JPH04350826A - 導波路型光デバイス - Google Patents
導波路型光デバイスInfo
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- JPH04350826A JPH04350826A JP12579791A JP12579791A JPH04350826A JP H04350826 A JPH04350826 A JP H04350826A JP 12579791 A JP12579791 A JP 12579791A JP 12579791 A JP12579791 A JP 12579791A JP H04350826 A JPH04350826 A JP H04350826A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 103
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に設けた光導波
路中に、光を閉じ込めて制御を行う導波路型光デバイス
に係わり、特に導波路型光デバイスの改良に関する。
路中に、光を閉じ込めて制御を行う導波路型光デバイス
に係わり、特に導波路型光デバイスの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの実用化に伴い、大容量
で多機能の高度なシステムが求められており、より高速
の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新たな
機能の付加が必要とされている。現在の実用システムで
は光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を変調することによって得られているが、直接変調で
は緩和振動等の効果のため数ＧＨｚ以上の高速変調が難
しく、かつ波長変動が発生するためコヒーレント光伝送
方式には適用が難しいという欠点がある。
で多機能の高度なシステムが求められており、より高速
の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新たな
機能の付加が必要とされている。現在の実用システムで
は光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を変調することによって得られているが、直接変調で
は緩和振動等の効果のため数ＧＨｚ以上の高速変調が難
しく、かつ波長変動が発生するためコヒーレント光伝送
方式には適用が難しいという欠点がある。
【０００３】この欠点を解決する手段としては、外部変
調器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中に
形成された光導波路により構成される導波型の光変調器
は小型、高効率、高速という特徴がある。
調器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中に
形成された光導波路により構成される導波型の光変調器
は小型、高効率、高速という特徴がある。
【０００４】一方、光伝送路の切り換えやネットワーク
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り換
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適当等の欠点がある。
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り換
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適当等の欠点がある。
【０００５】これを解決する手段として、光導波路を用
いた導波型の光スイッチの開発が進められており、高速
、多素子の集積化が可能、高信頼性等の特徴がある。 特に、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３ ）結晶等の強
誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失であ
り、大きな電気光学効果を有しているため、高効率であ
る等の特徴があり、方向性結合器型光変調器あるいは光
りスイッチ、前反射型光スイッチ、マッハツェンダ型光
変調器等の種々の方式の光制御デバイスが案出されてい
る。
いた導波型の光スイッチの開発が進められており、高速
、多素子の集積化が可能、高信頼性等の特徴がある。 特に、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３ ）結晶等の強
誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失であ
り、大きな電気光学効果を有しているため、高効率であ
る等の特徴があり、方向性結合器型光変調器あるいは光
りスイッチ、前反射型光スイッチ、マッハツェンダ型光
変調器等の種々の方式の光制御デバイスが案出されてい
る。
【０００６】近年、この導波路型光スイッチの高密度集
積化の研究開発が盛んに行われており、例えば西本裕氏
らの文献、電子情報通信学会「ＯＱＥ８８−１４７」に
よれば、ＬｉＮｂＯ３ 基板を用いて方向性結合器型光
スイッチを６４素子集積した８×８マトリクス光スイッ
