JPH0363620A - 光変調装置 - Google Patents
光変調装置Info
- Publication number
- JPH0363620A JPH0363620A JP2119626A JP11962690A JPH0363620A JP H0363620 A JPH0363620 A JP H0363620A JP 2119626 A JP2119626 A JP 2119626A JP 11962690 A JP11962690 A JP 11962690A JP H0363620 A JPH0363620 A JP H0363620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- electric field
- layer
- quantum
- modulation device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims description 3
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 30
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000005701 quantum confined stark effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0155—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption
- G02F1/0157—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption using electro-absorption effects, e.g. Franz-Keldysh [FK] effect or quantum confined stark effect [QCSE]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば、光通信システム用の光変調器に係り
、特に量子閉込シュタルク効果（ＱＣＳＥ）を示す変調
器に係る。更に、本発明はかかる変調器を製造する方法
に係る。
、特に量子閉込シュタルク効果（ＱＣＳＥ）を示す変調
器に係る。更に、本発明はかかる変調器を製造する方法
に係る。
量子閉込シュタルク効果（ＱＣＳＥ）を用いる電子光変
調器は光通信システムにおけるかなり重要な部品として
大きな関心が持たれる。ＱＣ３Ｅ装置の説明は、例えば
フィジックスレビュー１９８５年、層３２．１０４３頁
のデイ−、ニービー ミラー他により示される。電界が
量子ウェルの面に垂直に印加される時、量子ウェル構造
で効果が生ずる。これは、閉込エネルギー状態を変え、
芝鳴吸収を光変調及びスイッチ用の基礎を与える低エネ
ルギーにシフトさせる。現在のＱＣ３Ｅ装置では量子ウ
ェルは対称障壁を有する。
調器は光通信システムにおけるかなり重要な部品として
大きな関心が持たれる。ＱＣ３Ｅ装置の説明は、例えば
フィジックスレビュー１９８５年、層３２．１０４３頁
のデイ−、ニービー ミラー他により示される。電界が
量子ウェルの面に垂直に印加される時、量子ウェル構造
で効果が生ずる。これは、閉込エネルギー状態を変え、
芝鳴吸収を光変調及びスイッチ用の基礎を与える低エネ
ルギーにシフトさせる。現在のＱＣ３Ｅ装置では量子ウ
ェルは対称障壁を有する。
この構造は、吸収ピークのより長い波長への電気的に誘
導されたシフトが印加された電界のシーケンスに比例す
る装置を提供することを本発明は見出した。より高く印
加された電界に関連した大きな波長シフトは、光又は吸
収ピークの強度の減少を伴うことも分かった。この効果
は装置の効率を制限する。
導されたシフトが印加された電界のシーケンスに比例す
る装置を提供することを本発明は見出した。より高く印
加された電界に関連した大きな波長シフトは、光又は吸
収ピークの強度の減少を伴うことも分かった。この効果
は装置の効率を制限する。
更に、現在の装置は、波長シフトがより長い波長の方だ
けに生じ、印加された電界の極性又は方向に依存しない
という制限を受ける。本説明の目的は改善された光変調
器を提供することにある。
けに生じ、印加された電界の極性又は方向に依存しない
という制限を受ける。本説明の目的は改善された光変調
器を提供することにある。
本発明によると、非対称障壁が設けられた量子ウェル構
造物からなる活性層を有する半導体構造を含み、該構造
は、それへの電界の印加で、量子ウェルのエネルギー吸
収ピーク特性が周波数的にシフトされ、周波数シフトの
大きさ及び方向は印加される電界の強度及び極性に対応
することを特徴とする量子閉込シュタルク効果（ＱＣＳ
Ｅ）の光変調装置が提供される。
造物からなる活性層を有する半導体構造を含み、該構造
は、それへの電界の印加で、量子ウェルのエネルギー吸
収ピーク特性が周波数的にシフトされ、周波数シフトの
大きさ及び方向は印加される電界の強度及び極性に対応
することを特徴とする量子閉込シュタルク効果（ＱＣＳ
Ｅ）の光変調装置が提供される。
