JPH01197724A - 光導波路スィッチ - Google Patents
光導波路スィッチInfo
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- JPH01197724A JPH01197724A JP2318988A JP2318988A JPH01197724A JP H01197724 A JPH01197724 A JP H01197724A JP 2318988 A JP2318988 A JP 2318988A JP 2318988 A JP2318988 A JP 2318988A JP H01197724 A JPH01197724 A JP H01197724A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔座業上の利用分野〕
本発明は光通信等において光波の変調１元冷の切替え等
を行なう元スイ、チに関し、特に基板上に形成された光
導波路を用いた元４匝路スイッチに関する。
を行なう元スイ、チに関し、特に基板上に形成された光
導波路を用いた元４匝路スイッチに関する。
元通１ｄシステムの実用化が進み、大容量や多機能をも
つさらに烏度のシステ二へと開発が進められている。光
伝送路網の交換囁能、光データバスにおける端末間の筒
速接続、切替え等の新たな機能が求められており、それ
らを可能にする元スイ、チングネットワークの必要性が
高まっている。
つさらに烏度のシステ二へと開発が進められている。光
伝送路網の交換囁能、光データバスにおける端末間の筒
速接続、切替え等の新たな機能が求められており、それ
らを可能にする元スイ、チングネットワークの必要性が
高まっている。
現在実用されている元スイッチは、プリズム、ミラー、
ファイバ等を機械的に移動さゼるものであシ、低速でそ
・ること１厘頼性が不十分なこと、形状が大きくマトリ
クス化に不適なこと等の欠点が ４ある。これを解決す
る手段として開発が進められているものは基板上に設置
した光４波路を用いた４波形の元スイッチであり、高速
、多素子の集積化がｏＪ能、烏匿頼等の特長がある。特
にＬｉＮｂＯ５結晶等の強誘電体材料を用いたものは１
元吸収が小さく低損失であることと大きな電気光学効果
を有しているため島効率である等の特長がある。
ファイバ等を機械的に移動さゼるものであシ、低速でそ
・ること１厘頼性が不十分なこと、形状が大きくマトリ
クス化に不適なこと等の欠点が ４ある。これを解決す
る手段として開発が進められているものは基板上に設置
した光４波路を用いた４波形の元スイッチであり、高速
、多素子の集積化がｏＪ能、烏匿頼等の特長がある。特
にＬｉＮｂＯ５結晶等の強誘電体材料を用いたものは１
元吸収が小さく低損失であることと大きな電気光学効果
を有しているため島効率である等の特長がある。
一般に元スイッチは光伝送路中に挿入され、光フアイバ
中を伝搬した元信号の光路を切り替えるために使用され
る場合が多い。高速、大容量の光通信システムでは元フ
ァイバとして単一モード光ファイバが使用され、光源に
は半畳体レーザが使われる。半畳体レーザ尤は直線偏光
を出射するが。
中を伝搬した元信号の光路を切り替えるために使用され
る場合が多い。高速、大容量の光通信システムでは元フ
ァイバとして単一モード光ファイバが使用され、光源に
は半畳体レーザが使われる。半畳体レーザ尤は直線偏光
を出射するが。
単一モード元ファイバ中を伝虻された元彼は一般にだ円
偏光となり、また、その偏光状態も時間的に変動する。
偏光となり、また、その偏光状態も時間的に変動する。
一方、 Ａ’（述の導反形の元スイッチでは１通常の構
成の場合、スイッチ′亀圧、クロストーク等の特性は入
射光の偏光状態に大きく依存するという欠点がある。第
２図ｆａ）は従来の４匝形光スイッチの一例である方向
性結合形光スイッチを示す斜視図である。元学軸すなわ
ち２＠方向に垂直に切り出して整形したＬ ｉ Ｎ ｂ
Ｏｓ結晶基板３１上にＴｉ＃の金属を拡散して光導波
路３２．３３が形成されている。元＃４ｅ、路３２．３
３は数μｍ程度の間隔で近接して設置されることによシ
