JP3490510B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体装置に係わ
り、特に高速大容量の光通信システムで用いられる光変
調器及び光スイッチとして利用できる光半導体装置に関
する。
り、特に高速大容量の光通信システムで用いられる光変
調器及び光スイッチとして利用できる光半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザの直接変調を利用し
た超高速の光通信システムの開発が盛んである。この種
の光通信システムにおいて、光の伝送距離を制限するの
は変調時の波長の揺らぎ、即ち波長チャープであり、今
までにも歪量子井戸構造をレーザ内部に採用して波長チ
ャープの低減が試みられている。さらに、最近のＥｒド
ープのファイバアンプの出現と共に、伝送距離を延ばす
ため、より低チャープの光源が求められており、半導体
光変調器を使用した長距離大容量の光通信システムの研
究開発が盛んである。
た超高速の光通信システムの開発が盛んである。この種
の光通信システムにおいて、光の伝送距離を制限するの
は変調時の波長の揺らぎ、即ち波長チャープであり、今
までにも歪量子井戸構造をレーザ内部に採用して波長チ
ャープの低減が試みられている。さらに、最近のＥｒド
ープのファイバアンプの出現と共に、伝送距離を延ばす
ため、より低チャープの光源が求められており、半導体
光変調器を使用した長距離大容量の光通信システムの研
究開発が盛んである。
【０００３】このようなシステムで、さらなる長距離伝
送を可能にするには、より一層の波長チャープ低減が必
要であり、重要な課題となっている。ところが、吸収の
変化を直接利用する通常の光変調器では電圧印加による
吸収の変化と共に波長チャープをもたらし、長距離の伝
送が困難であった。
送を可能にするには、より一層の波長チャープ低減が必
要であり、重要な課題となっている。ところが、吸収の
変化を直接利用する通常の光変調器では電圧印加による
吸収の変化と共に波長チャープをもたらし、長距離の伝
送が困難であった。
【０００４】図４は、従来の量子シュタルクシフト型光
変調器であり、１１はＩｎＰ基板、１２はＩｎＰバッフ
ァ層、１６は電極、４１はＩｎＧａＡｓＰ系材料からな
る量子井戸、４２はＩｎＧａＡｓＰクラッド層、４３は
ＩｎＰクラッド層、４４はＩｎＧａＡｓコンタクト層を
示している。
変調器であり、１１はＩｎＰ基板、１２はＩｎＰバッフ
ァ層、１６は電極、４１はＩｎＧａＡｓＰ系材料からな
る量子井戸、４２はＩｎＧａＡｓＰクラッド層、４３は
ＩｎＰクラッド層、４４はＩｎＧａＡｓコンタクト層を
示している。
【０００５】この構成では、電界を印加することにより
量子井戸４１の吸収の大きさが変化する。この吸収の変
化をクラマース・クローニッヒ変換すれば屈折率の変化
が得られるが、実際の動作点である吸収の変化が大きい
ところで屈折率の変化も大きい。即ち、波長が大きくチ
ャープする。
量子井戸４１の吸収の大きさが変化する。この吸収の変
化をクラマース・クローニッヒ変換すれば屈折率の変化
が得られるが、実際の動作点である吸収の変化が大きい
ところで屈折率の変化も大きい。即ち、波長が大きくチ
ャープする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、量子
井戸等における吸収の変化を直接利用する半導体光変調
器では、波長チャープの抑制が十分でなく、長距離伝送
は困難であるという問題点があった。
井戸等における吸収の変化を直接利用する半導体光変調
器では、波長チャープの抑制が十分でなく、長距離伝送
は困難であるという問題点があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、波長チャープの少ない
新規な光変調器や光スイッチを実現可能とする光半導体
装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、波長チャープの少ない
新規な光変調器や光スイッチを実現可能とする光半導体
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。