本発明によると、更に複数の量子ウェルを組込んだ平面
層を有する半導体本体を含み、各該量子ウェルは、異な
る組成の夫々第１及び第２の半導体材によりその第１と
第２の面に結合され、それにより非対称障壁を有する量
子ウェルを設け、これへの電界の印加で、量子ウェルの
エネルギ吸収ピーク特性が周波数的にシフトされ、周波
数シフトの大きさ及び方向が印加された電界の強度及び
極性に対応することを特徴とする量子閉込シュタルク効
果（ＱＣＳＥ）光変調装置が提供される。
層を有する半導体本体を含み、各該量子ウェルは、異な
る組成の夫々第１及び第２の半導体材によりその第１と
第２の面に結合され、それにより非対称障壁を有する量
子ウェルを設け、これへの電界の印加で、量子ウェルの
エネルギ吸収ピーク特性が周波数的にシフトされ、周波
数シフトの大きさ及び方向が印加された電界の強度及び
極性に対応することを特徴とする量子閉込シュタルク効
果（ＱＣＳＥ）光変調装置が提供される。
量子ウェル構造は変調器素子改善された特徴を与える。
かかる素子への電界の印加はその吸収ピークを印加され
た電界の極性に依存するより長い又はより短い波長にシ
フトさせる。この効果は、電界の印加が電界極性に無関
係な波長シフトを生じる従来のＱＣ３Ｅ変調器とは正反
対である。
た電界の極性に依存するより長い又はより短い波長にシ
フトさせる。この効果は、電界の印加が電界極性に無関
係な波長シフトを生じる従来のＱＣ３Ｅ変調器とは正反
対である。
各量子ウェル間のヘテロな接合でのバンド不連続及びそ
の境界層はウェルの両側で異なる。砒化インジウムガリ
ウムウェル及び燐火インジウム境界層に対し、約０．３
７ｅｖの価電子帯オフセットは伝導帯（約０．２５ｅｖ
）のそれを越え、−方砒化インジウムアルミニウム境界
層に対する価電子帯オフセットは伝導帯（約０．５ｅｖ
）に対するそれより少ない約０．２ｅｖである。従って
、印加された電界の存在により１、電子及び正孔機能は
量子ウェルの両側に向かって変位する。非対称の度合は
量子ウェルの厚さに逆に関連する。
の境界層はウェルの両側で異なる。砒化インジウムガリ
ウムウェル及び燐火インジウム境界層に対し、約０．３
７ｅｖの価電子帯オフセットは伝導帯（約０．２５ｅｖ
）のそれを越え、−方砒化インジウムアルミニウム境界
層に対する価電子帯オフセットは伝導帯（約０．５ｅｖ
）に対するそれより少ない約０．２ｅｖである。従って
、印加された電界の存在により１、電子及び正孔機能は
量子ウェルの両側に向かって変位する。非対称の度合は
量子ウェルの厚さに逆に関連する。
以下の図面と共に本発明による実施例を説明する。
実施例
第１図を参照するに、量子閉込シュタルク効果変調素子
は例えば燐化インジウム（Ｉｎｐ）のような化合物半導
体の基板本体ｌｌ上に形成される。
は例えば燐化インジウム（Ｉｎｐ）のような化合物半導
体の基板本体ｌｌ上に形成される。
典型的に基板本体１１はｎ型ドーパントでドープされる
。素子構造は基板ｌｌ上にメツシュの形で生長され、ｎ
ドープされた燐化インジウムバッファ層１２と、量子ウ
ェル構造１３と、Ｐ型燐化インジウムの上層１４と典型
的なＰ型砒化インジウムガリウムの表面層１５とからな
る。典型的に層１２及び１４は約１ミクロンの厚さであ
り、表面層１５は約０．１ミクロンの厚さである。素子
に対する電気的接触は頂部電極１６及び背部又は基板電
極１７によりなされる。表面層の機能は頂部電極１６及
びＰ型燐化インジウム層１４間の電気抵抗を減少するこ
とである。
。素子構造は基板ｌｌ上にメツシュの形で生長され、ｎ
ドープされた燐化インジウムバッファ層１２と、量子ウ
ェル構造１３と、Ｐ型燐化インジウムの上層１４と典型
的なＰ型砒化インジウムガリウムの表面層１５とからな
る。典型的に層１２及び１４は約１ミクロンの厚さであ
り、表面層１５は約０．１ミクロンの厚さである。素子
に対する電気的接触は頂部電極１６及び背部又は基板電
極１７によりなされる。表面層の機能は頂部電極１６及
びＰ型燐化インジウム層１４間の電気抵抗を減少するこ
とである。
第１図に示・す装置は光を垂直方向即ち基板の面に直角
な方向に変調することである。この為に、窓１８は光信
号を構造に通すことを許容するよう上層１５に形成され
る。
な方向に変調することである。この為に、窓１８は光信
号を構造に通すことを許容するよう上層１５に形成され
る。
ある適用において、非反射コーティング（図示せず）例
えば窒化シリコンは窓１８内の上層１５の露出した面に
施こされてもよい。
えば窒化シリコンは窓１８内の上層１５の露出した面に
施こされてもよい。
第２図を参照するに、量子ウェル構造を詳細に示す。こ
の構造では、量子ウェルは砒化インジウムガリウムの薄
い層２１により設けられる。典型的に、この層は約２０
〜３ＯＡ（２〜３ナノシリ）の厚さで、Ｉｍ０．．５３
°’０．４７”の組成を有する。
の構造では、量子ウェルは砒化インジウムガリウムの薄
い層２１により設けられる。典型的に、この層は約２０
〜３ＯＡ（２〜３ナノシリ）の厚さで、Ｉｍ０．．５３
°’０．４７”の組成を有する。
量子ウェルｌ１ｔ２１として、−面に砒化インジウムア
ルミニウムの層２２により一面に又ドープされない燐化
インジウムの層２３により他の面に結合される。これら