チが提案されている。
積化の研究開発が盛んに行われており、例えば西本裕氏
らの文献、電子情報通信学会「ＯＱＥ８８−１４７」に
よれば、ＬｉＮｂＯ３ 基板を用いて方向性結合器型光
スイッチを６４素子集積した８×８マトリクス光スイッ
チが提案されている。
【０００７】一方、外部光変調器のような単一の光スイ
ッチからなるデバイスの研究開発も盛んに進められてい
る。このような、光スイッチデバイスの特性項目には、
スイッチング電圧（電力）、クロストーク、消光比、損
失、切り替え速度、温湿度などの環境に対する動作の安
定性などがある。
ッチからなるデバイスの研究開発も盛んに進められてい
る。このような、光スイッチデバイスの特性項目には、
スイッチング電圧（電力）、クロストーク、消光比、損
失、切り替え速度、温湿度などの環境に対する動作の安
定性などがある。
【０００８】図２は、従来の方向性結合器を用いた導波
路型光デバイスとしての光スイッチを示す斜視図である
。光スイッチ１１は、ＬｉＮｂＯ３ 結晶からなる基板
１２を有しており、基板１２上にはＴｉ拡散により光導
波路１３、１４が形成されている。そして、光導波路１
３と１４は、中央部分が近接しており、入光側と出光側
ではそれぞれ所定間隔（例えば６００μｍ）だけ離間し
ている。
路型光デバイスとしての光スイッチを示す斜視図である
。光スイッチ１１は、ＬｉＮｂＯ３ 結晶からなる基板
１２を有しており、基板１２上にはＴｉ拡散により光導
波路１３、１４が形成されている。そして、光導波路１
３と１４は、中央部分が近接しており、入光側と出光側
ではそれぞれ所定間隔（例えば６００μｍ）だけ離間し
ている。
【０００９】そして、基板１２上には、基板１２表面全
体を覆うようにバッファ層１５が配設されており、バッ
ファ層１５は二酸化珪素（ＳｉＯ２ ）等により構成さ
れている。基板１２とバッファ層１５との入光側端面に
は光導波路１３と１４のポート１６ａ，１６ｂが位置し
、出光側端面には光導波路１３と１４のポート１６ｃ，
１６ｄが位置している。
体を覆うようにバッファ層１５が配設されており、バッ
ファ層１５は二酸化珪素（ＳｉＯ２ ）等により構成さ
れている。基板１２とバッファ層１５との入光側端面に
は光導波路１３と１４のポート１６ａ，１６ｂが位置し
、出光側端面には光導波路１３と１４のポート１６ｃ，
１６ｄが位置している。
【００１０】更に、バッファ層１６上かつ光導波路１３
と１４が近接する部分には２枚の制御用電極１７それぞ
れ光導波路１３と１４上に位置するように配置されてお
り、制御用電極１７は金属膜により構成されている。そ
して、光導波路１３と１４の近接した中央部分と制御用
電極１７により方向性結合器１８が構成されている。な
お、光導波路１３と１４の近接した中央部分の長さは制
御用電極１７に電圧が印加されていない時は、方向性結
合器１８の部分で近接する光導波路に光パワーが移るよ
うな長さ（完全結合長）に設定されている。そして、偏
光無依存動作を行うために完全結合長がＴＥ、ＴＭ両モ
ードで一致するようにしている。
と１４が近接する部分には２枚の制御用電極１７それぞ
れ光導波路１３と１４上に位置するように配置されてお
り、制御用電極１７は金属膜により構成されている。そ
して、光導波路１３と１４の近接した中央部分と制御用
電極１７により方向性結合器１８が構成されている。な
お、光導波路１３と１４の近接した中央部分の長さは制
御用電極１７に電圧が印加されていない時は、方向性結
合器１８の部分で近接する光導波路に光パワーが移るよ
うな長さ（完全結合長）に設定されている。そして、偏
光無依存動作を行うために完全結合長がＴＥ、ＴＭ両モ
ードで一致するようにしている。
【００１１】次に、動作について説明する。
【００１２】制御用電極１７に電圧が印加されていない
場合、ポート１６ａから光導波路１３へ入射する光は、
方向性結合器１８の部分で近接する光導波路１４に光パ
ワーが移り、光導波路１４を通ってポート１６ｄから出
射する。
場合、ポート１６ａから光導波路１３へ入射する光は、
方向性結合器１８の部分で近接する光導波路１４に光パ
ワーが移り、光導波路１４を通ってポート１６ｄから出
射する。
【００１３】また、制御用電極１７に所定電圧が印加さ
れた場合、光導波路１３、１４の屈折率が変化し、方向
性結合器１８の部分で光導波路１３、１４間の光パワー
の移動が起こらない。ポート１６ａから光導波路１３へ
入射する光は、光導波路１３を通ってポート１６ｃから
出射する。
れた場合、光導波路１３、１４の屈折率が変化し、方向
性結合器１８の部分で光導波路１３、１４間の光パワー
の移動が起こらない。ポート１６ａから光導波路１３へ
入射する光は、光導波路１３を通ってポート１６ｃから
出射する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来の導波路型光デバ
イスは、以上のように構成されており、光スイッチ１１
は、偏光無依存動作を行うために上述した完全結合長が
ＴＥ、ＴＭ両モードで一致するようにしているが、ＴＥ
、ＴＭ両モードの完全結合長が一致するような条件で方
向性結合器を作成してもプロセスバッチ間のばらつき等
によりポート１６ｃから出射される光パワーがＴＥモー
ドとＴＭモードとで異なり、入力光の変更状態により出
力が変動する、すなわちＴＥ、ＴＭモードとで完全結合