光方向性結合器３４を構成しており１光導波路３２゜３
３上にバッファ層である８ｉ ０ｚＰＩＸ（ｇ ２図（
ａ）では図示は省略）を介してＲ１１ｌ 御’ＭＥ極３
５及び３９が設置されている。この元スイッチの基本的
な動作原理は、先ず１片方の光４反路例えば３２の端面
から入射した九彼１６は元４技路３２中を伝搬し、光方
向性結合器３４の部分で近接した光導波路３３にエネル
ギーが移行し１光方向性結合器３４の長さを完全納付艮
Ｌｃに一致させた場合は、はぼ１００％のエネルギーが
光導波路３３に移って出射光３７となる。一方、制＃電
極３５と３９の間に電圧を印加した場合、電気光学効果
によって光４波路３２．３３の屈折率が変化して両者の
屈折率が非対称となり１両者を伝搬する光波の間で位相
不整合が生じて結合状態が変化し、塘当な印加電圧の下
ではもとの光４波路３２ヘエネルキーが移シ出射光３８
となる。そのスイッチング動作に必要な印加４圧は方向
性結合器の長さに反比例する。ここで、基板上に形成さ
れた光導波路の伝搬光は一般に独立な２つのモード、即
ち、偏光方向が基板表面に垂直な１Ｍモードとそれに取
交する偏光成分をもつＴｇモードに分離される。
成の場合、スイッチ′亀圧、クロストーク等の特性は入
射光の偏光状態に大きく依存するという欠点がある。第
２図ｆａ）は従来の４匝形光スイッチの一例である方向
性結合形光スイッチを示す斜視図である。元学軸すなわ
ち２＠方向に垂直に切り出して整形したＬ ｉ Ｎ ｂ
Ｏｓ結晶基板３１上にＴｉ＃の金属を拡散して光導波
路３２．３３が形成されている。元＃４ｅ、路３２．３
３は数μｍ程度の間隔で近接して設置されることによシ
光方向性結合器３４を構成しており１光導波路３２゜３
３上にバッファ層である８ｉ ０ｚＰＩＸ（ｇ ２図（
ａ）では図示は省略）を介してＲ１１ｌ 御’ＭＥ極３
５及び３９が設置されている。この元スイッチの基本的
な動作原理は、先ず１片方の光４反路例えば３２の端面
から入射した九彼１６は元４技路３２中を伝搬し、光方
向性結合器３４の部分で近接した光導波路３３にエネル
ギーが移行し１光方向性結合器３４の長さを完全納付艮
Ｌｃに一致させた場合は、はぼ１００％のエネルギーが
光導波路３３に移って出射光３７となる。一方、制＃電
極３５と３９の間に電圧を印加した場合、電気光学効果
によって光４波路３２．３３の屈折率が変化して両者の
屈折率が非対称となり１両者を伝搬する光波の間で位相
不整合が生じて結合状態が変化し、塘当な印加電圧の下
ではもとの光４波路３２ヘエネルキーが移シ出射光３８
となる。そのスイッチング動作に必要な印加４圧は方向
性結合器の長さに反比例する。ここで、基板上に形成さ
れた光導波路の伝搬光は一般に独立な２つのモード、即
ち、偏光方向が基板表面に垂直な１Ｍモードとそれに取
交する偏光成分をもつＴｇモードに分離される。
従来の上述の基板方位をもつ元スイッチに用いられてい
る光４彼路では１ＭモードとＴｇモードでは伝搬定数が
大きく異なる。この結果１ｗ、２図（ｂｌに示すように
それぞれのモードに対する完全結合長Ｌｃ（’１”Ｍ）
とＬｃ（ＴＷ）は大きく異なっている。そこで第２図（
ａｌに示す通常の元スイッチでは光方向性結合器の長さ
Ｌｃ（ＴＭ）１７＋１ニー玖させてお９．印加電圧０の
ときの光方向性結合器の出射状態は両モードでは異なっ
ていた。
る光４彼路では１ＭモードとＴｇモードでは伝搬定数が
大きく異なる。この結果１ｗ、２図（ｂｌに示すように
それぞれのモードに対する完全結合長Ｌｃ（’１”Ｍ）
とＬｃ（ＴＷ）は大きく異なっている。そこで第２図（
ａｌに示す通常の元スイッチでは光方向性結合器の長さ
Ｌｃ（ＴＭ）１７＋１ニー玖させてお９．印加電圧０の
ときの光方向性結合器の出射状態は両モードでは異なっ
ていた。
また一方１通常、Ｉ４ｃ気元学効果によって変化する屈
折率変化量ＩＩ′ｉ偏光方向によって異なシ、その結果
スイッチ１圧も偏光方向によって大きく異なる。例えは
、第２図ｔａｔの場合、１Ｍモード、ＴＯモードに対し
て得られる屈折率変化量はそれぞれとなる。ここで、ｒ
３３ ｓ ｒ、３はそれぞれ或気元学定数、ｎ、、ｎ０
はそれぞれ異常光、常光に対する屈折率 Ｅ２は２方向
