JPH09211398A - 導波路型偏波スクランブラ - Google Patents
導波路型偏波スクランブラInfo
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- JPH09211398A JPH09211398A JP8022432A JP2243296A JPH09211398A JP H09211398 A JPH09211398 A JP H09211398A JP 8022432 A JP8022432 A JP 8022432A JP 2243296 A JP2243296 A JP 2243296A JP H09211398 A JPH09211398 A JP H09211398A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＤＯＰを小さくし且つ低コスト化した導波路
型偏波スクランブラを得る。 【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板１へチタンの熱拡
散により１本の直線導波路２が形成され、直線導波路２
の直上にバッファ層が形成される。さらに、バッファ層
の表面に端子３、４を有する光導波路素子が形成され、
端子３、４を介して光導波路素子に制御信号を印加する
ための素子駆動回路５が形成される。この光導波路素子
５の光入射端面に偏光回転子９を介して入射用光ファイ
バが光学的に結合される。偏光回転子９は、ファラデ回
転子偏光板６、電磁石７、磁石駆動回路８からなる。本
構成により、光導波路素子５を駆動するの素子制御周波
数と電磁石７を駆動する磁石駆動周波数とを制御するこ
とにより、容易にＤＯＰを略ゼロとすることが可能とな
る。さらに、低コスト化が図れる。
型偏波スクランブラを得る。 【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板１へチタンの熱拡
散により１本の直線導波路２が形成され、直線導波路２
の直上にバッファ層が形成される。さらに、バッファ層
の表面に端子３、４を有する光導波路素子が形成され、
端子３、４を介して光導波路素子に制御信号を印加する
ための素子駆動回路５が形成される。この光導波路素子
５の光入射端面に偏光回転子９を介して入射用光ファイ
バが光学的に結合される。偏光回転子９は、ファラデ回
転子偏光板６、電磁石７、磁石駆動回路８からなる。本
構成により、光導波路素子５を駆動するの素子制御周波
数と電磁石７を駆動する磁石駆動周波数とを制御するこ
とにより、容易にＤＯＰを略ゼロとすることが可能とな
る。さらに、低コスト化が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型偏波スク
ランブラに関し、特に、出力される偏光をランダム偏光
にする導波路型偏波スクランブラに関する。
ランブラに関し、特に、出力される偏光をランダム偏光
にする導波路型偏波スクランブラに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導波路型偏波スクランブラは一般
に、電気光学効果を有する基板を用いた導波路型光デバ
イスとして構成され、基板中に光導波路として屈折率の
高い部分が形成され、この導波路の上部又は近傍に電圧
を印加するための電極が形成されている。この電極に電
界を印加することにより、光導波路の光屈折率を変化さ
せ、光の位相や強度を変調したり、あるいは光路を切り
換えたりする。
に、電気光学効果を有する基板を用いた導波路型光デバ
イスとして構成され、基板中に光導波路として屈折率の
高い部分が形成され、この導波路の上部又は近傍に電圧
を印加するための電極が形成されている。この電極に電
界を印加することにより、光導波路の光屈折率を変化さ
せ、光の位相や強度を変調したり、あるいは光路を切り
換えたりする。
【０００３】導波路型光デバイスの例として、電気光学