の境界層２２．２３は量子ウェル層２１より多少厚く、
典型的に約６０λ（６ナノシリ）である。砒化インジウ
ムアルミニウム層はＩｍ０．．５２Ｉｍ０．．４８”の
組成を有してもよい。
ルミニウムの層２２により一面に又ドープされない燐化
インジウムの層２３により他の面に結合される。これら
の境界層２２．２３は量子ウェル層２１より多少厚く、
典型的に約６０λ（６ナノシリ）である。砒化インジウ
ムアルミニウム層はＩｍ０．．５２Ｉｍ０．．４８”の
組成を有してもよい。
境界層２２．２３は非対称電位障壁を有する量子ウェル
層２１を提供する。以上詳述した量子ウェル層構造は第
１図の装置の量子ウェル構造を形成するよう多数回繰り
返される。典型的に第２図の層構造は約１．５ミクロン
の全体厚さを有するよう百回繰り返される。かくて、こ
の構造の各量子ウェルは非対称なエネルギー障壁で結合
される。
層２１を提供する。以上詳述した量子ウェル層構造は第
１図の装置の量子ウェル構造を形成するよう多数回繰り
返される。典型的に第２図の層構造は約１．５ミクロン
の全体厚さを有するよう百回繰り返される。かくて、こ
の構造の各量子ウェルは非対称なエネルギー障壁で結合
される。
エネルギーバンドオフセットが各量子ウェルの両側で異
なるので、電子及び正孔オーバラップはその最大値で零
印加電界に対してではなく、電界が適当な極性で印加さ
れるにつれ増加するか又は減少する。
なるので、電子及び正孔オーバラップはその最大値で零
印加電界に対してではなく、電界が適当な極性で印加さ
れるにつれ増加するか又は減少する。
第３図は第１図の装置の変形例を示す。この構造物では
表面層１５ａ及び頂部電極１６ａは装置の上面の全体に
亘って延在する。変調されるべき光信号は素子ウェル構
造１３ａの面の装置の側に注入される。
表面層１５ａ及び頂部電極１６ａは装置の上面の全体に
亘って延在する。変調されるべき光信号は素子ウェル構
造１３ａの面の装置の側に注入される。
有利に、第１． ２及び３図の構造は構造をｎドープさ
た燐化インジウム基板に形成する半導体層のＭＯＣＶＤ
成長により形成される。
た燐化インジウム基板に形成する半導体層のＭＯＣＶＤ
成長により形成される。
第４図は第１，２及び３図の量子ウェル構造用の典型的
電界−波長特性を示す。第４図に示す如く、吸収波長シ
フトの方向は印加された電界の極性に対応する。より短
い波長へのシフトが示されるが、適当な電気的バイアス
は吸収の強度の増加によりなされることが分かった。
電界−波長特性を示す。第４図に示す如く、吸収波長シ
フトの方向は印加された電界の極性に対応する。より短
い波長へのシフトが示されるが、適当な電気的バイアス
は吸収の強度の増加によりなされることが分かった。
上記の光変調素子は特に光フアイバ伝達システム用光伝
送器の構造における特定の適用である。
送器の構造における特定の適用である。
しかしそれらはこの適用に制限されず、光変調器が求め
られている一般的使用に係る。更に、変調素子は、単一
素子として用いられてもよく又は同様な変調素子の配列
の一部を形成してもよい。
られている一般的使用に係る。更に、変調素子は、単一
素子として用いられてもよく又は同様な変調素子の配列
の一部を形成してもよい。
第１図はＱＣ８Ｅ変調素子の断面図、
第２図は第１図の変調素子の量子ウェル構造を概要的に
示す図、 第３図はＱＣ３Ｅ変調素子構造の変形例を示す図、 第４図は第１図又は第３図の変調器の典型的な電界１波
長特性を示す図である。 表面層、１６．１６ａ頂部電極、１７・・・基板電極、
１８・・・窓、２１・・・量子ウェル層、２２．２３・
・・境界層。
示す図、 第３図はＱＣ３Ｅ変調素子構造の変形例を示す図、 第４図は第１図又は第３図の変調器の典型的な電界１波
長特性を示す図である。 表面層、１６．１６ａ頂部電極、１７・・・基板電極、
１８・・・窓、２１・・・量子ウェル層、２２．２３・
・・境界層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非対称障壁が設けられた量子ウェル構造からなる活
性層を有する半導体構造を含み、該構造は、それへの電
界の印加で、量子ウェルのエネルギー吸収ピーク特性が
周波数的にシフトされ、周波数シフトの大きさ及び方向
は印加される電界の強度及び極性に対応することを特徴
とする量子閉込みシェタルク効果（ＱＣＳＥ）の光変調
装置。 ２、複数の量子ウェルを組込んだ平面層を有する半導体
本体を含み、各該量子ウェルは異なる組成の夫々第１及
び第２の半導体材によりその第１と第２の面に結合され
、それにより非対称障壁を有する量子ウェルを設け、こ
れへの電界の印加で、量子ウェルのエネルギー吸収ピー
ク特性が周波数的にシフトされ、周波数シフトの大きさ
及び方向が印加された電界の強度及び極性に対応するこ
とを特徴とする量子閉込シュタルク効果（ＱＣＳＥ）光
変調装置。 ３、燐化インジウムの基板本体に配置される請求項２記
載の光変調装置。 ４、各該量子ウェルは磁化インジウムガリウムの層によ
り設けられている請求項３記載の光変調装置。 ５、量子ウェルは、燐火インジウムからなる第１の物質
及び磁化インジウムアルミニウムからなる第２の物質に
より結合される請求項４記載の光変調装置。 ６、量子ウェル層は＾Ｉ＾ｍ０．．５３＾Ｇ＾ａ０．４