長に差が生じるという問題点があった。
イスは、以上のように構成されており、光スイッチ１１
は、偏光無依存動作を行うために上述した完全結合長が
ＴＥ、ＴＭ両モードで一致するようにしているが、ＴＥ
、ＴＭ両モードの完全結合長が一致するような条件で方
向性結合器を作成してもプロセスバッチ間のばらつき等
によりポート１６ｃから出射される光パワーがＴＥモー
ドとＴＭモードとで異なり、入力光の変更状態により出
力が変動する、すなわちＴＥ、ＴＭモードとで完全結合
長に差が生じるという問題点があった。
【００１５】本発明は、上記のような課題を解消するた
めになされたもので、ＴＥ、ＴＭモードとで完全結合長
を一致するように調整できる導波路型光デバイスを得る
ことを目的とする。
めになされたもので、ＴＥ、ＴＭモードとで完全結合長
を一致するように調整できる導波路型光デバイスを得る
ことを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の導波路型光デバ
イスは、基板表面に形成された複数本の光導波路と、光
導波路および基板表面を覆うバッファ層と、バッファ層
上の光導波路に臨む位置に配置された制御用電極と、バ
ッファ層の光導波路の出射側を切り欠いた切欠部と、切
欠部に光導波路と直接接触するように設けられた偏光成
分間の導波損失を補う長さの金属膜と、を備えることを
特徴とするものである。
イスは、基板表面に形成された複数本の光導波路と、光
導波路および基板表面を覆うバッファ層と、バッファ層
上の光導波路に臨む位置に配置された制御用電極と、バ
ッファ層の光導波路の出射側を切り欠いた切欠部と、切
欠部に光導波路と直接接触するように設けられた偏光成
分間の導波損失を補う長さの金属膜と、を備えることを
特徴とするものである。
【００１７】
【作用】以上のように構成したので、切欠部に光導波路
と直接接触するように設けられた金属膜によりＴＭモー
ド光のパワーを吸収し、金属膜と光導波路との接触長を
調整することにより信号光が出射ポートでＴＥ、ＴＭモ
ードの光パワーの大きさを等しくし、入力光の偏向状態
で光出力パワーを変動させない。
と直接接触するように設けられた金属膜によりＴＭモー
ド光のパワーを吸収し、金属膜と光導波路との接触長を
調整することにより信号光が出射ポートでＴＥ、ＴＭモ
ードの光パワーの大きさを等しくし、入力光の偏向状態
で光出力パワーを変動させない。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図を用いて説明
する。
する。
【００１９】図１は、本発明に係わる導波路型光デバイ
スとしての光スイッチを示す斜視図である。光スイッチ
１１は、ＬｉＮｂＯ３ 結晶からなる基板１２を有して
おり、基板１２上に光導波路パターンに形成されＴｉを
熱拡散することにより基板１２よりも屈折率の高い光導
波路１３、１４が形成されている。そして、光導波路１
３と１４は、中央部分が近接しており、入光側と出光側
ではそれぞれ所定間隔（例えば６００μｍ）だけ離間し
ている。
スとしての光スイッチを示す斜視図である。光スイッチ
１１は、ＬｉＮｂＯ３ 結晶からなる基板１２を有して
おり、基板１２上に光導波路パターンに形成されＴｉを
熱拡散することにより基板１２よりも屈折率の高い光導
波路１３、１４が形成されている。そして、光導波路１
３と１４は、中央部分が近接しており、入光側と出光側
ではそれぞれ所定間隔（例えば６００μｍ）だけ離間し
ている。
【００２０】そして、基板１２上には、基板１２表面全
体を覆うようにバッファ層１５が配設されており、バッ
ファ層１５は二酸化珪素（ＳｉＯ２ ）等により構成さ
れている。基板１２とバッファ層１５との入光側端面に
は光導波路１３と１４のポート１６ａ，１６ｂが位置し
、出光側端面には光導波路１３と１４のポート１６ｃ，
１６ｄが位置している。
体を覆うようにバッファ層１５が配設されており、バッ
ファ層１５は二酸化珪素（ＳｉＯ２ ）等により構成さ
れている。基板１２とバッファ層１５との入光側端面に
は光導波路１３と１４のポート１６ａ，１６ｂが位置し
、出光側端面には光導波路１３と１４のポート１６ｃ，
１６ｄが位置している。
【００２１】更に、バッファ層１６上かつ光導波路１３
と１４が近接する部分には２枚の制御用電極１７がそれ
ぞれ光導波路１３と１４上に位置するように配置されて
おり、制御用電極１７は金属膜により構成されている。 なお、バッファ層１５は、制御用電極１７によるＴＭモ
ードの吸収を防ぐ機能を有している。
と１４が近接する部分には２枚の制御用電極１７がそれ
ぞれ光導波路１３と１４上に位置するように配置されて
おり、制御用電極１７は金属膜により構成されている。 なお、バッファ層１５は、制御用電極１７によるＴＭモ
ードの吸収を防ぐ機能を有している。
【００２２】そして、光導波路１３と１４の近接した中
央部分と制御用電極１７とにより方向性結合器１８が構
成されている。なお、光導波路１３と１４の近接した中
央部分の長さは制御用電極１７に電圧が印加されていな
い時は、方向性結合器１８の部分で近接する光導波路に
光パワーが移るような長さ（完全結合長）に設定されて
いる。すなわち、ポート１６ｄの出射光はＴＥモードに
比べＴＭモードのパワーが大きくなるように設定されて
いる。
央部分と制御用電極１７とにより方向性結合器１８が構