効果を利用した導波路型偏波スクランブラの構造及び動
作について以下に説明する。
効果を利用した導波路型偏波スクランブラの構造及び動
作について以下に説明する。
【０００４】基板には強誘電体材料の中で比較的高い電
気光学効果を示すニオブ酸リチウム基板が一般的に用い
られている。ニオブ酸リチウムを用いた導波路型光デバ
イスは、基板にチタン膜を成膜し所望の導波路パターン
にパターニングした後、１０００℃前後の高温で数時間
熱拡散して導波路を形成し、この上部に二酸化シリコン
バッファ層（以下ＳｉＯ2 膜とも記す）を成膜し、さら
にその上部に金属膜により電極を形成することにより作
製される。また、ＳｉＯ2 膜と金属膜の間にシリコン膜
（以下Ｓｉ膜とも記す）を形成する場合もある。このよ
うな導波路型光デバイスは、基板上に光を変調する機能
や光路の切り替えを行う機能を集積化することが可能で
ある。
気光学効果を示すニオブ酸リチウム基板が一般的に用い
られている。ニオブ酸リチウムを用いた導波路型光デバ
イスは、基板にチタン膜を成膜し所望の導波路パターン
にパターニングした後、１０００℃前後の高温で数時間
熱拡散して導波路を形成し、この上部に二酸化シリコン
バッファ層（以下ＳｉＯ2 膜とも記す）を成膜し、さら
にその上部に金属膜により電極を形成することにより作
製される。また、ＳｉＯ2 膜と金属膜の間にシリコン膜
（以下Ｓｉ膜とも記す）を形成する場合もある。このよ
うな導波路型光デバイスは、基板上に光を変調する機能
や光路の切り替えを行う機能を集積化することが可能で
ある。
【０００５】ＬＮ偏波スクランブラは入射された光の偏
波を時間的にランダム偏光に変換するものである。図４
は従来のＬＮ偏波スクランブラの構成例を示している。
図５および図６は図４のＡ−Ａ’断面であり、図６は電
圧印加時の電界分布を示している。さらに、図７は印加
電圧とＤＯＰとの関係を示す図である。これらの図を用
いて構造・特性等を以下に説明する。
波を時間的にランダム偏光に変換するものである。図４
は従来のＬＮ偏波スクランブラの構成例を示している。
図５および図６は図４のＡ−Ａ’断面であり、図６は電
圧印加時の電界分布を示している。さらに、図７は印加
電圧とＤＯＰとの関係を示す図である。これらの図を用
いて構造・特性等を以下に説明する。
【０００６】ニオブ酸リチウム基板に形成された直線導
波路２２の導波路基板２１の表面全体に成膜されたＳｉ
Ｏ2 膜のバッファ層３２（図５を参照）を介して、クロ
ム・金からなる金属層の電極２３、２４が形成されてい
る。この直線導波路２２及び電極２３、２４を有する導
波路基板２１の両端面にはそれぞれ入力側光ファイバ３
０と出力側光ファイバ３１が光学的に結合されている。
さらに、電極２３、２４には電圧を印加し信号を入力す
るための駆動回路２５の出力端が接続されている。
波路２２の導波路基板２１の表面全体に成膜されたＳｉ
Ｏ2 膜のバッファ層３２（図５を参照）を介して、クロ
ム・金からなる金属層の電極２３、２４が形成されてい
る。この直線導波路２２及び電極２３、２４を有する導
波路基板２１の両端面にはそれぞれ入力側光ファイバ３
０と出力側光ファイバ３１が光学的に結合されている。
さらに、電極２３、２４には電圧を印加し信号を入力す
るための駆動回路２５の出力端が接続されている。
【０００７】電極２３，２４に外部から電圧を印加する
と、図６に示すように基板中に形成された直線導波路２
２に縦方向の電界（矢印で表示）が発生し、ニオブ酸リ
チウムのもつ電気光学効果により直線導波路２２の屈折
率が変化し、導波路中の伝搬光の位相が変化する。
と、図６に示すように基板中に形成された直線導波路２
２に縦方向の電界（矢印で表示）が発生し、ニオブ酸リ
チウムのもつ電気光学効果により直線導波路２２の屈折
率が変化し、導波路中の伝搬光の位相が変化する。
【０００８】出力される光の偏光状態を表す指標として