に印加される電界強度である。
折率変化量ＩＩ′ｉ偏光方向によって異なシ、その結果
スイッチ１圧も偏光方向によって大きく異なる。例えは
、第２図ｔａｔの場合、１Ｍモード、ＴＯモードに対し
て得られる屈折率変化量はそれぞれとなる。ここで、ｒ
３３ ｓ ｒ、３はそれぞれ或気元学定数、ｎ、、ｎ０
はそれぞれ異常光、常光に対する屈折率 Ｅ２は２方向
に印加される電界強度である。
ＬｉＮ ｂ Ｏｓ結晶の場合” ！！ ＞ ３’１３で
あるので。
あるので。
δ’？Ｍ＞３δ”？ｌとなｇ、 Ｔｚモードのスイッチ
電圧はＴＬＶｉモードのスイッチ電圧の３倍以上の値と
なる。そこで通常は入射光をＴＭまたＦｉ’ｒｇモード
のいずれか一方の偏光状態に一致させる必要が生じ、第
２図（ａ）の構成の元スイッチは単一モード光ファイバ
伝送路中に挿入して使用することはできない。
電圧はＴＬＶｉモードのスイッチ電圧の３倍以上の値と
なる。そこで通常は入射光をＴＭまたＦｉ’ｒｇモード
のいずれか一方の偏光状態に一致させる必要が生じ、第
２図（ａ）の構成の元スイッチは単一モード光ファイバ
伝送路中に挿入して使用することはできない。
上述の通常の元スイッチの偏光依存性を除くために１９
７９年１１月１５日付アプライド、フィジックス誌（Ａ
ｐｐｌ 、 Ｐｈｙｓ 、 Ｌｅｆ ｆ 、 ）第３５
巻ｌＯ号７４８〜７５０頁に第３図に示す元スイッチが
報告されている。４３図の元スイッチは第２図の通常の
元スイッチと基板方位は同じであるが１光方向性結合器
４４を構成する２つの光導波路４２と４３のｌ５３１隔
が光透過方向に連続的に笈化し、その結果結合係数も連
続的に変化している。また。
７９年１１月１５日付アプライド、フィジックス誌（Ａ
ｐｐｌ 、 Ｐｈｙｓ 、 Ｌｅｆ ｆ 、 ）第３５
巻ｌＯ号７４８〜７５０頁に第３図に示す元スイッチが
報告されている。４３図の元スイッチは第２図の通常の
元スイッチと基板方位は同じであるが１光方向性結合器
４４を構成する２つの光導波路４２と４３のｌ５３１隔
が光透過方向に連続的に笈化し、その結果結合係数も連
続的に変化している。また。
制御−極の一方が゛電極４５と４６に分割されている。
この従来の偏光依存性を除去したｉｔスイッチでは、−
極４５と４６に印加する゛電圧が異なシ。
極４５と４６に印加する゛電圧が異なシ。
また出力光を４７と４８に切替える場合には４極４５と
４６にはそれぞれ独立に異なる電圧を印加する必要があ
る。その結果、駆動方法が非常に複雑となる。壕だ、上
述のように光透過方向に達識的に結合係数を変化させる
ことによって、′１圧を印加した場合の’Ｉ’Ｍ、ＴＪ
ｆ１両モードに対する切換え状態の印加磁圧に対する依
存性を小さくシ、冗長性をもたしているが、このため逆
に動作電圧が非常に大きい。龜告されている例では動作
電圧と素子長の檀は波長１．３μｍに対しては通常の１
Ｍモードに対する元スイッチの７倍程度に当る９０Ｖの
電圧を必要としている。
４６にはそれぞれ独立に異なる電圧を印加する必要があ
る。その結果、駆動方法が非常に複雑となる。壕だ、上
述のように光透過方向に達識的に結合係数を変化させる
ことによって、′１圧を印加した場合の’Ｉ’Ｍ、ＴＪ
ｆ１両モードに対する切換え状態の印加磁圧に対する依
存性を小さくシ、冗長性をもたしているが、このため逆
に動作電圧が非常に大きい。龜告されている例では動作
電圧と素子長の檀は波長１．３μｍに対しては通常の１
Ｍモードに対する元スイッチの７倍程度に当る９０Ｖの
電圧を必要としている。
本発明の目的は上述の従来の光導波路スイッチの欠点を
除き、入射光の偏光状態に対する依存性がなく、スイッ
チ祇圧が低くまた。駆動方法が簡単な光導波路スイッチ
を提供することにある。
除き、入射光の偏光状態に対する依存性がなく、スイッ
チ祇圧が低くまた。駆動方法が簡単な光導波路スイッチ
を提供することにある。
本発明では光軸に垂直に切り出した通気光学効果を有す
る結晶基板上に形成された互いに近接した２本の光２ｓ
Ｉ＆路からなる光方向性結合器と、 ｒｊＴＪ記２本の
元纏波路上にそれぞれ設置した１対の制御゛電極とから
なり、電界成分が基板に垂直な偏光モード（１゛Ｍモー
