉計に入力ポ
ート1aまたは2aより測定光を入射しつつ実施することが
できるので、その測定光に基いて光導波路の複屈折値を
正確に微調整して光干渉計に所望の偏波依存性あるいは
無依存性を与えることができる。
本発明の集積光デバイスの製造工程の一実施例を第2A図
〜第2E図を参照して説明する。第2A図〜第2E図は第１図
のAA′線に沿った断面に対応して各工程を説明する図で
ある。
まず、第2A図に示すように、シリコン基板１上にSiC
l4，TiCl4等の混合ガスを原料とする火炎加水分解反応
によるガラス微粒子の堆積と透明ガラス化による公知の
方法（たとえば、M.Kawachi el al.:“Flame Hydrolysi
s Deposition of SiO2-TiO2 Glass Planer Optical Wav
eguides on Silicon",Jpn.J.Appl.Phys.Vol.22（1983）
p.1932）でSio2を主成分とする下部クラッド層41とSiO2
-TiO2を主成分とするコア層42とから成る光導波膜を形
成する。
続いて、反応性イオンエッチングによりコア層42のうち
の不用部分を除去して第2B図に示すように、リッジ状の
コア部42aおよび42bを形成する。
次に、第2C図に示すように、再び火炎加水分解反応を利
用して、コア部42aおよび42bを埋め込むようにSiO2を主
成分とする上部クラッド層43を形成する。下部クラッド
層41と上部クラッド層43とによりクラッド層12を形成す
る。ここで、コア部42aおよび42bによって光導波路４お
よび５をそれぞれ形成する。以上のようにしてチャンネ
ル導波路を形成すること自体は、N.TaKato el al.:“Lo
w-Loss High-Silica Single-mode Channel Waveguide
s",Electron.Lett.,1986 Vol.22 No.6pp.321-322に記載
されている。
続いて、第2D図に示すように、応力付与膜としての非晶
質シリコン膜31と、必要に応じて移相器として機能する
薄膜ヒータ６をクラッド層12の上に、および光導波路４
および５の位置にそれぞれ対応して形成する。本実施例
では、非晶質シリコン膜31は多結晶シリコンをターゲッ
トとするマグネトロンスパッタ法で形成し、薄膜ヒータ
６は金属クロムを蒸着源とする真空蒸着法で形成した。
マグネトロンスパッタ法により非晶質シリコン薄膜31を
形成した際のスパッタ雰囲気ガスとしては、H2ガスを３
体積％添加したArガスを用いた。
次に、第2E図に示すように、トリミング用のアルゴンレ
ーザビーム37を非晶質シリコン膜31の所望部分に照射す
ることにより、この非晶質シリコン膜31の一部分31bを
多結晶化させて、その部分に対応する光導波路における
複屈折値を所望の値にすることができた。
ところで、集積光デバイスの偏波特性を設定する際に
は、光導波路の偏波方向による光路長差Ｒと、光波長λ
の整数倍値Ｎ・λとの差が、決定的な役割を果たすこと
が多い。ここで、Ｒは次式で与えられる。
Ｒ＝∫Ｂ・dl （ｌは光導波路長さ方向の線座標） 本発明では、このＲ値を微調整してデバイスに所望の偏
波特性を付与することが可能となるのである。本実施例
の光干渉計の場合には、２個の方向性結合器２と３を連
結する２本の光導波路４および５の、方向性結合器を結
ぶ区間におけるＲ値の差が決定的な役割を果たす。
第３図は、本発明で用いたレーザトリミング装置の構成
の一例を示す。
第３図において、51はシリコン基板１上に設けた導波形
光干渉計用試料であり、試料台52の上に載置する。1a′
および2a′は、それぞれ、信号光源53および53′からの
信号光を試料51へ入力する光ファイバ、1b′および2b′
は光干渉計51からの信号光を光検出装置54へ導く光ファ
イバである。55はトリミング用のアルゴンレーザ光源、
56は非晶質シリコン膜31のうちトリミングを行いたい部
分にレーザビームを照射するように、レーザ光源55から
のレーザ光を走査させるレーザビーム走査装置であり、
この走査装置56からのトリミング用レーザビーム37を非
晶質シリコン膜31へ導く。
アルゴンレーザ光源55からのレーザビーム37は、レーザ
ビーム走査装置56を経由して、試料51の上面に形成され
た応力付与膜31、ここでは非晶質シリコン膜に照射され
る。レーザビームが照射された非晶質シリコン膜の部分
はレーザ加熱作用により瞬間的に高温となり、多結晶化
が進行する。レーザビーム照射を中断すると、温度はす
みやかに室温に戻るが、レーザビームが照射された部分
に対応する光導波路において複屈折値の非可逆的な変化
が残る。レーザビーム照射時にも、入出力光ファイバ1
a′,2a′,1b′および2b′は加熱されることがなく、測
定用の診断光を光導波路2-1および2-2に入射し、光導波
路3-1および3-2からの出射光の偏波特性をモニタでき
る。そこで、トリミング用レーザビームを非晶質シリコ
ン膜31に間欠的に照射しつつ、偏波特性をモニタするこ
とにより、光導波路４について所望の複屈折偏波特性を
高精度で実現できる。
照射したアルゴンレーザビームのパワーは、たとえば1
W、スポット径は、たとえば20μｍ程度である。
なお、レーザビームのパワーを上昇すると、非晶質シリ
コン膜31が多結晶化する代わりに、瞬間的に蒸発してし
まう現象も観察されたが、この現象も、下部のガラス層
12の劣化を招かない限り、複屈折トリミングに利用でき
ることを付記する。
レーザ光源55としては、アルゴンレーザの代わりにYAG
レーザ等を用いてもよい。
第4A図および第4B図は、第１図示の光干渉計における入
力ポート1aと出力ポート1bとの間の光出射特性の偏波依
存性の説明図であり、入力ポート1aに入射させたTM波お
よびTE波の信号光の光周波数をそれぞれ変化させた際の
出力ポート1bからの光出力の強度変化を示す。さらに詳
細には、第4A図はレーザトリミング実施前の状態を示
し、第4B図はレーザトリミング実施後の状態を示す。
第4A図、すなわちトリミング前では、一般に、TM波とTE
波の光周波数応答にずれがあるので、前述したように、
この光干渉計を合分波器として動作させるためには、TM
波およびTE波のいずれか一方のみを選んで入射させなけ
らばならない問題点がある。
第4B図は、光干渉計の偏波特性をモニタしつつ非晶質シ
リコン応力付与膜31のトリミングを実施し、TM波および
TE波の周波数応答が一致したところでトリミングを終了
したものである。この時、２つの方向性結合器２および
３を連結している２本の光導波路４および５の光路長差
ｎ・ΔＬの偏光方向によるわずかな差が信号光の波長の
整数倍値に一致している。トリミングによるＢの変化量
ΔＢは、上記実施例では1.5×10-4程度であるので、非
晶質シリコン膜の形成領域長l*をΔＢ・l*＞λ、すなわ
ちl*＞10nmに設定しておけば、トリミングにより偏波依
存性を必ず解消できる。
第３図のトリミング装置では、20μｍ程度の空間分解能
で応力付与膜31をトリミングでき、光路長差Ｒを光波長
の百分の一以下の精度で調整することが可能であった。
このようにして偏波依存性を解消して構成した光干渉計
においては、第4B図に示すように、TE波とTM波とが同一
の光周波数応答を示すので、薄膜ヒータ移相器６を調節
することにより、光周波数応答の山と谷の位置をf1,f
2(f2-f1＝Δｆ）に一致させ、偏波依存性のない合分波
器としての動作を得ることができた。
実施例２ 第5A図および第5B図は、本発明集積光デバイスの第２の
実施例としての導波型光干渉計の構造を示す、それぞ
れ、平面図および第5A図のAA′線に沿っての断面を拡大
して示す断面図である。
この実施例２が第１図示の実施例１と相違するのは、光
