JPH03257423A - 導波路型光変調器の動作点トリミング方法 - Google Patents
導波路型光変調器の動作点トリミング方法Info
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- JPH03257423A JPH03257423A JP2054976A JP5497690A JPH03257423A JP H03257423 A JPH03257423 A JP H03257423A JP 2054976 A JP2054976 A JP 2054976A JP 5497690 A JP5497690 A JP 5497690A JP H03257423 A JPH03257423 A JP H03257423A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F2203/20—Intrinsic phase difference, i.e. optical bias, of an optical modulator; Methods for the pre-set thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
目 次
概 要
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
2−
作 用
実 施 例
発明の効果
概要
導波路型光変調器又は光スィッチの動作点トリミング方
法に関し、 少なくとも一方の分岐光導波路の屈折率を変えて動作点
をシフトさせ、これによって適正な光信号を出力するこ
とができ、また、歩留りを向上させることができる導波
路型光変調器又は光スィッチの動作点トリミング方法を
提供することを目的とし、 導波路基板上に、分岐された一定強度レベルの入力光が
導波される第1及び第2光導波路を形成し、その第1及
び第2光導波路上に、該第1及び第2光導波路及び導波
路上を覆うバッファ層を介して、第1及び第2電極をそ
れぞれ装架し、該第1及び第2電極間に印加する電圧を
変化させて導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じ
た光を合成して強度変調光として出力する導波路型光変
調器において、前記強度変調光の波形を波形表示装置に
よってモニタリングしながら、前記第1及び第2電極の
内、いづれかの電極の任意箇所を、前記強度変調光の波
形が所望の波形となるように除去して構成する。
法に関し、 少なくとも一方の分岐光導波路の屈折率を変えて動作点
をシフトさせ、これによって適正な光信号を出力するこ
とができ、また、歩留りを向上させることができる導波
路型光変調器又は光スィッチの動作点トリミング方法を
提供することを目的とし、 導波路基板上に、分岐された一定強度レベルの入力光が
導波される第1及び第2光導波路を形成し、その第1及
び第2光導波路上に、該第1及び第2光導波路及び導波
路上を覆うバッファ層を介して、第1及び第2電極をそ
れぞれ装架し、該第1及び第2電極間に印加する電圧を
変化させて導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じ
た光を合成して強度変調光として出力する導波路型光変
調器において、前記強度変調光の波形を波形表示装置に
よってモニタリングしながら、前記第1及び第2電極の
内、いづれかの電極の任意箇所を、前記強度変調光の波
形が所望の波形となるように除去して構成する。
産業上の利用分野
本発明は導波路型光変調器又は光スィッチの動作点トリ
ミング方法に関する。
ミング方法に関する。
一般的な光通信システムにおいては、送信側で強度変調
された信号光を光ファイバ等からなる光伝送路を介して
受信側に伝送し、受信側で受信光を直接検波して伝送情
報を再生するようにしている。送信側における強度変調
は、LD(半導体レーザ)等の光源の駆動電流を変調信
号に基づいて変化させることにより行うことができるが
(直接変調)、直接変調の場合、高速変調時に比較的大
きな波長シフト(チャーピング)が生じることがあるの
で、光伝送路として分散特性が良好でない3 14 光ファイバを用いている場合には、伝送距離又は伝送速
度の制限を受ける。具体的には、1.3μm帯でゼロ分
散となる通常の単一モード光ファイバと、伝m損失が最
小となる1、55μm帯で発振するLDとを組み合わせ
てシステムを構築した場合に、波長分散に起因する伝送
距離又は伝送速度の制限が生じる。このような伝送距離
又は伝送速度の制限を排除するものとして、光変調器を
用いた外部変調方式がある。外部変調方式は、一定強度
レベルで発光している光源からの光を、光源とは独立し
て設けられた例えば導波路型光変調器により変調するよ
うにしたものであり、波長チャーピング量が直接変調方
式に比べて著しく小さいものを構成することができる。
された信号光を光ファイバ等からなる光伝送路を介して
受信側に伝送し、受信側で受信光を直接検波して伝送情
報を再生するようにしている。送信側における強度変調
は、LD(半導体レーザ)等の光源の駆動電流を変調信
号に基づいて変化させることにより行うことができるが
(直接変調)、直接変調の場合、高速変調時に比較的大
きな波長シフト(チャーピング)が生じることがあるの
で、光伝送路として分散特性が良好でない3 14 光ファイバを用いている場合には、伝送距離又は伝送速
度の制限を受ける。具体的には、1.3μm帯でゼロ分
散となる通常の単一モード光ファイバと、伝m損失が最
小となる1、55μm帯で発振するLDとを組み合わせ
てシステムを構築した場合に、波長分散に起因する伝送
距離又は伝送速度の制限が生じる。このような伝送距離
又は伝送速度の制限を排除するものとして、光変調器を
用いた外部変調方式がある。外部変調方式は、一定強度
レベルで発光している光源からの光を、光源とは独立し
て設けられた例えば導波路型光変調器により変調するよ
うにしたものであり、波長チャーピング量が直接変調方
式に比べて著しく小さいものを構成することができる。
このような外部変調方式を実施するに際して、導波路型
光変調器の動作点を制御するためのトリミング方法が要
望されている。
光変調器の動作点を制御するためのトリミング方法が要
望されている。
従来の技術
第12図は従来の導波路型光変調器1の構成を示す平面
図である。
図である。
この図において、2はニオブ酸リチウム(LiNbO2
)等の強誘電体材料からなる直方体形状の導波路基板で
ある。この導波路基板2表面の所定位置には、チタン(
Ti)を熱拡散させる等の方法によって、Y分岐導波路
を2つ組み合わせた形状の、互いに長さの等しい第1分
岐光導波路3aと第2分岐光導波路3bとからなる光導
波路3が形成されており、また、導波路基板2表面には
、光導波路3.3a、3b全てを覆うバッファ層4が、
シリコン酸化(Sin2)膜によって形成されている。
)等の強誘電体材料からなる直方体形状の導波路基板で
ある。この導波路基板2表面の所定位置には、チタン(
Ti)を熱拡散させる等の方法によって、Y分岐導波路
を2つ組み合わせた形状の、互いに長さの等しい第1分
岐光導波路3aと第2分岐光導波路3bとからなる光導
波路3が形成されており、また、導波路基板2表面には
、光導波路3.3a、3b全てを覆うバッファ層4が、
シリコン酸化(Sin2)膜によって形成されている。
更に、第1分岐光導波路3a上には、バッファ層4を介
して金等の導電材料をメツキした駆動電圧印加用の第1
電極5aが形成され、第2分岐光導波路3b上には、バ
ッファ層4を介して第2電極3bが形成されている。そ
して、第1及び第2電極5a、5b双方の一端部には、
変調信号に応じて各電極5a、5bに印加する電圧を変
化させる駆動回路(図示せず)が接続されており、他端
部には終端抵抗(図示せず)が接続されている。
して金等の導電材料をメツキした駆動電圧印加用の第1
電極5aが形成され、第2分岐光導波路3b上には、バ
ッファ層4を介して第2電極3bが形成されている。そ
して、第1及び第2電極5a、5b双方の一端部には、
変調信号に応じて各電極5a、5bに印加する電圧を変
化させる駆動回路(図示せず)が接続されており、他端
部には終端抵抗(図示せず)が接続されている。
また、導波路基板2の光導波路3の一端部には矢印で示
すように入力端の光ファイバ6が光結合されており、他
端部には出力側の光ファイバ7が光結合されている。な
お、バッファ層4は第1及び第2分岐光導波路3a、3
bを伝搬する光が第1及び第2電極5a、5bによって
吸収されないようにするためのものである。
すように入力端の光ファイバ6が光結合されており、他
端部には出力側の光ファイバ7が光結合されている。な
お、バッファ層4は第1及び第2分岐光導波路3a、3
bを伝搬する光が第1及び第2電極5a、5bによって
吸収されないようにするためのものである。
このような構成によれば、光導波路3の第1及び第2分
岐光導波路3a、3bの屈折率は印加電界の強さに応じ
て変化するから、分岐光導波路3a、3bによって同位
相で分岐された各々の分岐光は、各分岐光導波路3a、
3bの屈折率に応じた位相変化を受けることになる。
岐光導波路3a、3bの屈折率は印加電界の強さに応じ
て変化するから、分岐光導波路3a、3bによって同位
相で分岐された各々の分岐光は、各分岐光導波路3a、
3bの屈折率に応じた位相変化を受けることになる。
また、光導波路3はY分岐部を除いて、基本モード光の
みを伝搬rる単一モード光導波路とされているから、前
記した各分岐光の位相差が0であれば光導波路3から出
力される干渉光の強度は最大となり、分岐光の(立相差
がπであるときは干渉光の強度は最小となる。また、位
相差が0とπとの間であるときは位相差に応じた干渉光
強度となる。このように、導波路型光変調器1は、変調
信号に応じて電極に印加する印加電圧を変化させること
によって、出力光強度に時系列的な変化を与えるもので
ある。
みを伝搬rる単一モード光導波路とされているから、前
記した各分岐光の位相差が0であれば光導波路3から出
力される干渉光の強度は最大となり、分岐光の(立相差
がπであるときは干渉光の強度は最小となる。また、位
相差が0とπとの間であるときは位相差に応じた干渉光
強度となる。このように、導波路型光変調器1は、変調
信号に応じて電極に印加する印加電圧を変化させること
によって、出力光強度に時系列的な変化を与えるもので
ある。
第13図に印加電圧と出力光強度との関係を示す。なお
、この図において、縦軸に出力光強度、横軸に印加電圧
が示しである。
、この図において、縦軸に出力光強度、横軸に印加電圧
が示しである。
この分岐干渉型光変調器の印加電圧Vと出力光強度Po
との関係はTE或いはTMのいずれかの導波モード光
を用い、Y分岐において伝搬光が損失なく等しく分波及
び合波され、かつ導波路に損失が無いとすると、 Po=Pi−cos2 C(π/2) (V/Vπ
)十θ〕 で表される。ここに、Plは入力光強度、Vπは半波長
電圧と呼ばれる最大出力と最小出力とを与える最小の電
圧差である。
との関係はTE或いはTMのいずれかの導波モード光
を用い、Y分岐において伝搬光が損失なく等しく分波及
び合波され、かつ導波路に損失が無いとすると、 Po=Pi−cos2 C(π/2) (V/Vπ
)十θ〕 で表される。ここに、Plは入力光強度、Vπは半波長
電圧と呼ばれる最大出力と最小出力とを与える最小の電
圧差である。
また、位相光のθは、2つの導波路3a、3bの光v!