ＤＯＰ（Degree of Polarization）がある。これはある
一定時間内の偏光状態を表すもので、その値が０に近く
なる程その一定時間内ではランダム偏光であり、１００
に近づくほど定偏光であることを表す。一般的には１０
以下が要求されている。ＤＯＰを小さくするには以下の
方法が知られている。
ＤＯＰ（Degree of Polarization）がある。これはある
一定時間内の偏光状態を表すもので、その値が０に近く
なる程その一定時間内ではランダム偏光であり、１００
に近づくほど定偏光であることを表す。一般的には１０
以下が要求されている。ＤＯＰを小さくするには以下の
方法が知られている。
【０００９】（１）印加電圧とＤＯＰの関係は図７の様
になる。このため、印加電圧を微調する事によりＤＯＰ
を最小値に下げることが出来る。 （２）導波路の偏光依存性をゼロにし、かつ、入射用フ
ァイバにＰＭＦを使用しＰＭＦの主軸を導波路の垂直方
向に対し４５度傾けて光軸固定する。導波路の偏光依存
性がゼロでない場合には傾ける角度を４５度から更に微
調整しＤＯＰが最小になる角度で固定する。
になる。このため、印加電圧を微調する事によりＤＯＰ
を最小値に下げることが出来る。 （２）導波路の偏光依存性をゼロにし、かつ、入射用フ
ァイバにＰＭＦを使用しＰＭＦの主軸を導波路の垂直方
向に対し４５度傾けて光軸固定する。導波路の偏光依存
性がゼロでない場合には傾ける角度を４５度から更に微
調整しＤＯＰが最小になる角度で固定する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の２つの条件に関して、（１）は比較的簡単に制御
できる。しかし、（２）の導波路の偏光依存性の低減
は、プロセスの制御（例えばチタンの膜圧や幅、拡散時
間や拡散温度）に依存するため、高歩留まりでゼロを得
ることは非常に困難である。入射用ファイバの主軸調整
では調整時間がかかり特性の実現にはかなりのコストを
費やしている。
来例の２つの条件に関して、（１）は比較的簡単に制御
できる。しかし、（２）の導波路の偏光依存性の低減
は、プロセスの制御（例えばチタンの膜圧や幅、拡散時
間や拡散温度）に依存するため、高歩留まりでゼロを得
ることは非常に困難である。入射用ファイバの主軸調整
では調整時間がかかり特性の実現にはかなりのコストを
費やしている。
【００１１】例えば、偏光依存性をゼロに近づけるため
に、Ｔｉの膜厚や幅、拡散温度、拡散時間を制御して導
波路自身のＴＥ，ＴＭモードでの伝搬損失を等しくす
る。さらに偏光依存性による挿入損失差に応じファイバ
の固定角を調整する。
に、Ｔｉの膜厚や幅、拡散温度、拡散時間を制御して導
波路自身のＴＥ，ＴＭモードでの伝搬損失を等しくす
る。さらに偏光依存性による挿入損失差に応じファイバ
の固定角を調整する。
【００１２】この主軸調整において、前者は角度調整の
工程で製造に非常に時間がかかり、また、後者はプロセ
ス条件のゆらぎにより高歩留まりで偏光依存性をゼロに
することが困難である問題点を伴う。
工程で製造に非常に時間がかかり、また、後者はプロセ
ス条件のゆらぎにより高歩留まりで偏光依存性をゼロに
することが困難である問題点を伴う。
【００１３】本発明は、ＤＯＰを小さくし且つ低コスト
化した導波路型偏波スクランブラを提供することを目的
とする。
化した導波路型偏波スクランブラを提供することを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明の導波路型偏波スクランブラは、電気光学効
果を有する基板に形成された直線導波路と、基板の表面
の少なくとも導波路直上に形成されたバッファ層と、こ
のバッファ層の表面に形成された光導波路素子と、この
光導波路素子に制御信号を印加するための素子駆動回路
とを有し、光導波路素子の光入射端面に偏光回転子を介
して入射用光ファイバが光学的に結合されて構成された
ことを特徴としている。
め、本発明の導波路型偏波スクランブラは、電気光学効