導波路５の両側のクラッド層12に熱分離溝23aおよび23b
が設けられている点である。これら熱分離溝23aおよび2
3bは、クラッど層12の所定部分を反応性イオンエッチン
グにより除去した後、シリコン基板１の露呈部分を、化
学エッチングあるいは反応性イオンエッチングにより一
部分えぐることにより形成したものである。これら熱分
離溝23aおよび23bは、薄膜ヒータ６の発熱量が、光導波
路５の温度上昇に有効に使われ、無駄にシリコン基板１
に散逸するのを防止する役割をもつ。
このような熱分離溝23aおよび23bを設けることにより、
薄膜ヒータ移相器６の消費電力は、実施例１の場合に比
べて1/10程度に減少する利点がある。
しかし、熱分離溝23aおよび23bは、第16A図および第16B
図に説明した応力調整溝21aおよび21bとしての作用も同
時に示し、光導波路５の複屈折値に大きな変化をもたら
す点に注意する必要がある。従来、このような熱分離溝
23aおよび23bの複屈折値への影響を正確に見積るために
は、複雑な応力分布の解析に基づく光回路設定と、誤差
を許さない加工工程管理が必要であり、実際上は、ほと
んど実行困難であった。本発明では、トリミング可能な
応力付与膜31を備えているので、設計誤差や加工誤差を
この応力付与膜31で吸収して、偏波特性を精密に制御す
ること（ここでは、偏波依存性を解消すること）が可能
であり、集積光デバイス（ここで光干渉計）における移
相器の低消費電力化と偏波特性の制御とを両立させるこ
とができる。
実施例３ 第６図は、本発明の集積光デバイスの第３の実施例とし
ての２段形光干渉計の構成を示す平面図である。
この実施例は、第１図示の光干渉計の構成を基本とし
て、光路長差ΔＬ≒10mmの１個の光干渉計と、光路長差
ΔＬ′＝ΔL/2≒5mmの２個の光干渉計とを連結して構成
したものである。
第６図において、61a〜61dは入射ポート、62-1〜62-3お
よび63-1〜63-3は３個の光干渉計の各々における方向性
結合器、64a〜64dは、それぞれ、入射ポート61a〜61dに
対応する入力側光導波路、65a〜65dは出射ポートであ
る。66-1〜66-3は３個の光干渉計の各移相器用薄膜ヒー
タ、67-1〜67-3は３個の光干渉計の各応力付与膜であ
る。68a〜68dは、それぞれ、出射ポート65a〜65dに対応
する出力側光導波路である。69aおよび69bは方向性結合
器62-1と63-1とを結合する光導波路、69cおよび69dは方
向性結合器63-1と62-3および62-2とをそれぞれ結合する
光導波路、69eおよび69fは方向性結合器62-2と63-2とを
結合する光導波路、69gおよび69hは方向性結合器62-3と
63-3とを結合する光導波路である。
第６図の構成は、全体として、４チャンネル用光周波数
多重用合分波器として重要な応用分野をもっている。そ
れぞれの光干渉計を構成る光導波路69a,69eおよび69gの
上には応力付与膜として非晶質シリコン膜直67-1,67-2
および67-3が、それぞれ、配置されている。
それぞれの光干渉計の他方の光導波路69b,69fおよび69h
の上には、光路長を微調整するための薄膜ヒータ移相器
66-1,66-2および66-3が、それぞれ配置されている。
この２段形光干渉計の偏波依存性を解消するためには、
以下の手順を踏む。
まず、入射ポート61aから信号光を入射させ、出射ポー
ト65aの光周波数応答の偏波依存性をモニタしながら、
非晶質シリコン膜67-2のレーザトリミングを実施して、
非晶質シリコン膜67-2が形成された光干渉計の偏波依存
性を解消させる。
次に同様の操作を入射ポート61dおよび出射ポート65dに
ついて実施し、非晶質シリコン膜67-3の形成された光干
渉計の偏波依存性を解消させる。
このようにして２段目の２個の光干渉計の偏波依存性を
解消させた後に、入射ポート61bから信号光を入射さ
せ、ここで、２段目の光干渉計の干渉作用を無視できる
ように出射ポート65aと出射ポート65bからの出力光強度
の和をとり、この光周波数応答偏波依存性をモニタしな
がら、非晶質シリコン膜67-1をレーザトリミングするこ
とにより、１段目の光干渉計の偏波依存性を解消させ
る。
このようにして、すべての光干渉計の偏波依存性を解消
させた後、薄膜ヒータ移相器66-1,66-2および66-3への
印加電力を変化させることにより、それぞれの光干渉計
の光周波数応答を横軸方向（光周波数軸方向）で微調整
して、10GHz間隔の４チャンネルの信号光f1,f2,f3,f4を
扱い、かつ偏波依存性のない合分波器を得ることができ
る。
さらに多段の光干渉計（多チャンネル合分波器）を構成
するにあたっても、同様にして本発明を適用できること
は、もちろんである。
実施例４ 第７図は、本発明の集積光デバイスの第４の実施例とし
ての導波形リング共振器の構成を示す平面図である。
第７図において、シリコン基板１上において、石英系単
一モード光導波路により、リング状光導波路71と入力導
波路72および出力光導波路73とが、それぞれ、方向結合
器74および75により光結合するよう配置されている。方
向性結合器74および75の結合率は、数％〜10％程度に設
定されている。リング状光導波路71の上部にはレーザビ
ーム37によりトリミングを行って応力を調整可能な応力
付与膜としての非晶質シリコン膜31が配置されている。
第8A図および第8B図は、入射ポート1aからTM波とTE波と
の混合波による信号光を入射したときに、出力ポート1b
から出射する出射光の光周波数応答特性を示す。第8A図
はトリミング実施前の状態に対応し、リング共振器特有
の周期的な共振特性が得られるものの、TM波とTE波の応
答はずれている。第8B図は光周波数応答のずれがなくな
るようトリミングを実行した後の周波数応答であり、こ
のトリミング実施後ではリング光共振器の偏波依存性は
解消されている。
リング光共振器の周波数周期Δfrは、リング状光導波路
71のリング周長Lringと次の関係にある。
本実施例ではLring≒40mmであり、周期Δfrは5GHzであ
る。トリミングにより、リング状光導波路71の光路長ｎ
・Lringの偏波方向に依るわずかな差が信号光波長の整
数倍に設定されたことになる。
以上の実施例では、偏波依存性のない集積光デバイスを
提供する場合について本発明を説明してきたが、次の実
施例は、逆に所定の偏波依存性を持つ集積光デバイスを
構成する場合である。
実施例５ 第9A図および第9B図は、本発明集積光デバイスの第５の
実施例としての導波形偏光分離器の構成を示す、それぞ
れ、平面図およびAA′線に沿った断面を拡大して示す断
面図である。
ここで、シリコン基板１上に２本の石英系単一モード光
導波路81および82を配置し、これら光導波路81および82
の２箇所を互いに近接させて、結合率ほぼ50％の方向性
結合器83および84を構成して、全体として対称形のマッ
ハツェンダ形光干渉計を構成する。２個の方向性結合器
83および84を連結する光導波路の一方、ここでは光導波
路82には移相器としての薄膜ヒータ６が装荷され、他方
の光導波路、ここでは光導波路81の上には応力付与膜と
しての非晶質シリコン膜31が長さl**だけ配置されてい
る。この非晶質シリコン膜31により２本の光導波路81と
82の光路長は、偏波方向によりΔＲ＝ΔＢ・l**だけ異
なる。ここでΔＲ＝光波長/2となるように、非晶質シリ
コン膜31の一部分31bをレーザトリミングすると、第9A
図および第9B図の構成は偏光分離器として動作させるこ
とができる。すなわち、入射ポート1aに入射した信号光
のうち、例えばTE成分を出力ポート2aより出射させ、TM
成分を出力ポート2bより出射させることができる。薄膜
ヒータ６への印加電力を変化させ、このヒータ６の下部