ド）と基板に平行な１元モード（ＴＷモード）に対する
上記方向性結合器の結合係数がほぼ一致し、かつ、その
結合器ＩＣＶは光透過方向の一定の長さにおいて−様な
ｌｌｆをもち、前記それぞれのｆｔ１ｉＪ御′？ｌｔ他
はそれぞれの元纒阪路上全体にわたって連続している構
成とした。
る結晶基板上に形成された互いに近接した２本の光２ｓ
Ｉ＆路からなる光方向性結合器と、 ｒｊＴＪ記２本の
元纏波路上にそれぞれ設置した１対の制御゛電極とから
なり、電界成分が基板に垂直な偏光モード（１゛Ｍモー
ド）と基板に平行な１元モード（ＴＷモード）に対する
上記方向性結合器の結合係数がほぼ一致し、かつ、その
結合器ＩＣＶは光透過方向の一定の長さにおいて−様な
ｌｌｆをもち、前記それぞれのｆｔ１ｉＪ御′？ｌｔ他
はそれぞれの元纒阪路上全体にわたって連続している構
成とした。
本発明では、先ず、従来の第２図（ａ）、第３図の元ス
イッチと異なり１光方向性結合器の結合長をＴＷモード
と１Ｍモードを一致させている。これｔｒｉ発明者等が
元等彼路を作製する際に基似上にル成するＴｉ膜厚を特
定の膜厚に制御即すればＴＥモードと’１’ ＬＶＩモ
ードの完全結合長を再現よく一双させられることを見い
出したことを第１」用するものである。すなわち、元尋
技路内のＴｉの平均−度を所定の濃度にすることで′ｒ
ト】モードとｉ’ Ｍそ−ドの完全結合長を一致させて
いる。
イッチと異なり１光方向性結合器の結合長をＴＷモード
と１Ｍモードを一致させている。これｔｒｉ発明者等が
元等彼路を作製する際に基似上にル成するＴｉ膜厚を特
定の膜厚に制御即すればＴＥモードと’１’ ＬＶＩモ
ードの完全結合長を再現よく一双させられることを見い
出したことを第１」用するものである。すなわち、元尋
技路内のＴｉの平均−度を所定の濃度にすることで′ｒ
ト】モードとｉ’ Ｍそ−ドの完全結合長を一致させて
いる。
またさらに１本発明では、第３図の従来の元スイッチと
は異なり、方向性結合器の光透過方向全体にわたって２
本の光導波路間隔は一定であり。
は異なり、方向性結合器の光透過方向全体にわたって２
本の光導波路間隔は一定であり。
また、制御電極は方向性結合器を構成する谷光尋反路上
に連続して設置されている。このように方向性結合器の
結合係数が−様な場合でも１Ｍモードに対するスイッチ
電圧の３．５倍付近のある１圧を選択して印加すれば少
くとも波長１．３μｍ付近においてはクロストークが一
２０ｄＢ以下と十分に近さいｉ直が祷られることを見出
した結果に基づいている。すなわち印加電圧は第３図の
従来の元スイッチに比べると大幅に低減される。
に連続して設置されている。このように方向性結合器の
結合係数が−様な場合でも１Ｍモードに対するスイッチ
電圧の３．５倍付近のある１圧を選択して印加すれば少
くとも波長１．３μｍ付近においてはクロストークが一
２０ｄＢ以下と十分に近さいｉ直が祷られることを見出
した結果に基づいている。すなわち印加電圧は第３図の
従来の元スイッチに比べると大幅に低減される。
次に本発明の実施例を説明する。
第１図１ａ）は本発明による光４改路スイッチの−実り
例を示す斜視図である。第２図ｔａ）に示した従来の方
向性結合型スイッチと同様の形状のＬｉＮｂＯ３基板１
１上に幅が数〜十数μｍのＴｉ漠パターンを熱拡散して
形成した元導改路２．３が近接して設置され方向性結合
器４を構成している。但し１本実施例では第２図ｔａｌ
の例とは異なりＴｉ漢幅、Ｔｉ膜厚と拡散温度１時間を
調整してＴＭ。
例を示す斜視図である。第２図ｔａ）に示した従来の方
向性結合型スイッチと同様の形状のＬｉＮｂＯ３基板１
１上に幅が数〜十数μｍのＴｉ漠パターンを熱拡散して
形成した元導改路２．３が近接して設置され方向性結合
器４を構成している。但し１本実施例では第２図ｔａｌ
の例とは異なりＴｉ漢幅、Ｔｉ膜厚と拡散温度１時間を
調整してＴＭ。
ＴＷ両モードに対する完全結合長が一致し、それが方向
性結合器４の結合部の長さに一致するように選ばれてい
る。−例としてはＴｉｄ＠９μｍ。
性結合器４の結合部の長さに一致するように選ばれてい
る。−例としてはＴｉｄ＠９μｍ。
