JP4671335B2 - 導波路型光デバイス - Google Patents
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特に、マルチメディアの発展に伴い情報伝達量も増加傾向にあり、光変調周波数の広帯域化を実現する必要がある。これらを実現する手段の一つとしてLiNbO3(以下、「LN」という。)変調器等による外部変調方式がある。しかし、LN変調器の広帯域の実現には、変調信号であるマイクロ波と光波との速度整合、及び駆動電圧の低減を図る必要がある。
以下の特許文献1乃至3においては、30μm以下の厚みを有する薄い基板(以下、「第1基板」という。)に、光導波路並びに変調電極を組み込み、第1基板より誘電率の低い他の基板を接合し、マイクロ波に対する実効屈折率を下げ、マイクロ波と光波との速度整合を図り且つ基板の機械強度を維持することが行われている。
しかしながら、光学的異方性を持った基板を用いた場合には、入射光偏波により、印加電圧や加熱量が異なることとなる。このため、特定の偏波のみを導波させることが行われている。
しかも、基板と補強板との接合は、偏光手段が形成された部分を除く領域に接合層を形成して行われているため、基板と偏光手段とは接触しているが接合せず、両者の線膨張係数の差などによる熱応力が、基板と偏光手段との間に発生せず、温度特性の安定した導波路型光デバイスを提供することが可能となる。
さらに、基板と補強板との間には、偏光手段が形成された部分を除く領域に、該偏光手段の厚みに対応したスペーサが配置されているため、偏光手段の厚みが厚くなった場合でも、基板と補強板との間隔を一定に保持することが可能となる。
本発明に係る導波路型光デバイスは、図2に示すように、電気光学効果を有する厚みが20μm以下の基板1と、該基板の表面上に形成された光導波路2と、該光導波路3を伝搬する光波を制御するための制御用電極(不図示)とを有し、該基板1の裏面には補強11板が接合された導波路型光デバイスにおいて、該基板1と該補強板11との間の少なくとも一部分に、金属膜又は高屈折率膜による偏光手段10を設けることを特徴とする。特に、偏光手段10は、補強板11にのみ接合されていること特徴とする。
また、信号電極や接地電極などの制御用電極は、Ti・Auの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに必要に応じ、基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層を設けることも可能である。
他方、補強板11の表面に真空蒸着などにより偏光手段を形成し、上記基板1と該補強板11とを直接接合法により接合する。
図3では、ガラスなどのベース膜13上に、金属膜又は高屈折率膜などの偏光手段10を形成した例を示しているが、このように偏光手段の厚みが厚くなる場合には、基板1と補強板11とを直接接合することが困難である。このため、偏光手段部分(10及び13)の厚みとほぼ同じ厚みを有する接着層12を介して両者を接合することが好ましい。
さらに、該スペーサは必ずしも補強板11と別部材とする必要は無く、補強板11の表面において、偏光手段を配置する部分に凹部を形成し、該凹部以外の表面の凸部をスペーサとすることも可能である。
図4のようなマッハツェンダー型光導波路3を使用する場合には、入射側光導波路部分A、分岐導波路部分B、又は出射側光導波路部分Cのいずれに偏光手段を配置しても良いが、分岐導波路が合波する部分では、モード変換が発生する場合があり、偏波光のみを出力する場合には、Cの部分に配置することが、最も効率が良い。
(実施例)
薄板の光変調素子は、基板に厚み500μmのXカット型のLN基板を使用し、Ti拡散プロセスなどにより、基板表面に直線状の光導波路(幅7μm)を形成する。基板の裏面を、研磨機で基板の厚さが10μmとなるまで研磨した。
次に、同じ基板(厚み500μmのXカット型のLN基板)を使用し、該基板表面にし、Alを厚み200nm、光導波路に沿った長さ1mmで偏光手段を形成し、偏光手段付の補強板を得た。研磨した基板と補強板とを加圧してダイレクトボインディングし、導波路型光デバイスを作成した。
実施例の偏光手段を形成しない以外は、実施例と同様に導波路型光デバイスを作成した。
このことから、本発明の偏光手段が、縦方向の偏波面のモード光を効果的に減衰させていることが理解される。
2 偏光子
3 光導波路
4 金属膜
10 偏光手段
11 補強板
12 接着層
13 ベース膜
Claims (7)
- 電気光学効果を有する厚みが20μm以下の基板と、該基板の表面上に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を制御するための制御用電極とを有し、該基板の裏面には補強板が接合された導波路型光デバイスにおいて、
該基板と該補強板との間の少なくとも一部分に、金属膜又は高屈折率膜による偏光手段を設けると共に、該偏光手段は、該補強板にのみ接合されており、
該基板と該補強板との接合は、該偏光手段が形成された部分を除く領域に接合層を形成して行われ、
さらに、該基板と該補強板との間には、該偏光手段が形成された部分を除く領域に、該偏光手段の厚みに対応したスペーサが配置されていることを特徴とする導波路型光デバイス。 - 請求項1に記載の導波路型光デバイスにおいて、該偏光手段は、補強板上に成膜処理により形成されていることを特徴とする導波路型光デバイス。
- 請求項1又は2に記載の導波路型光デバイスにおいて、該偏光手段の厚みは、50〜1000nmであることを特徴とする導波路型光デバイス。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の導波路型光デバイスにおいて、該偏光手段が形成される位置は、該光導波路が形成された部分の基板裏面に位置する領域であることを特徴とする導波路型光デバイス。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の導波路型光デバイスにおいて、該接合層の厚みは該偏光手段の厚みと略同一であることを特徴とする導波路型光デバイス。
- 請求項1に記載の導波路型光デバイスにおいて、該スペーサは、該補強板の表面で、該偏光手段が形成される部分を含む領域に凹部を設けることにより形成されるものであることを特徴とする導波路型光デバイス。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の導波路型光デバイスにおいて、該補強板の少なくとも該偏光手段が形成されている側の表面部分は、該基板より低い屈折率を有する材料で構成されていることを特徴とする導波路型光デバイス。
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