JPH03127022A - 導波路形光素子 - Google Patents
導波路形光素子Info
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- JPH03127022A JPH03127022A JP26522689A JP26522689A JPH03127022A JP H03127022 A JPH03127022 A JP H03127022A JP 26522689 A JP26522689 A JP 26522689A JP 26522689 A JP26522689 A JP 26522689A JP H03127022 A JPH03127022 A JP H03127022A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/07—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光通信分野、光情報処理分野および光応用計
測分野等に使用する、直流電圧印加または環境温度変化
等の使用環境条件に対し安定な特性を示す導波路形光素
子、例えば光変調器、光スィッチ等に関するものである
。
測分野等に使用する、直流電圧印加または環境温度変化
等の使用環境条件に対し安定な特性を示す導波路形光素
子、例えば光変調器、光スィッチ等に関するものである
。
（従来の技術）
従来の導波路形光素子の一例として、進行波形マツハツ
エンダ光強度変調器について以下に述べる。
エンダ光強度変調器について以下に述べる。
第４図（ａ）は従来の光強度変調器の斜視−、第４図（
ｂ）は第４図（ａ）のＡ−Ａ’における断面図であって
、例えば２−カットＬｉＮｂ０．等の電気光学効果を有
する基板１１の片面に、例えばＴｉ拡散法等により、光
導波路１２を形成し、その上面に例えばＳｉｎｇからな
るバッファ層１３を介在させて、電極１４ａ。
ｂ）は第４図（ａ）のＡ−Ａ’における断面図であって
、例えば２−カットＬｉＮｂ０．等の電気光学効果を有
する基板１１の片面に、例えばＴｉ拡散法等により、光
導波路１２を形成し、その上面に例えばＳｉｎｇからな
るバッファ層１３を介在させて、電極１４ａ。
１４ｂ、 １４ｃが配設される。この光変調器では、電
極１４ｂと、電極１４ａおよび１４ｃの間に電気変調信
号１７を印加することにより、入力光信号１５が変調さ
れ、出力光信号１６が得られる。なお電気変調信号１７
は電極の他端（出力側）において終端抵抗等に接続され
る。
極１４ｂと、電極１４ａおよび１４ｃの間に電気変調信
号１７を印加することにより、入力光信号１５が変調さ
れ、出力光信号１６が得られる。なお電気変調信号１７
は電極の他端（出力側）において終端抵抗等に接続され
る。
前記光変調器においては、直流電圧印加時における光出
力信号の変動（ＤＣドリフト）〔参考文献： Ｊａｐ、
Ｊ、 ｏｆ Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 Ｖｏｌ、
２Ｇ、 Ｎ（Ｌ ４． ｐｐ。
力信号の変動（ＤＣドリフト）〔参考文献： Ｊａｐ、
Ｊ、 ｏｆ Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 Ｖｏｌ、
２Ｇ、 Ｎ（Ｌ ４． ｐｐ。
７３３−７３７．１９８１ ）や、環境温度変化時にお
ける光出力信号の変動（熱ドリフト）〔参考文献： Ａ
ｐｐｌ。
ける光出力信号の変動（熱ドリフト）〔参考文献： Ａ
ｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ、 ４８． ｋ １
６． ｐｐ、１０３６−１０３８゜１９８６１等の不安
定性があった。
６． ｐｐ、１０３６−１０３８゜１９８６１等の不安
定性があった。
ＤＣドリフトは、電極間に直流電界を印加した時に、Ｌ
ｉＮｂ０．結晶表面またはバッファ層内で電荷が移動し
、導波路に印加される実効電界が低下するために生じる
。従って、従来は電極間のバッファ層を除去する方法〔
参考文献： Ｊａｐ、 Ｊ、 ｏｆ Ａｐｐｌ。
ｉＮｂ０．結晶表面またはバッファ層内で電荷が移動し
、導波路に印加される実効電界が低下するために生じる
。従って、従来は電極間のバッファ層を除去する方法〔
参考文献： Ｊａｐ、 Ｊ、 ｏｆ Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、、 Ｖｏｌ、２０．Ｎａ ４ｔ １）９．７