に本発明は、次のような構成を採用している。
【０００９】即ち本発明は、光変調器や光スイッチとし
て用いる光半導体装置において、半導体基板上に、第
１，第２，第３の半導体層を積層してなり、第２の半導
体層の屈折率を第１及び第３の半導体層の少なくとも一
方の屈折率よりも小さく設定し、かつ少なくとも第１及
び第３の半導体層のうちの屈折率の高い方の層に電界を
印加する手段を設けたことを特徴とする。
て用いる光半導体装置において、半導体基板上に、第
１，第２，第３の半導体層を積層してなり、第２の半導
体層の屈折率を第１及び第３の半導体層の少なくとも一
方の屈折率よりも小さく設定し、かつ少なくとも第１及
び第３の半導体層のうちの屈折率の高い方の層に電界を
印加する手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。
は、次のものがあげられる。
【００１１】(1) 第１及び第３の半導体層として、厚さ
が電子のド・ブロイ波長程度以下の半導体量子井戸層
と、該半導体量子井戸層に電子を２次元的に閉じ込める
ための半導体障壁層と、からなる量子井戸構造を用いた
こと。
が電子のド・ブロイ波長程度以下の半導体量子井戸層
と、該半導体量子井戸層に電子を２次元的に閉じ込める
ための半導体障壁層と、からなる量子井戸構造を用いた
こと。
【００１２】(2) 半導体基板としてＩｎＰを用い、第１
〜第３の半導体層からなる半導体層領域として Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）、或いは Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ａｓ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１） を用いたこと。
〜第３の半導体層からなる半導体層領域として Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）、或いは Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ａｓ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１） を用いたこと。
【００１３】(3) 第１及び第３の半導体層の屈折率は同
じであり、第２の半導体層の屈折率は第１及び第３の半
導体層の屈折率よりも低いこと。
じであり、第２の半導体層の屈折率は第１及び第３の半
導体層の屈折率よりも低いこと。
【００１４】(4) 電界を印加する手段として、基板の裏
面及び半導体層領域の表面にそれぞれ設けた電極間に所
定の電圧を印加すること。
面及び半導体層領域の表面にそれぞれ設けた電極間に所
定の電圧を印加すること。
【００１５】(5) 第１及び第３の半導体層をｉ型半導体
とすること。
とすること。
【００１６】
【作用】本発明によれば、光を伝搬させる第２の半導体
層の吸収の変化や屈折率の変化を直接利用するのではな
く、第１及び第３の半導体層における吸収の変化や屈折
率の変化を利用して光の変調，スイッチングを行うこと
ができるので、波長チャープの低減をはかることが可能
となる。この原理を、以下に説明する。
層の吸収の変化や屈折率の変化を直接利用するのではな
く、第１及び第３の半導体層における吸収の変化や屈折
率の変化を利用して光の変調，スイッチングを行うこと
ができるので、波長チャープの低減をはかることが可能
となる。この原理を、以下に説明する。
【００１７】電界を印加しない状態では、端面より第２
の半導体層に入射した光は導波されない。何故ならば、
第２の半導体層の屈折率はその両側にある第１及び第３
の半導体層の屈折率より小さく、いわゆるアンチガイド
構造であるため、放射モードとなってしまうからであ
る。ところが、電界を印加した場合には状況が異なる。
即ち、電界印加と共に第１及び第３の半導体層で僅かで
あるが光は吸収を受けるようになる。このような場合に
は放射モードの割合が減少し、長い距離に渡って光が疑
似的に導波される（導波モード）ことが知られている
（電子情報通信学会春季大会予稿集，C-264 1994年）。
の半導体層に入射した光は導波されない。何故ならば、
