JP3957217B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
図9において、従来のマッハツェンダ型光変調器は、基板101に形成された入射導波路111、分岐部112、平行導波路113A,113B、合波部114および出射導波路115からなる光導波路構造を有し、平行導波路113A,113B上に信号電極121および接地電極122を設けたコプレーナ電極を備える。このコプレーナ電極は、例えばZ−カットの結晶基板101を用いる場合、Z方向の電界による屈折率変化を利用するために、平行導波路113A,113Bの真上に信号電極121および接地電極122が配置される。具体的には、平行導波路113A,113Bの上に各電極121,122がそれぞれパターニングされることになるが、平行導波路113A,113B中を伝搬する光が信号電極121および接地電極122によって吸収されるのを防ぐために、結晶基板101と信号電極121および接地電極122との間にバッファ層102が形成される。このバッファ層102としては、例えば、厚さ0.2〜1μmのSiO2が用いられる。
また、本発明に係る光変調器の他の態様は、電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ干渉計の構造を有する光導波路を形成し、該光導波路の分岐部および合波部の間に位置する一対の平行導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極としたその信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、光導波路を伝搬する光の変調を行うマッハツェンダ型の光変調器であって、上記の基板は、一対の平行導波路を伝搬する光と信号電極を伝搬する電気信号とが相互に作用する相互作用部について、一部の領域の分極方向を他の領域の分極方向に対して反転させた分極反転領域を有し、上記の信号電極は、相互作用部の分極反転領域内では一対の平行導波路のうちの一方の平行導波路近傍に配置され、相互作用部の分極反転されていない非反転領域内では他方の平行導波路近傍に配置され、上記の非反転領域は、一対の平行導波路における光の伝搬方向についての中心位置が、相互作用部の光の伝搬方向についての中心位置に略一致し、上記の分極反転領域は、該非反転領域の前後に配置されることを特徴とする。
また、本発明に係る光変調器の他の態様は、電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ干渉計の構造を有する光導波路を形成し、該光導波路の分岐部および合波部の間に位置する一対の平行導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極としたその信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、光導波路を伝搬する光の変調を行うマッハツェンダ型の光変調器であって、上記の基板は、一対の平行導波路を伝搬する光と信号電極を伝搬する電気信号とが相互に作用する相互作用部について、一部の領域の分極方向を他の領域の分極方向に対して反転させた分極反転領域を有し、上記の信号電極は、相互作用部の分極反転領域内では一対の平行導波路のうちの一方の平行導波路近傍に配置され、相互作用部の分極反転されていない非反転領域内では他方の平行導波路近傍に配置され、上記の分極反転領域及び前記非反転領域は、それぞれ複数の小領域に分けて、相互作用部の光の伝搬方向についての中心を軸として対称な位置に配置されることを特徴とする。
また、上記光変調器の他の態様として、分極反転領域は、一対の平行導波路における光の伝搬方向について、波長チャープの要求値に応じて設定される長さを有し、光の伝搬方向に垂直な方向について、一対の平行導波路を含むことが可能な長さを有するようにしてもよい。かかる構成では、適用されるシステムの要求値に応じた波長チャープが発生した変調光を得ることができるようになる。
次に、第1実施形態の光変調器の動作について説明する。
本光変調器では、外部から入射導波路11に与えられた連続光が分岐部12で2分岐されて各平行導波路13A,13Bにそれぞれ送られる。各平行導波路13A,13Bには、信号電極21を進行する高周波電気信号Sに応じて信号電極21と接地電極22の間で発生する電界E(図2の矢印線)が印加され、この電界Eによる電気光学効果によって各平行導波路13A,13Bの屈折率が変化する。これにより、各平行導波路13A,13Bを伝搬する各々の光の位相がそれぞれ変化するようになる。