３３７３７．１９８１ ） 、緻密なバッファ層を用い
る方法〔参考文献： ＴｏｐｉｃａｌＭｅｅｔｉｎｇ
ｏｎ ＩＧＷｏ、 ８６． ｐｐ、４６−４７．１９８
６３等の対策が採られていた。また熱ドリフトは、焦電
気効果により発生した電荷が電極間に偏在することによ
り、導波路に印加される実効電界が変化するために生じ
る。従って、従来はこの特性変動を防止するために、導
波路や電極に温度依存性の小さな構成を採用したり、電
極間にＩＴＯやＳｔ等の導電材料を設置する方法〔参考
文献：電子情報通信学会技術報告、 ＯＱＢ ８６−４
４． ｐｐ、 １１５−１２１．１９８６ ）が採られ
ていた。
３３７３７．１９８１ ） 、緻密なバッファ層を用い
る方法〔参考文献： ＴｏｐｉｃａｌＭｅｅｔｉｎｇ
ｏｎ ＩＧＷｏ、 ８６． ｐｐ、４６−４７．１９８
６３等の対策が採られていた。また熱ドリフトは、焦電
気効果により発生した電荷が電極間に偏在することによ
り、導波路に印加される実効電界が変化するために生じ
る。従って、従来はこの特性変動を防止するために、導
波路や電極に温度依存性の小さな構成を採用したり、電
極間にＩＴＯやＳｔ等の導電材料を設置する方法〔参考
文献：電子情報通信学会技術報告、 ＯＱＢ ８６−４
４． ｐｐ、 １１５−１２１．１９８６ ）が採られ
ていた。
しかしながら、これらの方法では、長時間にわたるＤＣ
ドリフトと熱ドリフトの両方の特性不安定を同時に除去
できないという問題点があった。
ドリフトと熱ドリフトの両方の特性不安定を同時に除去
できないという問題点があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、前述の問題点に鑑みなされたもので、使用環
境条件、特に直流電圧印加および環境温度変化等の影響
を受けず、優れた特性が長時間にわたって安定に得られ
る導波路形光素子を提供することにある。
境条件、特に直流電圧印加および環境温度変化等の影響
を受けず、優れた特性が長時間にわたって安定に得られ
る導波路形光素子を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
第４図に示したような、基板の一方の主面に形成された
工ないし複数の光導波路と、これらに対応する電極とが
、バッファ層を介して配設されている構造を有する導波
路形電気光学光素子において、バッファ層としては、通
常Ｓｉ０ｇ膜が多く使用されるので、以下では、Ｓｉ０
ｇ膜の場合に関し、素子特性の不安定性の原因およびそ
の解決の手段について説明する。
工ないし複数の光導波路と、これらに対応する電極とが
、バッファ層を介して配設されている構造を有する導波
路形電気光学光素子において、バッファ層としては、通
常Ｓｉ０ｇ膜が多く使用されるので、以下では、Ｓｉ０
ｇ膜の場合に関し、素子特性の不安定性の原因およびそ
の解決の手段について説明する。
第５図はＤＣドリフトを説明すためのエネルギーバンド
模式図であり、簡単のために、荷電担体が電子の場合に
限っている。同模式図では、第４図（ｂ）に示す電気力
線に沿った部分のうち、電極１４ｂ近傍を表わしている
。 Ｓｉ０ｇ膜はエネルギーバンドギャップ（禁制帯）
が約９ｅＶ（エレクトロンボルト）の良好な絶縁体であ
るが、通常の良好な絶縁膜では禁制帯中の伝導帯の底か
ら約３ｅＶの深いエネルギー準位に電子等の電荷の捕獲
中心が存在する（参考文献：電気学会論文誌、４８−＾
６４． ｐｐ、４６５−４７２．１９７３ ） 、従っ
て、例えばＡｕからなる電極１４ｂに負の電位（圧〉を
印加すると、電圧印加直後は、第５図（ａ）に示すよう
に、導波路に正常な電界が印加される。しかし時間の経
過とともに、第５図（ｂ）に示すように、電極からバッ
ファ層内に移動した電子が捕獲中心に捕らえちれ、バッ
ファ層が負に帯電し、さらに基板表面に正電荷が蓄積す
るので、導波路に印加される電界が減少し、光特性がド
リフトする。一方、熱ドリフトに関しても同様に説明で
きる０例えば２−カット基板を使用して一２面に導波路
を形成した場合、温度を上昇させ、かつ電圧を印加する
と、焦電気効果により基板表面に正電荷が蓄積し、第５
１ｍ（ｂ）と同一の状態になる。
模式図であり、簡単のために、荷電担体が電子の場合に
限っている。同模式図では、第４図（ｂ）に示す電気力
線に沿った部分のうち、電極１４ｂ近傍を表わしている
。 Ｓｉ０ｇ膜はエネルギーバンドギャップ（禁制帯）
が約９ｅＶ（エレクトロンボルト）の良好な絶縁体であ
