JP2814967B2 - 導波路型光デバイス - Google Patents
導波路型光デバイスInfo
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型光デバイ
スに関し、特に出力される偏光をランダム偏光にする機
能を有する偏波スクランブラ等に関する。
スに関し、特に出力される偏光をランダム偏光にする機
能を有する偏波スクランブラ等に関する。
【０００１】
【従来の技術】電気光学効果を有する基板を用いた導波
路形光デバイスは、基板中に光導波路として屈折率の高
い光導波路部分が形成されており、この部分に光が閉じ
こめられ伝搬される。この光導波路の上部又は近傍に
は、電圧を印加するための電極が形成されており、電極
に電圧を印加することにより光導波路を含む基板中に電
界が発生する。基板中に電界が発生すると、基板がもつ
電気光学効果により、その屈折率が変化する。この光導
波路の屈折率の変化を利用して、光の位相や強度を変調
する光変調器や、あるいは光路切換を行う光スイッチが
構成される。
路形光デバイスは、基板中に光導波路として屈折率の高
い光導波路部分が形成されており、この部分に光が閉じ
こめられ伝搬される。この光導波路の上部又は近傍に
は、電圧を印加するための電極が形成されており、電極
に電圧を印加することにより光導波路を含む基板中に電
界が発生する。基板中に電界が発生すると、基板がもつ
電気光学効果により、その屈折率が変化する。この光導
波路の屈折率の変化を利用して、光の位相や強度を変調
する光変調器や、あるいは光路切換を行う光スイッチが
構成される。
【０００２】このような電気光学効果を利用した導波路
型光デバイスの一つとして、入力された光の偏光をスク
ランブルする機能を有する偏波スクランブラがある。こ
の偏波スルランブラの構造及び動作について説明する。
型光デバイスの一つとして、入力された光の偏光をスク
ランブルする機能を有する偏波スクランブラがある。こ
の偏波スルランブラの構造及び動作について説明する。
【０００３】光導波路が形成される基板としては、強誘
電体材料の中で比較的高い電気光学効果を示すニオブ酸
リチウム基板が一般的に広く用いられている。ニオブ酸
リチウムを用いた導波路型光デバイスは、基板にチタン
膜が成膜され、所望の導波路パターンにパターニングさ
れた後、１０００℃前後の高温で数時間熱拡散され光導
波路が形成される。そして、光導波路の上部に二酸化シ
リコンバッファ層（以下、「ＳｉＯ２膜」と記す。）が
成膜され、さらにその上部にチタンと金、あるいはクロ
ムと金などの金属膜により電極が形成される。なお、Ｓ
ｉＯ２膜と金属膜の間にシリコン膜（以下、「Ｓｉ膜」
と記す。）が形成される場合もある。このような導波路
型光デバイスは、基板上に光を変調する機能や光路の切
り替えを行う機能の集積化に適している。
電体材料の中で比較的高い電気光学効果を示すニオブ酸
リチウム基板が一般的に広く用いられている。ニオブ酸
リチウムを用いた導波路型光デバイスは、基板にチタン
膜が成膜され、所望の導波路パターンにパターニングさ
れた後、１０００℃前後の高温で数時間熱拡散され光導
波路が形成される。そして、光導波路の上部に二酸化シ
リコンバッファ層（以下、「ＳｉＯ２膜」と記す。）が
成膜され、さらにその上部にチタンと金、あるいはクロ
ムと金などの金属膜により電極が形成される。なお、Ｓ
ｉＯ２膜と金属膜の間にシリコン膜（以下、「Ｓｉ膜」
と記す。）が形成される場合もある。このような導波路
型光デバイスは、基板上に光を変調する機能や光路の切
り替えを行う機能の集積化に適している。
【０００４】図８は、ニオブ酸リチウム基板を用いた偏
波スクランブラであり、入力光の偏波を時間的にランダ
ムな偏光に変換するものである。図３を用いて、構造と
動作原理を以下に説明する。ニオブ酸リチウム基板１１
に形成された直線導波路２１の導波路基板１１の表面全
体には、成膜されたＳｉＯ２膜３（図９（ａ））を参
照）を介して、クロムと金からなる金属層の電極４１、
４２が形成されている。光導波路２１及び電極４１、４
２を有する導波路基板１１の両端面にはそれぞれ入力側
光ファイバ７１と出力側光ファイバ７３が光学的に結合
されている。さらに、電極４１、４２には電圧を印加し
信号を入力するための駆動回路9の出力端が接続されて
いる。電極４１、４２に外部から電圧が印加されと、図
９（ｂ）に示されるように、基板中に形成された光導波
路２１に縦方向の電界（矢印で表示）が発生する。基板
中に電界が発生すると、ニオブ酸リチウムのもつ電気光
