JPH04258918A - 光制御回路 - Google Patents
光制御回路Info
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- JPH04258918A JPH04258918A JP2091191A JP2091191A JPH04258918A JP H04258918 A JPH04258918 A JP H04258918A JP 2091191 A JP2091191 A JP 2091191A JP 2091191 A JP2091191 A JP 2091191A JP H04258918 A JPH04258918 A JP H04258918A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/20—Intrinsic phase difference, i.e. optical bias, of an optical modulator; Methods for the pre-set thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光波の変調、光路切り
替え等を行う光制御素子に関し、特に基板中に設けた光
導波路を用いて制御を行う導波形の光制御回路に関する
。
替え等を行う光制御素子に関し、特に基板中に設けた光
導波路を用いて制御を行う導波形の光制御回路に関する
。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの実用化が進むにつれ、
さらに大容量、高機能のシステムが要求されている。よ
り高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の
新たな機能の付加が必要とされている。現在の実用シス
テムでは、光信号は半導体レーザや発光ダイオードの注
入電流を直接変調することによって得られているが、高
速の光変調器や光スイッチ等の光制御素子が必要となっ
ている。高速の光制御素子としては電気光学効果を利用
する光制御素子が代表的であり、方向性結合器形光変調
器又はスイッチ、全反射形光スイッチ、分岐干渉形光変
調器又はスイッチに関する報告がなされている。
さらに大容量、高機能のシステムが要求されている。よ
り高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の
新たな機能の付加が必要とされている。現在の実用シス
テムでは、光信号は半導体レーザや発光ダイオードの注
入電流を直接変調することによって得られているが、高
速の光変調器や光スイッチ等の光制御素子が必要となっ
ている。高速の光制御素子としては電気光学効果を利用
する光制御素子が代表的であり、方向性結合器形光変調
器又はスイッチ、全反射形光スイッチ、分岐干渉形光変
調器又はスイッチに関する報告がなされている。
【０００３】例えば１０Ｇｂ／ｓ以上の超高速信号の変
調器、あるいはスイッチング素子としては、ＬｉＮｂＯ
３ 結晶中にＴｉを拡散して形成した光導波路を利用す
る素子が有り、マイクロ波と光波との速度整合を行った
進行波形電極を用いることにより変調帯域として２０Ｇ
Ｈｚ程度の値が得られている。
調器、あるいはスイッチング素子としては、ＬｉＮｂＯ
３ 結晶中にＴｉを拡散して形成した光導波路を利用す
る素子が有り、マイクロ波と光波との速度整合を行った
進行波形電極を用いることにより変調帯域として２０Ｇ
Ｈｚ程度の値が得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光制御素子を用いた光通信システムを実用化するた
めには、光制御素子の製作性も考慮する必要がある。例
えば、ＬｉＮｂＯ３ 結晶中にＴｉを拡散して形成した
方向性結合器形光変調器は、光導波路製作時においてＴ
ｉの厚さ、あるいは幅が数％変化することにより完全結
合長が数ｍｍ変化する。そのため、実用上必要とされる
消光比が１５ｄＢ以上の特性の素子を歩留まり良く製作
することは非常に困難であった。
うな光制御素子を用いた光通信システムを実用化するた
めには、光制御素子の製作性も考慮する必要がある。例
えば、ＬｉＮｂＯ３ 結晶中にＴｉを拡散して形成した
方向性結合器形光変調器は、光導波路製作時においてＴ
ｉの厚さ、あるいは幅が数％変化することにより完全結
合長が数ｍｍ変化する。そのため、実用上必要とされる