の光導波路82の光路長を熱光学効果により1/2波長だけ
変化させると、TE成分とTM成分のそれぞれ出射する出力
ポートを反転させることもできる。
実際には、故意に設けた非晶質シリコン膜により応力付
与膜31以外にも、薄膜ヒータ６の存在によっても、その
下部の光導波路82の複屈折値がわずかに変化することが
あるが、本発明の構成では、薄膜ヒータ６の応力作用も
考慮して、所望の偏波特性が得られるように応力付与膜
31をトリミングすればよいから、薄膜ヒータ６による複
屈折値のわずかな変化は問題とはならない。
以上の実施例では、非晶質シリコン応力付与膜31の幅Ｗ
＝200μｍ、厚さｄ＝６μｍであり、トリミング前後の
複屈折値の変化量として、ΔＢ×1.5×10-5程度が得ら
れた。Ｗやｄを適宜選択することによりΔＢを変化させ
ることができる。例えば、ΔＢは、０＜ｄ＜10μｍの範
囲で、ｄ値にほぼ比例することを確認した。Ｗが100μ
ｍ程度以下の場合には、トリミングにより複屈折値がむ
しろ増加する現象も観察されたことを付記する。いずれ
にしても、本発明では、応力分布計算に基づくシミレー
ションや予備実験によってＷやｄ値をおおむね定めてお
けば、トリミングにより複屈折特性を微調整できるから
これらの現象は問題とはならない。
トリミングにより、非晶質シリコン膜を多結晶化させる
と、複屈折値は応力付与膜がない場合とほぼ同等の値に
戻り、多結晶化されたシリコン膜の複屈折値への影響は
極めて小さい。
上記実施例では、応力付与膜31として非晶質シリコン膜
を用いたが、その理由は、マグネトロンスパッタ等の手
段により、比較的簡単に膜形成ができ、および反応性イ
オンエッチング等のドライプロセスによりパターン形成
が容易であるからである。非晶質シリコン膜はその内部
に強い圧縮応力を呈するように形成することができ、そ
の反作用としてその下に接している光導波路に引張り応
力を及ぼしているのである。本発明における応力付与膜
31としては、クラッド層上に形成した際に強い応力を下
部の光導波路、すなわちコア部に及ぼす膜であって、し
かも外部刺激により、応力状態を非可逆的に変化し得る
膜であれば、他の材料による膜を使用することもでき
る。
一般に、スパッタ法やプラズマCVD法等の方法によって
プラズマ中で形成された薄膜は準安定状態にあり、通常
の熱平衡条件下では考えられないほど強大な残留圧縮応
力を呈する例が多々ある。上記の非晶質シリコン膜はそ
の典型例である。同様の現象は、Co・Zr膜のような非晶
質金属や非晶質窒化シリコン膜等にも見られ、これらの
薄膜を本発明での応力付与膜として利用することもでき
る。一般に、結晶膜に比べて非晶質膜の方が、高い強さ
とともに高い靱性をもっている点、クリープ現象による
応力緩和が生じ難い点で望ましい。なお、薄膜中に残留
引っ張り応力が発生する場合には、薄膜にひび割れ等が
生じ易いので、本発明の目的には望ましくない。
上述した非晶質シリコン応力付与膜31は室温近傍での通
常の使用環境では長期間にわたって安定であるが、特に
高信頼性を要求される場合には、いわゆるパッシベーシ
ョンの手法を用いることもできる。すなわち、非晶質シ
リコン膜を形成した後に、その上にSiO2薄膜や窒化シリ
コン膜などを保護膜として形成することによって、非晶
質シリコン膜が空気中の水分等の影響により変性するの
を防止することができる。SiO2膜や窒化シリコン膜を透
明であるので、これらの膜を通してレーザトリミングを
実行することが可能である。
応力付与膜31の応力状態を非可逆的に変化させる外部刺
激としは、レーザビーム照射の他に、赤外線照射、ある
いは高電圧印加による放電や絶縁破壊により応力付与膜
の変性を破壊等を行う処理を用いることも可能である
が、非接触状態での処理である点、空間分解能が高く微
調整が容易である点等でレーザビームトリミングが実用
的である。
以上の実施例における非晶質シリコン膜による応力付与
膜31は、クラッド層12上の特定部分にのみ配置したが、
本発明は、このような実施例のみに限定されるものでは
なく、例えばクラッド層12上に広い面積の部分にわたっ
て一様に応力付与膜31を形成しておき、必要部分、例え
ばコア部の上方部分の応力付与膜をトリミングすること
もできる。
あるいはまた、レーザトリミングに代えて、化学エッチ
ングを利用することもできる。すなわち、応力付与膜31
の所定部分に化学エッチング液を置き、デバイス特性を
モニターしつつエッチングを実行し、所望の特性が得ら
れたところでエッチング液を吹き飛ばし、エッチングす
なわちトリミングを終了すればよい。しかし、化学エッ
チングを用いた場合には、後洗浄処理等が要求されるの
で、プロセスが煩雑になる欠点がある。
なお、第2A図〜第2E図に示した工程例において、上部ク
ラッド層として、SiCl4-BCl3系混合ガスを原料として形
成したSiO2-B2O3系ガラスを用いた場合には、特殊な例
ではあるが、上部クラッド層12に応力付与膜としての役
割を兼ねさせることも可能である。すなわち、B2O3を10
モル％程度以上含む石英系ガラスは熱処理によりガラス
状態が容易に変化することを利用して、この上部クラッ
ド層12により応力状態を調整することができる。例え
ば、炭酸ガスレーザビーム照射により、上記クラッド層
12の所望部分を500℃程度以上に加熱した後に空冷する
と、コア部に及ぼす応力複屈折値を変化させることがで
きる。
しかしこの方法は、次の理由で汎用的ではないことを付
記しておく。
（１）クラッド層組成は、他の要求条件（屈折率差の設
定や耐候性の観点等）により規定されることが多く、自
由にB2O3を添加することはできない。
（２）SiO2-B2O3系ガラスは、上記トリミングにより屈
折率値そのものも変化してしまうので、光導波路の構造
に大きな変化を与えることなく複屈折値のみを調節する
ことが困難である。
実施例６ 第10図は、本発明の第６の実施例におけるトリミング箇
所の光導波路の断面構造を示す断面図である。本実施例
６では、あらかじめクラッド層12の上面にほぼ一様に応
力付与膜31を形成しておく。ついで、応力調節溝21aお
よび21bを光導波路91の両側のクラッド層12内に形成し
て、所望の複屈折値にほぼ合わせておく。続いて、クラ
ッド層12の上面に形成されている応力付与膜31をトリミ
ングして正確に複屈折特性、ひいては、デバイスの偏波
特性のチューニングを行う。この実施例６により、広範
囲にわたる複屈折制御を正確に達成できる。
例えば、実施例１で説明した非晶質シリコン応力付与膜
き場合、トリミングの前後で複屈折値はＢ≒3.5×10-4
からＢ≒５×10-4に変化するが、Ｂを、例えば10-4以下
の値に設定することは困難である。しかし、第10図の実
施例６によれば、あらかじめ応力調節21a溝および21bの
位置や深さを適切に定めることによって、Ｂ値がほぼ零
になるよう設定しておき、正確な微調整を応力付与膜31
をトリミングして行うようにすれば、Ｂが10-4以下の領
域でも、精密な複屈折調整を達成することができる。こ
のように、応力調節溝21aおよび21bとトリミング可能な
応力付与膜31とを併用することにより、広範囲にわたっ
て複屈折を調整することができる。
以上の実施例では、シリコン基板上の石英系光導波路を
基本とする集積光デバイスの場合について、本発明を説
明してきたが、本発明は、異種の基板、例えば石英ガラ
ス基板やサファイヤ基板上の石英系光導波路にも適用で
きることはもちろんである。あるいはまた、本発明は、
石英系光導波路にのみ限定されず、他の材料系の光導波
路、例えば、多成分ガラス系光導波路，LiNbO3系光導波
路，半導体系光導波路，磁性体系導波路等を基本とする
集積光デバイスにも適用できることももちろんである。
