JP2705134B2 - 方向性結合器型導波路光スイッチ - Google Patents
方向性結合器型導波路光スイッチInfo
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- JP2705134B2 JP2705134B2 JP21551788A JP21551788A JP2705134B2 JP 2705134 B2 JP2705134 B2 JP 2705134B2 JP 21551788 A JP21551788 A JP 21551788A JP 21551788 A JP21551788 A JP 21551788A JP 2705134 B2 JP2705134 B2 JP 2705134B2
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- waveguide
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は方向性結合器型導波路スイッチに関し、特
に、光通信用の光制御素子であって、素子の特性が入射
光の偏光状態に依存せず、しかもマトリスク状の光集積
回路を構成しても曲線光導波路での放射に起因する光損
失の小さい方向性結合器型導波路光スイッチに関する。
に、光通信用の光制御素子であって、素子の特性が入射
光の偏光状態に依存せず、しかもマトリスク状の光集積
回路を構成しても曲線光導波路での放射に起因する光損
失の小さい方向性結合器型導波路光スイッチに関する。
光通信システムの実用化が進み、大容量や多機能を持
つさらに高度のネットワークシステムへと開発が進めら
れている。光伝送網の交換機能、光データバスにおける
端末間の高速接続・切替等の新たな機能が求められてお
り、それらを可能にする光スイッチングネットワークの
必要性が高まってきている。
つさらに高度のネットワークシステムへと開発が進めら
れている。光伝送網の交換機能、光データバスにおける
端末間の高速接続・切替等の新たな機能が求められてお
り、それらを可能にする光スイッチングネットワークの
必要性が高まってきている。
現在実用されている光スイッチは、プリズム、ミラ
ー、光ファイバ等を機械的に移動させるものであり、ス
イッチング速度が低速で信頼性が不十分であること、形
状が大きくマトリクス化には不適当などの欠点がある。
これを解決する手段として開発が進められているもの
が、基板上に設置した光導波路を利用した導波路型のス
イッチであり、高速で多素子の集積化が可能、高信頼な
どの特徴がある。特にニオブ酸リチウム（LiNbO3）結晶
などの強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低
損失であること、大きな電気光学効果を有しているため
高能率であること、プレーナー構造であるため製作プロ
セスが簡便で、バッチ処理による生産性が高いなどの特
徴を持つ。
ー、光ファイバ等を機械的に移動させるものであり、ス
イッチング速度が低速で信頼性が不十分であること、形
状が大きくマトリクス化には不適当などの欠点がある。
これを解決する手段として開発が進められているもの
が、基板上に設置した光導波路を利用した導波路型のス
イッチであり、高速で多素子の集積化が可能、高信頼な
どの特徴がある。特にニオブ酸リチウム（LiNbO3）結晶
などの強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低
損失であること、大きな電気光学効果を有しているため
高能率であること、プレーナー構造であるため製作プロ
セスが簡便で、バッチ処理による生産性が高いなどの特
徴を持つ。
導波路型スイッチのデバイス方式としては、これまで
数多くの方式が発明されているが、比較的動作電圧が低
い、高透過方向に終始チャンネル導波路で構成されてい
るため比較的光の放射損失が小さいなどの利点から、方
向性結合器型の光スイッチ方式が多く利用されている。
数多くの方式が発明されているが、比較的動作電圧が低
い、高透過方向に終始チャンネル導波路で構成されてい
るため比較的光の放射損失が小さいなどの利点から、方
向性結合器型の光スイッチ方式が多く利用されている。
方向性結合器型の光スイッチの構造及び動作原理は以
下のようである。
下のようである。
ニオブ酸リチウムのような電気光学結晶板の同一平面
上に、互いに近接しかつ平行な２本のチャンネル光導波
路を形成し、この２本のチャンネル光導波路に沿って電
解印加電極を設置してある。方向性結合器に電圧を印加
しないときには一方の導波路の光が他方の導波路にすべ
て移行するように（この状態をクロス状態と一般に称
し、の記号を用いて表されている）、位相定数が同一
の２本の光導波路の近接して配置する結合部の長さを設