学効果により導波路２１の屈折率が変化し、導波路中を
伝搬光の位相が変化する。
波スクランブラであり、入力光の偏波を時間的にランダ
ムな偏光に変換するものである。図３を用いて、構造と
動作原理を以下に説明する。ニオブ酸リチウム基板１１
に形成された直線導波路２１の導波路基板１１の表面全
体には、成膜されたＳｉＯ２膜３（図９（ａ））を参
照）を介して、クロムと金からなる金属層の電極４１、
４２が形成されている。光導波路２１及び電極４１、４
２を有する導波路基板１１の両端面にはそれぞれ入力側
光ファイバ７１と出力側光ファイバ７３が光学的に結合
されている。さらに、電極４１、４２には電圧を印加し
信号を入力するための駆動回路9の出力端が接続されて
いる。電極４１、４２に外部から電圧が印加されと、図
９（ｂ）に示されるように、基板中に形成された光導波
路２１に縦方向の電界（矢印で表示）が発生する。基板
中に電界が発生すると、ニオブ酸リチウムのもつ電気光
学効果により導波路２１の屈折率が変化し、導波路中を
伝搬光の位相が変化する。
【０００５】ここで、出力される光の偏光状態を表す指
標としてＤＯＰ（Ｄｅｇｒｅｅｏｆ Ｐｏｌａｒｉｚａ
ｔｉｏｎ）がある。これは、ある一定時間内の偏光状態
を表すもので、その値が０に近くなる程その一定時間内
ではランダム偏光であり、１００に近づくほど定偏光で
あることを表す。ランダム偏光であることが必要となる
光デバイスにおいては、一般的に１０以下が要求され
る。
標としてＤＯＰ（Ｄｅｇｒｅｅｏｆ Ｐｏｌａｒｉｚａ
ｔｉｏｎ）がある。これは、ある一定時間内の偏光状態
を表すもので、その値が０に近くなる程その一定時間内
ではランダム偏光であり、１００に近づくほど定偏光で
あることを表す。ランダム偏光であることが必要となる
光デバイスにおいては、一般的に１０以下が要求され
る。
【０００６】ＤＯＰを小さくするには以下の２つの条件
を満たさなければならない。すなわち、 （１）導波路の偏光依存性をゼロにし、かつ、入力用光
ファイバに定偏波光ファイバを使用し、定偏波光ファイ
バの主軸を光導波路の垂直方向に対して４５度傾けて光
軸固定する。光導波路の偏光依存性がゼロでない場合に
は、傾ける角度を４５度から更に微調整しＤＯＰが最小
になる角度で固定する。 （２）印加電圧とＤＯＰの関係は、図１０のようになる
ため、印加電圧を微調することによりＤＯＰを最小値に
下げることができる 上記２点のなかで、（２）は比較的制御が簡易に実現可
能であるが、（１）の偏光依存性をゼロにする方法は、
光導波路の製造工程で決まり、高い歩留まりでゼロにす
ることは非常に難しい。
を満たさなければならない。すなわち、 （１）導波路の偏光依存性をゼロにし、かつ、入力用光
ファイバに定偏波光ファイバを使用し、定偏波光ファイ
バの主軸を光導波路の垂直方向に対して４５度傾けて光
軸固定する。光導波路の偏光依存性がゼロでない場合に
は、傾ける角度を４５度から更に微調整しＤＯＰが最小
になる角度で固定する。 （２）印加電圧とＤＯＰの関係は、図１０のようになる
ため、印加電圧を微調することによりＤＯＰを最小値に
下げることができる 上記２点のなかで、（２）は比較的制御が簡易に実現可
能であるが、（１）の偏光依存性をゼロにする方法は、
光導波路の製造工程で決まり、高い歩留まりでゼロにす
ることは非常に難しい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来は偏光依存性をゼ
ロに近づけるために、Ｔｉの膜厚や拡散温度、拡散時間
を制御して導波路自身のＴＥ、ＴＭモードでの伝搬損失
を等しくするようにしている。ここで、ＴＥモードは、
光導波路を伝搬する光の電界成分が光導波路基板の表面
に対して平行な光をいい、ＴＭモードは磁界成分が平行
な光をいう。
ロに近づけるために、Ｔｉの膜厚や拡散温度、拡散時間
を制御して導波路自身のＴＥ、ＴＭモードでの伝搬損失
を等しくするようにしている。ここで、ＴＥモードは、
光導波路を伝搬する光の電界成分が光導波路基板の表面
に対して平行な光をいい、ＴＭモードは磁界成分が平行
な光をいう。
【０００８】また、偏光依存性が生じたときには偏光依
存性による挿入損失差に応じて光ファイバの固定角を調
整する必要があり、製造に非常に時間がかかり生産性が
よくない。
存性による挿入損失差に応じて光ファイバの固定角を調
整する必要があり、製造に非常に時間がかかり生産性が
よくない。
【０００９】本発明の導波路型光デバイスは、入力され
た光をその偏光状態がランダムな光にする偏波スクラン