実施例７ 第11図は、本発明の第７の実施例としての多成分ガラス
系集積光デバイスの断面構造を示す断面図である。多成
分ガラス基板である光学クラウンガラス基板101の上面
近傍にCsイオンの拡散法によりコア部102および103を形
成し、これらコア部102および103による単一モード光導
波路を所定の光回路パターン、例えば光干渉計やリング
共振器などのパターンで配置する。ガラス基板101自体
は、下部クラッド層としての役割を兼ねている。コア部
102および103の上面には、さらにスパッタ法で形成した
SiO2ガラス層を上部クラッド層104として配置する。こ
の上部クラッド層104の上面の所望部分にはトリミング
可能な応力付与膜としての非晶質シリコン膜31を配置す
る。
イオン拡散法により形成された多成分ガラス系光導波路
は、コア部と基板とのガラス組成の差により、一般に応
力複屈折性を呈するが、第11図示のデバイス構造では、
非晶質シリコン応力付与膜31をトリミングすることによ
り、集積光デバイスに所望の偏波特性を付与できる。応
力付与膜31とコア部102との間にSiO2ガラス層104を設け
たのは、コア部102に近接し過ぎて非晶質シリコン膜31
を形成すると、コア部102における伝搬光が非晶質シリ
コン膜31によって吸収されてしまうので、これを防止す
るためである。すなわち、イオン拡散法で作製される光
導波路では、コア部が基板の表面近傍に位置することを
考慮したものである。
実施例８ 第12図は、本発明の第８実施例であるYIG系光導波路デ
バイスの断面構造を示す断面図である。
ここで、GGG結晶基板111上に、液相エピタキシャル成長
法（LPE法:Liquid-Phase Epitaxial Method）とエッチ
ング法との組合せにより、下部クラッド層112,コア部11
3,上部クラッド層114からなるYIG系単一モード光導波路
が形成されている。上部クラッド層114の上には、トリ
ミング可能な応力付与膜としての非晶質シリコン膜31が
配置されている。
GGG基板上のYIG系光導波路は、一般に、基板との熱膨脹
係数差により応力複屈折性を呈している。YIG系光導波
路を導波形光アイソレータ分野に応用する場合には、フ
ァラデー回転を円滑に起こすために、この複屈折値を零
にチューニングする必要がある。第12図示の構造では、
コア部113の偏波特性をモニタしつつ応力付与膜の幅を
トリミングすることにより、正確なチューニングが可能
である。
なお、これまでの実施例1,2,3等においては、光導波路
の複屈折値Ｂの光導波路の所定長さにわたる積分値がデ
バイスの偏波特性を決定していたが、本実施例８では、
Ｂ値そのものを光導波路の全長にわたって零にすること
が要求される。このような目的のためには、応力付与膜
31のトリミング未実施領域31aの幅をトリミングにより
一様に微調整し、光導波路の複屈折値をぼぼ零（10-5以
下）にすることが効果的である。
もちろん、光導波路の作製工程において、YIG系組成を
選択することにより、複屈折値をあらかじめ零に近づ
け、応力付与膜31のトリミングによる調整の可能な範囲
内に設定しておくことは必要である。
本実施例の方法により、YIG系光導波路作製時の誤差を
許容して、再現性よく光アイソレータ用導波路デバイス
を製造できる。
本実施例においても、実施例５で示した形態、すなわ
ち、応力調節溝と応力付与膜の双方を設けることもでき
ることは当然である。すなわち、第12図におけるコア部
113の両側に、応力調節溝を、コア部113の複屈折値がほ
ぼ零となるよう、エッチング加工して設けておき、最終
的な調整を応力付与膜31のトリミングで達成することも
できる。
以上の実施例では、応力付与膜31は単一モード光導波路
のコア部の上方に左右対称性を満たすように配置されて
いる。しかし、本発明は、これに限定されるものではな
く、必要であれば、次の実施例に示すように、左右対称
性のない配置も可能である。
実施例９ 第13A図および第13B図は、本発明の第９実施例の構成を
示す、それぞれ、平面図および第13A図のAA′線に沿っ
た断面を拡大して示す断面図である。
ここで、石英ガラス基板121の上に、石英系ガラスによ
るコア部122と、このコア部122を覆うように形成された
石英系ガラスによるクラッド層123とを配置する。コア
部122の近傍のクラッド層123の上に所定の長さにわたっ
て、かつコア部122の一側に偏って非晶質シリコン応力
付与膜31を配置する。石英ガラス基板121の上の石英系
光導波路は、比較的小さい応力複屈折性のみしか示さな
いが、偏って配置された応力付与膜31は、その下部の光
導波路122に対して、複屈折性主軸が基板121に垂直な方
向から傾いた応力複屈折性を発生させる作用を示し、第
13A図および第13B図示の構成は、全体として導波型光波
長板として動作する。ここで、レーザトリミング可能な
応力付与膜31を用いているので、この応力付与膜31の幅
や長さを適宜トリミングすることにより、所望の波長板
を精度よく構成することができる。
最後に再度強調したい点は、本発明は、上記実施例に具
体的にとりあげた材料系の集積光デバイスに限定され
ず、他の材料系の集積光デバイスにも適用てのる点であ
る。特にLiNbO3系材料は、ガラス系やYIG系に比較し
て、はるかに大きな光弾性係数をもっているので、LiNb
O3系集積光デバイスは本発明の好適な対象となることを
付記する。例えば、トリミング可能な応力付与膜をLiNb
O3系方向性結合器の結合部近傍に設け、その応力複屈折
作用により、方向性結合器の結合比や偏波依存性を正確
に調整することが可能であり、方向性結合器を基本とす
る光スイッチや光変調器などのLiNbO3系集積光デバイス
製作に極めて有効であることを指摘しておく。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明では、光導波路のクラッド
層上に、外部刺激、すなわちトリミングにより応力状態
を変化させ得る応力付与膜を設けて集積光デバイスを構
成しておくことにより、光導波路の複屈折特性、ひいて
は、デバイスの偏波特性を正確に制御することができ
る。トリミングは、デバイス光入出力部に光ファイバを
取り付けたまま実行できるので、いわゆるオンラインモ
ニター制御が可能となる利点がある。したがって、本発
明は、偏波特性が重要な役割を果たす光通信用や光セン
サ用，光信号処理用集積光デバイスを精度良く構成する
のに極めて有効である。
また、本発明によれば、光導波路複屈折値のみならず、
光導波路の光路長を光波長の百分の一以下の精度で微調
整する場合にも適用できる。これは、応力付与膜のトリ
ミングにより、光導波路の長手方向の屈折率も微小であ
るが、変化することを利用するものである。
複屈折値や光路長の正確な設定は、光波をマイクロ波の
ように扱うコヒーレント光通信用集積光デバイスの実現
に大きな役割を果たすと期待される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明集積光デバイスの第１実施例である光
干渉計を示す斜視図、 第2A図〜第2E図は、本発明集積光デバイス製造方法の一
実施例における工程を説明するための断面図、 第３図は、本発明で用いたレーザトリミング装置の一例
を示す概略構成図、 第4A図および第4B図は、光干渉計の偏波特性説明図、 第5A図および第5B図は、本発明集積光デバイスの第２実
施例である光干渉計を示す、それぞれ、斜視図およびそ
のAA′線断面図、 第６図は、本発明集積光デバイスの第３実施例である２
段光干渉計を示す平面図、 第７図は、本発明集積光デバイスの第４実施例であるリ
ング光共振器を示す平面図、 第8A図および第8B図は、リング光共振器の偏波特性説明
