JP2868046B2

JP2868046B2 - 光変調器

Info

Publication number: JP2868046B2
Application number: JP4314692A
Authority: JP
Inventors: 勝大今田; 喜市吉新; 英興内川; 久男渡井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-11-25
Filing date: 1992-11-25
Publication date: 1999-03-10
Anticipated expiration: 2014-03-10
Also published as: JPH06160788A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光通信における外部
光変調器、特に酸化物超電導体からなる変調電極を有す
る光変調器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムの伝送速度の高速化及び
大容量化に伴い、光変調の高周波化が必要となり、高周
波光変調方式が検討されてきている。この方式は、大別
して半導体レーザーによる直接変調方式と、ＬｉＮｂＯ
₃ （以下ＬＮ）などの電気光学結晶を用いた光変調器に
よる外部変調方式に分けられる。半導体レーザーによる
直接変調方式は、発振レーザー光自体を高周波変調し、
変調レーザー光を取り出す方式で、その周波数限界は現
在のところ十数ＧＨｚまで伸びてきてはいるが、周波数
チャーピングという本質的に避けられない問題点があ
る。周波数チャーピングは、強度変調の際に周波数が広
がる現象で、高周波域で特に問題となる。そこで、周波
数チャーピングのない外部変調方式が見直されつつあ
る。この分野の従来技術については、例えばＯ plus
Ｅ，１９９１年７月号，第１０４頁等に記載されてい
る。

【０００３】従来、外部変調方式で用いられる代表的な
ＬＮ光変調器においては、高速化及び大容量化のために
高周波を用いて変調を行う場合、新たな問題点が生じる
ことが避けられなかった。それは、変調効率（変調度）
が低下し、伝搬損失が大きくなることと、大きな変調電
力（変調器の駆動電圧）を必要とすることである。特に
後者の問題は、新たに駆動用高電圧制御素子を開発しな
ければならない点及びその高電圧制御システムの信頼性
が低い点などで、光通信システム構築の大きな障害とな
っている。しかし、現在までに報告されている光変調器
において、実現できている駆動電圧の低減及び変調効率
の向上は、まだ満足できるレベルには達していない。即
ち、外部変調方式による光変調器を実用・普及化させる
ために、一層の駆動電圧の低減・高変調効率が必要にな
る。

【０００４】このため、光変調器電極の表面抵抗を下げ
て、高周波の伝搬損失を抑制する必要がある。そこでこ
の発明者らは以前に、変調電極として電気光学結晶上に
超電導膜で形成した光変調器を提案した。図７は従来の
光変調器を示す断面図である。図において、１は光導波
路形成基板、２は光導波路形成基板１に形成した光導波
路、４は電極であり、蒸着法，スパッタ法，化学気相蒸
着法等の成膜方法により、電気光学効果を有する光導波
路２が形成された基板１上に形成した酸化物超電導膜で
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の光変調器におい
て、蒸着法，スパッタ法，化学気相蒸着法等の成膜方法
により、電気光学効果を有する光導波路２が形成された
基板１上に酸化物超電導膜４を形成しても、期待したほ
どの光変調の性能向上が得られない場合がある。その原
因としては次のことが考えられる。即ち、上記薄膜形成
法のいずれの場合でも、成膜時に基板温度を５００〜９
００℃と高温で数時間保持するため、光導波路２中の元
素が蒸発したり、超電導膜４中の元素と反応する。この
ために、光導波路２の光伝搬損失が増大したり、伝搬モ
ード数が変化することを光強度測定器と赤外線カメラを
用いて確認した。

【０００６】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、高周波の伝搬損失の低い超電導電極
を用いることにより低い電圧で駆動できると共に、光挿
入損失の小さい光変調器を得ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
変調器は、電気光学効果を有する光導波路が形成された
光導波路形成基板と、酸化物超電導電極が形成された電
極形成基板とを備え、光導波路が形成された面と電極が
形成された面が対向するように、光導波路形成基板と電
極形成基板が近接して固定されているものである。

【０００８】また、請求項２の発明に係る光変調器は、
請求項１に発明に加えて、光導波路と酸化物超電導電極
との距離が２０μｍ以下に近接して固定されているもの
である。