!差が0又はλ(伝搬光の波長)/n(伝搬17 8 光に対する媒質の屈折率)の2に倍(k−±1゜±2.
・・・)のときに0となる。図13の実線10は、この
θ=0の場合を示している。
!差が0又はλ(伝搬光の波長)/n(伝搬17 8 光に対する媒質の屈折率)の2に倍(k−±1゜±2.
・・・)のときに0となる。図13の実線10は、この
θ=0の場合を示している。
このような変調器においては、光強度の最大値を与える
印加電圧Vl(V3)と最小値を与える印加電圧V2(
V4)との間で電圧を変化させることにより、強度変調
が可能となる。例えば、デジタル変調を行う場合には「
1」に対応するマーク時10aに印加電圧をV、で設定
し、「0」に対応するスペース時10bに印加電圧をV
2で設定すれば良い。(この場合、符号は負理論である
。)発明が解決しようとする課題 ところで、上述した導波路型光変調器1においては、導
波路基板2上に配置されるバッファ層4及び各電極5a
、5bからの応力によって、第1及び第2分岐光導波路
3a、3bの屈折率が変化し、互いの光路長が異なって
しまうた必、動作点がシフトする。
印加電圧Vl(V3)と最小値を与える印加電圧V2(
V4)との間で電圧を変化させることにより、強度変調
が可能となる。例えば、デジタル変調を行う場合には「
1」に対応するマーク時10aに印加電圧をV、で設定
し、「0」に対応するスペース時10bに印加電圧をV
2で設定すれば良い。(この場合、符号は負理論である
。)発明が解決しようとする課題 ところで、上述した導波路型光変調器1においては、導
波路基板2上に配置されるバッファ層4及び各電極5a
、5bからの応力によって、第1及び第2分岐光導波路
3a、3bの屈折率が変化し、互いの光路長が異なって
しまうた必、動作点がシフトする。
このように動作点がシフトした場合、第13図に示すよ
うに所望の波形10が破線で示す波形11の位置にずれ
てしまう。つまり、動作点のシフトに対応したシフト量
δVだけずれることになる。
うに所望の波形10が破線で示す波形11の位置にずれ
てしまう。つまり、動作点のシフトに対応したシフト量
δVだけずれることになる。
これを補正するためには、各分岐光導波路3a。
3bにDCバイアス電圧を印加し、各分岐光導波路3a
、3bの屈折率を変えて、互いの光路長差を調整しなけ
ればならない。
、3bの屈折率を変えて、互いの光路長差を調整しなけ
ればならない。
また、動作点のシフト量δVは、製造時のバッファ層等
の蒸着膜厚及び各部品寸法にバラツキが生じるため一定
とならず、特に光弾性効果を有するL IN b Os
を導波路基板に用いた導波路型光変調器にあっては、
その傾向が顕著であるため、個々の光変調器毎に、その
バラツキによる動作点のシフト量δVに応じてDCバイ
アス電圧を印加し、DCオフセットを調整しなければな
らない。
の蒸着膜厚及び各部品寸法にバラツキが生じるため一定
とならず、特に光弾性効果を有するL IN b Os
を導波路基板に用いた導波路型光変調器にあっては、
その傾向が顕著であるため、個々の光変調器毎に、その
バラツキによる動作点のシフト量δVに応じてDCバイ
アス電圧を印加し、DCオフセットを調整しなければな
らない。
また、このようにしてシフト量δVを補正したとしても
、DCバイアス電圧を印加すれば、その印加時間の経過
に伴って動作点がシフトするDCドリフトと呼ばれる現
象を引き起こすことがある。
、DCバイアス電圧を印加すれば、その印加時間の経過
に伴って動作点がシフトするDCドリフトと呼ばれる現
象を引き起こすことがある。
これは例えば、第14図に示すように、DCバイアス電
圧の印加によって所望の出力光強度に補正されていた波
形10が破線で示す波形12のようにずれることである
。
圧の印加によって所望の出力光強度に補正されていた波
形10が破線で示す波形12のようにずれることである
。
このようにずれた場合、同図に示すように、最大光出力
を与える印加電圧V1 がVl ’にシフトし、最小光
出力を与える印加電圧V2がV2 ’にシフトするので
、もとの波形10を得る印加電圧v1〜V2で変調を行
うと、同図に示すように、印加電圧V1 時の出力光強
度が10aから10bに低下し、印加電圧72時の出力
光強度が128から12bに増加する。この結果、最大
及び最小光出力を得ることができず、消光比(マーク時
とスペース時の出力光強度比のデシベル換算値)が低下
するために、適正な光信号を出力することができない問
題となる。
を与える印加電圧V1 がVl ’にシフトし、最小光
出力を与える印加電圧V2がV2 ’にシフトするので
、もとの波形10を得る印加電圧v1〜V2で変調を行
うと、同図に示すように、印加電圧V1 時の出力光強
度が10aから10bに低下し、印加電圧72時の出力
光強度が128から12bに増加する。この結果、最大
及び最小光出力を得ることができず、消光比(マーク時
とスペース時の出力光強度比のデシベル換算値)が低下
するために、適正な光信号を出力することができない問
題となる。
また、前述したDCドリフト等の動作点シフトの無い導
波路型光変調器を得る場合、製造時に、動作点にバラツ
キが生じるので、製造後にほぼ一定の動作点シフトを有
する製品を選別する必要がある。これは製造時に、動作
点にバラツキが生じることを鑑みれば、容易でない。ま
た、これによって歩留りが低下する問題がある。
波路型光変調器を得る場合、製造時に、動作点にバラツ
キが生じるので、製造後にほぼ一定の動作点シフトを有
する製品を選別する必要がある。これは製造時に、動作
点にバラツキが生じることを鑑みれば、容易でない。ま
た、これによって歩留りが低下する問題がある。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、少
なくとも一方の分岐光導波路の屈折率を変えて動作点の
シフトを無くすか、又は、所望の電圧に動作点をシフト
させ、これによって適正な光信号を出力することができ
、また、歩留りを向上させることができる導波路型光変
調器又は光スィッチの動作点トリミング方法を提供する
ことを目的としている。
なくとも一方の分岐光導波路の屈折率を変えて動作点の
シフトを無くすか、又は、所望の電圧に動作点をシフト
させ、これによって適正な光信号を出力することができ
、また、歩留りを向上させることができる導波路型光変
調器又は光スィッチの動作点トリミング方法を提供する
ことを目的としている。
課題を解決するための手段
導波路基板上に、分岐された一定強度レベルの入力光が
導波される第1及び第2光導波路を形成し、その第1及
び第2光導波路上に、該第1及び第2光導波路及び導波
路上を覆うバッファ層を介して、第1及び第2電極をそ
れぞれ装荷し、該第1及び第2電極間に印加する電圧を
変化させて導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じ
た光を合成して強度変調光として出力する導波路型光度
1 2 調器において、 この導波路型光変調器における動作点のトリミングを行
う方法として、以下に記載する■〜■に述べる方法があ
る。
導波される第1及び第2光導波路を形成し、その第1及
び第2光導波路上に、該第1及び第2光導波路及び導波
路上を覆うバッファ層を介して、第1及び第2電極をそ
れぞれ装荷し、該第1及び第2電極間に印加する電圧を
変化させて導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じ
た光を合成して強度変調光として出力する導波路型光度
1 2 調器において、 この導波路型光変調器における動作点のトリミングを行
う方法として、以下に記載する■〜■に述べる方法があ
る。
■前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタ
リングしながら、前記第1及び第2電極の内、いづれか
一方の電極の任意箇所を、前記強度変調光の波形が所望
の波形となるように除去する。
リングしながら、前記第1及び第2電極の内、いづれか
一方の電極の任意箇所を、前記強度変調光の波形が所望
の波形となるように除去する。
■前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタ
リングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、いづ
れか一方の光導波路の上であって、かつ前記電極が装荷
されていない部分に、前記バッファ層を介して金属材料
を蒸着し、前記強度変調光の波形が所望の波形となるよ
うな金属膜を形成する。
リングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、いづ
れか一方の光導波路の上であって、かつ前記電極が装荷
されていない部分に、前記バッファ層を介して金属材料
を蒸着し、前記強度変調光の波形が所望の波形となるよ
うな金属膜を形成する。
■前記強度変調光の波形を波形表示′装置によってモニ
タリングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、い
づれか一方の光導波路の上であって、かつ前記電極が装
荷されていない部分のバッファ層を、前記強度変調光の
波形が所望の波形となるように除去する。
タリングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、い
づれか一方の光導波路の上であって、かつ前記電極が装
荷されていない部分のバッファ層を、前記強度変調光の
波形が所望の波形となるように除去する。
■前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタ
リングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、いづ
れか一方の光導波路上であって、かつ前記電極が装荷さ
れていない部分に、前記バッファ層上面から該光導波路
の屈折率を上げるか、又は下げる物質を、前記強度変調
光の波形が所望の波形となるように注入して付着させる
。
リングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、いづ
れか一方の光導波路上であって、かつ前記電極が装荷さ
れていない部分に、前記バッファ層上面から該光導波路
の屈折率を上げるか、又は下げる物質を、前記強度変調
光の波形が所望の波形となるように注入して付着させる
。
■前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタ
リングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、いづ
れか一方の光導波路の前記電極が装荷されていない任意
部分を、前記バッファ層を介して加熱して前記強度変調
光の波形が所望の波形となるように変形させる。
リングしながら、前記第1及び第2光導波路の内、いづ
れか一方の光導波路の前記電極が装荷されていない任意
部分を、前記バッファ層を介して加熱して前記強度変調
光の波形が所望の波形となるように変形させる。
■前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタ
リングしながら、前記導波路基板の側面に応力付加用の
ブロックを取りつけ、そのブロックに機械的応力を加え