消光比が１５ｄＢ以上の特性の素子を歩留まり良く製作
することは非常に困難であった。
【０００５】一方、分岐干渉形光強度変調器は、分岐し
た光をそれぞれ２つの位相変調器部に導入して位相変調
し、それぞれの光の間に相対的な位相差を与えて光をｏ
ｎ／ｏｆｆするため、上記のような消光比の劣化はない
。しかし、従来の分岐干渉形光変調器では、分岐したそ
れぞれの位相変調器部の光導波路において、光導波路製
作時にＴｉの厚さや幅が数％部分的に変化することによ
って生じる屈折率の違いや、マスク製作時の誤差により
、位相変調器部の実効的な光路長に僅かな違いが生じる
。そのため、分岐した２つの光波の間に定常的な位相差
が生じて変調器の動作点がシフトしてしまう。
た光をそれぞれ２つの位相変調器部に導入して位相変調
し、それぞれの光の間に相対的な位相差を与えて光をｏ
ｎ／ｏｆｆするため、上記のような消光比の劣化はない
。しかし、従来の分岐干渉形光変調器では、分岐したそ
れぞれの位相変調器部の光導波路において、光導波路製
作時にＴｉの厚さや幅が数％部分的に変化することによ
って生じる屈折率の違いや、マスク製作時の誤差により
、位相変調器部の実効的な光路長に僅かな違いが生じる
。そのため、分岐した２つの光波の間に定常的な位相差
が生じて変調器の動作点がシフトしてしまう。
【０００６】このような光路長の変化は、光導波路製作
用マスクパターンの誤差やフォトリソグラフィ工程にお
けるゆらぎによって容易に生じ得るため、実際にこれを
なくすことはほとんど不可能である。そのため、設計通
りの動作点を有する変調器を製作することは事実上不可
能であった。従って、変調器を駆動するためには、変調
方式や素子に応じて直流バイアス電圧を変調信号に重畳
しなければならなかった。また必要な直流バイアス電圧
の値は素子によって異なるため、同一の駆動回路を使用
することができないという問題があった。
用マスクパターンの誤差やフォトリソグラフィ工程にお
けるゆらぎによって容易に生じ得るため、実際にこれを
なくすことはほとんど不可能である。そのため、設計通
りの動作点を有する変調器を製作することは事実上不可
能であった。従って、変調器を駆動するためには、変調
方式や素子に応じて直流バイアス電圧を変調信号に重畳
しなければならなかった。また必要な直流バイアス電圧
の値は素子によって異なるため、同一の駆動回路を使用
することができないという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解
決すべく、光波の位相を適切に制御するように構成した
光制御回路を提供することにある。
決すべく、光波の位相を適切に制御するように構成した
光制御回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
べく、本発明は、基板面上もしくは基板面付近に形成さ
れ、かつ分岐干渉系を構成する第１および第２の光導波
路と、該第１および第２の光導波路の近傍にそれぞれ配
置された第１および第２の電極とをそれぞれ有する第１
および第２の制御素子を少くとも具備した光制御回路で
あって、前記第１および第２の光導波路の少くとも一方
の近傍に光波の位相調整領域を配置し、前記第１および
第２の光導波路を伝搬する光波の位相を相対的に調整可
能となしたことを特徴とする。
べく、本発明は、基板面上もしくは基板面付近に形成さ
れ、かつ分岐干渉系を構成する第１および第２の光導波
路と、該第１および第２の光導波路の近傍にそれぞれ配
置された第１および第２の電極とをそれぞれ有する第１
および第２の制御素子を少くとも具備した光制御回路で
あって、前記第１および第２の光導波路の少くとも一方
の近傍に光波の位相調整領域を配置し、前記第１および
第２の光導波路を伝搬する光波の位相を相対的に調整可
能となしたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明による光制御回路では、基板面上もしく
は基板面付近に形成され、かつ分岐干渉系を構成する第
１および第２の光導波路とその第１および第２の光導波
路の近傍に設置された第１および第２の電極とによって
構成される第１および第２の光制御素子を少くとも具備
し、前記分岐干渉系を構成する少なくとも一方の光導波
路の近傍に光波の位相調整領域が設けられ、前記分岐干
渉系を構成する第１および第２の光導波路を伝搬する光
波の位相を相対的に調整できるように構成されているの
で、変調器の動作点を所望の位置に設定することができ
