JPH07294759A - 光制御デバイス及びその製造方法 - Google Patents
光制御デバイス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07294759A JPH07294759A JP6083265A JP8326594A JPH07294759A JP H07294759 A JPH07294759 A JP H07294759A JP 6083265 A JP6083265 A JP 6083265A JP 8326594 A JP8326594 A JP 8326594A JP H07294759 A JPH07294759 A JP H07294759A
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- JP
- Japan
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- optical
- buffer layer
- substrate
- control device
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光制御デバイスの特性を歩留り良く、常に安
定して得ることができる。 【構成】 バッファ層３の作製前に光導波路２が形成さ
れたＬｉＮｂＯ3 またはＬｉＴａＯ3 基板１の表面のＬ
ｉをＮａあるいはＫとイオン交換したことを特徴とす
る。この処理により基板１の表面からのＬｉの外拡散が
抑制される。この結果バッファ層３中のＬｉイオンの量
が少なくなるためＤＣドリフトを低減することができ、
常に安定な動作が得られる。
定して得ることができる。 【構成】 バッファ層３の作製前に光導波路２が形成さ
れたＬｉＮｂＯ3 またはＬｉＴａＯ3 基板１の表面のＬ
ｉをＮａあるいはＫとイオン交換したことを特徴とす
る。この処理により基板１の表面からのＬｉの外拡散が
抑制される。この結果バッファ層３中のＬｉイオンの量
が少なくなるためＤＣドリフトを低減することができ、
常に安定な動作が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光波の変調、光路切替え
を行う光制御デバイスに関し、特に電気光学効果を有す
るＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板中に形成され
た光導波路を用いて制御を行う導波型光スイッチ及びそ
の製造方法に関するものである。
を行う光制御デバイスに関し、特に電気光学効果を有す
るＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板中に形成され
た光導波路を用いて制御を行う導波型光スイッチ及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの実用化に伴い、更に大
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。現在の実用システ
ムでは光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注
入電流を変調することによって得られているが、直接変
調では緩和振動の効果、波長チャーピングの発生等のた
め数ＧＨｚ以上の高速変調が難しいこと、波長変動が発
生するためコヒーレント光伝送方式には適用が難しい等
の欠点がある。これを解決する手段としては、外部変調
器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中に形
成された光導波路により構成される導波型の光変調器は
小型、高効率、高速という特徴がある。
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。現在の実用システ
ムでは光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注
入電流を変調することによって得られているが、直接変
調では緩和振動の効果、波長チャーピングの発生等のた
め数ＧＨｚ以上の高速変調が難しいこと、波長変動が発
生するためコヒーレント光伝送方式には適用が難しい等
の欠点がある。これを解決する手段としては、外部変調
器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中に形
成された光導波路により構成される導波型の光変調器は
小型、高効率、高速という特徴がある。
【０００３】一方、光伝送路の切り替えやネットワーク
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り替
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適等の欠点がある。これを解決する手段とし
ても光導波路を用いた導波型の光スイッチの開発が進め
られており、高速、多素子の集積化が可能、高信頼等の
特徴がある。特にニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結
晶等の強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低
損失であること、大きな電気光学効果を有しているため
高効率である等の特徴があり、方向性結合器型光変調器
あるいは光スイッチ、全反射型光スイッチ、マッハツェ
