JPS63163432A - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
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- JPS63163432A JPS63163432A JP30965586A JP30965586A JPS63163432A JP S63163432 A JPS63163432 A JP S63163432A JP 30965586 A JP30965586 A JP 30965586A JP 30965586 A JP30965586 A JP 30965586A JP S63163432 A JPS63163432 A JP S63163432A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信等において、光波の変調、光路の切替え
等を行なう光スイッチに関し、特に基板中に設けた光導
波路を用いた導波形の光スイッチに関する。
等を行なう光スイッチに関し、特に基板中に設けた光導
波路を用いた導波形の光スイッチに関する。
（従来技術とその問題点）
光通信システムの実用化が進み、大容量や多機能をもつ
さらに高度のシステムへと開発が進められている。光伝
送路網の交換機能、光データバスにおける端末間の高速
接続、切換え等の新たな機能が求められており、それら
を可能にする光スイツチングネットワークの必要性が高
まっている。現在実用されている光スイッチは、プリズ
ム、ミラー、ファイバー等を機械的に移動させるもので
あり、低速であること、信頼性が不十分、形状が大きく
マトリクス化に不適等の欠点°がある。これを解決する
手段として開発が進められているものは基板上に設置し
た光導波路を用いた導波形の光スイッチであり、高速、
多素子の集積化が可能、高信頼等の特長がある。特にＬ
ｉＮｂＯ３結晶等の強誘電体材料を用いたものは、光吸
収が小さく低損失であること、大きな電気光学効果を有
しているため高効率である等の特長がある。一般に光ス
イッチは光伝送路中に挿入され、光フアイバ中を伝搬さ
れた光信号の光路を切換えのために使用される場合が多
い。高速、大容量の光通信システムでは光ファイバとし
て単一モード光ファイバが使用され、光源には半導体レ
ーザが使われる。
さらに高度のシステムへと開発が進められている。光伝
送路網の交換機能、光データバスにおける端末間の高速
接続、切換え等の新たな機能が求められており、それら
を可能にする光スイツチングネットワークの必要性が高
まっている。現在実用されている光スイッチは、プリズ
ム、ミラー、ファイバー等を機械的に移動させるもので
あり、低速であること、信頼性が不十分、形状が大きく
マトリクス化に不適等の欠点°がある。これを解決する
手段として開発が進められているものは基板上に設置し
た光導波路を用いた導波形の光スイッチであり、高速、
多素子の集積化が可能、高信頼等の特長がある。特にＬ
ｉＮｂＯ３結晶等の強誘電体材料を用いたものは、光吸
収が小さく低損失であること、大きな電気光学効果を有
しているため高効率である等の特長がある。一般に光ス
イッチは光伝送路中に挿入され、光フアイバ中を伝搬さ
れた光信号の光路を切換えのために使用される場合が多
い。高速、大容量の光通信システムでは光ファイバとし
て単一モード光ファイバが使用され、光源には半導体レ
ーザが使われる。
半導体レーザ光は直線偏光を出射するが、単一モード光
ファイバ中を伝搬された光波は、一般に楕円偏光となり
、また、その偏光状態も時間的に変動する。一方、前述
の導波形の光スイッチでは、通常の構成の場合、スイッ
チ電圧、クロストーク等の特性は、入射光の偏光状態に
大きく依存するという欠点がある。第３図は従来の導波
形光スイッチの一例である方向性結合形光スイッチを示