、前記強度変調光の波形が所望の波形となるような機械
的応力が加わった状態で該ブロックを固定する。
リングしながら、前記導波路基板の側面に応力付加用の
ブロックを取りつけ、そのブロックに機械的応力を加え
、前記強度変調光の波形が所望の波形となるような機械
的応力が加わった状態で該ブロックを固定する。
■前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタ
リングしながら、前記導波路基板の側面を、前記強度変
調光の波形が所望の波形となるように削り取る。
リングしながら、前記導波路基板の側面を、前記強度変
調光の波形が所望の波形となるように削り取る。
■前記第1及び第2光導波路の内、いづれか−方の光導
波路の上であって、かつ前記電極が装荷されていない部
分の前記バッファ層を複数の任意部分で除去し、前記強
度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリングし
ながら、前記バッファ層の除去された複数の任意部分に
、該光導波路の屈折率と異なる屈折率の物質を、前記強
度変調光の波形が所望の波形となるように装荷する。
波路の上であって、かつ前記電極が装荷されていない部
分の前記バッファ層を複数の任意部分で除去し、前記強
度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリングし
ながら、前記バッファ層の除去された複数の任意部分に
、該光導波路の屈折率と異なる屈折率の物質を、前記強
度変調光の波形が所望の波形となるように装荷する。
■前記第1及び第2光導波路の内、いづれか−方の光導
波路の上であって、かつ前記電極が装荷されていない部
分に、前記バッファ層を介して金属材料を蒸着して、独
立した複数の金′属膜を形成し、前記強度変調光の波形
を波形表示装置によってモニタリングしながら、前記複
数の金属膜を、前記強度変調光の波形が所望の波形とな
るように順次除去する。
波路の上であって、かつ前記電極が装荷されていない部
分に、前記バッファ層を介して金属材料を蒸着して、独
立した複数の金′属膜を形成し、前記強度変調光の波形
を波形表示装置によってモニタリングしながら、前記複
数の金属膜を、前記強度変調光の波形が所望の波形とな
るように順次除去する。
[株]前記第1及び第2光導波路の内、いづれか−方の
光導波路の電極が装荷されていない部分に間隙部を形成
し、前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニ
タリングしながら、前記間隙部に該光導波路の屈折率と
異なる屈折率の物質を、前記強度変調光の波形が所望の
波形となるように充填する。
光導波路の電極が装荷されていない部分に間隙部を形成
し、前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニ
タリングしながら、前記間隙部に該光導波路の屈折率と
異なる屈折率の物質を、前記強度変調光の波形が所望の
波形となるように充填する。
また、前記導波路型光変調器に光信号を人力及び出力す
る各光ファイバを固定すると共に、この導波路型光変調
器を所定の周辺回路を取りつけた部材に固定し、上述し
た■〜■のいづれかの方法によって動作点トリミングを
行うのが望ましい。
る各光ファイバを固定すると共に、この導波路型光変調
器を所定の周辺回路を取りつけた部材に固定し、上述し
た■〜■のいづれかの方法によって動作点トリミングを
行うのが望ましい。
更に、■〜0のいづれかの方法によって11、導波路型
光スイッチの動作点をトリミングしてもよい。
光スイッチの動作点をトリミングしてもよい。
作 用
本発明によれば、上述したように■〜0のように構成し
たので、以下に述べる様な作用を得ることが出来る。
たので、以下に述べる様な作用を得ることが出来る。
5
6
■の方法によれば、いづれか一方の電極形状が変化し、
その電極下部の光導波路に加わる応力が変化して、その
光導波路の屈折率が変化する。これによって、屈折率が
変化した光導波路の光路長と、他方の光導波路の光路長
の差が所定値となり、この結果、動作点のシフトがなく
なる。
その電極下部の光導波路に加わる応力が変化して、その
光導波路の屈折率が変化する。これによって、屈折率が
変化した光導波路の光路長と、他方の光導波路の光路長
の差が所定値となり、この結果、動作点のシフトがなく
なる。
■の方法によれば、いづれか一方の光導波路上に、バッ
ファ層を介して金属膜が形成される。従って、その光導
波路を光が伝搬し、金属膜の部分を通過する際に、光が
金属膜の屈折率を感知するので、その光導波路の屈折率
が変わることになり、その光導波路の光路長と、他方の
光導波路の光路長との差が所定値となる。この結果、動
作点のシフトが調整できる。
ファ層を介して金属膜が形成される。従って、その光導
波路を光が伝搬し、金属膜の部分を通過する際に、光が
金属膜の屈折率を感知するので、その光導波路の屈折率
が変わることになり、その光導波路の光路長と、他方の
光導波路の光路長との差が所定値となる。この結果、動
作点のシフトが調整できる。
■の方法によれば、いづれか一方の光導波路上の、任意
部分のバッファ層が除去されるので、この除去された部
分の光導波路が空気1こ・触れて屈折率が変わることに
なり、その光導波路の光路長と、他方の光導波路の光路
長との差が所定値となる。
部分のバッファ層が除去されるので、この除去された部
分の光導波路が空気1こ・触れて屈折率が変わることに
なり、その光導波路の光路長と、他方の光導波路の光路
長との差が所定値となる。
この結果、動作点のシフトが調整できる。
■の方法によれば、いづれか一方の光導波路上の任意部
分に、その光導波路の屈折率を上げるか、又は下げる物
質が付着されるので、その物質が付着した部分の屈折率
が変化し、その光導波路の光路長と、他方の光導波路の
光路長との差が所定値となる。この結果、動作点のシフ
トが調整できる。
分に、その光導波路の屈折率を上げるか、又は下げる物
質が付着されるので、その物質が付着した部分の屈折率
が変化し、その光導波路の光路長と、他方の光導波路の
光路長との差が所定値となる。この結果、動作点のシフ
トが調整できる。
■の方法によれば、いづれか一方の光導波路の任意部分
が変形し、その変形した部分の屈折率が変化し、その光
導波路の光路長と、他方の光導波路の光路長との差が所
定値となる。この結果、動作点のシフトが調整できる。
が変形し、その変形した部分の屈折率が変化し、その光
導波路の光路長と、他方の光導波路の光路長との差が所
定値となる。この結果、動作点のシフトが調整できる。
■の方法によれば、導波路基板の側面に応力付加用のブ
ロックが、所定の機械的応力が加わった状態で固定され
るので、そのブロック近傍の光導波路の屈折率が応力に
よって変化し、その光導波路の光路長と、他方の光導波
路の光路長との差が所定値となる。この結果、動作点の
シフトが調整できる。
ロックが、所定の機械的応力が加わった状態で固定され
るので、そのブロック近傍の光導波路の屈折率が応力に
よって変化し、その光導波路の光路長と、他方の光導波
路の光路長との差が所定値となる。この結果、動作点の
シフトが調整できる。
■の方法によれば、導波路基板の側面の任意箇所が削り
取られるので、これによって、削り取られた箇所近傍の
光導波路に加わる応力が変化し、その光導波路の屈折率
が変化する。従って、その屈折率が変化した波路の光路
長と、他方の光導波路の光路長との差が所定値となる。
取られるので、これによって、削り取られた箇所近傍の
光導波路に加わる応力が変化し、その光導波路の屈折率
が変化する。従って、その屈折率が変化した波路の光路
長と、他方の光導波路の光路長との差が所定値となる。
この結果、動作点のシフトが調整できる。
■の方法によれば、いづれか一方の光導波路上のバッフ
ァ層が複数の任意部分で除去され、この除去された複数
の任意部分に、光導波路の屈折率と異なる屈折率の物質
が装荷されるので、これによって、その光導波路の屈折
率が変わり、その光導波路の光路長と、他方の光導波路
の光路長との差が所定値となる。この結果、動作点のシ
フトが調整できる。
ァ層が複数の任意部分で除去され、この除去された複数
の任意部分に、光導波路の屈折率と異なる屈折率の物質
が装荷されるので、これによって、その光導波路の屈折
率が変わり、その光導波路の光路長と、他方の光導波路
の光路長との差が所定値となる。この結果、動作点のシ
フトが調整できる。
■の方法によれば、いづれか一方の光導波路上にバッフ
ァ層を介して、独立した複数の金属膜が形成され、更に
、その複数の金属膜が所定数だけ除去される。従って、
その光導波路を光が伝搬し、金属膜の部分を通過する際
に、光が除去されずに残った金属膜の屈折率を感知する
ので、その光導波路の屈折率が変わることになり、その
光導波路の光路長と、他方の光導波路の光路長との差が
所定値となる。この結果、動作点のシフトが調整できる
。
ァ層を介して、独立した複数の金属膜が形成され、更に
、その複数の金属膜が所定数だけ除去される。従って、
その光導波路を光が伝搬し、金属膜の部分を通過する際
に、光が除去されずに残った金属膜の屈折率を感知する
ので、その光導波路の屈折率が変わることになり、その
光導波路の光路長と、他方の光導波路の光路長との差が
所定値となる。この結果、動作点のシフトが調整できる
。
■の方法によれば、いづれか一方の光導波路の任意部分
に間隙部が形成され、その間隙部に光導波路の屈折率と
異なる屈折率の物質が充填されるので、これによって、
その光導波路の屈折率が変わり、その光導波路の光路長
と、他方の光導波路の光路長との差が所定値となる。こ
の結果、動作点のシフトが調整できる。
に間隙部が形成され、その間隙部に光導波路の屈折率と
異なる屈折率の物質が充填されるので、これによって、
その光導波路の屈折率が変わり、その光導波路の光路長
と、他方の光導波路の光路長との差が所定値となる。こ
の結果、動作点のシフトが調整できる。
実 施 例
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。第1図は本発明の第1の実施例による導波路型光変調
器IAの構成を示す平面図あり、これらの図において、
第12図に示す従来例の各部に対応する部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。
。第1図は本発明の第1の実施例による導波路型光変調
器IAの構成を示す平面図あり、これらの図において、
第12図に示す従来例の各部に対応する部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。
この第1の実施例による導波路型光変調器IAが第12
図に示す従来の導波路型光変調器1と異9 0 なる点は、第1図に示すように、第2電極5bの一部5
b+ を除去して電極形状を変えて第2分岐光導波路3
bに加わる応力を変え、これによって第2分岐光導波路
3bの屈折率を変えて、第1分岐光導波路3aとの光路
長差を調整することによって、導波路型光変調器IAの
動作点を所望の動作点にするトリミングを行い、従来例
で説明したDCオフセット印加の必要性を無くしたこと
である。
図に示す従来の導波路型光変調器1と異9 0 なる点は、第1図に示すように、第2電極5bの一部5
b+ を除去して電極形状を変えて第2分岐光導波路3