【０００９】また、請求項３の発明に係る光変調器は、
請求項１に発明に加えて、酸化物超電導電極と近接する
光導波路の表面が光導波路よりも光屈折率の低い物質ま
たは大気層と接するようにしたものである。

【００１０】

【作用】上記のように構成された光変調器では、光導波
路は高温超電導薄膜形成に必要とされる５００℃以上の
高温プロセスを経ることなく製造できるため、光損失の
増加はほとんどない。また、超電導形成基板に高温超電
導体のエピタキシャル成長に適するＭｇＯなどの単結晶
基板が使用できるため、従来のＬＮ基板上に形成する場
合より超電導特性が向上し、表面抵抗が低下する効果に
より変調効率は向上する。

【００１１】また、これに加えて光導波路と酸化物超電
導電極との距離を２０μｍ以下に近接しているので、電
極の生じる電界がなるべく高くなる。

【００１２】またさらに、酸化物超電導電極と近接する
光導波路の表面が光導波路よりも光屈折率の低い物質ま
たは大気層と接しているので、光挿入損失を小さな値に
抑える。

【００１３】

【実施例】

実施例１．図１はこの発明の実施例１による光変調器を
示す断面図である。図において、１は光導波路形成基
板、２は光導波路形成基板１に形成した光導波路、３は
電極形成基板、４は電極形成基板３に形成した電極、５
は接着層で、例えば紫外線硬化樹脂である。また、図２
は実施例１に係る電極形状を示す平面図であり、上方向
からの形状を示している。図において、８は変調信号入
力部、９は変調信号終端部である。また、図３は実施例
１による光変調器を上方向より透視して見た平面図であ
る。図において、６は光入力部であり、７は光出力部で
ある。

【００１４】電気光学効果を有する光導波路２としてｘ
−ｃｕｔ、ｙ伝搬のＴｉ拡散ＬＮ導波路を作成して用い
た。この作成は、まず両面光学研磨されたＬＮ結晶によ
る光導波路形成基板１の片面に、幅６μｍ，膜厚５０ｎ
ｍのＴｉ薄膜を電子線蒸着法及びリフトオフ法で形成
後、アルゴン雰囲気中で１０５０℃，１０時間熱処理し
てＴｉをＬＮ中に拡散させる手順で行った。図３の上面
図に示すように、光導波路２には長さ２０ｍｍ、幅４０
μｍのマッハツェンダ干渉部分２ａを設けた。

【００１５】超電導電極形成基板３にはＭｇＯ単結晶を
用いた。超電導電極４は、まずＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超
電導薄膜をＹ，Ｂａ，Ｃｕの金属元素比が約１：２：３
となるように反応性蒸着法により形成後、希硝酸を用い
たウェットエッチング法で電極形状に加工して形成し
た。ここで超電導薄膜は、基板付近にノズルから部分的
にオゾン化された酸素ガスを導入し、基板温度７００
℃、蒸着速度４ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚０．５μｍの条件で
形成した。電極形状は図２に示すような中心線幅３０μ
ｍ程度、ギャップ幅４０〜１１０μｍのコプレーナ型の
進行波電極とした。変調電源とのインピーダンス整合を
とるため、以下に述べる光変調器の各構造にあわせてギ
ャップ幅のサイズを調整した。なお、ＬＮ基板１の幅は
６ｍｍ，長さ４０ｍｍ、ＭｇＯ基板３は幅１０ｍｍ，長
さ２０ｍｍのものを使用した。この様に幅と長さを変え
た基板１，３を使用したため、図３のような配置で張り
合わすことにより、光導波路２と電極４の光入力部６、
光出力部７に張り合わせられない部分があり、電極４と
コネクタとの接続や光導波路２と光ファイバの接続が容
易となる。