θA=(+ΔnS)・L1+(+ΔnG)・L2
=+(ΔnS+ΔnG)・L/2 …(1)
θB=(−ΔnG)・L1+(−ΔnS)・L2
=−(ΔnS+ΔnG)・L/2 …(2)
ただし、ΔnSは信号電極21の下に位置する平行導波路の屈折率変化量であり、ΔnGは接地電極22の下に位置する平行導波路の屈折率変化量である。
上記の第1実施形態では、マッハツェンダ型光変調器で発生する波長チャープを略零にすることを目標として分極反転領域Rの長さを設計するようにした。しかし、本光変調器が適用されるシステムによっては、波長チャープの要求値が零でない場合もある。そこで、第2実施形態では、上記のような場合に対応した光変調器について説明する。
図4において、本マッハツェンダ型光変調器の構成が、前述の図1に示した第1実施形態の場合の構成と異なる点は、基板1に形成される分極反転領域Rの光の伝搬方向についての長さL2を、システムで要求される波長チャープの値に応じて変更すると共に、その分極反転領域Rの変更に対応して信号電極21および接地電極22のパターンを変更した点である。上記以外の他の構成は、第1実施形態の場合と同様であるためここでの説明を省略する。
図5は、第3実施形態のマッハツェンダ型光変調器の構成を示す平面図である。
図5において、本マッハツェンダ型光変調器の構成が前述の図1に示した第1実施形態の場合の構成と異なる点は、基板1における相互作用部の長手方向の中央部分に分極反転領域Rを形成することによって、その分極反転領域Rの前後(図5で左側および右側)に非反転領域がそれぞれ配置されるようにし、また、上記分極反転領域Rの配置に対応させて、信号電極21が非反転領域では平行導波路13A上に位置し、分極反転領域Rでは平行導波路13B上に位置するようにコプレーナ電極20のパターンを変更した点である。上記以外の他の構成は、第1実施形態の場合と同様であるためここでの説明を省略する。
図7は、第4実施形態のマッハツェンダ型光変調器の構成を示す平面図である。
図7において、本実施形態のマッハツェンダ型光変調器は、例えば、前述の図5に示した第3実施形態の構成を2段直列に接続して1つの光変調器を構成したものである。この光変調器に対しては、例えば、前段の信号電極21に印加する高周波電気信号Sとしてクロック信号を使用し、後段の信号電極21’に印加する高周波電気信号S’としてデータ信号を使用することにより、RZフォーマット等に従って変調された光信号が生成されるようになる。これにより、波長チャープの発生を抑えたRZ形式の光信号をZ−カットのマッハツェンダ型光変調器によって容易に得ることが可能になる。
Claims (12)
- 電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ干渉計の構造を有する光導波路を形成し、該光導波路の分岐部および合波部の間に位置する一対の平行導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極とした前記信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、前記光導波路を伝搬する光の変調を行うマッハツェンダ型の光変調器であって、
前記基板は、前記一対の平行導波路を伝搬する光と前記信号電極を伝搬する電気信号とが相互に作用する相互作用部について、一部の領域の分極方向を他の領域の分極方向に対して反転させた分極反転領域を有し、
前記信号電極は、前記相互作用部の分極反転領域内では前記一対の平行導波路のうちの一方の平行導波路近傍に配置され、前記相互作用部の分極反転されていない非反転領域内では他方の平行導波路近傍に配置され、
前記分極反転領域は、前記一対の平行導波路における光の伝搬方向についての中心位置が、前記相互作用部の光の伝搬方向についての中心位置に略一致し、
前記非反転領域は、該分極反転領域の前後に配置されることを特徴とする光変調器。 - 電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ干渉計の構造を有する光導波路を形成し、該光導波路の分岐部および合波部の間に位置する一対の平行導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極とした前記信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、前記光導波路を伝搬する光の変調を行うマッハツェンダ型の光変調器であって、
