JP2555942B2 - 光制御デバイス - Google Patents
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- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光波の変調、光路切替え
を行う光制御デバイスに関し、特に電気光学効果を有す
るＬｉＮｂＯ3 又はＬｉＴａＯ3 基板上に形成された光
導波路を用いて制御を行う導波型光スイッチに関する。
を行う光制御デバイスに関し、特に電気光学効果を有す
るＬｉＮｂＯ3 又はＬｉＴａＯ3 基板上に形成された光
導波路を用いて制御を行う導波型光スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの実用化に伴い、更に大
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。現在の実用システ
ムでは光信号は半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を直接に変調することによって得られているが、直接
変調では緩和振動の効果、波長チャーピングの発生等の
ため数ＧＨｚ以上の高速変調が難しいこと、波長変動が
発生するためコヒーレント光伝送方式には適用が難しい
等の欠点がある。これを解決する手段としては、外部変
調器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中に
形成された光導波路により構成される導波型の光変調器
には小型、高効率、高速という特長がある。
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。現在の実用システ
ムでは光信号は半導体レーザや発光ダイオードの注入電
流を直接に変調することによって得られているが、直接
変調では緩和振動の効果、波長チャーピングの発生等の
ため数ＧＨｚ以上の高速変調が難しいこと、波長変動が
発生するためコヒーレント光伝送方式には適用が難しい
等の欠点がある。これを解決する手段としては、外部変
調器を使用する方法があり、特に電気光学結晶基板中に
形成された光導波路により構成される導波型の光変調器
には小型、高効率、高速という特長がある。
【０００３】一方、光伝送路の切り替えやネットワーク
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り替
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適である等の欠点がある。これを解決する手
段としても光導波路を用いた導波型の光スイッチの開発
が進められており、高速、多素子の集積化が可能で信頼
性が高い等の特長がある。特にニオブ酸リチウム（Ｌｉ
ＮｂＯ3 ）結晶等の強誘電体材料を用いたものは、光吸
収が小さく低損失であること、大きな電気光学効果を有
しているため高効率である等の特長があり、方向性結合
器型光変調器あるいは光スイッチ、全反射型光スイッ
チ、マッハツェンダ型光変調器等の種々の方式の光制御
デバイスが報告されている。
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り替
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適である等の欠点がある。これを解決する手
段としても光導波路を用いた導波型の光スイッチの開発
が進められており、高速、多素子の集積化が可能で信頼
性が高い等の特長がある。特にニオブ酸リチウム（Ｌｉ
ＮｂＯ3 ）結晶等の強誘電体材料を用いたものは、光吸
収が小さく低損失であること、大きな電気光学効果を有
しているため高効率である等の特長があり、方向性結合
器型光変調器あるいは光スイッチ、全反射型光スイッ
チ、マッハツェンダ型光変調器等の種々の方式の光制御
デバイスが報告されている。
【０００４】近年、この導波路型光スイッチの高密度集
積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕らの文
献、電子情報通信学会ＯＱＥ８８−１４７によれば、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板を用いて方向性結合器型光スイッチを６