７＾Ａ＾ｓの組成を有する請求項４記載の光変調装置。 ７、第２の物質は＾Ｉ＾ａ０．５２＾Ａ＾Ｌ０．４８＾
Ａ＾ｓの組成を有する請求項６記載の光変調装置。 ８、各該量子ウェルは２０Å（２ナノシリ）から３０Å
（３ナノシリ）までの厚さである請求項７記載の光変調
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8910993.8 | 1989-05-12 | ||
| GB8910993A GB2231969B (en) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | Optical modulator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0363620A true JPH0363620A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=10656670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119626A Pending JPH0363620A (ja) | 1989-05-12 | 1990-05-09 | 光変調装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5017974A (ja) |
| EP (1) | EP0397349A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0363620A (ja) |
| GB (1) | GB2231969B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2675949B1 (fr) * | 1991-04-25 | 1993-07-09 | Thomson Csf | Modulateur d'ondes et detecteur optique a puits quantiques. |
| FR2696874B1 (fr) * | 1992-10-13 | 1994-12-09 | Thomson Csf | Modulateur d'onde électromagnétique à puits quantiques. |
| DE4313488A1 (de) * | 1993-04-24 | 1994-10-27 | Sel Alcatel Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| JPH0713110A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光変調器 |
| US5543957A (en) * | 1993-12-20 | 1996-08-06 | Nec Corporation | Optical modulator and method of producing the same |
| US6188768B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Autocompensating quantum cryptographic key distribution system based on polarization splitting of light |
| AUPR534201A0 (en) * | 2001-05-30 | 2001-06-21 | Unisearch Limited | High efficiency silicon light emitting device |
| KR102477094B1 (ko) | 2016-01-08 | 2022-12-13 | 삼성전자주식회사 | 비대칭 다준위 에너지를 갖는 3중 연결 양자우물 구조를 포함하는 광학 소자 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4525687A (en) * | 1983-02-28 | 1985-06-25 | At&T Bell Laboratories | High speed light modulator using multiple quantum well structures |
| JPH0227648B2 (ja) * | 1985-01-28 | 1990-06-19 | Nippon Telegraph & Telephone | Ryoshiidogatahikarihenchoki |
| US4878104A (en) * | 1985-04-19 | 1989-10-31 | Texas Instruments Incorporated | Optically pumped quantum coupled devices |
| US4727341A (en) * | 1985-06-28 | 1988-02-23 | Nec Corporation | Optical modulator |