成されている。なお、光導波路１３と１４の近接した中
央部分の長さは制御用電極１７に電圧が印加されていな
い時は、方向性結合器１８の部分で近接する光導波路に
光パワーが移るような長さ（完全結合長）に設定されて
いる。すなわち、ポート１６ｄの出射光はＴＥモードに
比べＴＭモードのパワーが大きくなるように設定されて
いる。
【００２３】また、バッファ層１６は光導波路１４のポ
ート１６ｄの近傍側が切り欠かれており、この切欠部１
９には、光導波路１４と直接接触するように偏光成分間
の導波損失を補う長さの金属膜２０が設けられている。 金属膜２０はＴＭモード光のパワーを吸収し、ポート１
６ｄでの出射光のパワーがＴＥ，ＴＭ両モードで等しく
なるようにＴＭモード光を吸収するようになっている。
ート１６ｄの近傍側が切り欠かれており、この切欠部１
９には、光導波路１４と直接接触するように偏光成分間
の導波損失を補う長さの金属膜２０が設けられている。 金属膜２０はＴＭモード光のパワーを吸収し、ポート１
６ｄでの出射光のパワーがＴＥ，ＴＭ両モードで等しく
なるようにＴＭモード光を吸収するようになっている。
【００２４】そして、金属膜２０の長さを設定する場合
、ＴＭモード光の金属膜２０への吸収の割合は、金属膜
２０の長さが長いほど大きくなる。金属膜２０の長さは
始めはポート１６ｄでの出射光のパワーがＴＭモード光
のポート１６ｄでの出射光のパワーをモニタしながらＴ
Ｅモード光と等しくなるように金属膜２０の長さを短く
していく。同様の動作を繰り返し、ポート１６ｄでの出
射光のパワーをＴＥ，ＴＭ両モードで等しくし、これに
より偏光無依存動作を行うことが可能となる。
、ＴＭモード光の金属膜２０への吸収の割合は、金属膜
２０の長さが長いほど大きくなる。金属膜２０の長さは
始めはポート１６ｄでの出射光のパワーがＴＭモード光
のポート１６ｄでの出射光のパワーをモニタしながらＴ
Ｅモード光と等しくなるように金属膜２０の長さを短く
していく。同様の動作を繰り返し、ポート１６ｄでの出
射光のパワーをＴＥ，ＴＭ両モードで等しくし、これに
より偏光無依存動作を行うことが可能となる。
【００２５】次に、本実施例の作用について説明する。
【００２６】制御用電極１７に電圧が印加されていない
場合、ポート１６ａから光導波路１３へ入射する光は、
方向性結合器１８の部分で近接する光導波路１４に光パ
ワーが移り、光導波路１４を通ってポート１６ｄから出
射する。
場合、ポート１６ａから光導波路１３へ入射する光は、
方向性結合器１８の部分で近接する光導波路１４に光パ
ワーが移り、光導波路１４を通ってポート１６ｄから出
射する。
【００２７】この際、金属膜２０はＴＭモード光のパワ
ーを吸収し、ポート１６ｄでの出射光のパワーがＴＥ，
ＴＭ両モードで等しくなる。
ーを吸収し、ポート１６ｄでの出射光のパワーがＴＥ，
ＴＭ両モードで等しくなる。
【００２８】また、制御用電極１７に所定電圧が印加さ
れた場合、光導波路１３、１４の屈折率が変化し、方向
性結合器１８の部分で光導波路１３、１４間の光パワー
の移動が起こらない。ポート１６ａから光導波路１３へ
入射する光は、光導波路１３を通ってポート１６ｃから
出射する。
れた場合、光導波路１３、１４の屈折率が変化し、方向
性結合器１８の部分で光導波路１３、１４間の光パワー
の移動が起こらない。ポート１６ａから光導波路１３へ
入射する光は、光導波路１３を通ってポート１６ｃから
出射する。
【００２９】なお、上述実施例においては、ポート１６
ｄを信号光の出力として説明したが、これに限らず、ポ
ート１６ｃを信号光の出力としてもよい。このようにし
た場合、光導波路１３と直接接触するように金属膜２０
を形成する。
ｄを信号光の出力として説明したが、これに限らず、ポ
ート１６ｃを信号光の出力としてもよい。このようにし
た場合、光導波路１３と直接接触するように金属膜２０
を形成する。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光導波路
と直接接触するように設けられた金属膜によりＴＭモー
ド光のパワーを吸収し、金属膜と光導波路との接触長を
調整することにより信号光が出射ポートでＴＥ、ＴＭモ
ードの光パワーの大きさを等しくするように構成したの
で、ＴＥ、ＴＭモードとで完全結合長を一致させて、入
力光の偏向状態で光出力パワーを変動させないようにす
ることができる。
と直接接触するように設けられた金属膜によりＴＭモー
ド光のパワーを吸収し、金属膜と光導波路との接触長を
調整することにより信号光が出射ポートでＴＥ、ＴＭモ
ードの光パワーの大きさを等しくするように構成したの
で、ＴＥ、ＴＭモードとで完全結合長を一致させて、入
力光の偏向状態で光出力パワーを変動させないようにす
ることができる。
【図１】本発明に係わる導波路型光デバイスとしての光
スイッチを示す斜視図である。
スイッチを示す斜視図である。
【図２】従来の光スイッチを示す斜視図である。
１３、１４ 光導波路
１５ バッファ層
１７ 制御用電極
１９ 切欠部
２０ 金属板
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面に形成された複数本の光導波
路と、光導波路および基板表面を覆うバッファ層と、バ
ッファ層上の光導波路に臨む位置に配置された制御用電