４素子集積した８×８マトリクス光スイッチを得てい
る。一方、外部光変調器のような単一の光スイッチ素子
からなるデバイスの研究開発も盛んに進められている。
このような光スイッチデバイスの特性項目には、スイッ
チング電圧（電力）、クロストーク、消光比、損失、切
り替え速度、温湿度などの環境に対する動作の安定性、
また電圧の連続印加時における動作の安定性などがあ
る。
積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕らの文
献、電子情報通信学会ＯＱＥ８８−１４７によれば、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板を用いて方向性結合器型光スイッチを６
４素子集積した８×８マトリクス光スイッチを得てい
る。一方、外部光変調器のような単一の光スイッチ素子
からなるデバイスの研究開発も盛んに進められている。
このような光スイッチデバイスの特性項目には、スイッ
チング電圧（電力）、クロストーク、消光比、損失、切
り替え速度、温湿度などの環境に対する動作の安定性、
また電圧の連続印加時における動作の安定性などがあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した特性項目の中
でも安定動作は実用において最も重要な点である。
でも安定動作は実用において最も重要な点である。
【０００６】ここで従来の技術を図面を用いて説明す
る。図４は方向性結合器５を用いた従来の光スイッチの
構造を示す断面図である。図４の光スイッチの製造にお
いて、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉ
ＴａＯ3 基板（以後、基板と呼ぶ）に形成された２本の
光導波路２からなる方向性結合器５を含む基板１上にバ
ッファ層３が装荷され、バッファ層３を介して主として
金属材料からなる電極４ａ，４ｂが光導波路２の上に形
成される。そして更に導電性膜６が装荷される。この導
電性膜６はサワキらの文献 クレオ（ＣＬＥＯ）’８６
ＭＦ−２、４６ページによれば、温度変動が発生した
場合に強誘電体が有する焦電効果により基板１中に生ず
る電荷の移動による特性不安定化を防ぐ作用がある。す
なわち、温度の変動に対してのスイッチ動作の安定化の
効果があると考えられており、Ｓｉ膜が用いられてい
る。また、バッファ層３は光導波路２を伝搬する光が電
極４ａ，４ｂ及び導電性膜６に吸収されるのを防ぐため
に用いられ、通常光に対して極めて吸収の少ない絶縁
体、特にＳｉＯ2 が一般に用いられる。なぜなら、Ｓｉ
Ｏ2 の屈折率は約１．４５であり、電気光学効果を有す
るＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板１の屈折率の
約２．２より小さく、かつ、光の吸収がほとんど無いた
めである。屈折率が小さい場合、電極４ａ，４ｂ及び導
電性膜６での光の吸収を防ぐために必要なバッファ層３
の厚さを屈折率が大きい場合より薄膜化できる。スイッ
チング電圧を考えると、電極４ａ，４ｂに電圧を印加し
た場合、通常バッファ層３の誘電率は基板１に比べて小
さいため電界がバッファ層３に集中するため、バッファ
層３の厚さが厚いほどスイッチング電圧は増大する。従
って、バッファ層３としては屈折率が小さく、かつ、光
の吸収が極めて小さいＳｉＯ2が用いられ、現在屈折率
及び光の吸収の両者の観点からＳｉＯ2 より優れるバッ
ファ層３の材料は無い。
る。図４は方向性結合器５を用いた従来の光スイッチの
構造を示す断面図である。図４の光スイッチの製造にお
いて、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉ
ＴａＯ3 基板（以後、基板と呼ぶ）に形成された２本の
光導波路２からなる方向性結合器５を含む基板１上にバ
ッファ層３が装荷され、バッファ層３を介して主として
金属材料からなる電極４ａ，４ｂが光導波路２の上に形
成される。そして更に導電性膜６が装荷される。この導
電性膜６はサワキらの文献 クレオ（ＣＬＥＯ）’８６
ＭＦ−２、４６ページによれば、温度変動が発生した
場合に強誘電体が有する焦電効果により基板１中に生ず
る電荷の移動による特性不安定化を防ぐ作用がある。す
なわち、温度の変動に対してのスイッチ動作の安定化の
効果があると考えられており、Ｓｉ膜が用いられてい
る。また、バッファ層３は光導波路２を伝搬する光が電