るが、通常の良好な絶縁膜では禁制帯中の伝導帯の底か
ら約３ｅＶの深いエネルギー準位に電子等の電荷の捕獲
中心が存在する（参考文献：電気学会論文誌、４８−＾
６４． ｐｐ、４６５−４７２．１９７３ ） 、従っ
て、例えばＡｕからなる電極１４ｂに負の電位（圧〉を
印加すると、電圧印加直後は、第５図（ａ）に示すよう
に、導波路に正常な電界が印加される。しかし時間の経
過とともに、第５図（ｂ）に示すように、電極からバッ
ファ層内に移動した電子が捕獲中心に捕らえちれ、バッ
ファ層が負に帯電し、さらに基板表面に正電荷が蓄積す
るので、導波路に印加される電界が減少し、光特性がド
リフトする。一方、熱ドリフトに関しても同様に説明で
きる０例えば２−カット基板を使用して一２面に導波路
を形成した場合、温度を上昇させ、かつ電圧を印加する
と、焦電気効果により基板表面に正電荷が蓄積し、第５
１ｍ（ｂ）と同一の状態になる。
従って上記不安定性に係る問題を解決するためには、バ
ッファ層内に存在する深いエネルギー準位の捕獲中心を
可能な限り減少させること、電極から注入される電荷が
バッファ層内の捕獲中心に捕らえられずに、基板表面に
容易に到達し、基板表面に蓄積する電荷を短時間に開放
できる素子構造であることが必要である。
ッファ層内に存在する深いエネルギー準位の捕獲中心を
可能な限り減少させること、電極から注入される電荷が
バッファ層内の捕獲中心に捕らえられずに、基板表面に
容易に到達し、基板表面に蓄積する電荷を短時間に開放
できる素子構造であることが必要である。
第１図は前記問題を解決するために考案した導波路形光
素子の断面図であり、従来例のバッファ層１３を、導波
路が形成されている基板表面と接触する捕獲中心を減少
させた良好な絶縁体である第１のバッファ層１３ａと、
基板表面への荷電担体の注入を容易ならしめる第２のバ
ッファ層１３ｂとにより構成している。
素子の断面図であり、従来例のバッファ層１３を、導波
路が形成されている基板表面と接触する捕獲中心を減少
させた良好な絶縁体である第１のバッファ層１３ａと、
基板表面への荷電担体の注入を容易ならしめる第２のバ
ッファ層１３ｂとにより構成している。
本発明によれは、第２のバッファ層に配する物質により
、第１のバッファ層の荷電担体に対するエネルギー障壁
が低下し、容易に電極から荷電担体が基板表面に注入さ
れ、荷電の中性化を容易に行うことができるので、ＤＣ
ドリフト・熱ドリフト等の不安定性が同時に抑制できる
。
、第１のバッファ層の荷電担体に対するエネルギー障壁
が低下し、容易に電極から荷電担体が基板表面に注入さ
れ、荷電の中性化を容易に行うことができるので、ＤＣ
ドリフト・熱ドリフト等の不安定性が同時に抑制できる
。
（作 用）
第２のバッファ層として、容易に非オーム性電気伝導を
発生し、基板表面への荷電担体の注入を容易にする物質
を用いることにより、基板表面に蓄積された電荷を中性
化する荷電担体の流入を容易にして、基板表面の電位変
動を抑制し、直流電界印加時および環境温度変化時にお
ける特性変動を防止する。
発生し、基板表面への荷電担体の注入を容易にする物質
を用いることにより、基板表面に蓄積された電荷を中性
化する荷電担体の流入を容易にして、基板表面の電位変
動を抑制し、直流電界印加時および環境温度変化時にお
ける特性変動を防止する。
（実施例）
本発明の一実施例として、第１図において、基板１１が
２−カッ）ＬｉＮｂＯ，であって、バッファ層１３とし
てＳｉｎｇを使用する導波路形光素子において、その一
部１３ｂに配する物質としてＳｉＯｘ（２＞ｘ＞０）を
用いた例を説明する。
２−カッ）ＬｉＮｂＯ，であって、バッファ層１３とし
てＳｉｎｇを使用する導波路形光素子において、その一
部１３ｂに配する物質としてＳｉＯｘ（２＞ｘ＞０）を
用いた例を説明する。
文ＪｆｌＪ糺り
基板１１と接触する第１のバッファＮ１５ａには緻密化
することにより捕獲中心を減少させたＳｉＯ□（ＤＳＯ
：口ｅｎｓｉｆｉｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄ
ｅ）を用い、電極と接触する第２のバッファＪｉ１３ｄ
には熱処理等を施したＳｔ過剰の５ｉＯｚ（ＳＲＯ：５
ｔ−ｒｉｃｈ ５ｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ。
することにより捕獲中心を減少させたＳｉＯ□（ＤＳＯ
：口ｅｎｓｉｆｉｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄ
ｅ）を用い、電極と接触する第２のバッファＪｉ１３ｄ
には熱処理等を施したＳｔ過剰の５ｉＯｚ（ＳＲＯ：５
ｔ−ｒｉｃｈ ５ｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ。
５ｔＯｘ（２＞に〉Ｏ））を用いる。ＳＲＯでは、熱処
理等を施すことにより不均化反応が発生し、５ｉＯｚの
中にＳｔが島状に混在することが知られている〔参考文
献： Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ
、 ４６． Ｎａｌ ｐｐ、３８−４０．１９８５．
Ｊ。このような膜構成では、第２図に示すように、電圧
が印加された時、第１のバッファ層と第２のバッファ層
間に局部的に強電界が発生し、膜厚により、トンネル（
Ｔｕｎｎｅｌ）効果、アバランシェ（Ａｖａｌａｎｃｈ
ｅ）効果、ファウラー−ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−
Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）効果、プールフレンケル（Ｐｏｏｌ
ｅ−Ｆｒｅｎｋｅｌ）効果、空間電荷効果等による非オ
ーム性電気伝導が容易に生じるので、電極からＳＲＯ、
同腹と接触するＤＳＯｌさらには基板表面への荷電担体
注入が容易になる。従って、従来例に限られるようなり
Ｃドリフトや熱ドリフト等の特性不安定性が解決できる
。
理等を施すことにより不均化反応が発生し、５ｉＯｚの
中にＳｔが島状に混在することが知られている〔参考文
献： Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ
、 ４６． Ｎａｌ ｐｐ、３８−４０．１９８５．
Ｊ。このような膜構成では、第２図に示すように、電圧
が印加された時、第１のバッファ層と第２のバッファ層
間に局部的に強電界が発生し、膜厚により、トンネル（
Ｔｕｎｎｅｌ）効果、アバランシェ（Ａｖａｌａｎｃｈ
ｅ）効果、ファウラー−ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−
Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）効果、プールフレンケル（Ｐｏｏｌ
ｅ−Ｆｒｅｎｋｅｌ）効果、空間電荷効果等による非オ
ーム性電気伝導が容易に生じるので、電極からＳＲＯ、
同腹と接触するＤＳＯｌさらには基板表面への荷電担体
注入が容易になる。従って、従来例に限られるようなり
Ｃドリフトや熱ドリフト等の特性不安定性が解決できる
。
裏腹拠呈
基板１１と接触する第１のバッファ層１３ａには緻密化
することにより、捕獲中心を減少させたＳｉＯ□（ＤＳ
Ｏ：Ｄｅｎｓｉｆｉｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉ
ｄｅ、 ５ｉＯｘ（２＞ｘ＞０）を用いる０通常のＳＲ
Ｏでは、酸素と結合していないＳｔはＳＲＯ膜内でドナ
中心としての役割を果たす〔参考文献： Ｊ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｄ ： Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 Ｖｏｌ、４
゜ｐｐ、 ６１３−６５７．１９７１．） 、このよう
な膜構成では、第３図に示すように、電圧が印加された
時、第１のバッファ層と第２のバッファ層間に局部的に
強電界が発生し、膜厚により、トンネル（Ｔｕｎｎｅｌ
）効果、アバランシ、 （ＡｙａＩＡｎｃｈｅ）効果、
ファウラ−ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅ
ｉｍ）効果、プールフレンケル（Ｐｏｏｌｅ−Ｆｒｅｎ
ｋｅｌ）効果、空間電荷効果等による非オーム性電気伝
導が容易に生じるので、電極からＳＲＯ、同腹と接触す
るＤＳＯｌさらには基板表面への荷電担体注入が容易に
なる。従って、従来例にみられるようなりＣドリフトや
熱ドリフト等の特性不安定性が解決できる。
することにより、捕獲中心を減少させたＳｉＯ□（ＤＳ
Ｏ：Ｄｅｎｓｉｆｉｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉ
ｄｅ、 ５ｉＯｘ（２＞ｘ＞０）を用いる０通常のＳＲ