ブル機能を備え、特に入力光ファイバの角度調整等の生
産性向上を阻害する工程を必要としないようにすること
を目的とする。
た光をその偏光状態がランダムな光にする偏波スクラン
ブル機能を備え、特に入力光ファイバの角度調整等の生
産性向上を阻害する工程を必要としないようにすること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の導波路型光デバ
イスは、上記欠点を除去するために、基板中に形成され
た、互いに幅の異なる２本の光導波路を含む導波路基板
と、光導波路の上部または近傍に形成された電極と、２
本の光導波路を伝搬する光を合波する合波手段を備えて
いる。さらに、２本の光導波路のそれぞれに、電界成分
が基板の表面に平行なＴＥモード光を入力するＴＥモー
ド光入力手段と電界成分が前記基板の表面に平行なＴＭ
モード光を入力するＴＭモード光入力手段とを備えてい
る そして、上記構成において、ＴＥモード光に対する伝搬
損失とＴＭモード光に対する伝搬損失が２本の光導波路
の間で互いに等しいことを特徴としている。光導波路の
伝搬損失を等しくするための一手段として、本発明の導
波路光デバイスでは、２本の光導波路は、互いに光導波
路幅が異なるように形成されている。
イスは、上記欠点を除去するために、基板中に形成され
た、互いに幅の異なる２本の光導波路を含む導波路基板
と、光導波路の上部または近傍に形成された電極と、２
本の光導波路を伝搬する光を合波する合波手段を備えて
いる。さらに、２本の光導波路のそれぞれに、電界成分
が基板の表面に平行なＴＥモード光を入力するＴＥモー
ド光入力手段と電界成分が前記基板の表面に平行なＴＭ
モード光を入力するＴＭモード光入力手段とを備えてい
る そして、上記構成において、ＴＥモード光に対する伝搬
損失とＴＭモード光に対する伝搬損失が２本の光導波路
の間で互いに等しいことを特徴としている。光導波路の
伝搬損失を等しくするための一手段として、本発明の導
波路光デバイスでは、２本の光導波路は、互いに光導波
路幅が異なるように形成されている。
【００１１】また、ＴＥモード光入力手段とＴＭモード
光入力手段は、２本の光導波路に光学的に結合するよう
にそれぞれ配置された定偏波光ファイバであることを特
徴としている。導波路型光デバイスの基板はニオブ酸リ
チウムであり、また、さらに基板と電極の間にバッファ
層を有している。さらに、本発明の導波路型光デバイス
の具体的な合波手段として、基板端面に配置されたルチ
ル板、あるいは基板端面に配置されたシリコン基板上に
二酸化シリコンにより形成されたＹ分岐形状を有するＹ
分岐石英導波路、また基板中に形成されたＹ分岐形状を
有する光導波路がある。
光入力手段は、２本の光導波路に光学的に結合するよう
にそれぞれ配置された定偏波光ファイバであることを特
徴としている。導波路型光デバイスの基板はニオブ酸リ
チウムであり、また、さらに基板と電極の間にバッファ
層を有している。さらに、本発明の導波路型光デバイス
の具体的な合波手段として、基板端面に配置されたルチ
ル板、あるいは基板端面に配置されたシリコン基板上に
二酸化シリコンにより形成されたＹ分岐形状を有するＹ
分岐石英導波路、また基板中に形成されたＹ分岐形状を
有する光導波路がある。
【００１２】さらに、ＴＥモード光入力手段とＴＭモー
ド光入力手段は、基板の端面に配置されたルチル板と、
ルチル板を介して第１の光導波路および第２の光導波路
に光学的に結合する光ファイバとを備えている。
ド光入力手段は、基板の端面に配置されたルチル板と、
ルチル板を介して第１の光導波路および第２の光導波路
に光学的に結合する光ファイバとを備えている。
【００１３】本発明の導波路型光デバイスは、光導波路
の上部等に形成された電極により基板中に電界を発生さ
せ、２本の光導波路を伝搬する光の位相状態を変化させ
た後、両者を合波して偏波スクランブルする。ここで、
両光導波路にはあらかじめそれぞれ偏光状態を分けた状
態で入力されるようにする。さらに、それぞれの光導波
路を伝搬する各偏光状態の光の伝搬損失を互いに等しく
なるようにしておく。
の上部等に形成された電極により基板中に電界を発生さ
せ、２本の光導波路を伝搬する光の位相状態を変化させ
た後、両者を合波して偏波スクランブルする。ここで、
両光導波路にはあらかじめそれぞれ偏光状態を分けた状
態で入力されるようにする。さらに、それぞれの光導波
路を伝搬する各偏光状態の光の伝搬損失を互いに等しく
なるようにしておく。
【００１４】伝搬損失を等しくする具体的な手段とて、