図、 第9A図および第9B図は、本発明集積光デバイスの第５実
施例てある偏波分離器を示す、それぞれ、平面図および
そのAA′線断面図、 第10図は、本発明集積光デバイスの第６実施例における
光導波路を示す断面図、 第11図は、本発明集積光デバイスの第７実施例としての
多成分ガラス系光導波路を示す断面図、 第12図は、本発明集積光デバイスの第８実施例としての
YIG系光導波路を示す断面図、 第13A図および第13B図は、本発明集積光デバイスの第９
実施例としての導波形光波長板を示す、それぞれ、平面
図およびそのAA′線断面図、 第14A図および第14B図は、従来の集積光デバイスの一例
としての光干渉計の構成を示す、それぞれ、平面図およ
びAA′線断面図、 第15図は、従来の光干渉計の光周波数特性説明図、 第16A図および第16B図は、従来の集積光デバイスの他の
構成例を示す、それぞれ、平面図およびAA′線断面図、 第17図は、従来の集積光デバイスのさらに他の構成例を
示す断面図である。 １…シリコン基板、2,3…方向性結合器、2-1,2-2,3-1,3
-2,4,5…単一モード光導波路（コア部）、６…薄膜ヒー
タ移相器、1a,2a…入力ポート、1b,2b…出力ポート、1
a′,2a′,1b′,2b′…入出力ファイバ、12…クラッドガ
ラス層、21a,21b…応力調節溝、22a,22b…応力付与部、
23a,23b…熱分離溝、31…トリミング可能な応力付与膜
（非晶質シリコン膜）、31a…トリミング未実施領域、3
1b…トリミング実施領域、37…トリミング用レーザビー
ム、41…下部クラッド層、42…コア層、42a,42b…コア
部、43…上部クラッド層、51…試料、52…試料台、53,5
3′…信号光源、54…光検出器、55…レーザ光源、56…
レーザビーム走査装置、61a,61b,61c,61d…入力ポー
ト、62-1,62-2,62-3,63-1,63-2,63-3…方向性結合器、6
4a,64b,64c,64d,68a,68b,68c,68d…単一モード光導波
路、65a,65b,65c,65…出力ポート、66,67,68…薄膜ヒー
タ移相器、66-1,66-2,66-3…薄膜ヒータ移相器、67-1,6
7-2,67-3…トリミング可能な応力付与膜、69a,69b,69c,
69e,69f,69g,69h…単一モード光導波路、71…リング状
光導波路、72…入力導波路、73…出力導波路、74,75…
方向性結合器、81,82…単一モード光導波路（コア
部）、83,84…方向性結合器、101…多成分ガラス基板、
102,103…イオン拡散単一モード光導波路（コア部）、1
04…上部クラッド層、111…GGG基板、112…YIG系下部ク
ラッド層、113…YIG系コア部、114…YIG系上部クラッド
層、121…シリコン基板、122…石英系単一モード光導波
路（コア部）、123…クラッド層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉田 彰夫 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 住田 真 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−208509（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−49307（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−14137（ＪＰ，Ａ)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板と、 前記基板上に配置されたクラッド層および前記クラッド
    層に埋設され、光伝搬作用をもつコア部を有する単一モ
    ード光導波路と、 前記クラッド層上の所定部分に配置され、トリミングに
    より前記コア部に作用する応力を非可逆的に変化させ
    て、残留応力により前記単一モード光導波路の応力複屈
    折値を調節し得る応力付与膜と を具えたことを特徴とする集積光デバイス。
  2. 【請求項２】前記応力付与膜が、非晶質シリコン膜であ
    ることを特徴とする請求項１記載の集積光デバイス。
  3. 【請求項３】前記単一モード光導波路が、SiO2を主成分
    とする石英系光導波路であることを特徴とする請求項２
    記載の集積光デバイス。
  4. 【請求項４】基板上にクラッド層を形成する工程と、 該クラッド層に埋設されて光伝搬作用をもつコア部を含
    む単一モード光導波路を形成する工程と、 前記単一モード光導波路に残留応力による応力を与え、
    かつトリミングにより前記応力を非可逆的に変化させ得
    る応力付与膜を前記クラッド層上に形成する工程と を具えたことを特徴とする集積光デバイスの製造方法。
  5. 【請求項５】前記応力付与膜を部分的にトリミングし
    て、そのトリミングされた箇所の下部の前記単一モード
    光導波路の応力複屈折値を調節して、当該集積光デバイ
    スの所定の光学特性を調節する工程をさらに具えたこと
    を特徴とする請求項４記載の集積光デバイスの製造方
    法。
  6. 【請求項６】前記応力付与膜をトリミングする工程にお
    いて、当該集積光デバイスに診断光を入射させ、前記所
    定の光学特性をモニタしつつトリミングを行うことを特
    徴とする請求項５記載の集積光デバイスの製造方法。
  7. 【請求項７】前記応力付与膜をトリミングする工程にお
    いて、光ビームを前記応力付与膜に部分的に照射するこ
    とによりトリミングを実行することを特徴とする請求項
    ５記載の集積光デバイスの製造方法。
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Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0718964B2 (ja) * 1987-06-29 1995-03-06 日本電信電話株式会社 集積光デバイスおよびその製造方法
US5044715A (en) * 1989-02-07 1991-09-03 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Guided-wave optical branching components and optical switches
JPH03257423A (ja) * 1990-03-08 1991-11-15 Fujitsu Ltd 導波路型光変調器の動作点トリミング方法
US5018811A (en) * 1990-07-18 1991-05-28 Northrop Corporation Asymmetric optical waveguides for minimizing bending losses and techniques for fabricating same
US5243677A (en) * 1990-09-20 1993-09-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Quartz optical waveguide and method for producing the same
US5119453A (en) * 1991-04-05 1992-06-02 Ecole Polytechnique Wavelength-flattened 2x2 splitter for single-mode optical waveguides and method of making same