、したがって、直流バイアス電圧を重畳することなしに
変調器を効率よく駆動できる。
は基板面付近に形成され、かつ分岐干渉系を構成する第
１および第２の光導波路とその第１および第２の光導波
路の近傍に設置された第１および第２の電極とによって
構成される第１および第２の光制御素子を少くとも具備
し、前記分岐干渉系を構成する少なくとも一方の光導波
路の近傍に光波の位相調整領域が設けられ、前記分岐干
渉系を構成する第１および第２の光導波路を伝搬する光
波の位相を相対的に調整できるように構成されているの
で、変調器の動作点を所望の位置に設定することができ
、したがって、直流バイアス電圧を重畳することなしに
変調器を効率よく駆動できる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１は本発明による光制御回路の一実施例
を説明するためのＹ分岐を用いた分岐干渉形光強度変調
器を示す図である。ここで、図１（Ａ）は平面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）の平面図中のＢ−Ｂ′線における断
面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の平面図中のＣ−Ｃ′線
における断面図である。
を説明するためのＹ分岐を用いた分岐干渉形光強度変調
器を示す図である。ここで、図１（Ａ）は平面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）の平面図中のＢ−Ｂ′線における断
面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の平面図中のＣ−Ｃ′線
における断面図である。
【００１２】図１において、ＬｉＮｂＯ３ 基板１０１
の上に、互に数十μｍの間隔で近接した幅数〜数十μｍ
、長さ数〜数十ｍｍの１対の光導波路１０２および１０
３が設置され、その各光導波路１０２および１０３の上
に光吸収を防ぐために設けたＳｉＯ２ 膜１１３を介し
て１対の電極１１４および１１５が形成され、これらの
光導波路１０２および１０３と各対応する電極１１４お
よび１１５により２つの位相変調形光制御素子が構成さ
れている。
の上に、互に数十μｍの間隔で近接した幅数〜数十μｍ
、長さ数〜数十ｍｍの１対の光導波路１０２および１０
３が設置され、その各光導波路１０２および１０３の上
に光吸収を防ぐために設けたＳｉＯ２ 膜１１３を介し
て１対の電極１１４および１１５が形成され、これらの
光導波路１０２および１０３と各対応する電極１１４お
よび１１５により２つの位相変調形光制御素子が構成さ
れている。
【００１３】図１（Ｂ）に示すように、光導波路１０２
の一部については、ＳｉＯ２ 膜１１３に開口があいて
おり、位相調整領域１１０が設けられている。
の一部については、ＳｉＯ２ 膜１１３に開口があいて
おり、位相調整領域１１０が設けられている。
【００１４】３ｄＢ分岐部光導波路１０４は入力光Ｙ分
岐光導波路であり、その開き角は数ｍｒａｄとし、２本
の位相変調器部光導波路１０２と１０３の間隔は数十μ
ｍとする。合流部光導波路１０５も３ｄＢ分岐部光導波
路１０４と同様に開き角数ｍｒａｄのＹ分岐光導波路で
ある。
岐光導波路であり、その開き角は数ｍｒａｄとし、２本
の位相変調器部光導波路１０２と１０３の間隔は数十μ
ｍとする。合流部光導波路１０５も３ｄＢ分岐部光導波
路１０４と同様に開き角数ｍｒａｄのＹ分岐光導波路で
ある。
【００１５】基板１０１の端面には、入射端１０８をも
つ入力光導波路１０６が３ｄＢ分岐部１０４に接続され
る。基板１０１の入射端と対向する端面には、出射端１
０９をもつ出力光導波路１０７が合流部１０５に接続さ
れる。ここで、光導波路パターンの幅は５〜１０μｍで
ある。
つ入力光導波路１０６が３ｄＢ分岐部１０４に接続され
る。基板１０１の入射端と対向する端面には、出射端１
０９をもつ出力光導波路１０７が合流部１０５に接続さ
れる。ここで、光導波路パターンの幅は５〜１０μｍで
ある。
【００１６】上述の実施例に示した素子は、たとえば、
図２に示すような作製方法により得られる。まず、図２
（Ａ）に示すように、ＬｉＮｂＯ３ 基板１０１上に通
常のフォトリソグラフィ技術を用いて光導波路のパター
ンを形成する。すなわち、ＬｉＮｂＯ３ 基板１０１上
にフォトレジストを一様に塗布し、光導波路部分と同形