Ｏでは、酸素と結合していないＳｔはＳＲＯ膜内でドナ
中心としての役割を果たす〔参考文献： Ｊ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｄ ： Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 Ｖｏｌ、４
゜ｐｐ、 ６１３−６５７．１９７１．） 、このよう
な膜構成では、第３図に示すように、電圧が印加された
時、第１のバッファ層と第２のバッファ層間に局部的に
強電界が発生し、膜厚により、トンネル（Ｔｕｎｎｅｌ
）効果、アバランシ、 （ＡｙａＩＡｎｃｈｅ）効果、
ファウラ−ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅ
ｉｍ）効果、プールフレンケル（Ｐｏｏｌｅ−Ｆｒｅｎ
ｋｅｌ）効果、空間電荷効果等による非オーム性電気伝
導が容易に生じるので、電極からＳＲＯ、同腹と接触す
るＤＳＯｌさらには基板表面への荷電担体注入が容易に
なる。従って、従来例にみられるようなりＣドリフトや
熱ドリフト等の特性不安定性が解決できる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の導波路形光素子は、直流
電界印加時および環境温度変化時におけるバッファ層の
電位変動を抑制し、素子特性の変動を防止できる。
電界印加時および環境温度変化時におけるバッファ層の
電位変動を抑制し、素子特性の変動を防止できる。
本発明の導波路形光素子は、電気−光変換効果を有する
基板材料、バッファ層材料および導波路形状、電極形状
に限定されるものでなく、電気−光変換効果を有する基
板材料としては、強誘電体以外の半導体系の材料を、バ
ッファ層材料としては、Ｔｉ０ｔ＋ ＴａｚＯｓ＋＾１
８０１等を、導波路形状としては、熱拡散導波路以外の
埋め込み形、リッジ形等を、電極形状としては、コプレ
ーナ・ウニイブガイド形以外のコプレーナ・ストリップ
形等をそれぞれ用いることができる。
基板材料、バッファ層材料および導波路形状、電極形状
に限定されるものでなく、電気−光変換効果を有する基
板材料としては、強誘電体以外の半導体系の材料を、バ
ッファ層材料としては、Ｔｉ０ｔ＋ ＴａｚＯｓ＋＾１
８０１等を、導波路形状としては、熱拡散導波路以外の
埋め込み形、リッジ形等を、電極形状としては、コプレ
ーナ・ウニイブガイド形以外のコプレーナ・ストリップ
形等をそれぞれ用いることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、
第２図は本発明の実施例１におけるエネルギーバンド模
式図、 第３図は本発明の実施例２におけるエネルギーバンド模
式図、 第４図（ａ）従来の導波路形光素子の一例の斜視図、 第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＡ−Ａ’における断面図
、 第５図（ａ）は従来例の電圧印加の直後におけるエネル
ギーバンド模式図、 第５図（ｂ）は従来例の電圧印加してから時間経過後に
おけるエネルギーバンド模式図である。 １１・ＬｉＮｂ０．基板 １２．１２ａ、 １２
ｂ・・・光導波路１３・・・バッファ層 １３ａ・・・第１のバッファ層（緻密化ＳｉＯ＊）１３
ｂ・・・第２のバッファ層（Ｓｉ過剰５ｉＯ１）１４ａ
＋ １４ｂ＋ １４ｃ ”・電極１５・・・入力光信号
１６・・・出力光信号１７・・・電気変調信号
式図、 第３図は本発明の実施例２におけるエネルギーバンド模
式図、 第４図（ａ）従来の導波路形光素子の一例の斜視図、 第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＡ−Ａ’における断面図
、 第５図（ａ）は従来例の電圧印加の直後におけるエネル
ギーバンド模式図、 第５図（ｂ）は従来例の電圧印加してから時間経過後に
おけるエネルギーバンド模式図である。 １１・ＬｉＮｂ０．基板 １２．１２ａ、 １２
ｂ・・・光導波路１３・・・バッファ層 １３ａ・・・第１のバッファ層（緻密化ＳｉＯ＊）１３
ｂ・・・第２のバッファ層（Ｓｉ過剰５ｉＯ１）１４ａ
＋ １４ｂ＋ １４ｃ ”・電極１５・・・入力光信号
１６・・・出力光信号１７・・・電気変調信号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の一方の主面に形成された１ないし複数の光導