極４ａ，４ｂ及び導電性膜６に吸収されるのを防ぐため
に用いられ、通常光に対して極めて吸収の少ない絶縁
体、特にＳｉＯ2 が一般に用いられる。なぜなら、Ｓｉ
Ｏ2 の屈折率は約１．４５であり、電気光学効果を有す
るＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板１の屈折率の
約２．２より小さく、かつ、光の吸収がほとんど無いた
めである。屈折率が小さい場合、電極４ａ，４ｂ及び導
電性膜６での光の吸収を防ぐために必要なバッファ層３
の厚さを屈折率が大きい場合より薄膜化できる。スイッ
チング電圧を考えると、電極４ａ，４ｂに電圧を印加し
た場合、通常バッファ層３の誘電率は基板１に比べて小
さいため電界がバッファ層３に集中するため、バッファ
層３の厚さが厚いほどスイッチング電圧は増大する。従
って、バッファ層３としては屈折率が小さく、かつ、光
の吸収が極めて小さいＳｉＯ2が用いられ、現在屈折率
及び光の吸収の両者の観点からＳｉＯ2 より優れるバッ
ファ層３の材料は無い。
【０００７】しかし、バッファ層３としてＳｉＯ2 を用
い、電極４ａをアースとして電極４ｂに直流電圧を連続
印加するとバッファ層３中のイオンが電界で引っ張られ
各電極４ａ，４ｂの下には外部から印加した電圧の符号
とは逆のイオンが集まる。従って、電極４ａ，４ｂの間
は外部からの印加電圧で発生する基板１中の電界に対し
て反電界が発生する。この反電界の大きさは時間と共に
イオンの総移動量が増加するため大きくなっていく。こ
れはＳｉＯ2 は一般的に電気的絶縁性は高いが、イオン
の伝導率が高いためである。この現象は一般にＤＣドリ
フトと呼ばれる。外部からの印加電圧を一定としている
場合、反電界が発生すると光導波路に印加される電界が
減少することになり特性劣化が起こる。すなわち、時間
と共に大きくなる反電界が発生した場合、反電界が発生
する前の特性に戻すためには反電界をキャンセルさせる
電圧を外部から印加しなければならない。これはスイッ
チ動作の動作電圧点のシフトを意味し、実用化するため
の大きな障害となる。また、このイオンはバッファ層３
の作製プロセスにおいて不純物としてバッファ層３中に
混入する。特に、基板１を構成する元素であるＬｉはバ
ッファ層３の作製の際の熱プロセスにより基板１からバ
ッファ層３に拡散し、ＤＣドリフトの原因となるイオン
になる。
い、電極４ａをアースとして電極４ｂに直流電圧を連続
印加するとバッファ層３中のイオンが電界で引っ張られ
各電極４ａ，４ｂの下には外部から印加した電圧の符号
とは逆のイオンが集まる。従って、電極４ａ，４ｂの間
は外部からの印加電圧で発生する基板１中の電界に対し
て反電界が発生する。この反電界の大きさは時間と共に
イオンの総移動量が増加するため大きくなっていく。こ
れはＳｉＯ2 は一般的に電気的絶縁性は高いが、イオン
の伝導率が高いためである。この現象は一般にＤＣドリ
フトと呼ばれる。外部からの印加電圧を一定としている
場合、反電界が発生すると光導波路に印加される電界が
減少することになり特性劣化が起こる。すなわち、時間
と共に大きくなる反電界が発生した場合、反電界が発生
する前の特性に戻すためには反電界をキャンセルさせる
電圧を外部から印加しなければならない。これはスイッ
チ動作の動作電圧点のシフトを意味し、実用化するため
の大きな障害となる。また、このイオンはバッファ層３
の作製プロセスにおいて不純物としてバッファ層３中に
混入する。特に、基板１を構成する元素であるＬｉはバ
ッファ層３の作製の際の熱プロセスにより基板１からバ
ッファ層３に拡散し、ＤＣドリフトの原因となるイオン
になる。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的は、長時間に渡って安定な
動作が得られる光制御デバイスを与えることにある。
動作が得られる光制御デバイスを与えることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、電気光学
効果を有するＬｉＮｂＯ3 又はＬｉＴａＯ3 基板上に形
成された光導波路、前記光導波路上に形成されるバッフ
ァ層、前記光導波路近傍の前記バッファ層上に形成され
た複数本の電極及び前記電極上または前記電極と前記バ
ッファ層の間に形成される導電性膜からなる導波路型の
光制御デバイスにおいて、前記バッファ層と前記基板の