【００１６】光導波路形成基板１と電極形成基板３は、
マスクアライナと紫外線硬化樹脂を用いて以下のように
接着した。まず、無地のガラスマスクの下側に光導波路
形成基板１を有機材料で接着する。この時、有機材料と
して、約７０℃で軟化する透明なものを用い、光導波路
２側が下になるように接着する。次に、マスクアライナ
の基板ステージに紫外線硬化樹脂を滴下した電極形成基
板３を電極４側が上になるように置く。ここで用いた紫
外線硬化樹脂の光屈折率は１．５〜１．７であり、Ｔｉ
拡散ＬＮ光導波路の光屈折率約２．３に比べて小さい。
光導波路形成基板１は両面光学研磨であるため、マスク
アライナの光学顕微鏡を用いて光導波路２と電極４の位
置を合わせることができる。図３の様に光導波路２のマ
ッハツェンダ干渉部分２ａに超電導電極４部の中心線が
沿って挟まれる様に両基板１，３を密着させ、紫外線を
照射して樹脂を硬化させて接着する。この様にして接着
された二枚の基板１，３に挟まれた紫外線硬化樹脂５の
厚みは、断面を電子顕微鏡により観察した結果、２μｍ
程度であった。この光変調器の光導波路２の端面の光入
力部６と光出力部７に光ファイバを接続し、また、変調
信号入力部８と変調信号終端部９にコネクタを接続し
た。

【００１７】比較例として、上記変調器（以下Ａ）と全
く同じ構造を持ち、電極材料としてＡｌを用いたもの
（以下Ｂ）を作成した。また、図７の様な従来の構造で
あるＬＮ基板１に電極４を直接形成した光変調器で、電
極４としてＹＢＣＯ超電導膜を用いたもの（以下Ｃ）
と、Ａｌ電極を用いたもの（以下Ｄ）も作成した。Ｂ及
びＤのＡｌ電極は、基板を加熱しないで高真空蒸着した
厚み３μｍのＡｌ膜をリソグラフィープロセスで加工し
て形成した。電極形状はいずれも図２に示すようなコプ
レーナ伝送路型とした。

【００１８】以上のＡ〜Ｄの光変調器を液体窒素温度に
冷却し、光挿入損失及び１００ｐｓの矩形パルスを入力
した場合の半波長電圧と出力される変調光の形状を測定
した。この結果を表１と図４に示す。光源としては波長
１．３μｍの半導体レーザを使用し、出力側では偏光子
を用いてＴＥモードの導波光のみ検出した。表１はＡ〜
Ｄの光変調器における光挿入損失（ｄＢ）と半波長電圧
（Ｖ）を示すものであり、図４は横軸を時間（ｐｓ），
縦軸を光強度（任意単位）とした時のＡ〜Ｄの光変調器
における特性を示すグラフである。

【００１９】

【表１】

【００２０】これらの光変調器の光挿入損失はＡ、Ｂ、
Ｄで６〜７ｄＢとほぼ同程度であるのに対し、Ｃでは２
２ｄＢ以上と極めて大きかった。これはＣでは光導波路
２がＹＢＣＯ超電導薄膜の形成プロセスにさらされたた
め、劣化が生じたと考えられる。半波長電圧は実施例１
であるＡが最も低く、低電圧での駆動が可能であること
が分かった。また、図４に示すように、出力される変調
光の波形は超電導電極を用いたＡとＣに比べて、Ａｌ電
極のＢとＤでは立ち上がり，立ち下がりでのなまりが大
きい。これは超電導電極の方が伝搬損失が小さく、また
周波数分散も小さい効果による結果である。

【００２１】また、この実施例の光変調器Ａでは光導波
路と電極の間隔は２μｍであるが、その間隔を５μｍ、
１０μｍ、２０μｍとした光変調器も試作した。これら
の半波長電圧はそれぞれ、８．１Ｖ，１１．２Ｖ，１
６．５Ｖであった。従って、光導波路形成基板１と電極
形成基板３の距離を２０μｍ以上にすると、光導波路２
にとどく電極４からの電界が極めて小さくなるため、光
変調効率が著しく低下することが分かった。この間隔と
半波長電圧の関係は電極形状にも依存すると考えられ、
平面電極を用いた場合２０μｍを越えると、低損失の超
電導電極４を用いる効果が小さくなることを確認した。