第２の半導体層の屈折率はその両側にある第１及び第３
の半導体層の屈折率より小さく、いわゆるアンチガイド
構造であるため、放射モードとなってしまうからであ
る。ところが、電界を印加した場合には状況が異なる。
即ち、電界印加と共に第１及び第３の半導体層で僅かで
あるが光は吸収を受けるようになる。このような場合に
は放射モードの割合が減少し、長い距離に渡って光が疑
似的に導波される（導波モード）ことが知られている
（電子情報通信学会春季大会予稿集，C-264 1994年）。
【００１８】なお、上記の電界印加による放射モードか
ら導波モードへの切り替えは、第２の半導体層の屈折率
が第１及び第３の半導体層の屈折率よりも低い場合に最
も顕著となるが、第２の半導体層の屈折率が第１及び第
３の半導体層の一方の屈折率よりも低ければ同様に切り
替えを行うことが可能である。
ら導波モードへの切り替えは、第２の半導体層の屈折率
が第１及び第３の半導体層の屈折率よりも低い場合に最
も顕著となるが、第２の半導体層の屈折率が第１及び第
３の半導体層の一方の屈折率よりも低ければ同様に切り
替えを行うことが可能である。
【００１９】
【００２０】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００２１】（実施例１）図１は、本発明の第１の実施
例に係わる光半導体装置の素子構造断面と屈折率分布を
示す図である。
例に係わる光半導体装置の素子構造断面と屈折率分布を
示す図である。
【００２２】図中１１はＩｎＰ基板であり、この基板１
１上に厚さ１μｍのＩｎＰバッファ層１２を形成した
後、厚さ０．５μｍのＩｎＧａＡｓ光吸収層１３ａ（吸
収端波長１．６５μｍ）、厚さ１μｍのＩｎＧａＡｓＰ
クラッド層（第１の半導体層）１４ａ、厚さ１００ｎｍ
のＩｎＧａＡｓＰ光アンチガイド層（第２の半導体層）
１５、厚さ１μｍのＩｎＧａＡｓＰクラッド層（第３の
半導体層）１４ｂ、厚さ０．５μｍのＩｎＧａＡｓ光吸
収層１３ｂ、を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によ
り形成した。そして、クラッド層１４及び光アンチガイ
ド層１５からなる幅１μｍのリッジを形成した後、基板
裏面に電極１６ａを形成し、光吸収層１３ｂ上に電極１
６ｂを形成した。
１上に厚さ１μｍのＩｎＰバッファ層１２を形成した
後、厚さ０．５μｍのＩｎＧａＡｓ光吸収層１３ａ（吸
収端波長１．６５μｍ）、厚さ１μｍのＩｎＧａＡｓＰ
クラッド層（第１の半導体層）１４ａ、厚さ１００ｎｍ
のＩｎＧａＡｓＰ光アンチガイド層（第２の半導体層）
１５、厚さ１μｍのＩｎＧａＡｓＰクラッド層（第３の
半導体層）１４ｂ、厚さ０．５μｍのＩｎＧａＡｓ光吸
収層１３ｂ、を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によ
り形成した。そして、クラッド層１４及び光アンチガイ
ド層１５からなる幅１μｍのリッジを形成した後、基板
裏面に電極１６ａを形成し、光吸収層１３ｂ上に電極１
６ｂを形成した。
【００２３】なお、光吸収層１３、クラッド層１４及び
光アンチガイド層１５の組成は適宜変更可能であるが、
一例として次のようにすればよい。
光アンチガイド層１５の組成は適宜変更可能であるが、
一例として次のようにすればよい。
【００２４】光吸収層１３‥‥Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ
クラッド層１４‥Ｉｎ0.65Ｇａ0.35Ａｓ0.76Ｐ0.24
ガイド層１５‥‥Ｉｎ0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.6 Ｐ0.4
また、これらの層のうち特にクラッド層１４は電界を効
率良く印加するためにｉ型であるのが望ましい。
率良く印加するためにｉ型であるのが望ましい。
【００２５】このような構成において、端面より波長
１．５５μｍの光を入射し、透過光の電界依存性を調べ
たところ、無電界下では殆ど透過光はなく、損失にして
４０ｄＢ以上であった。しかし、電極１６ａ，１６ｂ間
に電圧を印加して電界を与えると、透過光強度は強ま
り、５Ｖの電圧で損失は３ｄＢであった。