す。光軸すなわち２軸方向に垂直に切り出して整形した
ＬｉＮｂ０ａ基板３１上にＴｉ等の金属を拡散して光導
波路３２．３３が形成されている。光導波路３２．３３
は数１１ｍ程度の間隔で近接して設置されることにより
光方向性結合器３４を構成しており、光導波路３２．３
３上にバッファ層である５ｉ０２膜（第３図では省略）
を介して制御電極３５が設置されている。この光スイッ
チの基本的な動作原理は、先ず、片方の光導波路例えば
３２の端面から入射した光波３６は光導波路３２中を伝
搬し、光方向性結合器３４の部分で近接した光導波路３
３にエネルギーが移行し、光方向性結合器３４の長さを
完全結合長Ｌｃに一致させた場合は、はぼ１００％のエ
ネルギーが光導波路３３に移って出射光３７となる。一
方、制御電極に電圧を印加した場合、電気光学効果によ
って光導波路３２．３３の屈折率が変化して両者の屈折
率が非対称となり、両者を伝搬する光波の間で位相不整
合が生じて結合状態が変化し、適当な印加電圧の下では
もとの光導波路３２ヘエネルギーが移り出射光３８とな
る。ここで、基板上に形成された光導波路の伝搬光は一
般に独立な２つのモード即ち、偏光方向が基板表面に垂
直なＴＭモードとそれに直交する偏光成分をもつＴＥモ
ードに分離され、光方向性結合器を構成した場合、ＴＭ
モードでは異常光に対する屈折率変化量、ＴＥモードで
は常光に対する屈折率変化量によってそれぞれの導波特
性が決まるため両モード間では通常、結合状態が異なり
、それに対応して完全結合長も異なってしまう。さらに
通常、電気光学効果によって変化する屈折率変化量も偏
光方向によって異なり、その結果スイッチ電圧も偏光方
向によって大きく異なる。例えば、第３図の場合、ＴＭ
モード、ＴＥモードに対して得られる屈折率変化はそれ
ぞれδｎＴＭ＝＋ｒ３３ｎｅ３Ｅｚ、δｒｌｐＢ＝ｉｒ
ｔ３ｎｏ３Ｅｚとなる。ここで、ｒ３３．ｒ１３はそれ
ぞれ電気光学定数、ｎｅ、ｎｏはそれぞれ異常光、常光
に対する屈折率、Ｅｚは２方向に印加される電界強度で
ある。ＬｉＮｂＯ３結晶の場合、ｒｓａ ＞ ３ｒｘｓ
であるので、δｎＴＭ〉３δｎ’ｒＥとなり、ＴＥモー
ドのスイッチ電圧はＴＭモードのスイッチ電圧の３倍以
上の値となる。そこで通常は入射光をＴＭ又はＴＥモー
ドのいずれか一方の偏光状態に一致させる必要が生じ、
第３図の構成の光スイッチは単一モード光ファイバ伝送
路中に挿入して使用することはできない。
ファイバ中を伝搬された光波は、一般に楕円偏光となり
、また、その偏光状態も時間的に変動する。一方、前述
の導波形の光スイッチでは、通常の構成の場合、スイッ
チ電圧、クロストーク等の特性は、入射光の偏光状態に
大きく依存するという欠点がある。第３図は従来の導波
形光スイッチの一例である方向性結合形光スイッチを示
す。光軸すなわち２軸方向に垂直に切り出して整形した
ＬｉＮｂ０ａ基板３１上にＴｉ等の金属を拡散して光導
波路３２．３３が形成されている。光導波路３２．３３
は数１１ｍ程度の間隔で近接して設置されることにより
光方向性結合器３４を構成しており、光導波路３２．３
３上にバッファ層である５ｉ０２膜（第３図では省略）
を介して制御電極３５が設置されている。この光スイッ
チの基本的な動作原理は、先ず、片方の光導波路例えば
３２の端面から入射した光波３６は光導波路３２中を伝
搬し、光方向性結合器３４の部分で近接した光導波路３
３にエネルギーが移行し、光方向性結合器３４の長さを
完全結合長Ｌｃに一致させた場合は、はぼ１００％のエ
ネルギーが光導波路３３に移って出射光３７となる。一
方、制御電極に電圧を印加した場合、電気光学効果によ
って光導波路３２．３３の屈折率が変化して両者の屈折
率が非対称となり、両者を伝搬する光波の間で位相不整
合が生じて結合状態が変化し、適当な印加電圧の下では