bに加わる応力を変え、これによって第2分岐光導波路
3bの屈折率を変えて、第1分岐光導波路3aとの光路
長差を調整することによって、導波路型光変調器IAの
動作点を所望の動作点にするトリミングを行い、従来例
で説明したDCオフセット印加の必要性を無くしたこと
である。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1に、図示せぬオシロスコープ等の波
形・観察装置を接続する。そして、その波形観察装置に
よって導波路型光変調器1から出力される光信号の強度
変調波形を確認しながら、導波路型光変調器1の第2電
極5bの所定箇所を、レーザビームを照射して加熱除去
する等の手段によって光信号の波形が所望の波形となる
まで除去する。このようにすれば、前述したような導波
路型光変調器IAを形成することができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1に、図示せぬオシロスコープ等の波
形・観察装置を接続する。そして、その波形観察装置に
よって導波路型光変調器1から出力される光信号の強度
変調波形を確認しながら、導波路型光変調器1の第2電
極5bの所定箇所を、レーザビームを照射して加熱除去
する等の手段によって光信号の波形が所望の波形となる
まで除去する。このようにすれば、前述したような導波
路型光変調器IAを形成することができる。
また、導波路型光変調器IAにおいては、第2電極5b
の一部を除去したが、各分岐光導波路3a、3bの屈折
率に応じて、第1電極5aの一部を除去する場合もある
。
の一部を除去したが、各分岐光導波路3a、3bの屈折
率に応じて、第1電極5aの一部を除去する場合もある
。
このような導波路型光変調器IAにおいては、従来の導
波路型光変調器1のように、DCバイアス電圧を印加す
る必要がない。更に、DCバイアス電圧を印加しないの
で、従来のようにDCドリフトが生じることはない。
波路型光変調器1のように、DCバイアス電圧を印加す
る必要がない。更に、DCバイアス電圧を印加しないの
で、従来のようにDCドリフトが生じることはない。
次に、第2図を参照して、本発明の第2の実施例につい
て説明する。第2図は本発明の第2の実施例による導波
路型光変調器IBの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
て説明する。第2図は本発明の第2の実施例による導波
路型光変調器IBの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この第2の実施例による導波路型光変調器IBが従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第2図に示すように
、第1分岐光導波路3a上に、バッファ層4を介して金
属膜20を形成し、第1分枝光導波路3aを伝搬する光
が、金属膜20の部分を通過する際に金属膜20の屈折
率を感知することにより、第1分岐光導波路3aの屈折
率が実質的に変化することになるので、これによって第
1分岐光導波路3aの光路長を変えて、第2分岐光導波
路3bとの光路長差を調整することによって、導波路型
光変調器IBの動作点を所望の動作点にするトリミング
を行い、従来例で説明したDCオフセット印加の必要性
を無くしたことである。
導波路型光変調器1と異なる点は、第2図に示すように
、第1分岐光導波路3a上に、バッファ層4を介して金
属膜20を形成し、第1分枝光導波路3aを伝搬する光
が、金属膜20の部分を通過する際に金属膜20の屈折
率を感知することにより、第1分岐光導波路3aの屈折
率が実質的に変化することになるので、これによって第
1分岐光導波路3aの光路長を変えて、第2分岐光導波
路3bとの光路長差を調整することによって、導波路型
光変調器IBの動作点を所望の動作点にするトリミング
を行い、従来例で説明したDCオフセット印加の必要性
を無くしたことである。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1に、オシロスコープ等の波形観察装
置を接続する。そして、その波形観察装置によって導波
路型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を
確認しながら、第1分岐光導波路3a上に、バッファ層
4を介して金属材料を、光信号の波形が所望の波形とな
る蒸着して金属膜20を形成する。このようにすれば、
前述したような導波路型光変調器IBを形成することが
でき、前述した導波路型光変調器IAと同様な効果を得
ることができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1に、オシロスコープ等の波形観察装
置を接続する。そして、その波形観察装置によって導波
路型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を
確認しながら、第1分岐光導波路3a上に、バッファ層
4を介して金属材料を、光信号の波形が所望の波形とな
る蒸着して金属膜20を形成する。このようにすれば、
前述したような導波路型光変調器IBを形成することが
でき、前述した導波路型光変調器IAと同様な効果を得
ることができる。
また、上述した導波路型光変調器IBにおいては、第1
分岐光導波路3a上にバッファ層4を介して金属膜20
を形成したが、この金属膜20は、各分岐光導波路3a
、3bの屈折率に応じて、第2分岐光導波路3b上に形
成してもよい。つまり、各電極5a、5bが形成されて
いる部分以外の分岐光導波路3a、3b上であればよい
。
分岐光導波路3a上にバッファ層4を介して金属膜20
を形成したが、この金属膜20は、各分岐光導波路3a
、3bの屈折率に応じて、第2分岐光導波路3b上に形
成してもよい。つまり、各電極5a、5bが形成されて
いる部分以外の分岐光導波路3a、3b上であればよい
。
次に、第3図を参照して、本発明の第3の実施例につい
て説明する。第3図は本発明の第3の実施例による導波
路型光変調器ICの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
て説明する。第3図は本発明の第3の実施例による導波
路型光変調器ICの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この第3の実施例による導波路型光変調器ICが従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第3図に示すように
、第1分枝光導波路3a上のバッファ層4の一部4aを
除去し、この除去された部分の光導波路3aが空気に触
れて屈折率が変わることを利用し、第1分岐光導波路3
aの屈折率を変えて、第2分枝光導波路3bの光路長差
を調整33 4 することによって、導波路型光変調器ICの動作点を所
望の動作点にするトリミングを行い、従来例で説明した
DCオフセット印加の必要性を無くしたことである。
導波路型光変調器1と異なる点は、第3図に示すように
、第1分枝光導波路3a上のバッファ層4の一部4aを
除去し、この除去された部分の光導波路3aが空気に触
れて屈折率が変わることを利用し、第1分岐光導波路3
aの屈折率を変えて、第2分枝光導波路3bの光路長差
を調整33 4 することによって、導波路型光変調器ICの動作点を所
望の動作点にするトリミングを行い、従来例で説明した
DCオフセット印加の必要性を無くしたことである。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1にオシロスコープ等の波形観察装置
を接続する。そして、その波形観察装置によって導波路
型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を確
認しながら、第1分岐光導波路3a上のバッファ層4を
、エツチングや研削あるいは電子ビームの照射等による
手段によって光信号の波形が所望の波形となるまで除去
する。このようにすれば、前述したような導波路型光変
調器ICを形成することができ、導波路型光変調器IA
と同様な効果を得ることができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1にオシロスコープ等の波形観察装置
を接続する。そして、その波形観察装置によって導波路
型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を確
認しながら、第1分岐光導波路3a上のバッファ層4を
、エツチングや研削あるいは電子ビームの照射等による
手段によって光信号の波形が所望の波形となるまで除去
する。このようにすれば、前述したような導波路型光変
調器ICを形成することができ、導波路型光変調器IA
と同様な効果を得ることができる。
また、この導波路型光変調器ICにおいては、第1分岐
光導波路3a上のバッファ層4の一部を除去したが、各
分岐光導波路3a、3bの屈折率に応じて、第2分岐光
導波路3b上のバッファ層4の一部を除去した方が良い
場合もある。つまり、各電極5a、5bが形成されてい
る部分以外の分岐光導波路3a、3b上であればよい。
光導波路3a上のバッファ層4の一部を除去したが、各
分岐光導波路3a、3bの屈折率に応じて、第2分岐光
導波路3b上のバッファ層4の一部を除去した方が良い
場合もある。つまり、各電極5a、5bが形成されてい
る部分以外の分岐光導波路3a、3b上であればよい。
次に、第4図を参照して、本発明の第4の実施例につい
て説明する。第4図は本発明の第4の実施例による導波
路型光変調器IDの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
て説明する。第4図は本発明の第4の実施例による導波
路型光変調器IDの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この第4の実施例による導波路型光変調器IDが従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第4図に示すように
、第1分岐光導波路3a上の任意部分に、光導波路の屈
折率を上げるか、又は下げる物質21を付着させ、これ
により第1分岐光導波路3aの屈折率を変化させて、第
2分枝光導波路3bとの光路長差を調整することによっ
て、導波路型光変調器ICの動作点を所望の動作点にす
るトリミングを行い、従来例で説明したDCオフセット
印加の必要性を無くしたことである。
導波路型光変調器1と異なる点は、第4図に示すように
、第1分岐光導波路3a上の任意部分に、光導波路の屈
折率を上げるか、又は下げる物質21を付着させ、これ
により第1分岐光導波路3aの屈折率を変化させて、第
2分枝光導波路3bとの光路長差を調整することによっ
て、導波路型光変調器ICの動作点を所望の動作点にす
るトリミングを行い、従来例で説明したDCオフセット
印加の必要性を無くしたことである。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器lに、オシロスコープ等の波形観察装
置を接続する。そして、その波形観察装置によって導波
路型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を
確δ忍しながら、第1分岐光導波路3a上の任意部分に