間に、該基板に含まれるＬｉが前記バッファ層中に拡散
するのを阻止するＬｉ拡散阻止層を挿入し、かつ複数本
の前記電極で狭まれた領域には前記バッファ層が存在し
ない領域が設けてあることを特徴とする。
効果を有するＬｉＮｂＯ3 又はＬｉＴａＯ3 基板上に形
成された光導波路、前記光導波路上に形成されるバッフ
ァ層、前記光導波路近傍の前記バッファ層上に形成され
た複数本の電極及び前記電極上または前記電極と前記バ
ッファ層の間に形成される導電性膜からなる導波路型の
光制御デバイスにおいて、前記バッファ層と前記基板の
間に、該基板に含まれるＬｉが前記バッファ層中に拡散
するのを阻止するＬｉ拡散阻止層を挿入し、かつ複数本
の前記電極で狭まれた領域には前記バッファ層が存在し
ない領域が設けてあることを特徴とする。
【００１０】第２の発明は第１の発明の光制御デバイス
において、ＰＳＧ膜が少なくともバッファ層の上に装荷
されていることを特徴とする。
において、ＰＳＧ膜が少なくともバッファ層の上に装荷
されていることを特徴とする。
【００１１】
【作用】第１の発明の光制御デバイスにおいては、基板
からバッファ層中に混入するＬｉを阻止する層が基板と
バッファ層の間に挿入されているため、バッファ層中で
移動しうるＬｉイオンの量を少なくすることができる。
さらに複数本の電極相互に狭まれた領域にはバッファ層
が存在しない領域が設けてあるから、電極間におけるイ
オン移動を抑圧することができる。これらの効果によっ
てＤＣドリフトの原因となる反電界の形成を抑えること
ができる。
からバッファ層中に混入するＬｉを阻止する層が基板と
バッファ層の間に挿入されているため、バッファ層中で
移動しうるＬｉイオンの量を少なくすることができる。
さらに複数本の電極相互に狭まれた領域にはバッファ層
が存在しない領域が設けてあるから、電極間におけるイ
オン移動を抑圧することができる。これらの効果によっ
てＤＣドリフトの原因となる反電界の形成を抑えること
ができる。
【００１２】第２の発明の光制御デバイスにおいては、
第１の発明による光制御デバイスにおいて、ＰＳＧ（Ｐ
ｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）膜が少な
くともバッファ層の上に装荷されている。ＰＳＧ膜には
Ｎａイオンをゲッタリングする効果があり、このＰＳＧ
膜を装荷することによってバッファ層中でのＮａイオン
の移動を抑圧することができるため、第１の発明によっ
てもたらされるＬｉイオンの除去及び移動の抑圧と共に
バッファ層中でのＮａイオンによる反電界の形成を抑え
ることができる。
第１の発明による光制御デバイスにおいて、ＰＳＧ（Ｐ
ｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）膜が少な
くともバッファ層の上に装荷されている。ＰＳＧ膜には
Ｎａイオンをゲッタリングする効果があり、このＰＳＧ
膜を装荷することによってバッファ層中でのＮａイオン
の移動を抑圧することができるため、第１の発明によっ
てもたらされるＬｉイオンの除去及び移動の抑圧と共に
バッファ層中でのＮａイオンによる反電界の形成を抑え
ることができる。
【００１３】これらの結果、バッファ層中のイオンの移
動によるＤＣドリフトを低減することができ、光制御デ
バイスを安定に動作させることができる。
動によるＤＣドリフトを低減することができ、光制御デ
バイスを安定に動作させることができる。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１は第１の発明の一実施例に係わる光制
御デバイスの構造を示す断面図である。図１において、
電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ
3 基板に形成された２本の光導波路２からなる方向性結
合器５を含む基板１上に、基板１からのＬｉの外拡散に
よる混入を阻止する層７、その上にバッファ層３が装荷
され、さらに導波路２上にＬｉ拡散阻止層７、及びバッ
ファ層３を介して、主として金属材料からなる電極４
ａ，４ｂが形成される。ここでバッファ層３は電極４ａ
及び４ｂで狭まれた領域では除去された構造を持つ。こ
の上に更に導電性膜６が装荷されている。基板１とバッ
ファ層３の間に形成されるＬｉ拡散阻止層７に用いられ
る材料ではＬｉの拡散速度がバッファ層３よりも小さい