もとの光導波路３２ヘエネルギーが移り出射光３８とな
る。ここで、基板上に形成された光導波路の伝搬光は一
般に独立な２つのモード即ち、偏光方向が基板表面に垂
直なＴＭモードとそれに直交する偏光成分をもつＴＥモ
ードに分離され、光方向性結合器を構成した場合、ＴＭ
モードでは異常光に対する屈折率変化量、ＴＥモードで
は常光に対する屈折率変化量によってそれぞれの導波特
性が決まるため両モード間では通常、結合状態が異なり
、それに対応して完全結合長も異なってしまう。さらに
通常、電気光学効果によって変化する屈折率変化量も偏
光方向によって異なり、その結果スイッチ電圧も偏光方
向によって大きく異なる。例えば、第３図の場合、ＴＭ
モード、ＴＥモードに対して得られる屈折率変化はそれ
ぞれδｎＴＭ＝＋ｒ３３ｎｅ３Ｅｚ、δｒｌｐＢ＝ｉｒ
ｔ３ｎｏ３Ｅｚとなる。ここで、ｒ３３．ｒ１３はそれ
ぞれ電気光学定数、ｎｅ、ｎｏはそれぞれ異常光、常光
に対する屈折率、Ｅｚは２方向に印加される電界強度で
ある。ＬｉＮｂＯ３結晶の場合、ｒｓａ ＞ ３ｒｘｓ
であるので、δｎＴＭ〉３δｎ’ｒＥとなり、ＴＥモー
ドのスイッチ電圧はＴＭモードのスイッチ電圧の３倍以
上の値となる。そこで通常は入射光をＴＭ又はＴＥモー
ドのいずれか一方の偏光状態に一致させる必要が生じ、
第３図の構成の光スイッチは単一モード光ファイバ伝送
路中に挿入して使用することはできない。
上述のような偏光依存性を改善するために、光方向性結
合器の２つの光導波路の間隔をテーパ状に変化させ、Ｔ
Ｍ、ＴＥモードに対して冗長性をもたせてスイッチする
方向性結合形光スイッチがレオン・マツコーハン（ＬＥ
ＯＮＭＣＣＡＵＧＨＡＮ）によりアイ・イー・イー・イ
ー、ジャーナル・オブ・ライトウェーブ・テ り
ノ ロ ジー（ＩＥＥＥ、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＬｉｇｈｔｗａｖｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、ＬＴ−２
巻、１号、５１〜５５ページに述べられている。しかし
、このようなテーパ状の結合部を持たせた光スイッチで
も第３図と同様な結晶基板を用いた場合、テーパ構造に
よってスイッチ電圧が非常に大きくなってしまうという
欠点があり、また、前述のように通常、光導波路部分の
基板に対する屈折率差Δｎは常光と異常光では異なるの
で電圧０の状態でＴＥ、ＴＭ両モードの完全結合長を一
致させるためには光導波路構造をある限定された特別の
条件に合わせる必要があり製作プロセスの制御が非常に
難しいという問題もあった。
合器の２つの光導波路の間隔をテーパ状に変化させ、Ｔ
Ｍ、ＴＥモードに対して冗長性をもたせてスイッチする
方向性結合形光スイッチがレオン・マツコーハン（ＬＥ
ＯＮＭＣＣＡＵＧＨＡＮ）によりアイ・イー・イー・イ
ー、ジャーナル・オブ・ライトウェーブ・テ り
ノ ロ ジー（ＩＥＥＥ、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＬｉｇｈｔｗａｖｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、ＬＴ−２
巻、１号、５１〜５５ページに述べられている。しかし
、このようなテーパ状の結合部を持たせた光スイッチで
も第３図と同様な結晶基板を用いた場合、テーパ構造に
よってスイッチ電圧が非常に大きくなってしまうという
欠点があり、また、前述のように通常、光導波路部分の
基板に対する屈折率差Δｎは常光と異常光では異なるの
で電圧０の状態でＴＥ、ＴＭ両モードの完全結合長を一
致させるためには光導波路構造をある限定された特別の
条件に合わせる必要があり製作プロセスの制御が非常に
難しいという問題もあった。
なお、導波形光スイッチにはここで示した方向性結合形