、光導波路の屈折率を上げるか、又は下げる物質21を
イオン注入等の手段によって光信号の波形が所望の波形
となるまで注入して付着させる。このようにすれば、前
述したような導波路型光変調器IDを形成することがで
き、導波路型光変調器IAと同様な効果を得ることがで
きる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器lに、オシロスコープ等の波形観察装
置を接続する。そして、その波形観察装置によって導波
路型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を
確δ忍しながら、第1分岐光導波路3a上の任意部分に
、光導波路の屈折率を上げるか、又は下げる物質21を
イオン注入等の手段によって光信号の波形が所望の波形
となるまで注入して付着させる。このようにすれば、前
述したような導波路型光変調器IDを形成することがで
き、導波路型光変調器IAと同様な効果を得ることがで
きる。
なお、この導波路型光変調器IDにおいては、第1分岐
光導波路3a上の任意部分に、光導波路の屈折率を上げ
るか、又は下げる物質21を付着させたが、第2分岐光
導波路3b上の任意部分に付着させてもよい。
光導波路3a上の任意部分に、光導波路の屈折率を上げ
るか、又は下げる物質21を付着させたが、第2分岐光
導波路3b上の任意部分に付着させてもよい。
次に、第5図を参照して、本発明の第5の実施例につい
て説明する。第5図は本発明の第5の実施例による導波
路型光変調器IEの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
て説明する。第5図は本発明の第5の実施例による導波
路型光変調器IEの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この第5の実施例による導波路型光変調器IEが従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第5図に示すように
、第1分枝光導波路3aの任意部分3a+ を変形させ
、その光導波路3aの屈折率を変化させて、第2分岐光
導波路3bの光路長差を調整することによって、導波路
型光変調器IEの動作点を所望の動作点にするトリミン
グを行い、従来例で説明したDCオフセット印加の必要
性を無くしたことである。
導波路型光変調器1と異なる点は、第5図に示すように
、第1分枝光導波路3aの任意部分3a+ を変形させ
、その光導波路3aの屈折率を変化させて、第2分岐光
導波路3bの光路長差を調整することによって、導波路
型光変調器IEの動作点を所望の動作点にするトリミン
グを行い、従来例で説明したDCオフセット印加の必要
性を無くしたことである。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1にオシロスコープ等の波形観察装置
を接続する。そして、その波形観察装置によって導波路
型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を確
認しながら、第1分岐光導波路3a上の任意部分3a+
又はその周辺部分を、レーザビームの照射等による加
熱手段7 8 によって加熱して光導波路3aを拡散させ、光信号の波
形が所望の波形となるまで変形させる。このようにすれ
ば、前述したような導波路型光変調器IEを形成するこ
とができ、導波路型光変調器IAと同様な効果を得るこ
とができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1にオシロスコープ等の波形観察装置
を接続する。そして、その波形観察装置によって導波路
型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を確
認しながら、第1分岐光導波路3a上の任意部分3a+
又はその周辺部分を、レーザビームの照射等による加
熱手段7 8 によって加熱して光導波路3aを拡散させ、光信号の波
形が所望の波形となるまで変形させる。このようにすれ
ば、前述したような導波路型光変調器IEを形成するこ
とができ、導波路型光変調器IAと同様な効果を得るこ
とができる。
なお、この導波路型光変調器IEにおいては、第1分岐
光導波路3aの任意部分を変形させたが、第2分岐光導
波路3bの任意部分を変形させてもよい。
光導波路3aの任意部分を変形させたが、第2分岐光導
波路3bの任意部分を変形させてもよい。
次に、第6図を参照して、本発明の第6の実施例につい
て説明する。第6図は本発明の第6の実施例による導波
路型光変調器IFの構成を示す平面図あり、これらの・
図において、第12図に示す従来例の各部に対応する部
分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
て説明する。第6図は本発明の第6の実施例による導波
路型光変調器IFの構成を示す平面図あり、これらの・
図において、第12図に示す従来例の各部に対応する部
分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この第6の実施例による導波路型光変調器IFが従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第6図に示すように
、導波路基板2の側面任意部分に応力付加用のブロック
22を固定し、その応力により第1分岐光導波路3aの
屈折率を変えて、第2分岐光導波路3bとの光路長差を
調整することによって、導波路型光変調器IFの動作点
を所望の動作点にするトリミングを行い、従来例で説明
したDCオフセット印加の必要性を無くしたことである
。
導波路型光変調器1と異なる点は、第6図に示すように
、導波路基板2の側面任意部分に応力付加用のブロック
22を固定し、その応力により第1分岐光導波路3aの
屈折率を変えて、第2分岐光導波路3bとの光路長差を
調整することによって、導波路型光変調器IFの動作点
を所望の動作点にするトリミングを行い、従来例で説明
したDCオフセット印加の必要性を無くしたことである
。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照〉を形成し、その
導波路型光変調器1にオシロスコープ等の波形観察装置
を接続する。そして、また、光導波路基板2の側面任意
部分にブロック22取りつける。そして、その波形観察
装置によって導波路型光変調器1から出力される光信号
の強度変調波形を確認しながら、ブロック22に機械的
応力を加え、光信号の波形が所望の波形となったところ
で、その機械的応力が加わるようにブロック22を固定
する。このようにすれば、前述したような導波路型光変
調器IFを形成することができ、導波路型光変調器IA
と同様な効果を得ることができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照〉を形成し、その
導波路型光変調器1にオシロスコープ等の波形観察装置
を接続する。そして、また、光導波路基板2の側面任意
部分にブロック22取りつける。そして、その波形観察
装置によって導波路型光変調器1から出力される光信号
の強度変調波形を確認しながら、ブロック22に機械的
応力を加え、光信号の波形が所望の波形となったところ
で、その機械的応力が加わるようにブロック22を固定
する。このようにすれば、前述したような導波路型光変
調器IFを形成することができ、導波路型光変調器IA
と同様な効果を得ることができる。
また、この導波路型光変調器I已においては、応力付加
用のブロック22によって第1分岐光導波路3aの屈折
率を変化させたが、ブロック22を導波路基板2の反対
側の側面に固定して第2分岐光導波路3bの屈折率を変
化させてもよい。
用のブロック22によって第1分岐光導波路3aの屈折
率を変化させたが、ブロック22を導波路基板2の反対
側の側面に固定して第2分岐光導波路3bの屈折率を変
化させてもよい。
次に、第7図を参照して、本発明の第7の実施例につい
て説明する。第7図は本発明の第7の実施例による導波
路型光変調器IGの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
て説明する。第7図は本発明の第7の実施例による導波
路型光変調器IGの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この第7の実施例による導波路型光変調器IGが従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第7図に示すように
、導波路基板2の側面任意部分を凹状2aに削り取り、
これによって第1分岐光導波路3aに加わる応力を変え
、その屈折率を変えて第2分岐光導波路3bとの光路長
差を調整することによって、導波路型光変調器IC,の
動作点を所望の動作点にするトリミングを行い、従来例
で説明したDCオフセット印加の必要性を無くしたこと
である。
導波路型光変調器1と異なる点は、第7図に示すように
、導波路基板2の側面任意部分を凹状2aに削り取り、
これによって第1分岐光導波路3aに加わる応力を変え
、その屈折率を変えて第2分岐光導波路3bとの光路長
差を調整することによって、導波路型光変調器IC,の
動作点を所望の動作点にするトリミングを行い、従来例
で説明したDCオフセット印加の必要性を無くしたこと
である。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1に、オシロスコープ等の波形観察装
置を接続する。そして、その波形観察装置によって導波
路型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を
確認しながら、光信号の波形が所望の波形となるまで、
光導波路基板2の側面任意部分を研削によって凹状2a
に削り取る。このようにすれば、前述したような導波路
型光変調器IFを形成することができ、導波路型光変調
器IAと同様な効果を得ることができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、その
導波路型光変調器1に、オシロスコープ等の波形観察装
置を接続する。そして、その波形観察装置によって導波
路型光変調器1から出力される光信号の強度変調波形を
確認しながら、光信号の波形が所望の波形となるまで、
光導波路基板2の側面任意部分を研削によって凹状2a
に削り取る。このようにすれば、前述したような導波路
型光変調器IFを形成することができ、導波路型光変調
器IAと同様な効果を得ることができる。
また、この導波路基板2の研削箇所は、各分岐光導波路
3a、3bのいづれかの屈折率が変化し、所定の強度波
形の光信号が得られる箇所であればよい。
3a、3bのいづれかの屈折率が変化し、所定の強度波
形の光信号が得られる箇所であればよい。
次に、第8図を参照して、本発明の第8の実施例につい
て説明する。第8図は本発明の第8の実施例による導波
路型光変調器IHの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付 1− 2− し、その説明を省略する。
て説明する。第8図は本発明の第8の実施例による導波