１．５５μｍの光を入射し、透過光の電界依存性を調べ
たところ、無電界下では殆ど透過光はなく、損失にして
４０ｄＢ以上であった。しかし、電極１６ａ，１６ｂ間
に電圧を印加して電界を与えると、透過光強度は強ま
り、５Ｖの電圧で損失は３ｄＢであった。
【００２６】これは、電界のかかっていないときには、
図１（ａ）に示すように放射モードとなり光は伝搬され
なかったが、電界下ではフランツ・ケルディッシュ効果
によりクラッド層１４での僅かな光吸収を生じ、そのた
め図１（ｂ）に示すように光が導波されるようになった
ためと解される。
図１（ａ）に示すように放射モードとなり光は伝搬され
なかったが、電界下ではフランツ・ケルディッシュ効果
によりクラッド層１４での僅かな光吸収を生じ、そのた
め図１（ｂ）に示すように光が導波されるようになった
ためと解される。
【００２７】実際に毎秒１０Ｇビットで変調をかけ伝送
実験を行ったところ、３００ｋｍの長距離の伝送後も波
形の劣化は生じておらず、波長のチャープが殆どないこ
とが確認された。これは、原理的に吸収の変化を直接利
用していないためと考えられる。クラッド層１４での屈
折率の変化が波長チャープに起因するとも考えられる
が、実際上問題のないレベルであった。
実験を行ったところ、３００ｋｍの長距離の伝送後も波
形の劣化は生じておらず、波長のチャープが殆どないこ
とが確認された。これは、原理的に吸収の変化を直接利
用していないためと考えられる。クラッド層１４での屈
折率の変化が波長チャープに起因するとも考えられる
が、実際上問題のないレベルであった。
【００２８】 このように本実施例によれば、光を伝搬
させる光アンチガイド層１５の屈折率を、これを挟むク
ラッド層１４の屈折率よりも小さく設定し、無電界時は
放射モードとし、電界印加時は伝搬モードとしている。
つまり、光アンチガイド層１５の吸収の変化や屈折率の
変化を直接利用するのではなく、これを挟むクラッド層
１４における吸収の変化を利用して光の変調，スイッチ
ングを行うことができる。このため、波長チャープの少
ない新規な光変調器や光スイッチを実現することができ
る。
させる光アンチガイド層１５の屈折率を、これを挟むク
ラッド層１４の屈折率よりも小さく設定し、無電界時は
放射モードとし、電界印加時は伝搬モードとしている。
つまり、光アンチガイド層１５の吸収の変化や屈折率の
変化を直接利用するのではなく、これを挟むクラッド層
１４における吸収の変化を利用して光の変調，スイッチ
ングを行うことができる。このため、波長チャープの少
ない新規な光変調器や光スイッチを実現することができ
る。
【００２９】（実施例２）図２は、本発明の第２の実施
例に係わる光半導体装置の素子構造を示す断面図であ
る。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
例に係わる光半導体装置の素子構造を示す断面図であ
る。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
【００３０】この実施例が先に説明した第１の実施例と
異なる点は、第１及び第３の半導体層が量子井戸構造に
より形成されていることである。即ち、基本構造は第１
の実施例とほぼ同様であるが、本実施例ではクラッド層
１４（１４ａ，１４ｂ）を、厚さが電子のド・ブロイ波
長程度以下の半導体量子井戸層と、該半導体量子井戸層
に電子を２次元的に閉じ込めるための半導体障壁層と、
からなる量子井戸構造とした。
異なる点は、第１及び第３の半導体層が量子井戸構造に
より形成されていることである。即ち、基本構造は第１
の実施例とほぼ同様であるが、本実施例ではクラッド層
１４（１４ａ，１４ｂ）を、厚さが電子のド・ブロイ波
長程度以下の半導体量子井戸層と、該半導体量子井戸層
に電子を２次元的に閉じ込めるための半導体障壁層と、
からなる量子井戸構造とした。
【００３１】具体的には、歪みＩｎＧａＡｓ井戸層２１
（厚さ６ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰ障壁層２２（厚さ１０
ｎｍ）からなる量子井戸となるように、クラッド層１４
をそれぞれ成長した。井戸層２１の数はそれぞれ５層と