のフォトマスクを通して上記フォトレジストを露光し、
現像することによって、フォトレジスト膜に導波路形状
の溝を形成する。パターンの幅は、５〜１０μｍである
。フォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト膜に
導波路形状の溝を形成した後、この上からまずＴｉ膜を
厚さ７０〜１００ｎｍ程度で全面に形成し、その後フォ
トレジスト膜を溶解することによって図２（Ａ）に示す
ような光導波路の形状と同形のＴｉ膜パターン２０２を
形成する。
図２に示すような作製方法により得られる。まず、図２
（Ａ）に示すように、ＬｉＮｂＯ３ 基板１０１上に通
常のフォトリソグラフィ技術を用いて光導波路のパター
ンを形成する。すなわち、ＬｉＮｂＯ３ 基板１０１上
にフォトレジストを一様に塗布し、光導波路部分と同形
のフォトマスクを通して上記フォトレジストを露光し、
現像することによって、フォトレジスト膜に導波路形状
の溝を形成する。パターンの幅は、５〜１０μｍである
。フォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト膜に
導波路形状の溝を形成した後、この上からまずＴｉ膜を
厚さ７０〜１００ｎｍ程度で全面に形成し、その後フォ
トレジスト膜を溶解することによって図２（Ａ）に示す
ような光導波路の形状と同形のＴｉ膜パターン２０２を
形成する。
【００１７】次に、この基板を１０００〜１１００℃、
５〜１０時間程度高温炉中で加熱してＴｉをＬｉＮｂＯ
３ 基板２０１中へ拡散する。それによりＴｉ拡散部分
のみ屈折率が僅かに増加して光導波路１０２および１０
３を形成する。
５〜１０時間程度高温炉中で加熱してＴｉをＬｉＮｂＯ
３ 基板２０１中へ拡散する。それによりＴｉ拡散部分
のみ屈折率が僅かに増加して光導波路１０２および１０
３を形成する。
【００１８】次に、電極での光吸収を防ぐために、Ｌｉ
ＮｂＯ３ 基板１０１上にＳｉＯ２ 膜を厚さ４００ｎ
ｍ程度形成し、位相変調器部の真上のＳｉＯ２ 膜上に
ＣｒとＡｕもしくはＣｒとＡｌを積層して、図１に示し
たような１対の電極１１４および１１５を形成する。
ＮｂＯ３ 基板１０１上にＳｉＯ２ 膜を厚さ４００ｎ
ｍ程度形成し、位相変調器部の真上のＳｉＯ２ 膜上に
ＣｒとＡｕもしくはＣｒとＡｌを積層して、図１に示し
たような１対の電極１１４および１１５を形成する。
【００１９】その後、図２（Ｂ）に示すような窓２０５
を開けた位相調整領域製作用マスクパターン２０６を、
通常のフォトリソグラフィ技術により導波路２０３およ
び２０４が作製されている基板上に形成する。ここで、
この窓２０５の幅は、５〜１０μｍ程度、長さは数ｍｍ
〜数十ｍｍ程度である。
を開けた位相調整領域製作用マスクパターン２０６を、
通常のフォトリソグラフィ技術により導波路２０３およ
び２０４が作製されている基板上に形成する。ここで、
この窓２０５の幅は、５〜１０μｍ程度、長さは数ｍｍ
〜数十ｍｍ程度である。
【００２０】次に、この基板を例えばフッ酸中に、数分
から数十分程度浸積してＳｉＯ２ バッファ層１１３の
エッチングを行ない、基板上からフォトレジスト膜を除
去して、図１に示す位相調整領域１１０の位置に開口の
形成されたＳｉＯ２ 膜１１３を形成する。
から数十分程度浸積してＳｉＯ２ バッファ層１１３の
エッチングを行ない、基板上からフォトレジスト膜を除
去して、図１に示す位相調整領域１１０の位置に開口の
形成されたＳｉＯ２ 膜１１３を形成する。
【００２１】その後、入出力光導波路１０６および１０
７に垂直方向に研磨もしくは劈開により光入出力端面１
０８および１０９を形成する。
７に垂直方向に研磨もしくは劈開により光入出力端面１
０８および１０９を形成する。
【００２２】最後に、光導波路１０２および１０３に光
を導入し、電極１１４および１１５に電圧を印加して、
光出力をモニタしながら、位相調整領域用窓２０５内に
適当な屈折率の物質（例えばフォトレジスト等）を塗布
して位相調整領域１１０を形成する。以上の製造方法に
より、図１に示す分岐干渉形光制御回路が形成される。
を導入し、電極１１４および１１５に電圧を印加して、
光出力をモニタしながら、位相調整領域用窓２０５内に
適当な屈折率の物質（例えばフォトレジスト等）を塗布
して位相調整領域１１０を形成する。以上の製造方法に
より、図１に示す分岐干渉形光制御回路が形成される。
【００２３】次に、図１に示した光制御回路の動作を説
明する。入射端１０８への入射光１１１は入力光導波路