の他に全反射形、バランスドブリッヂ形、Ｙ分岐形等の
方式があるが、光スイッチにとって重要なスイッチ電圧
やクロストークを比較的容易に低くでき、構成が簡単な
ものは、方向性結合形であり、また、偏光状態に対する
依存性は他方式でも同様に存在する。
の他に全反射形、バランスドブリッヂ形、Ｙ分岐形等の
方式があるが、光スイッチにとって重要なスイッチ電圧
やクロストークを比較的容易に低くでき、構成が簡単な
ものは、方向性結合形であり、また、偏光状態に対する
依存性は他方式でも同様に存在する。
（発明の目的）
本発明の目的は上述の従来の導波形光スイッチの欠点を
除き、入射光の偏光状態に対する依存性がなく、スイッ
チ電圧が比較的低く、製作の容易な光スイッチを提供す
ることにある。
除き、入射光の偏光状態に対する依存性がなく、スイッ
チ電圧が比較的低く、製作の容易な光スイッチを提供す
ることにある。
（発明の構成）
本発明の光スイッチは、光学的異方性を有する結晶基板
上に形成された互いに近接した２本の光導波路からなる
光方向性結合器と該先方向性結合器の近傍に設置された
制御電極よりなり、前記結晶基板の光軸は前記光導波路
の光透過方向に対して一致している。
上に形成された互いに近接した２本の光導波路からなる
光方向性結合器と該先方向性結合器の近傍に設置された
制御電極よりなり、前記結晶基板の光軸は前記光導波路
の光透過方向に対して一致している。
（作用）
本発明では、光方向性結合器を構成する光導波路の光透
過方向が光軸に一致しているためＴＥ。
過方向が光軸に一致しているためＴＥ。
ＴＭ両モードとも常光屈折率が関係するので導波特性が
ほぼ一致し、完全結合長もほぼ等しくなる。
ほぼ一致し、完全結合長もほぼ等しくなる。
このため製作プロセスも特に高精度を必要としない。ま
た、利用する電気光学効果もＴＥ、ＴＭ両モードへの作
用は符号が異なるだけで絶対値は同じであるのでスイッ
チ電圧は両モードに対して一致する。例えばニオブ酸リ
チウム結晶の場合は、Ｙ板ではＴＥ、ＴＭ両モードに対
してそれぞれｒ１２．ｒ２２が作用する。そこで本発明
では、スイッチ電圧を一致させるためのテーパ構造は不
要であり、また、印加電圧に対する屈折率変化量が常に
ＴＥ、ＴＭモードで一致するので前述のテーパ状の光ス
イッチでは得られないクロストーク特性の優れた電極分
割反転形駆動（Δｐ反転型）等の構成を採用することが
できる。
た、利用する電気光学効果もＴＥ、ＴＭ両モードへの作
用は符号が異なるだけで絶対値は同じであるのでスイッ
チ電圧は両モードに対して一致する。例えばニオブ酸リ
チウム結晶の場合は、Ｙ板ではＴＥ、ＴＭ両モードに対
してそれぞれｒ１２．ｒ２２が作用する。そこで本発明
では、スイッチ電圧を一致させるためのテーパ構造は不
要であり、また、印加電圧に対する屈折率変化量が常に
ＴＥ、ＴＭモードで一致するので前述のテーパ状の光ス
イッチでは得られないクロストーク特性の優れた電極分
割反転形駆動（Δｐ反転型）等の構成を採用することが
できる。
この場合には、必要なプロセス精度はさらにゆるくなる
。
。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による光スイッチの一実施例である偏光
依存性のない方向性結合形光スイッチを示す斜視図であ
る。第３図に示した従来の方向性結合形光スイッチと同
様の形状のＬｉＮｂＯ５基板１１上に厚さ数百〜千人で
幅が数〜十数ｐｍのＴｉ膜パターンを熱拡散して形成し
た光導波路１２，１３が設置され、光方向性結合器１４
を構成している。但し、本実施例では第３図と異なり、
ＬｉＮｂＯ５基板１１は、結晶の光軸（Ｚ）が光導波路
１２．１３の光透過方向に一致し、かつ、結晶Ｙ軸が基
板表面の法線に、一致するように切り出され整形されて
いる。光導波路１２．１３上には厚さ１０００〜３００