波路と、これらに対応する電極がバッファ層を介して配
設されている構造を有する導波路形電気光学光素子にお
いて、前記バッファ層が２層からなり、電極に接触した
第２のバッファ層に、非オーム性電気伝導等を発生させ
、第１のバッファ層および基板表面への荷重担体の注入
を容易にする物質を有することを特徴とする導波路形光
素子。 ２、請求項１記載の導波路形光素子において、基板がニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ＿３）であり、バッファ層
がＳｉＯ＿２であり、第２のバッファ層に配する物質が
ＳｉＯ＿ｘ（２＞ｘ＞０）であることを特徴とする導波
路形光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26522689A JPH03127022A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 導波路形光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26522689A JPH03127022A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 導波路形光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127022A true JPH03127022A (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=17414279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26522689A Pending JPH03127022A (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 導波路形光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03127022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0640860A2 (en) * | 1993-08-27 | 1995-03-01 | Nec Corporation | Waveguide-type optical device |
| KR20160012056A (ko) * | 2014-06-12 | 2016-02-02 | 박노길 | 비닐하우스용 레일브라캐트 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273207A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Fujitsu Ltd | 導波路光デイバイス |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP26522689A patent/JPH03127022A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273207A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Fujitsu Ltd | 導波路光デイバイス |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0640860A2 (en) * | 1993-08-27 | 1995-03-01 | Nec Corporation | Waveguide-type optical device |
| EP0640860A3 (en) * | 1993-08-27 | 1995-08-30 | Nec Corp | Optical waveguide device. |
| US5479552A (en) * | 1993-08-27 | 1995-12-26 | Nec Corporation | Waveguide-type optical device |
| KR20160012056A (ko) * | 2014-06-12 | 2016-02-02 | 박노길 | 비닐하우스용 레일브라캐트 |
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