１０６を通過して３ｄＢ分岐部光導波路１０４へ導かれ
、光導波路１０２と１０３とに分岐する。ここで、光導
波路１０２と１０３とは幅、長さがまったく等しい導波
路である。
明する。入射端１０８への入射光１１１は入力光導波路
１０６を通過して３ｄＢ分岐部光導波路１０４へ導かれ
、光導波路１０２と１０３とに分岐する。ここで、光導
波路１０２と１０３とは幅、長さがまったく等しい導波
路である。
【００２４】光導波路が理想的に製作されている場合、
印加電圧０の状態では光導波路１０２と１０３を通過し
てきた光はそれぞれ光路長が等しいため、合波部１０５
において位相が等しい。したがって、合波部１０５にお
いてそのまま合波され、出力光導波路１０７を通って出
射端１０９から出射する。
印加電圧０の状態では光導波路１０２と１０３を通過し
てきた光はそれぞれ光路長が等しいため、合波部１０５
において位相が等しい。したがって、合波部１０５にお
いてそのまま合波され、出力光導波路１０７を通って出
射端１０９から出射する。
【００２５】一方、電極１１４および１１５に電圧を印
加した場合には、電気光学効果による屈折率変化によっ
て光導波路１０２と１０３の伝搬光との間に位相差△Φ
が生じる。その結果、合波部１０５では光が干渉し、前
記の位相差△Φに応じて光強度が変化する。したがって
、出力光１１２は印加電圧に対して正弦波状に変化し、
図３（Ａ）に示すような特性を示す。なお、図３（Ａ）
において、光出力をｏｎ／ｏｆｆさせるのに必要な電圧
を半波長電圧Ｖπとしている。
加した場合には、電気光学効果による屈折率変化によっ
て光導波路１０２と１０３の伝搬光との間に位相差△Φ
が生じる。その結果、合波部１０５では光が干渉し、前
記の位相差△Φに応じて光強度が変化する。したがって
、出力光１１２は印加電圧に対して正弦波状に変化し、
図３（Ａ）に示すような特性を示す。なお、図３（Ａ）
において、光出力をｏｎ／ｏｆｆさせるのに必要な電圧
を半波長電圧Ｖπとしている。
【００２６】しかしながら、図２において、２つの位相
変調器部の光導波路１０２および１０３の長さが０．１
μｍ程度異なっていた場合、あるいは導波路製作時の位
相変調器部のＴｉパターン２０２の幅が数％部分的に変
化して光導波路の屈折率が僅かに異なっていた場合、２
つの位相変調器部の光導波路１０２および１０３の光路
長が異なってしまう。そのため、印加電圧０の状態でも
合波部１０５において位相差が生じてしまい、光出力が
最大とはならない。その結果、印加電圧−光出力特性が
シフトし、一例として図３（Ｂ）に示すような特性にな
る。
変調器部の光導波路１０２および１０３の長さが０．１
μｍ程度異なっていた場合、あるいは導波路製作時の位
相変調器部のＴｉパターン２０２の幅が数％部分的に変
化して光導波路の屈折率が僅かに異なっていた場合、２
つの位相変調器部の光導波路１０２および１０３の光路
長が異なってしまう。そのため、印加電圧０の状態でも
合波部１０５において位相差が生じてしまい、光出力が
最大とはならない。その結果、印加電圧−光出力特性が
シフトし、一例として図３（Ｂ）に示すような特性にな
る。
【００２７】本発明では、上述したように分岐干渉系を
構成する一方の光導波路１０２において、バッファ層１
１３に窓２０５を開け、適当な屈折率の物質を塗布する
ことによって位相調整領域１１０を設けている。これに
より、光導波路１０２の実効屈折率を変化させ、光導波
路１０２の光路長を変化させて合波部１０５における位
相差を所望の値に設定し、光変調器の動作点を所望の位
置に設定することができる。
構成する一方の光導波路１０２において、バッファ層１
１３に窓２０５を開け、適当な屈折率の物質を塗布する
ことによって位相調整領域１１０を設けている。これに
より、光導波路１０２の実効屈折率を変化させ、光導波
路１０２の光路長を変化させて合波部１０５における位
相差を所望の値に設定し、光変調器の動作点を所望の位
置に設定することができる。
【００２８】たとえば、図３（Ａ）に示すように、印加
電圧０の時に光出力が最大となるように設定することが
できる。あるいはまた、図３（Ｃ）に示すように、印加
電圧０の時に光出力が最大値の１／２になるようにする
ことも可能である。
電圧０の時に光出力が最大となるように設定することが
できる。あるいはまた、図３（Ｃ）に示すように、印加
電圧０の時に光出力が最大値の１／２になるようにする
ことも可能である。