０人の５ｉ０２膜のバッファ層（第１図では省略）がコ
ーティングされ、その上にＡｕ、ＡＩ膜等からなる制御
電極１５が設置される。光方向性結合器１４の長さはＴ
Ｍ、ＴＥモード両者に対してほぼ完全結合長（通常数ｍ
ｍ〜数十ｍｍ）に等しくなるように設定されている。基
本的な動作原理は第３図の例と同様に制御電極１５に電
圧を印加することによって２つの光導波路１２．１３を
伝搬する光波間に位相不整合を生じさせて結合状態を制
御するものである。第２図は第１図の光スイッチの光方
向性結合器１４の部分を２軸方向からみた断面図である
。印加電圧により光導波路１２．１３中に生ずるＹ軸方
向の電界ＥＹにより光導波路１２．１３中のＴＥモード
対してはそれぞれ、δｎｒｒｇ＝＋ｒｘ２ｎｏ３Ｅｙ、
δｎ２Ｔｇ＝−＋ｒｉ２ｎｏ”Ｅｙノ屈折率変化が生じ
、光導波路１２．１３中のＴＭモードに対してはそれぞ
れδｎ１ＴＥ＝−）ｒ２２ｎｏ３Ｅｙ、δｎ２Ｔｇ＝−
＋ｒ２２ｎｏ”Ｅｙの屈折率変化が生ずる。ここでｒ１
２＝−ｒ２２であるのでＴＥ。
依存性のない方向性結合形光スイッチを示す斜視図であ
る。第３図に示した従来の方向性結合形光スイッチと同
様の形状のＬｉＮｂＯ５基板１１上に厚さ数百〜千人で
幅が数〜十数ｐｍのＴｉ膜パターンを熱拡散して形成し
た光導波路１２，１３が設置され、光方向性結合器１４
を構成している。但し、本実施例では第３図と異なり、
ＬｉＮｂＯ５基板１１は、結晶の光軸（Ｚ）が光導波路
１２．１３の光透過方向に一致し、かつ、結晶Ｙ軸が基
板表面の法線に、一致するように切り出され整形されて
いる。光導波路１２．１３上には厚さ１０００〜３００
０人の５ｉ０２膜のバッファ層（第１図では省略）がコ
ーティングされ、その上にＡｕ、ＡＩ膜等からなる制御
電極１５が設置される。光方向性結合器１４の長さはＴ
Ｍ、ＴＥモード両者に対してほぼ完全結合長（通常数ｍ
ｍ〜数十ｍｍ）に等しくなるように設定されている。基
本的な動作原理は第３図の例と同様に制御電極１５に電
圧を印加することによって２つの光導波路１２．１３を
伝搬する光波間に位相不整合を生じさせて結合状態を制
御するものである。第２図は第１図の光スイッチの光方
向性結合器１４の部分を２軸方向からみた断面図である
。印加電圧により光導波路１２．１３中に生ずるＹ軸方
向の電界ＥＹにより光導波路１２．１３中のＴＥモード
対してはそれぞれ、δｎｒｒｇ＝＋ｒｘ２ｎｏ３Ｅｙ、
δｎ２Ｔｇ＝−＋ｒｉ２ｎｏ”Ｅｙノ屈折率変化が生じ
、光導波路１２．１３中のＴＭモードに対してはそれぞ
れδｎ１ＴＥ＝−）ｒ２２ｎｏ３Ｅｙ、δｎ２Ｔｇ＝−
＋ｒ２２ｎｏ”Ｅｙの屈折率変化が生ずる。ここでｒ１
２＝−ｒ２２であるのでＴＥ。
ＴＭ両モードとも光導波路１２．１３間の等側屈折率の
差即ち非対象性Ｌｉ １ｒ２２ｎｏ３Ｅｙｌとなり、ス
イッチング電圧は両モード一致する。また、ｒ２２の値
はｒ１３の十程度であるがテーパ構造が不要であるので
スイッチ電圧は従来のテーパ状のスイッチよりも小さい
。
差即ち非対象性Ｌｉ １ｒ２２ｎｏ３Ｅｙｌとなり、ス
イッチング電圧は両モード一致する。また、ｒ２２の値
はｒ１３の十程度であるがテーパ構造が不要であるので
スイッチ電圧は従来のテーパ状のスイッチよりも小さい
。
また、両モードが関係する屈折率はともに常光屈折率で
あるので電圧０の状態での完全結合長のＴＭ。
あるので電圧０の状態での完全結合長のＴＭ。
ＴＥモード間の違いは従来よりも小さいので、そのプロ
セス上の制御や製作も従来よりも容易である。また、前
述のように、印加電圧による屈折率変化量はＴＥ、ＴＭ
モードで一致するので、クロストークを容易に低減でき
るΔｐ反転形の電極構成を用いることができる。
セス上の制御や製作も従来よりも容易である。また、前
述のように、印加電圧による屈折率変化量はＴＥ、ＴＭ
モードで一致するので、クロストークを容易に低減でき