ことが条件であり、その材料としてはＳｉ、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＯＮ、ＭｇＦ2 等が用いられる。このよう
な構造をとれば、バッファ層３を形成する際に熱処理を
施しても基板１から拡散するＬｉイオンはＬｉ拡散阻止
層７によりブロックされバッファ層３には混入しない。
さらにバッファ層３は電極４ａと４ｂとの間の領域で除
去されているから、全ての不純物イオンの移動を抑圧す
ることができる。、このような図１の構造の採用によ
り、イオンの移動による反電界の形成に起因するＤＣド
リフトを低減することができる。また、電極４ａ，４ｂ
直下のバッファ層３には従来の材料を用いており、イオ
ン混入を阻止するＬｉ拡散阻止層７の厚さを薄くするこ
とにより、電極４ａ，４ｂへの電圧印加時の基板１中の
電界強度に対してほとんど影響を与えないためスイッチ
ング電圧の上昇を抑えることができる。 図２、図３は
第２の発明の実施例に係わる光制御デバイスの構造を示
す断面図である。図２に示す構造では電気光学効果を有
するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板に形成され
た２本の光導波路２からなる方向性結合器５を含む基板
１上に、基板１からのＬｉの外拡散によるＬｉの混入を
阻止する層７、その上にバッファ層３が装荷されてい
る。第１の発明による実施例と同様に、バッファ層３は
電極４ａと４ｂとで狭まれた領域では除去された構造を
持つ。さらに図２では、バッファ層３が除かれている電
極４ａ，４ｂで狭まれた領域及びバッファ層３の上部の
全面にＰＳＧ膜８が装荷されている。その上に電極４
ａ，４ｂ、及び導電性膜６が装荷されている。また図３
では、電極４ａと４ｂ間とで狭まれた領域ではバッハ層
３と同様にのＰＳＧ膜８もまた除去された構造を持つ。
このＰＳＧ膜８はバッファ層３中に含まれるＮａをゲッ
タリングする効果があるため、バッファ層３中で電界に
より移動するＮａを不可動化することができる。よって
第２の発明により第１の発明によってもたらされるＬｉ
イオンの除去によるＤＣドリフトの低減の他にさらにＮ
ａイオンのゲッタリングによるＤＣドリフトの低減が可
能となる。
御デバイスの構造を示す断面図である。図１において、
電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ
3 基板に形成された２本の光導波路２からなる方向性結
合器５を含む基板１上に、基板１からのＬｉの外拡散に
よる混入を阻止する層７、その上にバッファ層３が装荷
され、さらに導波路２上にＬｉ拡散阻止層７、及びバッ
ファ層３を介して、主として金属材料からなる電極４
ａ，４ｂが形成される。ここでバッファ層３は電極４ａ
及び４ｂで狭まれた領域では除去された構造を持つ。こ
の上に更に導電性膜６が装荷されている。基板１とバッ
ファ層３の間に形成されるＬｉ拡散阻止層７に用いられ
る材料ではＬｉの拡散速度がバッファ層３よりも小さい
ことが条件であり、その材料としてはＳｉ、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＯＮ、ＭｇＦ2 等が用いられる。このよう
な構造をとれば、バッファ層３を形成する際に熱処理を
施しても基板１から拡散するＬｉイオンはＬｉ拡散阻止
層７によりブロックされバッファ層３には混入しない。
さらにバッファ層３は電極４ａと４ｂとの間の領域で除
去されているから、全ての不純物イオンの移動を抑圧す
ることができる。、このような図１の構造の採用によ
り、イオンの移動による反電界の形成に起因するＤＣド
リフトを低減することができる。また、電極４ａ，４ｂ
直下のバッファ層３には従来の材料を用いており、イオ
ン混入を阻止するＬｉ拡散阻止層７の厚さを薄くするこ
とにより、電極４ａ，４ｂへの電圧印加時の基板１中の
電界強度に対してほとんど影響を与えないためスイッチ
ング電圧の上昇を抑えることができる。 図２、図３は
第２の発明の実施例に係わる光制御デバイスの構造を示
す断面図である。図２に示す構造では電気光学効果を有
するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉＴａＯ3 基板に形成され
た２本の光導波路２からなる方向性結合器５を含む基板
１上に、基板１からのＬｉの外拡散によるＬｉの混入を
阻止する層７、その上にバッファ層３が装荷されてい