【００２２】上記のように、この実施例による光変調器
では、光導波路は高温超電導薄膜形成に必要とされる５
００℃以上の高温プロセスを経ることなく製造できるた
め、光損失の増加はほとんどない。また、超電導形成基
板に高温超電導体のエピタキシャル成長に適するＭｇＯ
などの単結晶基板が使用できるため、従来のＬＮ基板上
に形成する場合より超電導特性が向上し、表面抵抗が低
下する効果により変調効率は向上する。

【００２３】実施例２．図５はこの発明の実施例２に係
る電極形状を示す平面図である。この実施例では、電気
光学効果を有する光導波路２として、両面光学研磨され
たｚ−ｃｕｔ，ＬＮ基板１の片面の表面に、ｘ伝搬のＴ
ｉ拡散ＬＮ導波路を作成して用いた。光導波路は単純な
一本の直線とした。また光導波路２を形成した面上に厚
み０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着した。電極は光学研磨さ
れたＭｇＯ基板３の片面に厚み０．６μｍのＥｒ−Ｂａ
−Ｃｕ−Ｏ（以下ＥＢＣＯ）系超電導膜４をスパッタ法
で形成し、これを図５のようなコプレーナ伝送線路より
構成される共振型の超電導電極に加工して形成した。シ
ョーティングストラップ部１０は、厚み０．３μｍのＳ
ｉＯ₂ 膜と厚み１μｍのＡｌ膜から構成され、蒸着とリ
フトオフ法で加工して形成した。

【００２４】光導波路形成基板１と電極形成基板３は、
実施例１と同様にマスクアライナと紫外線硬化樹脂５を
用いて接着した。まず、無地のガラスマスクの下側に光
導波路形成基板１を有機材料で接着する。この有機材料
は約７０℃で軟化する透明なものを用い、光導波路２側
が下になるように接着する。次に、マスクアライナの基
板ステージに、光導波路２よりも光屈折率の小さい紫外
線硬化樹脂５を滴下した電極形成基板３を、電極４が上
になるように置く。直線光導波路２が超電導共振電極４
の中心線のエッジ部に沿う様に両基板１，３を密着さ
せ、紫外線を照射して、樹脂を硬化させて接着層５とす
る。この光変調器の光導波路２の端面の光入力部６と光
出力部７に光ファイバを接続し、変調信号入力部８と変
調信号終端部９に高周波用コネクタを接続した。

【００２５】比較例として上記変調器（以下Ｐ）と全く
同じ構造を持ち、電極４の材料としてＡｌを用いたもの
（以下Ｑ）を作成した。また、従来の構造であるＬＮ基
板１にバッファ層を形成し、その上に電極４を形成した
光変調器で、電極としてＥＢＣＯ超電導膜を用いたもの
（以下Ｒ）と、Ａｌ電極を用いたもの（以下Ｓ）も作成
した。なお、ＲとＳのバッファ層はＰと同じ厚み０．５
μｍのＭｇＯ膜とした。Ｐ及びＲのＡｌ電極は、基板を
加熱しないで高真空蒸着した厚み３μｍのＡｌ膜をリソ
グラフィープロセスで加工する方法で形成した。電極形
状はいずれも図５に示すようなコプレーナ伝送路から構
成される共振型とした。

【００２６】これらの光変調器を液体窒素温度に冷却
し、ネットワークアナライザを用いて電極の反射特性を
評価した。これらの共振周波数（ＧＨｚ），反射損失
（ｄＢ），及びＱ値を表２に示す。共振周波数はいずれ
も約１０ＧＨｚであったが、反射損失とＱ値はＡｌ電極
を用いたＱとＳに比べて、超電導電極を使用したＰとＲ
は大きな値となった。これは、超電導電極が常伝導のＡ
ｌ電極に比べて１０ＧＨｚでの導体損失が小さいためと
考えられる。とくにＰでは超電導形成に適するＭｇＯ基
板を使用したため、電極部の損失が極めて小さくなった
と考えられ、Ｑ値は４８０と非常に大きい。