それぞれの偏光状態の光に応じて光導波路幅を互いに異
なるものとし、伝搬損失を一致させる方法がある。すな
わち、偏光状態による光導波路の導波損失は光導波路幅
に依存するため、あらかじめ複数の直線光導波路をそれ
ぞれ異なる幅で基板に形成し、ＴＥ及びＴＭ両モードの
伝搬損失が一致するように光導波路幅をそれぞれ選択し
することで偏光依存性を等価的にゼロにできる。
それぞれの偏光状態の光に応じて光導波路幅を互いに異
なるものとし、伝搬損失を一致させる方法がある。すな
わち、偏光状態による光導波路の導波損失は光導波路幅
に依存するため、あらかじめ複数の直線光導波路をそれ
ぞれ異なる幅で基板に形成し、ＴＥ及びＴＭ両モードの
伝搬損失が一致するように光導波路幅をそれぞれ選択し
することで偏光依存性を等価的にゼロにできる。
【００１５】入射光は偏光分波器で偏波を分離したあ
と、それぞれを異なる幅をもつ２本の光導波路に導き、
一方を光導波路に対してＴＭモードが入射するように、
他方は導波路に対してＴＥモードが入射するように調整
する。
と、それぞれを異なる幅をもつ２本の光導波路に導き、
一方を光導波路に対してＴＭモードが入射するように、
他方は導波路に対してＴＥモードが入射するように調整
する。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の導波路型光デバイスを図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明の導波路型光デバイスの基
本構成を示す図である。基板１には２本の直線光導波路
２１、２２が熱拡散により形成されている。基板１に
は、高い電気光学効果を有するニオブ酸リチウムが用い
られている。また、基板１の光導波路２１、２２の端面
には、光学的に結合するように光ファイバ７１および７
２がそれぞれ配置されている。また、出力側にも同様
に、光ファイバ７３、７４が配置されている。
本構成を示す図である。基板１には２本の直線光導波路
２１、２２が熱拡散により形成されている。基板１に
は、高い電気光学効果を有するニオブ酸リチウムが用い
られている。また、基板１の光導波路２１、２２の端面
には、光学的に結合するように光ファイバ７１および７
２がそれぞれ配置されている。また、出力側にも同様
に、光ファイバ７３、７４が配置されている。
【００１８】２本の光導波路２１、２２には、それぞれ
同一の強度でＴＥモード及びＴＭモードが光ファイバ７
１、７２から入射される。駆動回路９から出力される制
御電圧Ｖは光導波路２１、２２の直上にバッファ層３を
介して形成された電極４１、４２に印加され、光導波路
２１、２２には基板表面に対して垂直な方向の電界が発
生する。光導波路を伝搬する光は、印加される電圧信号
により位相変調され、光導波路から出力用光ファイバ７
３、７４に出力される。出力用光ファイバから出力され
たＴＥ、ＴＭ両モードの光はさらに合波器８で合波され
る。なお、基板１への光導波路２１、２２の形成方法、
バッファ層３や電極４１、４２の形成方法の詳細は、従
来の技術で述べたの同様である。
同一の強度でＴＥモード及びＴＭモードが光ファイバ７
１、７２から入射される。駆動回路９から出力される制
御電圧Ｖは光導波路２１、２２の直上にバッファ層３を
介して形成された電極４１、４２に印加され、光導波路
２１、２２には基板表面に対して垂直な方向の電界が発
生する。光導波路を伝搬する光は、印加される電圧信号
により位相変調され、光導波路から出力用光ファイバ７
３、７４に出力される。出力用光ファイバから出力され
たＴＥ、ＴＭ両モードの光はさらに合波器８で合波され
る。なお、基板１への光導波路２１、２２の形成方法、
バッファ層３や電極４１、４２の形成方法の詳細は、従
来の技術で述べたの同様である。
【００１９】図２に示される特性を有する光導波路の場
合、導波路２１の幅は８μｍとされＴＥモードが、また
光導波路２２の幅は１２μｍとされＴＭモードがそれぞ
れ入射される。このようにしてＤＯＰを測定した結果、
ＤＯＰは２〜５となり効果が確認されている。また、製
造歩留まりも従来の工法で約６０％であるものが、本発
明の導波路型光デバイスでは９０％に向上している。さ
らに、入力側光ファイバ端末の角度微調整が不要とな
り、従来より約６０％程度の工数が削減できる。
合、導波路２１の幅は８μｍとされＴＥモードが、また
光導波路２２の幅は１２μｍとされＴＭモードがそれぞ
れ入射される。このようにしてＤＯＰを測定した結果、
ＤＯＰは２〜５となり効果が確認されている。また、製