ンダ型光変調器等の種々の方式の光制御デバイスが報告
されている。
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り替
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適等の欠点がある。これを解決する手段とし
ても光導波路を用いた導波型の光スイッチの開発が進め
られており、高速、多素子の集積化が可能、高信頼等の
特徴がある。特にニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）結
晶等の強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低
損失であること、大きな電気光学効果を有しているため
高効率である等の特徴があり、方向性結合器型光変調器
あるいは光スイッチ、全反射型光スイッチ、マッハツェ
ンダ型光変調器等の種々の方式の光制御デバイスが報告
されている。
【０００４】近年、この導波路型光スイッチの高密度集
積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕らの文
献、電子情報通信学会ＯＱＥ８８−１４７によれば、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板を用いて方向性結合器型光スイッチを６
４素子集積した８×８マトリクス光スイッチを得てい
る。一方、外部光変調器のような単一の光スイッチ素子
からなるデバイスの研究開発も盛んに進められている。
このような光スイッチデバイスの特性項目には、スイッ
チング電圧（電力）、クロストーク、消光比、損失、切
り替え速度、温湿度などの環境に対する動作の安定性、
また、電圧の連続印加時における動作の安定性などがあ
る。
積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕らの文
献、電子情報通信学会ＯＱＥ８８−１４７によれば、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板を用いて方向性結合器型光スイッチを６
４素子集積した８×８マトリクス光スイッチを得てい
る。一方、外部光変調器のような単一の光スイッチ素子
からなるデバイスの研究開発も盛んに進められている。
このような光スイッチデバイスの特性項目には、スイッ
チング電圧（電力）、クロストーク、消光比、損失、切
り替え速度、温湿度などの環境に対する動作の安定性、
また、電圧の連続印加時における動作の安定性などがあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した特性項目の中
でも安定動作は実用において最も重要な点である。
でも安定動作は実用において最も重要な点である。
【０００６】ここで従来の技術を図面を用いて説明す
る。図２は方向性結合器５を用いた従来の光スイッチの
最終形態を示す断面図である。図２において、電気光学
効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板１
（今後、基板１と呼ぶ）に形成された２本の光導波路２
からなる方向性結合器５を含む基板１上にバッファ層３
が装荷され、前記バッファ層３を介して主として金属材
料からなる電極４ａ，４ｂが光導波路２の上に形成され
る。そして更に導電性膜７が装荷される。この導電性膜
７はサワキらの文献クレオ（ＣＬＥＯ）’８６ ＭＦ−
２、４６ページによれば、温度変動が発生した場合に強
誘電体が有する焦電効果により基板中に生ずる電荷の移
動による特性不安定化を防ぐ作用がある。すなわち、温
度の変動に対してのスイッチ動作の安定化の効果がある
と考えられており、Ｓｉ膜が用いられている。
る。図２は方向性結合器５を用いた従来の光スイッチの
最終形態を示す断面図である。図２において、電気光学
効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板１
（今後、基板１と呼ぶ）に形成された２本の光導波路２
からなる方向性結合器５を含む基板１上にバッファ層３
が装荷され、前記バッファ層３を介して主として金属材
料からなる電極４ａ，４ｂが光導波路２の上に形成され
る。そして更に導電性膜７が装荷される。この導電性膜
７はサワキらの文献クレオ（ＣＬＥＯ）’８６ ＭＦ−
２、４６ページによれば、温度変動が発生した場合に強
誘電体が有する焦電効果により基板中に生ずる電荷の移
動による特性不安定化を防ぐ作用がある。すなわち、温
度の変動に対してのスイッチ動作の安定化の効果がある
と考えられており、Ｓｉ膜が用いられている。
【０００７】また、バッファ層３は光導波路２を伝搬す
る光が電極４ａ，４ｂ及び導電性膜７に吸収されるのを
防ぐために用いられ、通常光に対して極めて吸収の少な
い絶縁体、特にＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 が一般に用いられ
る。なぜなら、これらの屈折率は電気光学効果を有する
ＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板１の屈折率の約
２．２より小さく、かつ、光の吸収がほとんど無いため
である。屈折率が小さい場合、電極４ａ，４ｂ及び導電
性膜７での光の吸収を防ぐために必要なバッファ層３の
厚さを屈折率が大きい場合より薄膜化できる。スイッチ