【００２７】

【表２】

【００２８】次に光挿入損失（ｄＢ）と光変調特性を評
価した。光挿入損失は光源として波長１．３μｍの半導
体レーザーを使用し、入力光と出力光の強度を光パワー
メータで比較する方法で測定した。また光変調特性は、
コネクタから共振周波数の変調マイクロ波を入力し、変
調された光を反射率９９％で構成されるファブリペロ干
渉計に通じて、その変調深さを求める方法で評価した。
その結果から、πｒａｄの位相変化させるための変調電
力（ｍＷ）を計算した。これらの結果を表３に示す。Ｒ
では光導波路上にバッファ層を形成しているものの、高
温の超電導薄膜形成プロセス中に光導波路から少量のＬ
ｉイオンがバッファ層や超電導電極中に拡散するため、
屈折率が変化し、光損失が１８．８ｄＢと大きくなっ
た。一方、この実施例の構造によるＰでは、小さな光挿
入損失と低い変調電力を実現できることが確認された。

【００２９】

【表３】

【００３０】実施例３．光導波路形成基板１と電極形成
基板３を直接紫外線硬化樹脂５によって接着した場合に
おいて、ＴＭモード光の挿入損失が大きくなることがし
ばしば観察された。とくに光導波路２と電極４の密着を
高めた場合にその傾向が見られた。その原因は光導波路
２と電極４が近接しすぎたため、光導波路２中のＴＭモ
ード光の電界が電極４中に散乱したためと推測される。
このような光導波路２よりも光屈折率が大きい物質や電
極４などの導体が接すると、ＴＭモードの光の減衰が大
きくなることはよく知られている。そこで光導波路２の
表面に光導波路２よりも光屈折率の低い物質、または大
気層が接するようにして、光導波路形成基板１と超電導
電極形成基板３を近接させて固定した。

【００３１】実施例３として超電導電極４と光導波路２
との間に大気層を形成した光変調器Ｘと、比較例として
電極４と光導波路２を密着させた光変調器Ｙを試作し
た。図６（ａ），（ｂ）はＸ，Ｙを示す断面図である。
図において、１１は大気層、１２はレジストである。超
電導電極形成基板３としては、実施例１と同様、ＭｇＯ
単結晶基板にＹＢＣＯの電極を形成したものを用いた。
光導波路形成基板１としては、実施例２と同様、ｚ−ｃ
ｕｔのＬＮ上に一本の直線上のＴｉ拡散光導波路を形成
したものを用いたが、実施例２と異なり光導波路形成基
板１上にはＭｇＯ膜を形成しなかった。

【００３２】光変調器Ｘの作成手順としては、まず、リ
ソグラフィプロセスにより、光導波路形成基板１上の光
導波路２が形成されていない部分に一定膜厚のレジスト
膜１２を残す。この後、実施例２と同様の手法により光
導波路形成基板１と電極形成基板３を接着した。なお、
使用したＴｉ拡散ＬＮ光導波路２はＬＮ基板面に対して
約５０ｎｍ程度の凸部となっていたため、レジスト１２
の膜厚はその値より充分大きくなるように約１．２μｍ
とした。また、基板１，３を密着して接着する際に紫外
線硬化樹脂５が光導波路２に接しないように注意して作
成した。比較例のＹにおいても光導波路２と電極４を充
分密着させた際に、紫外線硬化樹脂５がその間に挟み込
まれないように注意して接着した。

【００３３】試作した光変調器について実施例１と同様
の光挿入損失（ｄＢ）とパルス電圧を用いた変調電圧
（Ｖ）を評価した。ただし、光の位相が変調されるた
め、変調光はファブリペロ干渉計を通して検出した。そ
の結果を表４に示す。いずれも同様に低い損失の超電導
電極を用いたため、光の位相をπｒａｄ変調させる電圧
はいずれも低い値である。Ｙのほうがこの実施例Ｘに比
べて多少低い値となったのは、Ｙのほうが電極４と光導
波路２の距離が小さく、光導波路２中の変調マイクロ波
の電界密度が高まったためと考えられる。しかしながら
Ｙでは光導波路２と電極４が密着したため、光挿入損失
は大きな値となり実用上問題があることが分かった。従
って、この実施例のように光導波路２の上に大気層１１
を形成することが、光挿入損失を小さな値に抑えるのに
有効であることが分かった。