した。さらに、両側には第１の実施例と同様にＩｎＧａ
Ａｓ吸収層１３（１３ａ，１３ｂ）を０．５μｍ形成し
た。
（厚さ６ｎｍ）とＩｎＧａＡｓＰ障壁層２２（厚さ１０
ｎｍ）からなる量子井戸となるように、クラッド層１４
をそれぞれ成長した。井戸層２１の数はそれぞれ５層と
した。さらに、両側には第１の実施例と同様にＩｎＧａ
Ａｓ吸収層１３（１３ａ，１３ｂ）を０．５μｍ形成し
た。
【００３２】この場合も無電界下では損失４０ｄＢ以上
であったが、電圧印加と共に透過光強度は強まり２Ｖの
電圧で損失は３ｄＢ以内に収まった。これは、電圧印加
と共に量子閉じ込めシュタルク効果により量子井戸クラ
ッド層１４で若干の吸収を生じたため、放射モードが抑
制されたものと解される。
であったが、電圧印加と共に透過光強度は強まり２Ｖの
電圧で損失は３ｄＢ以内に収まった。これは、電圧印加
と共に量子閉じ込めシュタルク効果により量子井戸クラ
ッド層１４で若干の吸収を生じたため、放射モードが抑
制されたものと解される。
【００３３】伝送実験においても、毎秒１０Ｇビットで
３００ｋｍの距離まで良好な信号伝送が可能であった。
３００ｋｍの距離まで良好な信号伝送が可能であった。
【００３４】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では、第１及び第３の半導体
層の屈折率を同じとし、第２の半導体層の屈折率をこれ
よりも低くしたが、これに限らず適宜変更可能である。
例えば、図３（ａ）に示すように、第１及び第３の半導
体層の屈折率が異なり、第２の半導体層の屈折率を第１
及び第３の半導体層の屈折率の低い方と同じにしてもよ
い。さらに、第２の半導体層の屈折率を第１及び第３の
半導体層の一方よりも低く他方よりも高くしてもよい。
要は、第２の半導体層の屈折率が第１及び第３の半導体
層のうちの少なくとも一方の屈折率より低いものであれ
ばよい。
れるものではない。実施例では、第１及び第３の半導体
層の屈折率を同じとし、第２の半導体層の屈折率をこれ
よりも低くしたが、これに限らず適宜変更可能である。
例えば、図３（ａ）に示すように、第１及び第３の半導
体層の屈折率が異なり、第２の半導体層の屈折率を第１
及び第３の半導体層の屈折率の低い方と同じにしてもよ
い。さらに、第２の半導体層の屈折率を第１及び第３の
半導体層の一方よりも低く他方よりも高くしてもよい。
要は、第２の半導体層の屈折率が第１及び第３の半導体
層のうちの少なくとも一方の屈折率より低いものであれ
ばよい。
【００３５】実施例では半導体材料としてＩｎＰ系の材
料を用いているが、これは作成が容易なためと光通信で
良く用いられている波長帯に合致した材料であるためで
あり、これに限らず他の材料でもよい。例えば、ＧａＡ
ｓ系の材料でもよい。また、同一基板上に光源のレーザ
を集積化することも可能である。さらに、本実施例では
上下のクラッド層を対称にしたが非対象な構造でもよ
い。さらに、アンチガイド層としてバルクの半導体を用
いたが、量子井戸層にしてもよい。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
料を用いているが、これは作成が容易なためと光通信で
良く用いられている波長帯に合致した材料であるためで
あり、これに限らず他の材料でもよい。例えば、ＧａＡ
ｓ系の材料でもよい。また、同一基板上に光源のレーザ
を集積化することも可能である。さらに、本実施例では
上下のクラッド層を対称にしたが非対象な構造でもよ
い。さらに、アンチガイド層としてバルクの半導体を用
いたが、量子井戸層にしてもよい。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、第
１〜第３の半導体層を積層すると共に、これらに電界を
印加する手段を設けるのみで、従来得られなかった高速
応答可能で波長チャープの少ない光変調器や光スイッチ
を簡便な構成で実現できる。その結果、長距離大容量の
光通信システムで用いる光半導体素子を低コストで得ら
れるのみならず、その信頼性は高く、本発明の有用性は
絶大である。
１〜第３の半導体層を積層すると共に、これらに電界を
印加する手段を設けるのみで、従来得られなかった高速