ング電圧を考えると、電極４ａ，４ｂに電圧を印加した
場合、通常バッファ層３の誘電率は基板１に比べて小さ
いため電界がバッファ層３に集中するため、バッファ層
３の厚さが厚いほどスイッチング電圧は増大する。従っ
て、バッファ層３としては屈折率が小さく、かつ、光の
吸収が極めて小さいＳｉＯ2 が用いられる。しかし、バ
ッファ層３としてＳｉＯ2 を用い、電極４ａをアースと
して電極４ｂに直流電圧を連続印加するとバッファ層３
中のイオンが電界により移動し各電極４ａ、４ｂの下に
は外部から印加した電圧の符号とは逆のイオンが集ま
る。従って、電極４ａ，４ｂの間は外部からの印加電圧
で発生する基板中の電界に対して反電界が発生する。こ
の反電界の大きさは時間と共にイオンの総移動量が増加
するために大きくなっていく。この現象は一般にＤＣド
リフトと呼ばれる。外部からの印加電圧を一定としてい
る場合、反電界が発生すると光導波路に印加される電界
が減少することになり特性劣化が起こる。すなわち、時
間と共に大きくなる反電界が発生した場合、反電界が発
生する前の特性に戻すためには反電界をキャンセルさせ
る電圧を外部から印加しなければならない。これはスイ
ッチ動作の動作電圧点のシフトを意味し、実用化するた
めの大きな障害となる。
る光が電極４ａ，４ｂ及び導電性膜７に吸収されるのを
防ぐために用いられ、通常光に対して極めて吸収の少な
い絶縁体、特にＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 が一般に用いられ
る。なぜなら、これらの屈折率は電気光学効果を有する
ＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板１の屈折率の約
２．２より小さく、かつ、光の吸収がほとんど無いため
である。屈折率が小さい場合、電極４ａ，４ｂ及び導電
性膜７での光の吸収を防ぐために必要なバッファ層３の
厚さを屈折率が大きい場合より薄膜化できる。スイッチ
ング電圧を考えると、電極４ａ，４ｂに電圧を印加した
場合、通常バッファ層３の誘電率は基板１に比べて小さ
いため電界がバッファ層３に集中するため、バッファ層
３の厚さが厚いほどスイッチング電圧は増大する。従っ
て、バッファ層３としては屈折率が小さく、かつ、光の
吸収が極めて小さいＳｉＯ2 が用いられる。しかし、バ
ッファ層３としてＳｉＯ2 を用い、電極４ａをアースと
して電極４ｂに直流電圧を連続印加するとバッファ層３
中のイオンが電界により移動し各電極４ａ、４ｂの下に
は外部から印加した電圧の符号とは逆のイオンが集ま
る。従って、電極４ａ，４ｂの間は外部からの印加電圧
で発生する基板中の電界に対して反電界が発生する。こ
の反電界の大きさは時間と共にイオンの総移動量が増加
するために大きくなっていく。この現象は一般にＤＣド
リフトと呼ばれる。外部からの印加電圧を一定としてい
る場合、反電界が発生すると光導波路に印加される電界
が減少することになり特性劣化が起こる。すなわち、時
間と共に大きくなる反電界が発生した場合、反電界が発
生する前の特性に戻すためには反電界をキャンセルさせ
る電圧を外部から印加しなければならない。これはスイ
ッチ動作の動作電圧点のシフトを意味し、実用化するた
めの大きな障害となる。
【０００８】また、このイオンはバッファ層３の作製プ
ロセスにおいて不純物としてバッファ層３中に混入す
る。不純物イオンの中でＮａ、Ｌｉ、Ｋ等のアルカリ金
属類は可動イオンとしてバッファ層３中を容易に動くこ
とが知られこれらのイオンの侵入を防ぐ必要がある。し
かしＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 においては熱処
理を施したときに結晶表面からＬｉ2 Ｏが外部へ放出さ
れる外拡散現象が生じるため、特に基板１の表面にバッ
ファ層３を形成する際熱処理を施すと、この外拡散によ
りバッファ層３中にＬｉ2 Ｏが混入しさらにＬｉイオン
となることによってデバイス作製後電界を印加した際に
バッファ層３中を動き、ＤＣドリフトの原因となる。
ロセスにおいて不純物としてバッファ層３中に混入す
る。不純物イオンの中でＮａ、Ｌｉ、Ｋ等のアルカリ金
属類は可動イオンとしてバッファ層３中を容易に動くこ
とが知られこれらのイオンの侵入を防ぐ必要がある。し
かしＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 においては熱処
理を施したときに結晶表面からＬｉ2 Ｏが外部へ放出さ
れる外拡散現象が生じるため、特に基板１の表面にバッ
ファ層３を形成する際熱処理を施すと、この外拡散によ
りバッファ層３中にＬｉ2 Ｏが混入しさらにＬｉイオン
となることによってデバイス作製後電界を印加した際に
バッファ層３中を動き、ＤＣドリフトの原因となる。
【０００９】本発明の目的は、従来の光制御デバイスに
比べて長期に渡って安定な動作が得られる光制御デバイ
スを与えることにある。
比べて長期に渡って安定な動作が得られる光制御デバイ
スを与えることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は電気光学効果を
有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板上に形成
された光導波路、前記光導波路上に形成されるバッファ
層、前記光導波路近傍の前記バッファ層上に形成される
複数本からなる電極及び前記電極上または前記電極と前
記バッファ層の間に形成される導電性膜からなる導波路