果を有する基板に形成された直線導波路と、基板の表面
の少なくとも導波路直上に形成されたバッファ層と、こ
のバッファ層の表面に形成された光導波路素子と、この
光導波路素子に制御信号を印加するための素子駆動回路
とを有し、光導波路素子の光入射端面に偏光回転子を介
して入射用光ファイバが光学的に結合されて構成された
ことを特徴としている。
【００１５】また、上記の基板をニオブ酸リチウムまた
はニオブ酸タンタレートとし、直線導波路をチタンの熱
拡散により形成し、偏光回転子をファラデ回転子と電磁
石とこの電磁石を駆動する磁石駆動回路とを具備して構
成するとよい。
はニオブ酸タンタレートとし、直線導波路をチタンの熱
拡散により形成し、偏光回転子をファラデ回転子と電磁
石とこの電磁石を駆動する磁石駆動回路とを具備して構
成するとよい。
【００１６】さらに、上記制御信号の素子制御周波数ｆ
v と磁石駆動周波数ｆH とが、ｆv≦ｆH の関係を有す
る様に構成するとよい。
v と磁石駆動周波数ｆH とが、ｆv≦ｆH の関係を有す
る様に構成するとよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる導波路型偏波スクランブラの実施の形態を詳細に説
明する。図１〜図３を参照すると本発明の導波路型偏波
スクランブラの一実施形態が示されている。図１は、本
実施形態の基本的な構成例を示す図である。また、図２
および図３は、本実施形態による導波路型偏波スクラン
ブラにおける素子制御周波数ｆv 、および磁石駆動周波
数ｆH とＤＯＰとの関係の測定結果例を表す図である。
よる導波路型偏波スクランブラの実施の形態を詳細に説
明する。図１〜図３を参照すると本発明の導波路型偏波
スクランブラの一実施形態が示されている。図１は、本
実施形態の基本的な構成例を示す図である。また、図２
および図３は、本実施形態による導波路型偏波スクラン
ブラにおける素子制御周波数ｆv 、および磁石駆動周波
数ｆH とＤＯＰとの関係の測定結果例を表す図である。
【００１８】図１において、ニオブ酸リチウム基板（以
降、単に基板とも言う）１にチタン約８０ｎｍの厚さで
成膜し、幅９μｍの直線導波路となるようパターニング
する。その後、基板１を約１０５０℃で６時間熱拡散し
て１本の直線導波路２を形成した。基板１の表面にはＳ
ｉＯ2 膜のバッファ層を成膜しさらにその上部にクロム
を５０ｎｍ、金を２５０ｎｍだけスパッタにより成膜し
電極３、４を形成した。電極３、４には光導波路素子の
素子駆動回路５が接続されている。
降、単に基板とも言う）１にチタン約８０ｎｍの厚さで
成膜し、幅９μｍの直線導波路となるようパターニング
する。その後、基板１を約１０５０℃で６時間熱拡散し
て１本の直線導波路２を形成した。基板１の表面にはＳ
ｉＯ2 膜のバッファ層を成膜しさらにその上部にクロム
を５０ｎｍ、金を２５０ｎｍだけスパッタにより成膜し
電極３、４を形成した。電極３、４には光導波路素子の
素子駆動回路５が接続されている。
【００１９】基板１の入射端面と入射ファイバ１０の間
は、ファラデ回転子偏光板６、電磁石７、磁石駆動回路
８からなる偏光回転子９を介して光学的に結合させた。
また基板１の出射端面と出射用ファイバ１１も光学的に
結合している。なお使用したファラデ回転子偏光板６の
飽和磁界に達する電圧は約２Ｖである。
は、ファラデ回転子偏光板６、電磁石７、磁石駆動回路
８からなる偏光回転子９を介して光学的に結合させた。
また基板１の出射端面と出射用ファイバ１１も光学的に
結合している。なお使用したファラデ回転子偏光板６の
飽和磁界に達する電圧は約２Ｖである。
【００２０】上記の構成において素子駆動回路５の出力
電圧の周波数である素子制御周波数ｆv を１００Ｈｚに
設定し、出力電圧７Ｖ（図７のＶｄ相当）、三角波を出
力した。この場合、積算時間は１０ｍｓである。このと
き電磁石７を駆動する磁石駆動回路８の出力を２．２Ｖ