路型光変調器IHの構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付 1− 2− し、その説明を省略する。
この第8の実施例による導波路型光変調器IHが従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第8図に示すように
、第1分岐光導波路3a上のバッファ層4を複数部分4
b、4b、・・・で除去しておき、この除去された部分
4b、4b、・・・に光導波路3の屈折率と異なる屈折
率の物質23を装荷し、第1分岐光導波路3aの屈折率
を変えて、第2分岐光導波路3bの光路長差を調整する
ことによって、導波路型光変調器IHの動作点を所望の
動作点にするトリミングを行い、従来例で説明したDC
オフセット印加の必要性を無くしたことである。
導波路型光変調器1と異なる点は、第8図に示すように
、第1分岐光導波路3a上のバッファ層4を複数部分4
b、4b、・・・で除去しておき、この除去された部分
4b、4b、・・・に光導波路3の屈折率と異なる屈折
率の物質23を装荷し、第1分岐光導波路3aの屈折率
を変えて、第2分岐光導波路3bの光路長差を調整する
ことによって、導波路型光変調器IHの動作点を所望の
動作点にするトリミングを行い、従来例で説明したDC
オフセット印加の必要性を無くしたことである。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、次に
、その第1分岐光導波路3a上のバッファ層4の複数部
分4b、4b、・・・を、エツチング等の手段によって
除去する。更にそのバッファ層4部分4b、4b、・・
・が除去された導波路型光変調器に、オシロスコープ等
の波形観察装置を接続する。そして、その波形観察装置
によって導波路型光変調器から出力される光信号の強度
変調波形を確認しながら、バッファ層4の除去された部
分4b、4b、・・・に、光導波路3の屈折率と異なる
屈折率の物質23を、光信号の波形が所望の波形となる
まで順次装荷する。このようにすれば、前述したような
導波路型光変調器IHを形成することができ、導波路型
光変調器IAと同様な効果を得ることができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、次に
、その第1分岐光導波路3a上のバッファ層4の複数部
分4b、4b、・・・を、エツチング等の手段によって
除去する。更にそのバッファ層4部分4b、4b、・・
・が除去された導波路型光変調器に、オシロスコープ等
の波形観察装置を接続する。そして、その波形観察装置
によって導波路型光変調器から出力される光信号の強度
変調波形を確認しながら、バッファ層4の除去された部
分4b、4b、・・・に、光導波路3の屈折率と異なる
屈折率の物質23を、光信号の波形が所望の波形となる
まで順次装荷する。このようにすれば、前述したような
導波路型光変調器IHを形成することができ、導波路型
光変調器IAと同様な効果を得ることができる。
また、この導波路型光変調器IHにおいては、第1分岐
光導波路3a上のバッファ層4の任意部分4b、4b、
・・・を除去して物質23を装荷したが、第2分岐光導
波路3b上のバッファ層4の任意部分を除去して物質2
3を装荷してもよい。つまり、各電極5a、5bが形成
されている部分以外の分岐光導波路3a、3tj上であ
ればよい。更に、前述同様、分岐光導波路3a、3bの
いづれかの屈折率が変わるのであれば、光導波路3a。
光導波路3a上のバッファ層4の任意部分4b、4b、
・・・を除去して物質23を装荷したが、第2分岐光導
波路3b上のバッファ層4の任意部分を除去して物質2
3を装荷してもよい。つまり、各電極5a、5bが形成
されている部分以外の分岐光導波路3a、3tj上であ
ればよい。更に、前述同様、分岐光導波路3a、3bの
いづれかの屈折率が変わるのであれば、光導波路3a。
3bの近傍周辺部でもよい。
次に、第9図を参照して、本発明の第9の実施例につい
て説明する。第9図は本発明の第9の実施例による導波
路型光変調器1■の構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
て説明する。第9図は本発明の第9の実施例による導波
路型光変調器1■の構成を示す平面図あり、これらの図
において、第12図に示す従来例の各部に対応する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。
この第9の実施例による導波路型光変調器1■が従来の
導波路型光変調器1と異なる点は、第9図に示すように
、第1分枝光導波路3a上にバッファ層4を介して複数
の金属膜24.24.・・・を形成しておき、その金属
膜24.24.・・・を破線枠24aで示すように、順
次除去し、これにより第1分岐光導波路3aの屈折率を
変えて、第2分枝光導波路3bとの光路長差を調整する
ことによって、導波路型光変調器IIの動作点を所望の
動作点にするトリミングを行い、従来例で説明したDC
オフセy)印加の必要性を無くしたことである。
導波路型光変調器1と異なる点は、第9図に示すように
、第1分枝光導波路3a上にバッファ層4を介して複数
の金属膜24.24.・・・を形成しておき、その金属
膜24.24.・・・を破線枠24aで示すように、順
次除去し、これにより第1分岐光導波路3aの屈折率を
変えて、第2分枝光導波路3bとの光路長差を調整する
ことによって、導波路型光変調器IIの動作点を所望の
動作点にするトリミングを行い、従来例で説明したDC
オフセy)印加の必要性を無くしたことである。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、次に
、その第1分岐光導波路3a上の任意位置に、バッファ
層4を介して金属材料を蒸着し、複数の金属膜24,2
4.・・・を形成する。更にその複数の金属膜24,2
4.・・・が形成された導波路型光変調器に、オシロス
コープ等の波形観察装置を接続する。そして、その波形
観察装置によって導波路型光変調器から出力される光信
号の強度変調波形を確認しながら、複数の金属膜24,
24、・・・をレーザビームを照射して加熱する等の手
段によって、光信号の波形が所望の波形となるまで順次
除去する。このようにすれば、前述したような導波路型
光変調器IIを形成することができ、導波路型光変調器
IAと同様な効果を得ることができる。
導波路型光変調器1 (第12図参照)を形成し、次に
、その第1分岐光導波路3a上の任意位置に、バッファ
層4を介して金属材料を蒸着し、複数の金属膜24,2
4.・・・を形成する。更にその複数の金属膜24,2
4.・・・が形成された導波路型光変調器に、オシロス
コープ等の波形観察装置を接続する。そして、その波形
観察装置によって導波路型光変調器から出力される光信
号の強度変調波形を確認しながら、複数の金属膜24,
24、・・・をレーザビームを照射して加熱する等の手
段によって、光信号の波形が所望の波形となるまで順次
除去する。このようにすれば、前述したような導波路型
光変調器IIを形成することができ、導波路型光変調器
IAと同様な効果を得ることができる。
また、この導波路型光変調器1■においては、第1分岐
光導波路3a上に金属膜24,24.・・・を形成して
順次除去したが、これは第2分岐光導波路3b上であっ
てもよい。
光導波路3a上に金属膜24,24.・・・を形成して
順次除去したが、これは第2分岐光導波路3b上であっ
てもよい。
次に、第10図を参照して、本発明の第10の実施例に
ついて説明する。第10図は本発明の第10の実施例に
よる導波路型光変調器IJの構成を示す平面図あり、こ
れらの図において、第125 6 図に示す従来例の各部に対応する部分には同一の符号を
付し、その説明を省略する。
ついて説明する。第10図は本発明の第10の実施例に
よる導波路型光変調器IJの構成を示す平面図あり、こ
れらの図において、第125 6 図に示す従来例の各部に対応する部分には同一の符号を
付し、その説明を省略する。
この第1Oの実施例による導波路型光変調器IJが従来
の導波路型光変調器lと異なる点は、第10図に示すよ
うに、第1分岐光導”波路3aの任意部分に形成した間
隙部3a2 に、光導波路3aの屈折率と異なる屈折率
の物質25を充填し、第1分枝光導波路3aの屈折率を
変えて、第2分枝光導波路3bの光路長差を調整するこ
とによって、導波路型光変調器IIの動作点を所望の動
作点にするトリミングを行い、従来例で説明したDCオ
フセット印加の必要性を無くしたことである。
の導波路型光変調器lと異なる点は、第10図に示すよ
うに、第1分岐光導”波路3aの任意部分に形成した間
隙部3a2 に、光導波路3aの屈折率と異なる屈折率
の物質25を充填し、第1分枝光導波路3aの屈折率を
変えて、第2分枝光導波路3bの光路長差を調整するこ
とによって、導波路型光変調器IIの動作点を所望の動
作点にするトリミングを行い、従来例で説明したDCオ
フセット印加の必要性を無くしたことである。
即ち、このような動作点トリミングを行う場合、まず、
導波路型光変調器1 (第12図参照)の光導波路3を
形成する際の、T1を熱拡散する前に、第1分岐光導波
路3a形成経路の一部分に所望の間隙部3a2ができる
ように、例えばレジストによって所定のパターンを形成
し、その後Tiを熱拡散させて光導波路3を形成する。
導波路型光変調器1 (第12図参照)の光導波路3を
形成する際の、T1を熱拡散する前に、第1分岐光導波
路3a形成経路の一部分に所望の間隙部3a2ができる
ように、例えばレジストによって所定のパターンを形成
し、その後Tiを熱拡散させて光導波路3を形成する。
そして、バッファ層4、電極5a、5bと順次形成し、
最後にレジストを除去する。このレジストを除去した部
分が間隙部3az となる。これによって、間隙部3
a2が形成された第1分岐光導波路3aを有する導波路
型光変調器が形成される。次に、この導波路型光変調器
にオシロスコープ等の波形観察装置を接続する。そして
、その波形観察装置によって導波路型光変調器から出力
される光信号の強度変調波形を確認しながら、前記間隙
部3a2 に、光導波路3aの屈折率と異なる屈折率の
物質25を、光信号の波形が所望の波形となるまで充填
する。このようにすれば、前述したような導波路型光変
調器IJを形成することができ、導波路型光変調器IA
と同様な効果を得ることができる。
最後にレジストを除去する。このレジストを除去した部
分が間隙部3az となる。これによって、間隙部3
a2が形成された第1分岐光導波路3aを有する導波路
型光変調器が形成される。次に、この導波路型光変調器
にオシロスコープ等の波形観察装置を接続する。そして
、その波形観察装置によって導波路型光変調器から出力
される光信号の強度変調波形を確認しながら、前記間隙
部3a2 に、光導波路3aの屈折率と異なる屈折率の
物質25を、光信号の波形が所望の波形となるまで充填
する。このようにすれば、前述したような導波路型光変
調器IJを形成することができ、導波路型光変調器IA
と同様な効果を得ることができる。
また、この導波路型光変調器IJにおいては、第1分岐
光導波路3aに物質25を充填したが、第2分岐光導波
路3bに充填してもよい。
光導波路3aに物質25を充填したが、第2分岐光導波
路3bに充填してもよい。
なお、間隙部3a2の形成方法として、導波路型光変調
器1を形成した後で、第1又は第2分岐光導波路の一部