型の光制御デバイスにおいて、前記光導波路を形成した
前記基板の表面のＬｉをＮａあるいはＫとイオン交換処
理することを特徴とする。
有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板上に形成
された光導波路、前記光導波路上に形成されるバッファ
層、前記光導波路近傍の前記バッファ層上に形成される
複数本からなる電極及び前記電極上または前記電極と前
記バッファ層の間に形成される導電性膜からなる導波路
型の光制御デバイスにおいて、前記光導波路を形成した
前記基板の表面のＬｉをＮａあるいはＫとイオン交換処
理することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の光制御デバイスにおいては、基板の表
面のＬｉをＮａあるいはＫとイオン交換させる。一般に
アルカリの金属類のイオンの移動度はそのイオン半径等
の要因によってＬｉ、Ｎａ、Ｋの順に小さくなることが
知られている。すなわちＮａ、ＫイオンはＬｉイオンに
比べて動きにくいイオンである。そこで基板の表面近傍
のＬｉをＮａあるいはＫでイオン交換し、ＬｉX Ｎａ
(1-X) ＮｂＯ3 、ＬｉX Ｋ(1-X) ＮｂＯ3 あるいはＬｉ
X Ｎａ(1-X) ＮｂＯ3 、ＬｉX Ｋ(1-X) ＮｂＯ3 （０≦
Ｘ≦１）のイオン交換層を形成することによって基板か
らのＬｉの混入を抑制することができる。この結果ＤＣ
ドリフトを低減することができ、光制御デバイスを安定
に動作させることができる。
面のＬｉをＮａあるいはＫとイオン交換させる。一般に
アルカリの金属類のイオンの移動度はそのイオン半径等
の要因によってＬｉ、Ｎａ、Ｋの順に小さくなることが
知られている。すなわちＮａ、ＫイオンはＬｉイオンに
比べて動きにくいイオンである。そこで基板の表面近傍
のＬｉをＮａあるいはＫでイオン交換し、ＬｉX Ｎａ
(1-X) ＮｂＯ3 、ＬｉX Ｋ(1-X) ＮｂＯ3 あるいはＬｉ
X Ｎａ(1-X) ＮｂＯ3 、ＬｉX Ｋ(1-X) ＮｂＯ3 （０≦
Ｘ≦１）のイオン交換層を形成することによって基板か
らのＬｉの混入を抑制することができる。この結果ＤＣ
ドリフトを低減することができ、光制御デバイスを安定
に動作させることができる。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）、図１（ｂ）は本発明の一実施例に係わ
る光制御デバイスの製造方法を示す断面図である。
る。図１（ａ）、図１（ｂ）は本発明の一実施例に係わ
る光制御デバイスの製造方法を示す断面図である。
【００１３】図１（ａ）は方向性結合器５を用いた光ス
イッチの製造工程において、バッファ層３作製前の本発
明による処理を示す断面図である。図１（ａ）において
電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ
3 基板１上に２本の光導波路２からなる方向性結合器５
が形成されている。本発明による製造方法ではこの基板
１の表面のＬｉをＮａあるいはＫによってイオン交換さ
せる。このイオン交換に用いる物質としてはＮａあるい
はＫを含む硝酸塩類、塩素酸塩類、過酸化物等の酸化性
物質が有効である。例えば硝酸塩類であるＮａＮＯ3 、
ＫＮＯ3 はその融点が３００〜４００℃程度であり電気
炉等で溶融することができ、この融液８中に光導波路２
が形成された基板１を浸すことによって、ＬｉとＮａあ
るいはＫとのイオン交換が行われる。この処理により表
面に形成されたイオン交換層６によってこの後形成され
るバッファ層３の作製時の熱プロセスにおいては基板１
からのＬｉ2 Ｏの外拡散が抑制されるためバッファ層３
中へのＬｉの混入を防ぐことができる。ただしデバイス
の光学特性に影響を及ぼさないようにこのイオン交換層
６の厚さは光導波路２の厚さよりも十分薄くする必要が
ある。図１（ｂ）は本発明による光制御デバイスの最終
形態を示す断面図である。上記のように本発明によりバ
ッファ層３内で動きうるＬｉイオンの量を低減させるこ
とができ、ＤＣドリフトを抑圧することができる。
イッチの製造工程において、バッファ層３作製前の本発
明による処理を示す断面図である。図１（ａ）において
電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ
3 基板１上に２本の光導波路２からなる方向性結合器５
が形成されている。本発明による製造方法ではこの基板
１の表面のＬｉをＮａあるいはＫによってイオン交換さ
せる。このイオン交換に用いる物質としてはＮａあるい
はＫを含む硝酸塩類、塩素酸塩類、過酸化物等の酸化性
物質が有効である。例えば硝酸塩類であるＮａＮＯ3 、
ＫＮＯ3 はその融点が３００〜４００℃程度であり電気
炉等で溶融することができ、この融液８中に光導波路２
が形成された基板１を浸すことによって、ＬｉとＮａあ
るいはＫとのイオン交換が行われる。この処理により表
面に形成されたイオン交換層６によってこの後形成され
るバッファ層３の作製時の熱プロセスにおいては基板１
からのＬｉ2 Ｏの外拡散が抑制されるためバッファ層３
中へのＬｉの混入を防ぐことができる。ただしデバイス
の光学特性に影響を及ぼさないようにこのイオン交換層
６の厚さは光導波路２の厚さよりも十分薄くする必要が
ある。図１（ｂ）は本発明による光制御デバイスの最終
形態を示す断面図である。上記のように本発明によりバ
ッファ層３内で動きうるＬｉイオンの量を低減させるこ
とができ、ＤＣドリフトを抑圧することができる。