【００３４】

【表４】

【００３５】なお、上記実施例３においては、光導波路
２の上のレジスト１２を除去したため、光導波路２には
大気層１１が接している。しかし、レジスト１２を除去
しない場合にでも、レジスト１２の光屈折率が光導波路
２の屈折率よりも小さい場合に効果があることを確認し
ている。また、光屈折率が光導波路２に比べて小さけれ
ば、無機材料を用いても良好な特性が得られることを確
認している。即ち、酸化物超電導電極４と近接する光導
波路２の表面が光導波路２よりも光屈折率の低い物質ま
たは大気層と接する構造であれば、光挿入損失を小さな
値に抑えることができる。

【００３６】なお、上記実施例はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系
あるいはＥｒ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導電極の場合であ
るが、他の形成プロセス温度が５００℃以上となる超電
導電極、例えばＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系等でもよ
く、上記実施例と同様な効果を発揮する。

【００３７】また、電気光学効果のある光導波路のなか
で、高温プロセスにより光伝搬特性が劣化するもの、例
えば非線形光学効果を有する有機材料であってもよく、
上記実施例と同様な効果を発揮する。

【００３８】また、酸化物超電導電極４は、その一部が
光導波路２と近接していれば、ストリップラインやマイ
クロストリップ等の他の平面電極形状であってもよい。
特に電極４と光導波路２の距離が２０μｍ以下であれ
ば、上記実施例と同様の良好な効果を発揮する。

【００３９】また、電極形成基板と光導波路形成基板の
固定は、接着層５を用いずにネジなどを用いて機械的に
行ってもよく、上記実施例と同様な効果を発揮する。

【００４０】また、電極形成基板３と光導波路形成基板
１を張り合わせる前に、一方または両方の基板上に誘電
体膜などを形成しても、電極と光導波路の間隔が２０μ
ｍ以下であればよく、上記実施例と同様な効果を発揮す
る。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、電気光学効果を有する光導波路が形成された光導波
路形成基板と、酸化物超電導電極が形成された電極形成
基板とを備え、光導波路が形成された面と電極が形成さ
れた面が対向するように、光導波路形成基板と電極形成
基板が近接して固定することにより、低い電圧で駆動で
きると共に、光挿入損失の小さい光変調器が得られる効
果がある。

【００４２】また、請求項２の発明によれば、請求項１
の発明に加え、光導波路と酸化物超電導電極との距離が
２０μｍ以下になるように近接して固定することによ
り、電極の生じる電界を高くできる光変調器が得られる
効果がある。

【００４３】また、請求項３の発明によれば、請求項１
の発明に加え、酸化物超電導電極と近接する光導波路の
表面が光導波路よりも光屈折率の低い物質または大気層
と接するようにしたことにより、光損失を小さな値に抑
えることができる光変調器が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１による光変調器を示す断面
図である。

【図２】実施例１による光変調器に係る電極形状を示す
平面図である。

【図３】実施例１による光変調器を上方向から透視して
見た平面図である。

【図４】実施例１と比較例の光変調器において、出力さ
れた変調光の強度の時間変化を示すグラフである。

【図５】実施例２による光変調器に係る電極形状を示す
平面図である。

【図６】この発明の実施例３と比較例による光変調器を
示す断面図である。

【図７】従来の光変調器を示す断面図である。

【符号の説明】

１光導波路形成基板２光導波路３電極形成基板４酸化物超電導電極５接着層１１大気層

フロントページの続き (72)発明者渡井久男尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/035 ZAA G02F 1/313

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学効果を有する光導波路が形成さ
れた光導波路形成基板と、酸化物超電導電極が形成され
た電極形成基板とを備え、上記光導波路が形成された面
と上記電極が形成された面が対向するように、上記光導
波路形成基板と上記電極形成基板が近接して固定されて
いる光変調器。
【請求項２】光導波路と酸化物超電導電極との距離が
２０μｍ以下に近接して固定されていることを特徴とす
る請求項第１項記載の光変調器。
【請求項３】酸化物超電導電極と近接する光導波路の
表面が、上記光導波路よりも光屈折率の低い物質または
大気層と接するようにしたことを特徴とする請求項第１
項記載の光変調器。