るΔｐ反転形の電極構成を用いることができる。
以上述べたように本発明によれば入射光の偏光状態に対
する依存性がなく、従来よりもスイッチ電圧が低く、製
作の容易な光スイッチが得られる。
する依存性がなく、従来よりもスイッチ電圧が低く、製
作の容易な光スイッチが得られる。
なお、本発明において使用する結晶基板は上述の実施例
にとられれるものではない。
にとられれるものではない。
第１図は本発明による光スイッチの実施例を示す斜視図
、第２図は本発明による光スイッチの原理を説明するた
めの図、第３図は従来の光スイッチを示す斜視図である
。 図において、１１．３１はＬｉＮｂＯ３結晶基板、１２
，１３，３２゜３３は光導波路、１４．３４は光方向性
結合器、１５．３５は制御電極である。 （１ｉ） 第１図 第２図 １ヒモート
、第２図は本発明による光スイッチの原理を説明するた
めの図、第３図は従来の光スイッチを示す斜視図である
。 図において、１１．３１はＬｉＮｂＯ３結晶基板、１２
，１３，３２゜３３は光導波路、１４．３４は光方向性
結合器、１５．３５は制御電極である。 （１ｉ） 第１図 第２図 １ヒモート
Claims (3)
- （１）光学的異方性を有する結晶基板上に形成された互
いに近接した２本の光導波路からなる光方向性結合器と
該光方向性結合器近傍に設置された制御電極よりなり、
前記結晶基板の光学軸は前記光導波路の光透過方向に一
致していることを特徴とする光スイッチ。 - （２）結晶基板としてニオブ酸リチウム結晶またはタン
タル酸リチウム結晶を用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光スイッチ。 - （３）結晶基板のＹ軸が基板表面に垂直な方位を有する
ことを特長とする特許請求の範囲第２項記載の光スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30965586A JPS63163432A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30965586A JPS63163432A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 光スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63163432A true JPS63163432A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=17995665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30965586A Pending JPS63163432A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63163432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04237016A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Nec Corp | 光制御デバイス |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30965586A patent/JPS63163432A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04237016A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Nec Corp | 光制御デバイス |
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