定しておき、適切な電圧を印加したときには、２つの導
波路の位相定数が異なってくるため、一方から他方への
光の結合は生せず、光は入射した一方の導波路をそのま
ま進む（この状態をバー状態と一般に称し、の記号を
用いて表されている）という、状態、状態の２つの
状態を選択することによってスイッチングが実現され
る。
上に、互いに近接しかつ平行な２本のチャンネル光導波
路を形成し、この２本のチャンネル光導波路に沿って電
解印加電極を設置してある。方向性結合器に電圧を印加
しないときには一方の導波路の光が他方の導波路にすべ
て移行するように（この状態をクロス状態と一般に称
し、の記号を用いて表されている）、位相定数が同一
の２本の光導波路の近接して配置する結合部の長さを設
定しておき、適切な電圧を印加したときには、２つの導
波路の位相定数が異なってくるため、一方から他方への
光の結合は生せず、光は入射した一方の導波路をそのま
ま進む（この状態をバー状態と一般に称し、の記号を
用いて表されている）という、状態、状態の２つの
状態を選択することによってスイッチングが実現され
る。
上述した従来の方向性結合器型の光スイッチは、前述
のような特徴を持つ反面、以下のような欠点を有する。
のような特徴を持つ反面、以下のような欠点を有する。
第１の欠点は、偏光依存性があることである。一般
に、光スイッチは光伝送路中に挿入され、光ファイバ中
を伝送された光信号の光路を切り替えるために使用され
る場合が多い。高速、大容量の光通信システムでは光フ
ァイバとして単一モード光ファイバが使用される。単一
モードファイバ中を透過した光波は、一般に楕円偏光で
あり、またその偏光状態も時間的に変動する。これまで
の導波路型の光スイッチでは、電圧、クロストークなど
のスイッチ特性が入射光の偏光状態に大きく依存する。
このため、光ファイバ伝送路の途中にこの導波路型光ス
イッチを挿入することは困難である。
に、光スイッチは光伝送路中に挿入され、光ファイバ中
を伝送された光信号の光路を切り替えるために使用され
る場合が多い。高速、大容量の光通信システムでは光フ
ァイバとして単一モード光ファイバが使用される。単一
モードファイバ中を透過した光波は、一般に楕円偏光で
あり、またその偏光状態も時間的に変動する。これまで
の導波路型の光スイッチでは、電圧、クロストークなど
のスイッチ特性が入射光の偏光状態に大きく依存する。
このため、光ファイバ伝送路の途中にこの導波路型光ス
イッチを挿入することは困難である。
第２の欠点は、方向性結合器型の光スイッチを用いて
マトリクスを構成したときにスイッチエレメント間を接
続する曲線導波路での光放射損失が生ずることである。
多チャンネルの入出力間の光路の切替を行なうサイズの
大きいスイッチマトリクスを考えたとき、スイッチ段数
は多段となり、これらを結ぶ曲線導波路の本数は増大
し、これらの各所で放射され損失される光の総量は莫大
となる。
マトリクスを構成したときにスイッチエレメント間を接
続する曲線導波路での光放射損失が生ずることである。
多チャンネルの入出力間の光路の切替を行なうサイズの
大きいスイッチマトリクスを考えたとき、スイッチ段数
は多段となり、これらを結ぶ曲線導波路の本数は増大
し、これらの各所で放射され損失される光の総量は莫大
となる。
第３の欠点は、特性が波長に対して敏感であることで
ある。半導体レーザの発振波長は、周知の如くロットご
とや温度によって変動する。一方、チャンネル導波路の
モード分布は、波長に対して分散特性を持つため、導波
路間の結合長は変化する。
ある。半導体レーザの発振波長は、周知の如くロットご
とや温度によって変動する。一方、チャンネル導波路の
モード分布は、波長に対して分散特性を持つため、導波
路間の結合長は変化する。
すなわち、波長が短くなれば導波路の光閉じこめ効果
は増して結合長は長くなり、波長が長くなれば結合長は
短くなる。このため、クロス・バー（・）２つのス
イッチ状態の電圧値は入力波長によって変わり、チャン
ネルごとに異なった波長の入力が想定されるマトリクス
スイッチを構成したときに、個個のスイッチエレメント
に異なる電圧値を調整して与えることは困難であり、不
都合である。
は増して結合長は長くなり、波長が長くなれば結合長は
短くなる。このため、クロス・バー（・）２つのス
イッチ状態の電圧値は入力波長によって変わり、チャン
ネルごとに異なった波長の入力が想定されるマトリクス
スイッチを構成したときに、個個のスイッチエレメント
に異なる電圧値を調整して与えることは困難であり、不
都合である。
上述した方向性結合器型の欠点を回避する光スイッチ
方式として、半導体材料を用い、この半導体材料の同一
表面に交差型の光導波路を形成し、電流注入による大き
な屈折率減少を利用して交差部での光の透過または全反