DE4142340A1 (de) * 1991-12-20 1993-06-24 Siemens Ag Optoelektronischer ic
US5212758A (en) * 1992-04-10 1993-05-18 At&T Bell Laboratories Planar lens and low order array multiplexer
US5341444A (en) * 1993-03-19 1994-08-23 At&T Bell Laboratories Polarization compensated integrated optical filters and multiplexers
EP0729051A3 (en) * 1995-02-21 1998-06-17 Ascom Tech Ag Optical reflection modulator
US5506925A (en) * 1995-02-28 1996-04-09 At&T Corp. Radiolytic modification of birefringence in silica planar waveguide structures
US5625723A (en) * 1995-02-28 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Method for reducing birefringence in optical gratings
US5623566A (en) * 1995-05-19 1997-04-22 Lucent Technologies Inc. Network with thermally induced waveguide
DE19529497B4 (de) * 1995-08-10 2012-04-05 Finisar Corp. Optischer Schalter zum Schalten zweier oder mehrerer optischer Wellenlängenbänder
US5841931A (en) * 1996-11-26 1998-11-24 Massachusetts Institute Of Technology Methods of forming polycrystalline semiconductor waveguides for optoelectronic integrated circuits, and devices formed thereby
FR2768231B1 (fr) * 1997-09-08 1999-12-10 Alsthom Cge Alcatel Structure interferometrique integree
AUPP865599A0 (en) * 1999-02-12 1999-03-11 University Of Sydney, The Laser etching of waveguide structures
US6684019B1 (en) * 1999-02-23 2004-01-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Planar polymeric waveguide devices with temperature dependence control features
JP3054707B1 (ja) * 1999-03-19 2000-06-19 東京大学長 光アイソレ―タ
US6240221B1 (en) * 1999-03-29 2001-05-29 Nortel Networks Limited Integrated optical mach zehnder structures
JP2002541514A (ja) 1999-03-31 2002-12-03 イオナス・アクティーゼルスカブ 光信号の偏光を制御するための方法および平面導波路における光の偏光を制御するための光学素子
EP1058136A1 (en) * 1999-05-21 2000-12-06 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Planar silica optical waveguide with grooves
WO2000072060A1 (en) * 1999-05-21 2000-11-30 British Telecommunications Public Limited Company Making grooves in planar silica optical waveguides
US6263128B1 (en) * 1999-06-02 2001-07-17 Wavesplitter Technologies, Inc. Fiber unbalanced Mach-Zehnder interferometers with flat-top spectral response for application in wavelength division multiplexers
US6329272B1 (en) 1999-06-14 2001-12-11 Technologies Ltrim Inc. Method and apparatus for iteratively, selectively tuning the impedance of integrated semiconductor devices using a focussed heating source
US6442311B1 (en) 1999-07-09 2002-08-27 Agere Systems Guardian Corp. Optical device having modified transmission characteristics by localized thermal treatment
EP1076252A1 (de) * 1999-08-13 2001-02-14 Alcatel Getrimmtes integriertes optisches Vielstrahlinterferometer
US6545759B1 (en) 1999-11-30 2003-04-08 Nile F. Hartman Transverse integrated optic interferometer
DE50009381D1 (de) * 1999-12-07 2005-03-03 Optun Bvi Ltd Thermooptischer wellenleiterschalter
JP2001209018A (ja) * 2000-01-26 2001-08-03 Nec Corp モニタ付き光変調器
JP3527455B2 (ja) 2000-03-09 2004-05-17 日本電信電話株式会社 光信号処理装置
US6643441B1 (en) * 2000-08-29 2003-11-04 Agere Sytems Inc. Optoelectronic device having a direct patch mask formed thereon and a method of manufacture therefor
US7068862B2 (en) * 2000-09-22 2006-06-27 Massachusetts Institute Of Technology Methods of altering the resonance of waveguide micro-resonators
GB0027227D0 (en) * 2000-11-08 2000-12-27 Bookham Technology Ltd Polarisation beam splitters/combiners