| DE3681164D1 (de) * | 1986-06-18 | 1991-10-02 | Ibm | Optoelektronischer spannungsgesteuerter modulator. |
| GB8711304D0 (en) * | 1987-05-13 | 1987-06-17 | Secr Defence | Electro-optic device |
| FR2640044B1 (fr) * | 1988-12-06 | 1993-02-12 | Thomson Csf | Dispositif de detection de rayonnements optiques |
| ES2080123T3 (es) * | 1989-09-04 | 1996-02-01 | British Telecomm | Estructuras de pozo cuantico. |
-
1989
- 1989-05-12 GB GB8910993A patent/GB2231969B/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-04-25 EP EP19900304426 patent/EP0397349A3/en not_active Ceased
- 1990-04-26 US US07/514,691 patent/US5017974A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-09 JP JP2119626A patent/JPH0363620A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0397349A2 (en) | 1990-11-14 |
| GB2231969B (en) | 1993-11-03 |
| GB8910993D0 (en) | 1989-06-28 |
| GB2231969A (en) | 1990-11-28 |
| EP0397349A3 (en) | 1991-10-09 |
| US5017974A (en) | 1991-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5801872A (en) | Semiconductor optical modulation device | |
| US4840446A (en) | Photo semiconductor device having a multi-quantum well structure | |
| JP2584811B2 (ja) | 非線形光学素子 | |
| US5416338A (en) | Semiconductor device with quantum well resonance states | |
| JPH02272785A (ja) | 半導体デバイス | |
| JPH0529888B2 (ja) | ||
| JP3567997B2 (ja) | 電子吸収光学変調器 | |
| JP2968335B2 (ja) | 量子井戸構造 | |
| GB2114768A (en) | Bistable optical device | |
| JPH0363620A (ja) | 光変調装置 | |
| EP0614253B1 (en) | Multi-quantum well (MQW) structure laser diode/modulator integrated light source | |
| US5107307A (en) | Semiconductor device for control of light | |
| JP2758472B2 (ja) | 光変調器 | |
| US5550670A (en) | Electro-optic modulator using multiple quantum well structure having stark-effect quantum Barriers and non-stark-effect quantum barriers sandwiched therebetween | |
| US5208695A (en) | Optical modulator based on gamma -X valley mixing in GaAs-AlAs | |
| JPS623221A (ja) | 光変調器 | |
| JP2670051B2 (ja) | 量子井戸型光変調器 | |
| JP2864462B2 (ja) | 半導体光素子及びその使用方法 | |
| JPH0530254B2 (ja) | ||
| JP3278893B2 (ja) | 量子井戸を用いた光吸収制御半導体装置 | |
| JP7444290B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JP2000305055A (ja) | 電界吸収型光変調器 | |
| JP2810065B2 (ja) | 光変調器 | |
| JP2706263B2 (ja) | 光変調器 | |
| JPH0227648B2 (ja) | Ryoshiidogatahikarihenchoki |