応答可能で波長チャープの少ない光変調器や光スイッチ
を簡便な構成で実現できる。その結果、長距離大容量の
光通信システムで用いる光半導体素子を低コストで得ら
れるのみならず、その信頼性は高く、本発明の有用性は
絶大である。
【図１】第１の実施例に係わる光半導体装置の素子構造
断面と屈折率分布を示す図。
断面と屈折率分布を示す図。
【図２】第２の実施例に係わる光半導体装置の素子構造
断面を示す図。
断面を示す図。
【図３】変形例における屈折率分布を示す図。
【図４】従来の量子シュタルクシフト型光変調器を示す
素子構造断面図。
素子構造断面図。
１１…ＩｎＰ基板
１２…ＩｎＰバッファ層
１３（13a,13b ）…ＩｎＧａＡｓ光吸収層
１４ａ…ＩｎＧａＡｓＰクラッド層（第１の半導体層）
１４ｂ…ＩｎＧａＡｓＰクラッド層（第３の半導体層）
１５…ＩｎＧａＡｓＰ光アンチガイド層（第２の半導体
層） １６（16a,16b ）…電極 ２１…歪みＩｎＧａＡｓ井戸層 ２２…ＩｎＧａＡｓＰ障壁層
層） １６（16a,16b ）…電極 ２１…歪みＩｎＧａＡｓ井戸層 ２２…ＩｎＧａＡｓＰ障壁層
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−197916（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−100422（ＪＰ，Ａ)
谷口昌弘、井筒雅之，微小半導体中空
光導波路，1994年電子情報通信学会春季
大会講演論文集，1994年 ３月26日,
４．通信・エレクトロニクス Ｃ−264,
第４−261頁
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/00 - 1/125
G02F 1/29 - 7/00
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板と、この基板上に第１，第２，
第３の半導体層を順次積層して構成され、第２の半導体
層の屈折率が第１及び第３の半導体層の少なくとも一方
の屈折率よりも小さく設定された半導体層領域と、少な
くとも第１及び第３の半導体層のうちの屈折率の高い方
の層に電界を印加する手段とを具備してなり、 前記手段により電界を印加される第１又は第３の半導体
層は、電界印加により光吸収が生じるように設定されて
いる ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】第１及び第３の半導体層として、厚さが電
子のド・ブロイ波長程度以下の半導体量子井戸層と、該
半導体量子井戸層に電子を２次元的に閉じ込めるための
半導体障壁層と、からなる量子井戸構造を用いたことを
特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】前記半導体基板としてＩｎＰを用い、前記
半導体層領域として Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）、或いは Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ａｓ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）を用いたことを特徴とする請求項１又は２記載の光
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24889294A JP3490510B2 (ja) | 1994-09-17 | 1994-09-17 | 光半導体装置 |
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Non-Patent Citations (1)
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| 谷口昌弘、井筒雅之，微小半導体中空光導波路，１９９４年電子情報通信学会春季大会講演論文集，１９９４年 ３月２６日，４．通信・エレクトロニクス Ｃ−２６４，第４−２６１頁 |
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