造歩留まりも従来の工法で約６０％であるものが、本発
明の導波路型光デバイスでは９０％に向上している。さ
らに、入力側光ファイバ端末の角度微調整が不要とな
り、従来より約６０％程度の工数が削減できる。
【００２０】本発明の導波路型光デバイスの他の構成と
して、図３にそれぞれ示される構成がある。図３は、図
１において光導波路の入力側に偏光分離器５が接続され
たものであり、入射光の偏光が分離され光導波路へ入射
される。偏光分離器５として、干渉膜フィルターやルチ
ル等の偏光板を適用することができる。
して、図３にそれぞれ示される構成がある。図３は、図
１において光導波路の入力側に偏光分離器５が接続され
たものであり、入射光の偏光が分離され光導波路へ入射
される。偏光分離器５として、干渉膜フィルターやルチ
ル等の偏光板を適用することができる。
【００２１】図４は、図１において光導波路の出射端に
ルチル等の複屈折材料からなる偏光板６を張り合わせ、
合波したものである。また、図５は、図１において、光
導波路の出射端にＬＮ基板または石英基板に形成された
Ｙ分岐導波路２３を利用したものである。さらに、図６
は、光導波路２１、２２をそれぞれ異なる基板１１、１
２に作成したものである。
ルチル等の複屈折材料からなる偏光板６を張り合わせ、
合波したものである。また、図５は、図１において、光
導波路の出射端にＬＮ基板または石英基板に形成された
Ｙ分岐導波路２３を利用したものである。さらに、図６
は、光導波路２１、２２をそれぞれ異なる基板１１、１
２に作成したものである。
【００２２】図７は、基板１中にＹ型導波路２４を形成
し、２つの異なる幅を持つ光導波路を基板上で合波する
構成である。この他にも部品の組み合わせを変えること
により、様々な構成が実現できる。なお、図３は、電極
４１、４２を省略して図示されている。
し、２つの異なる幅を持つ光導波路を基板上で合波する
構成である。この他にも部品の組み合わせを変えること
により、様々な構成が実現できる。なお、図３は、電極
４１、４２を省略して図示されている。
【発明の効果】本発明により導波路の偏光依存性を等価
的にゼロにすることができ、高い歩留まりでＤＯＰをゼ
ロにすることができる。また、製造工数の大幅な低減効
果もある。
的にゼロにすることができ、高い歩留まりでＤＯＰをゼ
ロにすることができる。また、製造工数の大幅な低減効
果もある。
【図１】本発明の導波路型光デバイスの一実施例の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】光導波路幅と伝搬損失との関係を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の導波路型光デバイスの他の実施例の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図４】本発明の導波路型光デバイスの他の実施例の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】本発明の導波路型光デバイスの他の実施例の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】本発明の導波路型光デバイスの他の実施例の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図７】本発明の導波路型光デバイスの他の実施例の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図８】従来の偏波スクランブル機能を有する導波路型
光デバイスの上面図である。
光デバイスの上面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の偏波スクラン
ブラの断面及びその電界分布を示す図である。
ブラの断面及びその電界分布を示す図である。
【図１０】印加電圧とＤＯＰの相関を示す図である。
１ 基板 ３ ＳｉＯ２膜 ５ 偏光分離器 ６ 偏光板 ８ 合波器 ９ 駆動回路 １１ ニオブ酸リチウム基板 １２ ニオブ酸リチウム基板 ２１ 光導波路 ２２ 光導波路 ２３ 光導波路 ２４ Ｙ分岐光導波路 ４１ 電極 ４２ 電極 ７１ 入力側光ファイバ ７２ 入力側光ファイバ ７３ 出力側光ファイバ ７４ 出力側光ファイバ
Claims (10)
- 【請求項１】 基板中に形成された、互いに幅の異なる
第１の光導波路と第２の光導波路を含む導波路基板と、 前記光導波路の上部または近傍に形成された電極と、 前記第１の光導波路と前記第２の光導波路を伝搬する光