【００１４】なお、本発明は方向性結合器からなる光制
御デバイスだけに対してだけでなく、マッハツェンダ
型、交差導波路を用いた全反射型等の全ての光制御デバ
イスに有効であるのは明らかである。
御デバイスだけに対してだけでなく、マッハツェンダ
型、交差導波路を用いた全反射型等の全ての光制御デバ
イスに有効であるのは明らかである。
【００１５】
【発明の効果】本発明の光制御デバイスにおいては、基
板からバッファ層に混入しバッファ層内で移動するＬｉ
イオンの量を少なくすることができるため、ＤＣドリフ
トを低減でき常に安定な動作が得られる。
板からバッファ層に混入しバッファ層内で移動するＬｉ
イオンの量を少なくすることができるため、ＤＣドリフ
トを低減でき常に安定な動作が得られる。
【図１】（ａ）は本発明に係わる光制御デバイスの製造
工程を示す断面図。（ｂ）は本発明に係わる光制御デバ
イスの最終形態の断面図。
工程を示す断面図。（ｂ）は本発明に係わる光制御デバ
イスの最終形態の断面図。
【図２】従来の光制御デバイスの断面図。
１ 電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴ
ａＯ3 基板 ２ 光導波路 ３ バッファ層 ４ａ、４ｂ 電極 ５ 方向性結合器 ６ イオン交換層（ＬｉX Ｎａ(1-X) ＮｂＯ3 、ＬｉX
Ｋ(1-X) ＮｂＯ3 （０≦Ｘ≦１）ｅｔｃ．） ７ 導電性膜 ８ イオン交換用融液
ａＯ3 基板 ２ 光導波路 ３ バッファ層 ４ａ、４ｂ 電極 ５ 方向性結合器 ６ イオン交換層（ＬｉX Ｎａ(1-X) ＮｂＯ3 、ＬｉX
Ｋ(1-X) ＮｂＯ3 （０≦Ｘ≦１）ｅｔｃ．） ７ 導電性膜 ８ イオン交換用融液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西本 裕 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるい
はＬｉＴａＯ3 基板上に形成された光導波路と、前記光
導波路上に形成されるバッファ層と、前記光導波路近傍
の前記バッファ層上に形成される複数本からなる電極及
び前記電極上または前記電極と前記バッファ層の間に形
成される導電性膜からなる導波路型の光制御デバイスに
おいて、前記光導波路を形成した前記基板の表面のＬｉ
がＮａあるいはＫとイオン交換処理され、基板表面にＬ
ｉX Ｎａ(1-X) ＮｂＯ3 、またはＬｉX Ｋ(1-X ) ＮｂＯ
3 あるいはＬｉX Ｎａ(1-X) ＴａＯ3 、またはＬｉX Ｋ
(1-X) ＴａＯ3（０≦Ｘ≦１）からなる層が形成されて
いることを特徴とする光制御デバイス。 - 【請求項２】電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるい
はＬｉＴａＯ3 基板上に光導波路と、前記光導波路上に
形成されるバッファ層を形成する工程と、前記光導波路
近傍の前記バッファ層上に複数本からなる電極を形成し
前記電極上または前記電極と前記バッファ層の間に導電
性膜を形成する工程とを有する光制御デバイスの製造方
法において、前記バッファ層の形成前に前記基板の表面
のＬｉをＮａあるいはＫとイオン交換処理することを特
徴とする光制御デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6083265A JPH07294759A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | 光制御デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6083265A JPH07294759A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | 光制御デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294759A true JPH07294759A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13797527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6083265A Pending JPH07294759A (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | 光制御デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07294759A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273207A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Fujitsu Ltd | 導波路光デイバイス |
-
1994
- 1994-04-21 JP JP6083265A patent/JPH07294759A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273207A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Fujitsu Ltd | 導波路光デイバイス |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970121 |