前記基板は、前記一対の平行導波路を伝搬する光と前記信号電極を伝搬する電気信号とが相互に作用する相互作用部について、一部の領域の分極方向を他の領域の分極方向に対して反転させた分極反転領域を有し、
前記信号電極は、前記相互作用部の分極反転領域内では前記一対の平行導波路のうちの一方の平行導波路近傍に配置され、前記相互作用部の分極反転されていない非反転領域内では他方の平行導波路近傍に配置され、
前記非反転領域は、前記一対の平行導波路における光の伝搬方向についての中心位置が、前記相互作用部の光の伝搬方向についての中心位置に略一致し、
前記分極反転領域は、該非反転領域の前後に配置されることを特徴とする光変調器。 - 請求項1又は請求項2に記載の光変調器であって、
前記分極反転領域は、前記一対の平行導波路における光の伝搬方向について、前記相互作用部の全長の略1/2倍の長さを有し、前記光の伝搬方向に垂直な方向について、前記一対の平行導波路を含むことが可能な長さを有することを特徴とする光変調器。 - 請求項1又は請求項2に記載の光変調器であって、
前記分極反転領域は、前記一対の平行導波路における光の伝搬方向について、波長チャープの要求値に応じて設定される長さを有し、前記光の伝搬方向に垂直な方向について、前記一対の平行導波路を含むことが可能な長さを有することを特徴とする光変調器。 - 電気光学効果を有する基板にマッハツェンダ干渉計の構造を有する光導波路を形成し、該光導波路の分岐部および合波部の間に位置する一対の平行導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、進行波電極とした前記信号電極に、変調データに対応した電気信号を印加することにより、前記光導波路を伝搬する光の変調を行うマッハツェンダ型の光変調器であって、
前記基板は、前記一対の平行導波路を伝搬する光と前記信号電極を伝搬する電気信号とが相互に作用する相互作用部について、一部の領域の分極方向を他の領域の分極方向に対して反転させた分極反転領域を有し、
前記信号電極は、前記相互作用部の分極反転領域内では前記一対の平行導波路のうちの一方の平行導波路近傍に配置され、前記相互作用部の分極反転されていない非反転領域内では他方の平行導波路近傍に配置され、
前記分極反転領域及び前記非反転領域は、それぞれ複数の小領域に分けて、前記相互作用部の光の伝搬方向についての中心を軸として対称な位置に配置されることを特徴とする光変調器。 - 請求項5に記載の光変調器であって、
前記分極反転領域をなす複数の小領域は、前記一対の平行導波路における光の伝搬方向についての長さの和が前記相互作用部の全長の略1/2倍の長さを有し、前記光の伝搬方向に垂直な方向について、前記一対の平行導波路を含むことが可能な長さを有することを特徴とする光変調器。 - 請求項5に記載の光変調器であって、
前記分極反転領域をなす複数の小領域は、前記一対の平行導波路における光の伝搬方向についての長さの和が前記波長チャープの要求値に応じて設定される長さを有し、前記光の伝搬方向に垂直な方向について、前記一対の平行導波路を含むことが可能な長さを有することを特徴とする光変調器。 - 請求項1、請求項2又は請求項5に記載の光変調器を1つの単位構成として、複数の単位構成を直列に接続して構成したことを特徴とする光変調器。
- 請求項1、請求項2又は請求項5に記載の光変調器であって、
前記基板に対してバイアス電圧に応じた電界を与えるためのバイアス電極を有し、前記信号電極には、変調データに従って変化する高周波電気信号が印加されることを特徴とする光変調器。 - 請求項1、請求項2又は請求項5に記載の光変調器であって、
前記信号電極および前記接地電極は、前記基板の表面にバッファ層を介して設けられることを特徴とする光変調器。 - 請求項1、請求項2又は請求項5に記載の光変調器であって、
前記基板は、Z−カットのニオブ酸リチウム基板であることを特徴とする光変調器。 - 請求項11に記載の光変調器であって、
前記光導波路は、前記基板の−Z面に形成されることを特徴とする光変調器。
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