射の原理を使う方式が検討されている。この方式は原理
的には、電流注入で生じる屈折率減少が偏光依存性を持
たず、波長依存もそれほど敏感ではない、また、直線導
波路のみで網目状のスイッチマトリクスが構成できるた
め導波路放射損失は小さい。このような利点に反し、交
差部において、電流注入で生じる低屈折率層が幾何形状
的に必ずしも明確な屈折率段差を形成せず、また、この
低屈折率層一層だけでは全反射面にたいして導波モード
を有する入射角度スペクトル全体にたいして良好な全反
射条件が形成しきれないことなどのため、高いクロスト
ーク特性が得られないという欠点がある。
方式として、半導体材料を用い、この半導体材料の同一
表面に交差型の光導波路を形成し、電流注入による大き
な屈折率減少を利用して交差部での光の透過または全反
射の原理を使う方式が検討されている。この方式は原理
的には、電流注入で生じる屈折率減少が偏光依存性を持
たず、波長依存もそれほど敏感ではない、また、直線導
波路のみで網目状のスイッチマトリクスが構成できるた
め導波路放射損失は小さい。このような利点に反し、交
差部において、電流注入で生じる低屈折率層が幾何形状
的に必ずしも明確な屈折率段差を形成せず、また、この
低屈折率層一層だけでは全反射面にたいして導波モード
を有する入射角度スペクトル全体にたいして良好な全反
射条件が形成しきれないことなどのため、高いクロスト
ーク特性が得られないという欠点がある。
以上申し述べた如く、従来の導波路型の光スイッチで
は、偏光依存性、曲線導波路における放射損失の増大、
波長特性の敏感さ、低いクロストーク特性など、数々の
欠点を有している。
は、偏光依存性、曲線導波路における放射損失の増大、
波長特性の敏感さ、低いクロストーク特性など、数々の
欠点を有している。
本発明の目的は上述した従来の導波路型光スイッチの
欠点を取り除き、入射光の偏光状態に特性が依存せず、
導波路における放射損失が少なく、波長許容範囲の広
い、しかもクロストーク特性が優れる導波路型光スイッ
チを提供することにある。
欠点を取り除き、入射光の偏光状態に特性が依存せず、
導波路における放射損失が少なく、波長許容範囲の広
い、しかもクロストーク特性が優れる導波路型光スイッ
チを提供することにある。
本発明の方向性結合器型導波路型光スイッチは、第一
の半導体結晶層を介して互いに平行な上下２層の第二お
よび第三の半導体結晶層のそれぞれに設けた真直ぐなチ
ャンネル光導波路間に、結晶層に平行な面内で僅少の角
度差を与えて交差せしめ、かつ、前記上層のチャンネル
光導波路のクラッド部の屈折率を変化させる手段を備え
て構成される。
の半導体結晶層を介して互いに平行な上下２層の第二お
よび第三の半導体結晶層のそれぞれに設けた真直ぐなチ
ャンネル光導波路間に、結晶層に平行な面内で僅少の角
度差を与えて交差せしめ、かつ、前記上層のチャンネル
光導波路のクラッド部の屈折率を変化させる手段を備え
て構成される。
次に、本発明について図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の方向性結合器型導波路光スイッチの
第一の実施例の構成を示す斜視図、第２図は第１図の実
施例のＡ−Ａ′断面図（ａ）,O−Ｏ′断面図（ｂ）およ
びＢ−Ｂ′断面図（ｃ）である。
第一の実施例の構成を示す斜視図、第２図は第１図の実
施例のＡ−Ａ′断面図（ａ）,O−Ｏ′断面図（ｂ）およ
びＢ−Ｂ′断面図（ｃ）である。
第１図において、第三の半導体結晶層としての半導体
結晶基板１は、この結晶基板中に直線光導波路２を形成
するための１本の溝を形成してある。この溝の方向は、
例えばｙ軸を選ぶ。
結晶基板１は、この結晶基板中に直線光導波路２を形成
するための１本の溝を形成してある。この溝の方向は、
例えばｙ軸を選ぶ。
半導体結晶基板の上に、半導体結晶基板よりも屈折率
の大きい組成の第一の半導体結晶層としての半導体結晶
層３をエピタキシャル成長させてその表面に直線光導波
路４を形成するための溝状の突起を形成し、さらに半導
体結晶層３の上に半導体結晶基板と同一組成の第二の半
導体結晶層としての半導体結晶層５を形成してある。
の大きい組成の第一の半導体結晶層としての半導体結晶
層３をエピタキシャル成長させてその表面に直線光導波
路４を形成するための溝状の突起を形成し、さらに半導
体結晶層３の上に半導体結晶基板と同一組成の第二の半
導体結晶層としての半導体結晶層５を形成してある。
チャンネル光導波路としての直線光導波路４を形成す
べき溝状の突起の幅および高さは、直線光導波路２を形
成するための溝と同じとし、かつこの溝状の突起の方向
は、直線光導波路２を形成するための溝の方向として選
んだｙ軸から僅少の角度、約１゜程度回転させた方向と
し、しかも半導体結晶層３の中央付近で直線光導波路２