分をエツチング等によって除去して形成してもよい。
器1を形成した後で、第1又は第2分岐光導波路の一部
分をエツチング等によって除去して形成してもよい。
また、上述した第1〜第10のいづれの実施例において
も、導波路型光変調器に波形観察装置を接続して、出力
強度変調光の波形を確認しながら、トリミングを行った
が、その導波路型光変調器を、駆動回路等の周辺回路が
組み込まれた金属箱等のデバイスに固定してモジュール
化を行い、このモジュール化された導波路型光変調器に
波形観察装置を接続し、第1〜第10の実施例で説明し
たように、トリミングを行うのが望ましい。
も、導波路型光変調器に波形観察装置を接続して、出力
強度変調光の波形を確認しながら、トリミングを行った
が、その導波路型光変調器を、駆動回路等の周辺回路が
組み込まれた金属箱等のデバイスに固定してモジュール
化を行い、このモジュール化された導波路型光変調器に
波形観察装置を接続し、第1〜第10の実施例で説明し
たように、トリミングを行うのが望ましい。
ところで、上述した第1〜第10の実施例で説明した動
作点トリミング方法は、各分岐光導波路の長さが等しい
導波路型光変調器に対して行った場合の説明であったが
、各分岐光導波路の長さが異なる導波路型光変調器に適
用しても、各導波路を伝搬し、結合される光の整合をと
ることが出来る。
作点トリミング方法は、各分岐光導波路の長さが等しい
導波路型光変調器に対して行った場合の説明であったが
、各分岐光導波路の長さが異なる導波路型光変調器に適
用しても、各導波路を伝搬し、結合される光の整合をと
ることが出来る。
また、上述した第1〜第1Oの実施例で説明した動作点
トリミング方法は、第11図に示す方向性結合型の導波
路型光スイッチ30にも同様に適用することができる。
トリミング方法は、第11図に示す方向性結合型の導波
路型光スイッチ30にも同様に適用することができる。
ここで、その導波路型光スイッチ30のついて簡単に説
明しておく。第11図に示す導波路型光スイッチ30は
、導波路型光変調器1とほぼ同様に形成されたものであ
り、異なる点は、導波路基板2上に、互いに独立した第
1及び第2光導波路31.32が形成されていることで
ある。これらの第1及び第2光導波1a31.32は、
各電極5a、5bが装荷されている平行部分で、光の相
互作用によって光が伝達されるように形成されている。
明しておく。第11図に示す導波路型光スイッチ30は
、導波路型光変調器1とほぼ同様に形成されたものであ
り、異なる点は、導波路基板2上に、互いに独立した第
1及び第2光導波路31.32が形成されていることで
ある。これらの第1及び第2光導波1a31.32は、
各電極5a、5bが装荷されている平行部分で、光の相
互作用によって光が伝達されるように形成されている。
例えば、同図に示すように、第2光導波路32に入射さ
れた光33が第1光導波路31に伝達される。また、各
電極5a、5bに所定の電圧を印加し、電界強度を変化
させて各光導波路31゜32の屈折率を変えることによ
って、第2光導波路32に入射された光33を第1光導
波路31に全部結合させ、第1光導波路31から光34
を出力させ、第2光導波路32から光35が出力しない
ようにするか、又は、その反対に第2光導波路32から
光35を出力させ、第1光導波路31からは光が出力し
ないようにすることができる。即9 0 ち、互いの光34.35を0N10FFとするスイッチ
ングを行うことが可能となる。
れた光33が第1光導波路31に伝達される。また、各
電極5a、5bに所定の電圧を印加し、電界強度を変化
させて各光導波路31゜32の屈折率を変えることによ
って、第2光導波路32に入射された光33を第1光導
波路31に全部結合させ、第1光導波路31から光34
を出力させ、第2光導波路32から光35が出力しない
ようにするか、又は、その反対に第2光導波路32から
光35を出力させ、第1光導波路31からは光が出力し
ないようにすることができる。即9 0 ち、互いの光34.35を0N10FFとするスイッチ
ングを行うことが可能となる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、所望の動作点を有
する導波路型光変調器及び導波路型光スイッチを形成す
ることができるので、動作点のシフトを無くすことがで
き、これによって、DCオフセットを調節するDCバイ
アス電圧を印加する必要がなくなる。そして、DCバイ
アス電圧を印加しないので、DCドリフトが生じること
がなくなる。従って、これらのメリットによって、適正
な光信号を得ることができる効果がある。
する導波路型光変調器及び導波路型光スイッチを形成す
ることができるので、動作点のシフトを無くすことがで
き、これによって、DCオフセットを調節するDCバイ
アス電圧を印加する必要がなくなる。そして、DCバイ
アス電圧を印加しないので、DCドリフトが生じること
がなくなる。従って、これらのメリットによって、適正
な光信号を得ることができる効果がある。
また、所望の動作点にすることができるので、動作点の
安定した製品を製造することができ、これによって、歩
留りを大幅に向上させることができる効果がある。
安定した製品を製造することができ、これによって、歩
留りを大幅に向上させることができる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第2図は本発明の第2の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第3図は本発明の第3の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第4図は本発明の第4の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第5図は本発明の第5の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第6図は本発明の第6の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第7図は本発明の第7の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第8図は本発明の第8の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第9図は本発明の第9の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第10図は本発明の第10の実施例による導波路型光変
調器の構成を示す平面図、 第11図は導波路型光スイッチの構成を示す平面図、 第12図は従来の導波路型光変調器の構成を示す平面図
、 第13図は動作点のオフセットを説明するための図、 第14図はDCドリフトを説明するための図である。 1、IA〜IJ・・・導波路型光変調器、2・・・導波
路基板、 3・・・光導波路、 3a・・・第1光導波路、 3b・・・第2光導波路、 4・・・バッファ層、 5a・・・第1電極、 5b・・・第2電極、 20.24・・・金属膜、 21・・・光導波路の屈折率を上げるか、又は下げる物
質、 22・・・ブロック、 23.25・・・光導波路の屈折率と異なる屈折率の物
質、 30・・・導波路型光スイッチ、 31・・・導波路型光スイッチの第1光導波路、32・
・・導波路型光スイッチの第2光導波路。
の構成を示す平面図、 第2図は本発明の第2の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第3図は本発明の第3の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第4図は本発明の第4の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第5図は本発明の第5の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第6図は本発明の第6の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第7図は本発明の第7の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第8図は本発明の第8の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第9図は本発明の第9の実施例による導波路型光変調器
の構成を示す平面図、 第10図は本発明の第10の実施例による導波路型光変
調器の構成を示す平面図、 第11図は導波路型光スイッチの構成を示す平面図、 第12図は従来の導波路型光変調器の構成を示す平面図
、 第13図は動作点のオフセットを説明するための図、 第14図はDCドリフトを説明するための図である。 1、IA〜IJ・・・導波路型光変調器、2・・・導波
路基板、 3・・・光導波路、 3a・・・第1光導波路、 3b・・・第2光導波路、 4・・・バッファ層、 5a・・・第1電極、 5b・・・第2電極、 20.24・・・金属膜、 21・・・光導波路の屈折率を上げるか、又は下げる物
質、 22・・・ブロック、 23.25・・・光導波路の屈折率と異なる屈折率の物
質、 30・・・導波路型光スイッチ、 31・・・導波路型光スイッチの第1光導波路、32・
・・導波路型光スイッチの第2光導波路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリ
ングしながら、 前記第1及び第2電極(5a、5b)の内、いづれか一
方の電極(5b)の任意箇所(5b_1)を、前記強度
変調光の波形が所望の波形となるように除去することを
特徴とする導波路型光変調器の動作点トリミング方法。 2、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリ
ングしながら、 前記第1及び第2光導波路(3a、3b)の内、いづれ
か一方の光導波路(3a)の上であって、かつ前記電極
(5a)が装荷されていない部分に、前記バッファ層(
4)を介して金属材料を蒸着し、前記強度変調光の波形
が所望の波形となるような金属膜(20)を形成するこ
とを特徴とする導波路型光変調器の動作点トリミング方
法。 3、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリ
ングしながら、 前記第1及び第2光導波路(3a、3b)の内、いづれ
か一方の光導波路(3a)の上であって、かつ前記電極
(5a)が装荷されていない部分のバッファ層(4)を
、前記強度変調光の波形が所望の波形となるように除去
することを特徴とする導波路型光変調器の動作点トリミ
ング方法。 4、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリ
ングしながら、 前記第1及び第2光導波路(3a、3b)の内、いづれ
か一方の光導波路(3a)上であって、かつ前記電極(
5a)が装荷されていない部分に、前記バッファ層(4
)上面から該光導波路(3a)の屈折率を上げるか、又
は下げる物質(21)を、前記強度変調光の波形が所望
の波形となるように注入して付着させることを特徴とす
る導波路型光変調器の動作点トリミング方法。 5、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリ
ングしながら、 前記第1及び第2光導波路(3a、3b)の内、いづれ
か一方の光導波路(3a)の前記電極(5a)が装荷さ
れていない部分(3a_1)を、前記バッファ層(4)
を介して加熱し、前記強度変調光の波形が所望の波形と
なるように変形させることを特徴とする導波路型光変調
器の動作点トリミング方法。 6、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリ
ングしながら、 前記導波路基板(2)の側面所定箇所に応力付加用のブ
ロック(22)を取り付け、 そのブロック(22)に機械的応力を加え、前記強度変
調光の波形が所望の波形となるような機械的応力が加わ
った状態で該ブロック(22)を固定することを特徴と
する導波路型光変調器の動作点トリミング方法。 7、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリ
ングしながら、 前記導波路基板(2)の側面部分(2a)を、前記強度
変調光の波形が所望の波形となるように削り取ることを
特徴とする導波路型光変調器の動作点トリミング方法。 8、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記第1及び第2光導波路(3a、3b)の内、いづれ
か一方の光導波路(3a)の上であって、かつ前記電極
(5a)が装荷されていない部分のバッファ層(4)を
複数の任意部分(4b、4b、・・・)で除去し、前記
強度変調光の波形を波形表示装置によってモニタリング
しながら、 前記バッファ層(4)の除去された複数の任意部分(4
b、4b、・・・)に、該光導波路(3a)の屈折率と
異なる屈折率の物質(23)を、前記強度変調光の波形
が所望の波形となるように順次装荷することを特徴とす
る導波路型光変調器の動作点トリミング方法。 9、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベル
の入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、3
b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3b
)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び導
波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1及
び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1及
び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化させ
て導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を合
成して強度変調光として出力する導波路型光変調器にお
いて、 前記第1及び第2光導波路(3a、3b)の内、いづれ
か一方の光導波路(3a)の上であって、かつ前記電極
(5a)が装荷されていない部分に、前記バッファ層(
4)を介して金属材料を蒸着して、独立した複数の金属
膜(24、24、・・・)を形成し、前記強度変調光の
波形を波形表示装置によってモニタリングしながら、 前記複数の金属膜(24、24、・・・)を、前記強度
変調光の波形が所望の波形となるように順次除去するこ
とを特徴とする導波路型光変調器の動作点トリミング方
法。 10、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベ
ルの入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、
3b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3
b)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び
導波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1
及び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1
及び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化さ
せて導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を
合成して強度変調光として出力する導波路型光変調器に
おいて、 前記第1及び第2光導波路(3a、3b)の内、いづれ
か一方の光導波路(3a)の電極(5a)が装荷されて
いない部分に間隙部(3a_2)を形成し、前記強度変
調光の波形を波形表示装置によってモニタリングしなが
ら、 前記間隙部(3a_2)に該光導波路(3a)の屈折率
と異なる屈折率の物質(25)を、前記強度変調光の波
形が所望の波形となるように充填することを特徴とする
導波路型光変調器の動作点トリミング方法。 11、請求項1〜請求項10に記載した動作点トリミン
グ方法のいづれかの方法によって製造されたことを特徴
とする導波路型光変調器。 12、導波路基板(2)上に、分岐された一定強度レベ
ルの入力光が導波される第1及び第2光導波路(3a、
3b)を形成し、その第1及び第2光導波路(3a、3
b)上に、該第1及び第2光導波路(3a、3b)及び
導波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介して、第1
及び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷し、該第1
及び第2電極(5a、5b)間に印加する電圧を変化さ
せて導波光に位相差を生じさせ、該位相差が生じた光を
合成して強度変調光として出力する導波路型光変調器に
おいて、 前記導波路型光変調器に光信号を入力及び出力する光フ
ァイバをそれぞれ固定すると共に、この導波路型光変調
器を所定の周辺回路が取りつけられた部材に固定し、 請求項1〜請求項10に記載した動作点トリミング方法
のいづれかの方法を適用することを特徴とする導波路型
光変調器の動作点トリミング方法。 13、導波路基板(2)上に、一定強度レベルの入力光
が相方に伝達される互いに独立した第1及び第2光導波
路(31、32)を形成し、その第1及び第2光導波路
(31、32)上に、該第1及び第2光導波路(31、
32)及び導波路(3)上を覆うバッファ層(4)を介
して、第1及び第2電極(5a、5b)をそれぞれ装荷
し、該第1及び第2電極(5a、5b)間に印加する電
圧を変化させて該第1及び第2光導波路(31、32)
から出力される導波光の強度を制御する導波路型光スイ
ッチにおいて、 請求項1〜請求項10に記載した動作点トリミング方法
のいづれかの方法を適用したことを特徴とする導波路型
光スイッチの動作点トリミング方法。 14、請求項13に記載した動作点トリミング方法によ
って製造されたことを特徴とする導波路型光スイッチ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2054976A JPH03257423A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 導波路型光変調器の動作点トリミング方法 |
EP19910103393 EP0445763A3 (en) | 1990-03-08 | 1991-03-06 | Operating point trimming method for optical waveguide modulator and switch |
CA002037625A CA2037625C (en) | 1990-03-08 | 1991-03-06 | Operating point trimming method for optical waveguide modulator and switch |
US07/666,051 US5283842A (en) | 1990-03-08 | 1991-03-07 | Operating point trimming method for optical waveguide modulator and switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2054976A JPH03257423A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 導波路型光変調器の動作点トリミング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03257423A true JPH03257423A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12985682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2054976A Pending JPH03257423A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 導波路型光変調器の動作点トリミング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5283842A (ja) |
EP (1) | EP0445763A3 (ja) |
JP (1) | JPH03257423A (ja) |
CA (1) | CA2037625C (ja) |
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JPH0990301A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Nec Corp | マッハツェンダ変調器およびその駆動方法 |
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JP2006243484A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子およびその製造方法 |
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JP2009162889A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Seikoh Giken Co Ltd | 光変調器 |
JP2012073366A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
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FR2706631B1 (fr) * | 1993-06-17 | 1997-12-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | Module de commutation optique compact. |
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