GB2370372A (en) * 2000-12-22 2002-06-26 Bookham Technology Plc Coupled optical waveguide system with grating and stress controlling layer
JP3703013B2 (ja) * 2001-01-26 2005-10-05 日本電信電話株式会社 干渉計光回路及びその製造方法
US6853773B2 (en) * 2001-04-30 2005-02-08 Kotusa, Inc. Tunable filter
CA2349044A1 (en) * 2001-05-28 2002-11-28 Optenia, Inc. Method of polarisation compensation in grating-and phasar-based devices by using overlayer deposited on the compensating region to modify local slab waveguide birefringence
JP3755588B2 (ja) 2001-10-03 2006-03-15 日本電気株式会社 光制御デバイス
US6947653B2 (en) * 2001-10-12 2005-09-20 Jds Uniphase Corporation Waveguide stress engineering and compatible passivation in planar lightwave circuits
DE10164589B4 (de) * 2001-12-21 2004-01-29 Infineon Technologies Ag Planarer optischer Schaltkreis
US6819819B2 (en) * 2002-01-08 2004-11-16 Ping Zhou Method and apparatus for optical communication
JP2003240990A (ja) 2002-02-14 2003-08-27 Fujitsu Ltd 平面光導波路装置
US7194162B2 (en) 2002-02-22 2007-03-20 Neophotonics Corporation Filter response optimization for an arrayed waveguide grating device by adjusting grating optical path length at nanometer scale
WO2003102648A2 (en) * 2002-06-04 2003-12-11 Nkt Integration A/S Integrated splitter with reduced losses
US6895157B2 (en) * 2002-07-29 2005-05-17 Intel Corporation Thermal optical switch apparatus and methods with enhanced thermal isolation
DE10250980A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Optisches Bauelement mit einer Mach-Zehnder-Struktur
DE10253440A1 (de) * 2002-11-12 2004-05-27 Infineon Technologies Ag Planare optische Schaltung
EP1420284A1 (en) * 2002-11-14 2004-05-19 Avanex Corporation Birefringence trimming of integrated optical devices by elevated heating
US7015333B2 (en) 2002-11-18 2006-03-21 Solvay Pharmaceuticals B.V. Process for preparation of imidazolyl compounds
US20040096136A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Harmeet Singh Integrated polarization rotator
US7376310B2 (en) * 2002-12-20 2008-05-20 International Business Machines Corporation Optical waveguide element with controlled birefringence
US6983086B2 (en) * 2003-06-19 2006-01-03 Intel Corporation Thermally isolating optical devices
CA2506387C (en) 2003-07-04 2012-01-31 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Interferometer optical switch and variable optical attenuator
US7356206B2 (en) * 2003-09-15 2008-04-08 Infinera Corporation Integrated optics polarization beam splitter using form birefringence
CA2482724C (en) * 2004-02-25 2011-05-17 Dan-Xia Xu Stress-induced control of polarization dependent properties in photonic devices
JP4812260B2 (ja) * 2004-03-31 2011-11-09 セントラル硝子株式会社 有機無機ハイブリッドガラス状物質とその加工方法
US20060002653A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Anders Grunnet-Jepsen Apparatus for an optical circuit having a flat wavelength response
WO2006075702A1 (ja) * 2005-01-14 2006-07-20 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 導波路型可変光減衰器
JP4673642B2 (ja) * 2005-03-02 2011-04-20 学校法人トヨタ学園 光導波路形成方法
CA2533225C (en) * 2006-01-19 2016-03-22 Technologies Ltrim Inc. A tunable semiconductor component provided with a current barrier
WO2008084707A1 (ja) * 2007-01-10 2008-07-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation 導波路型光干渉回路
JP4905854B2 (ja) * 2007-03-09 2012-03-28 日本電気株式会社 直接変調波長可変レーザ
CN101632034B (zh) 2007-03-09 2012-11-07 日本电气株式会社 热光学移相器