を形成すべき溝を跨ぐように形成してある。直線光導波
路４を形成する突起を含む結晶層の領域は導波路を形成
する。直線光導波路２と４が上下に交差する付近で、上
部に設けた直線光導波路４のクラッド部である半導体結
晶層５の表面に、電界や電流を印加して直線光導波路４
のクラッド部の屈折率を変化させるための対向電極６お
よび７がこの光導波路に沿って設けてある。第２図は、
第１図の実施例のＡ−Ａ′,O−Ｏ′,B−Ｂ′での縦断面
図である。
べき溝状の突起の幅および高さは、直線光導波路２を形
成するための溝と同じとし、かつこの溝状の突起の方向
は、直線光導波路２を形成するための溝の方向として選
んだｙ軸から僅少の角度、約１゜程度回転させた方向と
し、しかも半導体結晶層３の中央付近で直線光導波路２
を形成すべき溝を跨ぐように形成してある。直線光導波
路４を形成する突起を含む結晶層の領域は導波路を形成
する。直線光導波路２と４が上下に交差する付近で、上
部に設けた直線光導波路４のクラッド部である半導体結
晶層５の表面に、電界や電流を印加して直線光導波路４
のクラッド部の屈折率を変化させるための対向電極６お
よび７がこの光導波路に沿って設けてある。第２図は、
第１図の実施例のＡ−Ａ′,O−Ｏ′,B−Ｂ′での縦断面
図である。
次に本実施例の方向性結合器型光スイッチの動作につ
いて説明する。一方の直線光導波路２に入射した光は、
対向電極６および７の間に電圧または電流が印加されな
い時には直線光導波路２を進むにつれ光パワーが直線光
導波路４に徐徐に移行し、出射時には直線光導波路４か
ら全パワー出射する。一方、対向電極６と７の間に電圧
または電流が印加されると、直線光導波路２に入射した
光は、終始自らの直線光導波路２を進みそのまま出射す
る。すなわち、印加しない時には直線光導波路４から、
印加した時には直線光導波路２から、と経路のスイッチ
ングが行なわれる。加えて直線光導波路2,4を光スイッ
チ素子とするこの光スイッチング特性は、偏光無依存で
あり、入射光の波長のずれに対して冗長性がある。
いて説明する。一方の直線光導波路２に入射した光は、
対向電極６および７の間に電圧または電流が印加されな
い時には直線光導波路２を進むにつれ光パワーが直線光
導波路４に徐徐に移行し、出射時には直線光導波路４か
ら全パワー出射する。一方、対向電極６と７の間に電圧
または電流が印加されると、直線光導波路２に入射した
光は、終始自らの直線光導波路２を進みそのまま出射す
る。すなわち、印加しない時には直線光導波路４から、
印加した時には直線光導波路２から、と経路のスイッチ
ングが行なわれる。加えて直線光導波路2,4を光スイッ
チ素子とするこの光スイッチング特性は、偏光無依存で
あり、入射光の波長のずれに対して冗長性がある。
上述したような動作が実現する理由は以下のように理
解される。すなわち、同一の位相定数をもつ２本の直線
光導波路が上下に交差したこの構造は、２つの導波路間
の光結合の強さが一様でなく、光透過方向に重み付けが
された第３図（ａ）の光導波路間結合係数を有する方向
性結合器を構成していることと実効的に等価である。
解される。すなわち、同一の位相定数をもつ２本の直線
光導波路が上下に交差したこの構造は、２つの導波路間
の光結合の強さが一様でなく、光透過方向に重み付けが
された第３図（ａ）の光導波路間結合係数を有する方向
性結合器を構成していることと実効的に等価である。
一般に、同一の位相定数をもつ２本の光導波路間の結
合定数が光進行方向に一様の場合の結合光量はsin2（κ
ｚ）に比例する。ここで、κは光進行方向の座標ｚに依
存せずに一定の結合定数である。すなわち、結合光量は
ｚの周期関数となる。或る特定の波長および偏光モード
にたいして完全結合すなわちsin2（κz0）＝１となるよ
うに方向性結合器の結合長z0を設定しても、僅か波長が
異なったり偏光モードが異なったりすると、結合定数κ
が変わるため、これらに対しては完全結合とはならない
（sin2（κz0）≠１）。
合定数が光進行方向に一様の場合の結合光量はsin2（κ
ｚ）に比例する。ここで、κは光進行方向の座標ｚに依
存せずに一定の結合定数である。すなわち、結合光量は
ｚの周期関数となる。或る特定の波長および偏光モード
にたいして完全結合すなわちsin2（κz0）＝１となるよ
うに方向性結合器の結合長z0を設定しても、僅か波長が
異なったり偏光モードが異なったりすると、結合定数κ
が変わるため、これらに対しては完全結合とはならない
（sin2（κz0）≠１）。
これに対して、光透過方向に結合定数の重み付けがな
された方向性結合器の結合光量のｚに対する変化は、第
３図（ｂ）の実線に示すように階段状の曲線となり、周
期関数とはならない。加えて、設計モードとは結合定数
が僅かに異なる偏光モードや近接した波長の光に対して