【００２９】図４は、本発明による光制御回路の他の実
施例を説明するためのＹ分岐を用いた分岐干渉形光強度
変調器を示す図である。ここで、図４（Ａ）は平面図、
図４（Ｂ）は図４（Ａ）の平面図中のＢ−Ｂ′線におけ
る断面図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）の平面図中のＣ−Ｃ
′線における断面図である。図４において図１と同様の
個所には同一符号を付してその説明を省略する。
施例を説明するためのＹ分岐を用いた分岐干渉形光強度
変調器を示す図である。ここで、図４（Ａ）は平面図、
図４（Ｂ）は図４（Ａ）の平面図中のＢ−Ｂ′線におけ
る断面図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）の平面図中のＣ−Ｃ
′線における断面図である。図４において図１と同様の
個所には同一符号を付してその説明を省略する。
【００３０】図４（Ａ）において、分岐した２本の光導
波路１０２および１０３の近傍にそれぞれ位相調整領域
１１０および１２０が設けられている。残余の構成は図
１と同様である。
波路１０２および１０３の近傍にそれぞれ位相調整領域
１１０および１２０が設けられている。残余の構成は図
１と同様である。
【００３１】本実施例では、位相調整領域１１０および
１２０のいずれか一方または双方に対する窓に屈折率の
調整を行う物質を塗布して、上述した実施例のように、
光変調器の動作点を所望の位置に設定することができる
。
１２０のいずれか一方または双方に対する窓に屈折率の
調整を行う物質を塗布して、上述した実施例のように、
光変調器の動作点を所望の位置に設定することができる
。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように本発明の光制御回路に
よれば、光変調器の動作点を駆動条件に合わせて任意に
設定することが可能であり、特性の良い光変調器を歩留
まり良く製作できる。
よれば、光変調器の動作点を駆動条件に合わせて任意に
設定することが可能であり、特性の良い光変調器を歩留
まり良く製作できる。
【００３３】さらに、本発明によれば、光変調器を駆動
する際に、印加される実効的な直流電圧が０になるよう
に光変調器の動作点を設定できるため、ＬｉＮｂＯ３
等の強誘電体結晶材料を用いた光制御素子で問題になっ
ているＤＣドリフトの無い素子を製作できる。
する際に、印加される実効的な直流電圧が０になるよう
に光変調器の動作点を設定できるため、ＬｉＮｂＯ３
等の強誘電体結晶材料を用いた光制御素子で問題になっ
ているＤＣドリフトの無い素子を製作できる。
【００３４】本発明は上述した実施例に限定されるもの
ではなく、光波の位相を制御することを利用するいかな
る方式の光制御回路、例えばバランスブリッジ形光強度
変調器やスイッチ等に対しても適用できる。
ではなく、光波の位相を制御することを利用するいかな
る方式の光制御回路、例えばバランスブリッジ形光強度
変調器やスイッチ等に対しても適用できる。
【００３５】本発明に用いる基板の材料、光導波路の形
状、電極の形状等は上記実施例に限定されるものではな
く、たとえば基板材料としてＬｉＴａＯ３結晶等の強誘
電体結晶や石英等の絶縁体材料、あるいはＧａＡｓ等の
半導体材料を用いることができる。光導波路としてリッ
ジ型光導波路等を用いることができる。電極形状として
は、高速化に適した進行波形の電極等を用いることがで
きる。
状、電極の形状等は上記実施例に限定されるものではな
く、たとえば基板材料としてＬｉＴａＯ３結晶等の強誘
電体結晶や石英等の絶縁体材料、あるいはＧａＡｓ等の
半導体材料を用いることができる。光導波路としてリッ
ジ型光導波路等を用いることができる。電極形状として
は、高速化に適した進行波形の電極等を用いることがで
きる。
【００３６】本発明における位相調整領域は上記実施例
に限定されるものではなく、光導波路の実効屈折率を変
化させることができるものであればいかなる形態のもの
でも用いることができる。
に限定されるものではなく、光導波路の実効屈折率を変
化させることができるものであればいかなる形態のもの
でも用いることができる。
【図１】本発明の光制御回路の第１の実施例を説明する
ための図である。
ための図である。
【図２】本発明の光制御回路の第１の実施例の製造方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】本発明の光制御回路において、電極に電圧を印