Ｔｉ映厚４７０λ Ｔ ｉ拡散温度１０５０℃、Ｔｉ拡
散時間８時間のとき上述のＴＭ、Ｔｇ両モードの完全結
合長が得られる。基板中に拡散したＩｌｌ ｉはカラス
分布しているが、この平均濃度が０．６〜０、９ ’１
６であれは結合係数は上記条件を満足した。
散時間８時間のとき上述のＴＭ、Ｔｇ両モードの完全結
合長が得られる。基板中に拡散したＩｌｌ ｉはカラス
分布しているが、この平均濃度が０．６〜０、９ ’１
６であれは結合係数は上記条件を満足した。
このときの光方向性結合器の長さと両モードの結合度の
関係を第１図（ｂ）に示す。１だ、方向性結合器４の光
導波路２，３上に第２図（ａ）と四様な制御′電極５，
９が設置されている。
関係を第１図（ｂ）に示す。１だ、方向性結合器４の光
導波路２，３上に第２図（ａ）と四様な制御′電極５，
９が設置されている。
上述の条件で製作された長さ１９ｇの方向性結合型スイ
ッチにおいては波長１．３μｍにおいて印加電圧１８Ｖ
のとき結合度Ｏ１すなわちＴＪＴＭ両モードともに光４
技路２への入射光１６は尤４波路２からの出射元８とな
り、このときのクロストークは一２６ｄＢとなった。こ
の印加電圧の直は従来の偏光に依存しない光スイッチの
約半分程度に相当する。また印加電圧０ではＴｒｏｔ、
Ｔｇ両モードともに結合度ｌとなシ、入射光１６は出射
光７となる。このときのクロストークｆｉ−１７ａＢ以
下であった。
ッチにおいては波長１．３μｍにおいて印加電圧１８Ｖ
のとき結合度Ｏ１すなわちＴＪＴＭ両モードともに光４
技路２への入射光１６は尤４波路２からの出射元８とな
り、このときのクロストークは一２６ｄＢとなった。こ
の印加電圧の直は従来の偏光に依存しない光スイッチの
約半分程度に相当する。また印加電圧０ではＴｒｏｔ、
Ｔｇ両モードともに結合度ｌとなシ、入射光１６は出射
光７となる。このときのクロストークｆｉ−１７ａＢ以
下であった。
尚 ｒｐ Ｈ等の不純物は拡散以外の方法１例えばイオ
ン注、イオン交換等の方法で基板中に導入しても効果は
変りない。
ン注、イオン交換等の方法で基板中に導入しても効果は
変りない。
以上述べたように本発明によれば入射光の偏光状態に対
する依存性がなく、スイッチ−圧が低く、また、電極は
第３図の例とは異な９２つでよいので、駆動方法も簡単
な光導波路スイッチが得られる。
する依存性がなく、スイッチ−圧が低く、また、電極は
第３図の例とは異な９２つでよいので、駆動方法も簡単
な光導波路スイッチが得られる。
第１図ｔａ）は本発明による光導波路スイッチの一実施
例を示す斜視図、第１図（ｂ）は実施例の特性を示す図
、第２図、弔３図は従来の元２４匝路スイッチの一例を
示す斜視図及びその特性を示す図である。 １１．３１・・・・・・Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏｓ結晶基板
、４，３４゜４４・・・・・・光方向性結合器、２，３
，３２，３３゜４２．４．３・・・・・・光導波路、５
，９，３５，３９゜４５．４６・・・・・・制御・電極
、１６・・・・・・入射光、７゜８．３７，３８，４７
，４８・・・・・・出射光。 代理人 弁理士 内 原 晋 第 １ 図 （ｂ） 第 ２ 図 （α） 尤力菌・）生結合毬の長３ （ｂ）
例を示す斜視図、第１図（ｂ）は実施例の特性を示す図
、第２図、弔３図は従来の元２４匝路スイッチの一例を
示す斜視図及びその特性を示す図である。 １１．３１・・・・・・Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏｓ結晶基板
、４，３４゜４４・・・・・・光方向性結合器、２，３
，３２，３３゜４２．４．３・・・・・・光導波路、５
，９，３５，３９゜４５．４６・・・・・・制御・電極
、１６・・・・・・入射光、７゜８．３７，３８，４７
，４８・・・・・・出射光。 代理人 弁理士 内 原 晋 第 １ 図 （ｂ） 第 ２ 図 （α） 尤力菌・）生結合毬の長３ （ｂ）
Claims (1)
- 光軸（Ｚ軸）に垂直に切り出した電気光学効果を有する
結晶基板に不純物を導入して形成した互いいに近接した
２本の光導波路からなる光方向性結合器と、前記２本の