る。第１の発明による実施例と同様に、バッファ層３は
電極４ａと４ｂとで狭まれた領域では除去された構造を
持つ。さらに図２では、バッファ層３が除かれている電
極４ａ，４ｂで狭まれた領域及びバッファ層３の上部の
全面にＰＳＧ膜８が装荷されている。その上に電極４
ａ，４ｂ、及び導電性膜６が装荷されている。また図３
では、電極４ａと４ｂ間とで狭まれた領域ではバッハ層
３と同様にのＰＳＧ膜８もまた除去された構造を持つ。
このＰＳＧ膜８はバッファ層３中に含まれるＮａをゲッ
タリングする効果があるため、バッファ層３中で電界に
より移動するＮａを不可動化することができる。よって
第２の発明により第１の発明によってもたらされるＬｉ
イオンの除去によるＤＣドリフトの低減の他にさらにＮ
ａイオンのゲッタリングによるＤＣドリフトの低減が可
能となる。
【００１６】なお、本発明は方向性結合器からなる光制
御デバイスだけに対してだけでなく、マッハツェンダ
型、交差導波路を用いた全反射型等の全ての光制御デバ
イスに有効であるのは明らかである。
御デバイスだけに対してだけでなく、マッハツェンダ
型、交差導波路を用いた全反射型等の全ての光制御デバ
イスに有効であるのは明らかである。
【００１７】
【発明の効果】第１の発明の光制御デバイスでは、基板
からバッファ層に混入しバッファ層内で移動するＬｉイ
オンの量を少なくすることができ、さらにバッファ層が
電極間で除去された構造を持つことによりイオンの移動
を抑圧することができるため、ＤＣドリフトを低減する
ことができる。
からバッファ層に混入しバッファ層内で移動するＬｉイ
オンの量を少なくすることができ、さらにバッファ層が
電極間で除去された構造を持つことによりイオンの移動
を抑圧することができるため、ＤＣドリフトを低減する
ことができる。
【００１８】第２の発明の光制御デバイスでは、第１の
発明による効果の他に、バッファ層中に含まれるＮａイ
オンをＰＳＧ膜によりゲッタリングすることによりＮａ
イオンを不可動化することができるため、さらにＤＣド
リフトを低減することができる。
発明による効果の他に、バッファ層中に含まれるＮａイ
オンをＰＳＧ膜によりゲッタリングすることによりＮａ
イオンを不可動化することができるため、さらにＤＣド
リフトを低減することができる。
【００１９】これらの効果により本発明の光制御デバイ
スでは従来の光制御デバイスに比べて、ＤＣドリフトの
小さい、安定な動作が得られる。
スでは従来の光制御デバイスに比べて、ＤＣドリフトの
小さい、安定な動作が得られる。
【図１】第１の発明の一実施例である光制御デバイスの
構造の断面図。
構造の断面図。
【図２】第２の発明の第１の実施例である光制御デバイ
スの構造の断面図。
スの構造の断面図。
【図３】第２の発明の第２の実施例である光制御デバイ
スの構造の断面図。
スの構造の断面図。
【図４】（ａ）は従来の光制御デバイスの構造の斜視図
であり、（ｂ）はその従来の光制御デバイスの構造の断
面図。
であり、（ｂ）はその従来の光制御デバイスの構造の断
面図。
１ 電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 あるいはＬｉ
ＴａＯ3 基板 ２ 光導波路 ３ バッファ層 ４ａ，４ｂ 電極 ５ 方向性結合器 ６ 導電性膜 ７ Ｌｉ拡散阻止層 ８ ＰＳＧ膜
ＴａＯ3 基板 ２ 光導波路 ３ バッファ層 ４ａ，４ｂ 電極 ５ 方向性結合器 ６ 導電性膜 ７ Ｌｉ拡散阻止層 ８ ＰＳＧ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 又は
ＬｉＴａＯ3 基板上に形成された光導波路、前記光導波
路上に形成されるバッファ層、前記光導波路近傍の前記
バッファ層上に形成された複数本の電極及び前記電極上
または前記電極と前記バッファ層の間に形成される導電
性膜からなる導波路型の光制御デバイスにおいて、前記
バッファ層と前記基板の間に、該基板に含まれるＬｉが
前記バッファ層中に拡散するのを阻止するＬｉ拡散阻止
層を挿入し、かつ複数本の前記電極で狭まれた領域には
前記バッファ層が存在しない領域が設けてあることを特
徴とする光制御デバイス。 - 【請求項２】 ＰＳＧ膜が少なくともバッファ層の上に
装荷されていることを特徴とする請求項１に記載の光制
御デバイス。
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