US7725000B2 (en) * 2008-01-15 2010-05-25 Imec Method for effective refractive index trimming of optical waveguiding structures and optical waveguiding structures
US8582929B2 (en) * 2010-10-15 2013-11-12 Northwestern University Ultra-sensitive electric field detection device
JP5959505B2 (ja) * 2011-03-28 2016-08-02 古河電気工業株式会社 光導波路回路
JP5955944B2 (ja) * 2011-03-28 2016-07-20 ジェムファイア コーポレイションＧｅｍｆｉｒｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 偏光依存性が低減された光学装置
JP2013061431A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 復調用遅延回路および光受信器
US8867874B2 (en) * 2012-12-06 2014-10-21 Finisar Sweden Ab Method for modifying the combining or splitting ratio of a multimode interference coupler
JP6600513B2 (ja) * 2015-09-04 2019-10-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10031289B2 (en) * 2016-04-01 2018-07-24 Inphi Corporation Delay line interferometer with polarization compensation at selective frequency
US10996400B2 (en) * 2016-08-04 2021-05-04 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Optical waveguide interferometer
CN110582710A (zh) * 2017-07-17 2019-12-17 洛克利光子有限公司 无热化多路径干涉滤波器
US10698158B1 (en) * 2017-11-28 2020-06-30 Facebook Technologies, Llc Optical waveguides in micro-LED devices
DE112018005777T5 (de) * 2017-12-21 2020-08-13 Robert Bosch Gmbh Mischsignalfrequenzregelschleife für abstimmbaren Laser
US20210238733A1 (en) * 2020-01-30 2021-08-05 Viavi Solutions Inc. Photonic integrated circuit with sputtered semiconductor material
JP2022001907A (ja) * 2020-06-22 2022-01-06 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置
WO2024079860A1 (ja) * 2022-10-13 2024-04-18 日本電信電話株式会社 導波路型光スイッチ回路

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214982B2 (ja) * 1972-05-16 1977-04-26
FR2449291A1 (fr) * 1979-02-15 1980-09-12 Carenco Alain Procede d'equilibrage d'un dispositif optique integre a l'aide d'une couche metallique mince et dispositif obtenu par ce procede
JPS57155518A (en) * 1981-03-19 1982-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic strain type optical active element
CA1177297A (en) * 1981-03-30 1984-11-06 Michael G. Blankenship Polarization retaining single-mode optical fibers and methods of making
US4575187A (en) * 1981-12-22 1986-03-11 At&T Bell Laboratories Optical fiber with embedded metal layer
JPS59208509A (ja) * 1983-05-13 1984-11-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 単一モ−ド用光合波器
US4561718A (en) * 1983-08-22 1985-12-31 Sperry Corporation Photoelastic effect optical waveguides
US4578097A (en) * 1983-09-26 1986-03-25 Corning Glass Works Method of forming a polarization preserving optical waveguide
JPS61154146A (ja) * 1984-12-27 1986-07-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE3520991A1 (de) * 1985-06-12 1986-12-18 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Magneto-optische wellenleiterstruktur zur konversion von in der struktur gefuehrten moden
US4781425A (en) * 1986-02-18 1988-11-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fiber optic apparatus and method for spectrum analysis and filtering
US4781424A (en) * 1986-07-28 1988-11-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Single mode channel optical waveguide with a stress-induced birefringence control region
JPH0660982B2 (ja) * 1986-12-11 1994-08-10 日本電信電話株式会社 導波形マツハ・ツエンダ光干渉計
JPH0718964B2 (ja) * 1987-06-29 1995-03-06 日本電信電話株式会社 集積光デバイスおよびその製造方法

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