光導波路上にそれぞれ設置した１対の制御電極とからな
り、電界成分が基板に垂直な偏光モード（ＴＭモード）
と基板に平行な偏光モード（ＴＥモード）に対する上記
方向性結合器の結合係数がほぼ一致し、かつ、その結合
係数は光透過方向の一定の長さにおいて一様な値をもつ
よう前記不純物の濃度を定め、前記それぞれの制御電極
はそれぞれの光導波路上全体にわたって連続して設けて
いることを特徴とする光導波路スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318988A JPH0820651B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 光導波路スィッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318988A JPH0820651B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 光導波路スィッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01197724A true JPH01197724A (ja) | 1989-08-09 |
| JPH0820651B2 JPH0820651B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=12103711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318988A Expired - Lifetime JPH0820651B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 光導波路スィッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820651B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04237016A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| US5148507A (en) * | 1990-07-06 | 1992-09-15 | Nec Corporation | Optical waveguide device with two predetermined wavelength, polarization independent, directional coupler switches |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5412832B2 (ja) | 2007-01-23 | 2014-02-12 | 株式会社村田製作所 | 光制御素子 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP2318988A patent/JPH0820651B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148507A (en) * | 1990-07-06 | 1992-09-15 | Nec Corporation | Optical waveguide device with two predetermined wavelength, polarization independent, directional coupler switches |
| JPH04237016A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Nec Corp | 光制御デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820651B2 (ja) | 1996-03-04 |
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