も、第３図（ｂ）の破線に示すようにスロープの傾きは
異なるもののやはり階段状の曲線となるため完全な結合
が確保される。
された方向性結合器の結合光量のｚに対する変化は、第
３図（ｂ）の実線に示すように階段状の曲線となり、周
期関数とはならない。加えて、設計モードとは結合定数
が僅かに異なる偏光モードや近接した波長の光に対して
も、第３図（ｂ）の破線に示すようにスロープの傾きは
異なるもののやはり階段状の曲線となるため完全な結合
が確保される。
次に、半導体結晶層３の表面に設けた方向電極６およ
び７の間に電圧または電流を印加すると、直線光導波路
４のクラッド部の屈折率が変化し、直線光導波路４の位
相定数が導波路２の位相定数と一致しなくなるため、直
接光導波路間の結合は生じなくなる。
び７の間に電圧または電流を印加すると、直線光導波路
４のクラッド部の屈折率が変化し、直線光導波路４の位
相定数が導波路２の位相定数と一致しなくなるため、直
接光導波路間の結合は生じなくなる。
２つの直線光導波路間の光結合定数に光透過方向に沿
って重み付けが施された方向性結合器を単一の結晶面の
上に曲線導波路によって構成した例はLiNbO3結晶を用い
た例が知られている。平面上の導波路の間隔を光の進行
方向に変化させているものであって、スイッチング特性
の偏光無依存性、入射光波長に対する冗長性が確認され
ている。この公知例では曲線導波路で構成しなければな
らない。このため、曲線部での放射損失が避けられな
い。これに対して、本発明では、直線導波路のみで構成
できる特徴を持つ。このことは、第４図の如く直線光導
波路による光スイッチ素子をマトリクス状に構成したと
きに時に顕著である。
って重み付けが施された方向性結合器を単一の結晶面の
上に曲線導波路によって構成した例はLiNbO3結晶を用い
た例が知られている。平面上の導波路の間隔を光の進行
方向に変化させているものであって、スイッチング特性
の偏光無依存性、入射光波長に対する冗長性が確認され
ている。この公知例では曲線導波路で構成しなければな
らない。このため、曲線部での放射損失が避けられな
い。これに対して、本発明では、直線導波路のみで構成
できる特徴を持つ。このことは、第４図の如く直線光導
波路による光スイッチ素子をマトリクス状に構成したと
きに時に顕著である。
なお、光導波路の構造ならびに作成法は、上述した実
施例で示すものに限定されるものではなく、知られてい
る方法の多くを利用することが出来る。例えば、第５図
は、本発明の方向性結合器型導波路光スイッチの第二の
実施例の構造を示す斜視図で、光導波路のコア部（斜線
部）10,11以外はすべて同一の組成としたものであっ
て、この構造の作成は、半導体レーザを作成する際に用
いられるエッチングの技術と結晶成長の技術とを繰り返
し用いることで実現が可能である。
施例で示すものに限定されるものではなく、知られてい
る方法の多くを利用することが出来る。例えば、第５図
は、本発明の方向性結合器型導波路光スイッチの第二の
実施例の構造を示す斜視図で、光導波路のコア部（斜線
部）10,11以外はすべて同一の組成としたものであっ
て、この構造の作成は、半導体レーザを作成する際に用
いられるエッチングの技術と結晶成長の技術とを繰り返
し用いることで実現が可能である。
以上説明したように本発明によれば、第一の半導体結
晶層を介して互いに平行な上下２層の第２および第三の
半導体結晶層のそれぞれに設けたチャンネル導波路の光
透過軸に僅少の角度差を付与し前記上層のチャンネル導
波路のクラッド部の屈折率を変化させることにより、導
波路放射損失が小さく、特性が入射偏光に依存せず、設
計波長にたいしての使用波長変化の許容範囲が広く、し
かもクロストーク特性が優れる方向性結合器型導波路光
スイッチが実現できるという効果がある。
晶層を介して互いに平行な上下２層の第２および第三の
半導体結晶層のそれぞれに設けたチャンネル導波路の光
透過軸に僅少の角度差を付与し前記上層のチャンネル導
波路のクラッド部の屈折率を変化させることにより、導
波路放射損失が小さく、特性が入射偏光に依存せず、設
計波長にたいしての使用波長変化の許容範囲が広く、し
かもクロストーク特性が優れる方向性結合器型導波路光
スイッチが実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の方向性結合器型導波路光スイッチの第
一の実施例の構造を示す斜視図、第２図は第１図の実施
例のＡ−Ａ′断面図（ａ）,B−Ｂ′断面図（ｂ）および
Ｃ−Ｃ′断面図（ｃ）、第３図（ａ）は第１図の実施例
の光透過方向での光導波路間の結合係数の空間的分布特
性図、第３図（ｂ）は第１図の実施例の光導波路間の結
合光量特性図、第４図は第１図の実施例の光導波路をマ
トリックス化した構造の一例を示す斜視図、第５図は本