加した場合の、印加電圧対光出力の特性図である。
加した場合の、印加電圧対光出力の特性図である。
【図４】本発明の光制御回路の第２の実施例を説明する
ための図である。
ための図である。
１０１ 基板
１０２，１０３ 光制御素子を構成する光導波路１０
４，１０５ Ｙ分岐光導波路 １０６，１０７ 入出力光導波路 １１０，１２０ 位相調整領域 １１４，１１５ 電極 ２０２ 拡散物であるＴｉの薄膜 ２０５ 位相調整領域用窓
４，１０５ Ｙ分岐光導波路 １０６，１０７ 入出力光導波路 １１０，１２０ 位相調整領域 １１４，１１５ 電極 ２０２ 拡散物であるＴｉの薄膜 ２０５ 位相調整領域用窓
Claims (1)
- 【請求項１】 基板面上もしくは基板面付近に形成さ
れ、かつ分岐干渉系を構成する第１および第２の光導波
路と、該第１および第２の光導波路の近傍にそれぞれ配
置された第１および第２の電極とをそれぞれ有する第１
および第２の制御素子を少くとも具備した光制御回路で
あって、前記第１および第２の光導波路の少くとも一方
の近傍に光波の位相調整領域を配置し、前記第１および
第２の光導波路を伝搬する光波の位相を相対的に調整可
能となしたことを特徴とする光制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091191A JPH04258918A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 光制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091191A JPH04258918A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 光制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258918A true JPH04258918A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12040408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2091191A Pending JPH04258918A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 光制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04258918A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006276577A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2009162889A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Seikoh Giken Co Ltd | 光変調器 |
| JP2013054240A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路素子 |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP2091191A patent/JPH04258918A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006276577A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP4694235B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-06-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| JP2009162889A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Seikoh Giken Co Ltd | 光変調器 |
| JP2013054240A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路素子 |
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