極とを備える導波路型光デバイスにおいて、前記バッフ
ァ層の光導波路の出射側を切り欠いた切欠部と、切欠部
に光導波路と直接接触するように設けられた偏光成分間
の導波損失を補う長さの金属膜とを備えることを特徴と
する導波路型光デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12579791A JP2936792B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 導波路型光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12579791A JP2936792B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 導波路型光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350826A true JPH04350826A (ja) | 1992-12-04 |
| JP2936792B2 JP2936792B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=14919130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12579791A Expired - Lifetime JP2936792B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 導波路型光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936792B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07318986A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nec Corp | 導波路型光スイッチ |
| US5815609A (en) * | 1995-09-13 | 1998-09-29 | Nec Corporation | Waveguide type optical external modulator |
| EP1174753A1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-01-23 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide device and method for forming optical waveguide device |
| JP2006276519A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導波路型光デバイス |
| JP2007213100A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-08-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP12579791A patent/JP2936792B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1174753A1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-01-23 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide device and method for forming optical waveguide device |
| EP1174753A4 (en) * | 2000-02-18 | 2008-03-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | OPTICAL WAVE GUIDE AND METHOD OF MAKING |
| JP2006276519A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導波路型光デバイス |
| JP4671335B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-04-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光デバイス |
| JP2007213100A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-08-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP4668239B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2011-04-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2936792B2 (ja) | 1999-08-23 |
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