を合波する合波手段と、 電界成分が前記基板の表面に平行なＴＥモード光を前記
第１の光導波路に入力するＴＥモード光入力手段と、 磁界成分が前記基板の表面に平行なＴＭモード光を前記
第２の光導波路に入力するＴＭモード光入力手段とを備
え、 前記第１の光導波路の前記ＴＥモード光に対する伝搬損
失と前記第２の光導波路の前記ＴＭモード光に対する伝
搬損失が等しい ことを特徴とする導波路型光デバイス。 - 【請求項２】 前記第１の光導波路と前記第２の光導波
路は、互いに光導波路幅が異なることを特徴とする請求
項１記載の導波路型光デバイス。 - 【請求項３】 前記ＴＥモード光入力手段と前記ＴＭモ
ード光入力手段は、それぞれ前記第１の光導波路および
前記第２の光導波路に光学的に結合するように配置され
た定偏波光ファイバであることを特徴とする請求項２記
載の導波路型光デバイス。 - 【請求項４】 前記基板は、ニオブ酸リチウムであるこ
とを特徴とする請求項３記載の導波路型光デバイス。 - 【請求項５】 前記導波路型光デバイスは、さらに前記
基板と前記電極の間にバッファ層を有していることを特
徴とする請求項４記載の導波路型デバイス。 - 【請求項６】 前記バッファ層は、二酸化シリコンであ
ることを特徴とする請求項５記載の導波路型光デバイ
ス。 - 【請求項７】 前記合波手段は、前記基板端面に配置さ
れたルチル板であることを特徴とする請求項３記載の導
波路型光デバイス。 - 【請求項８】 前記合波手段は、前記基板端面に配置さ
れたシリコン基板上に二酸化シリコンにより形成された
Ｙ分岐形状を有するＹ分岐石英導波路であることを特徴
とする請求項３記載の導波路型光デバイス。 - 【請求項９】 前記合波手段は、前記基板中に形成され
たＹ分岐形状を有する光導波路であることを特徴とする
請求項３記載の導波路型光デバイス。 - 【請求項１０】 前記ＴＥモード光入力手段と前記ＴＭ
モード光入力手段は、 前記基板の端面に配置されたルチル板と、 前記ルチル板を介して前記第１の光導波路および前記第
２の光導波路に光学的に結合する光ファイバとを備えて
いることを特徴とする請求項２記載の導波路型光デバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270820A JP2814967B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 導波路型光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270820A JP2814967B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 導波路型光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09113854A JPH09113854A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2814967B2 true JP2814967B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=17491476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7270820A Expired - Lifetime JP2814967B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 導波路型光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814967B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3777045B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2006-05-24 | 富士通株式会社 | 偏波スクランブラー |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP7270820A patent/JP2814967B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09113854A (ja) | 1997-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980714 |