発明の方向性結合器型導波路光スイッチの第二の実施例
の構造を示す斜視図である。 １……半導体結晶基板、２……直線光導波路、……半導
体結晶層、４……直接光導波路、５……半導体結晶層、
6,7……対向電極、8,9……直線光導電路、10,11……光
導波路コア部。
一の実施例の構造を示す斜視図、第２図は第１図の実施
例のＡ−Ａ′断面図（ａ）,B−Ｂ′断面図（ｂ）および
Ｃ−Ｃ′断面図（ｃ）、第３図（ａ）は第１図の実施例
の光透過方向での光導波路間の結合係数の空間的分布特
性図、第３図（ｂ）は第１図の実施例の光導波路間の結
合光量特性図、第４図は第１図の実施例の光導波路をマ
トリックス化した構造の一例を示す斜視図、第５図は本
発明の方向性結合器型導波路光スイッチの第二の実施例
の構造を示す斜視図である。 １……半導体結晶基板、２……直線光導波路、……半導
体結晶層、４……直接光導波路、５……半導体結晶層、
6,7……対向電極、8,9……直線光導電路、10,11……光
導波路コア部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−6053（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−6054（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−206530（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，Ｖｏ ｌ．35 Ｎｏ．10 （1979） Ｐ．748 〜Ｐ．750 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗ ａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏ ｌ．ＬＴ−２ Ｎｏ．１ （1984） Ｐ．51〜Ｐ．55
Claims (1)
- 【請求項１】第一の半導体結晶層を介して互いに平行な
上下２層の第二および第三の半導体結晶層のそれぞれに
設けた真直ぐなチャンネル光導波路間に、結晶層に平行
な面内で僅少の角度差を与えて交差せしめ、かつ、前記
上層のチャンネル光導波路のクラッド部の屈折率を変化
させる手段を備えて成ることを特徴とする方向性結合器
型導波路光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21551788A JP2705134B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 方向性結合器型導波路光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21551788A JP2705134B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 方向性結合器型導波路光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262519A JPH0262519A (ja) | 1990-03-02 |
| JP2705134B2 true JP2705134B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=16673722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21551788A Expired - Lifetime JP2705134B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 方向性結合器型導波路光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2705134B2 (ja) |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP21551788A patent/JP2705134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，Ｖｏｌ．３５ Ｎｏ．１０ （１９７９） Ｐ．７４８〜Ｐ．７５０ |
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．ＬＴ−２ Ｎｏ．１ （１９８４） Ｐ．５１〜Ｐ．５５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262519A (ja) | 1990-03-02 |
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