とし、磁石駆動周波数ｆH を１Ｈｚ〜１ｋＨｚまで可変
とし、ＤＯＰの変化を測定した。
電圧の周波数である素子制御周波数ｆv を１００Ｈｚに
設定し、出力電圧７Ｖ（図７のＶｄ相当）、三角波を出
力した。この場合、積算時間は１０ｍｓである。このと
き電磁石７を駆動する磁石駆動回路８の出力を２．２Ｖ
とし、磁石駆動周波数ｆH を１Ｈｚ〜１ｋＨｚまで可変
とし、ＤＯＰの変化を測定した。
【００２１】素子制御周波数ｆv 、磁石駆動周波数ｆH
とＤＯＰとの関係において、入射偏光が無偏光状態にな
ればＤＯＰを小さくすることが出来る。本実施形態では
本光導波路型光デバイスの制御方法に着目して、ＤＯＰ
を等価的にゼロになるように制御する。以下にＤＯＰと
制御方式について説明する。
とＤＯＰとの関係において、入射偏光が無偏光状態にな
ればＤＯＰを小さくすることが出来る。本実施形態では
本光導波路型光デバイスの制御方法に着目して、ＤＯＰ
を等価的にゼロになるように制御する。以下にＤＯＰと
制御方式について説明する。
【００２２】ＤＯＰは以下の式で定義される。 ＤＯＰ＝（Ｓ12＋Ｓ22＋Ｓ32）1/2 ／Ｓ0 上式において、各記号は下記となる。 Ｓ1 ＝ａ12−ａ22 Ｓ2 ＝２ ａ1 ａ2 ｃｏｓδ Ｓ3 ＝２ ａ1 ａ2 ｓｉｎδ Ｓ0 ＝ａ12＋ａ22
【００２３】但し、導波路素子の端面への入射電界をＥ
ｘ，Ｅｙとすると、 Ｅｘ＝ａ1 ・ｃｏｓ（ｗt ＋δ1 ） Ｅｙ＝ａ2 ・ｃｏｓ（ｗt ＋δ2 ） δ＝δ1 −δ2
ｘ，Ｅｙとすると、 Ｅｘ＝ａ1 ・ｃｏｓ（ｗt ＋δ1 ） Ｅｙ＝ａ2 ・ｃｏｓ（ｗt ＋δ2 ） δ＝δ1 −δ2
【００２４】ＤＯＰは通常あるサンプリング時間ｔｓ内
で積算され、その総和量で表示される。サンプリング時
間ｔｓの中の微小時間ｔｓi のストークスパラメータを
Ｓ1i，Ｓ2i，Ｓ3i，Ｓ0iとするとＤＯＰは、下記の式で
表される。
で積算され、その総和量で表示される。サンプリング時
間ｔｓの中の微小時間ｔｓi のストークスパラメータを
Ｓ1i，Ｓ2i，Ｓ3i，Ｓ0iとするとＤＯＰは、下記の式で
表される。
【００２５】
【数１】
【００２６】この式から入射偏光がサンプリング時間ｔ
ｓ内でランダムすなわち無偏光であれば、分子の各項目
がゼロになるためＤＯＰはゼロになる。
ｓ内でランダムすなわち無偏光であれば、分子の各項目
がゼロになるためＤＯＰはゼロになる。
【００２７】本実施形態では分子をゼロにする方法とし
て、入射ファイバと導波路の入射端面の間にファラデ回
転子偏光板６を挿入し、ファラデ回転子偏光板６に作用
させる磁界の強さを磁石駆動周波数ｆH により時間的に
変化させ、導波路への入射偏光を常に回転させる方式を
採用した。さらに導波路に印加する制御電圧の素子制御
周波数ｆv とし、ｆv ≦ｆH で駆動することによりＤＯ
Ｐをゼロにすることが可能になる。
て、入射ファイバと導波路の入射端面の間にファラデ回
転子偏光板６を挿入し、ファラデ回転子偏光板６に作用
させる磁界の強さを磁石駆動周波数ｆH により時間的に
変化させ、導波路への入射偏光を常に回転させる方式を
採用した。さらに導波路に印加する制御電圧の素子制御
周波数ｆv とし、ｆv ≦ｆH で駆動することによりＤＯ
Ｐをゼロにすることが可能になる。
【００２８】上記実施形態の測定結果例を図２および図
３に示す。これらの図からわかるようにＤＯＰはｆv ≦
ｆH の範囲でゼロであり、従来の方法（ＤＯＰ≦１０）
に比べて非常に低い値に制御できる。同様にｆH ／ｆv
とＤＯＰとの相関を図３に示す。本図からｆH ／ｆv ≦
１でもＤＯＰはほぼゼロとなっていることがわかる。
３に示す。これらの図からわかるようにＤＯＰはｆv ≦
ｆH の範囲でゼロであり、従来の方法（ＤＯＰ≦１０）
に比べて非常に低い値に制御できる。同様にｆH ／ｆv
とＤＯＰとの相関を図３に示す。本図からｆH ／ｆv ≦
１でもＤＯＰはほぼゼロとなっていることがわかる。
【００２９】また、コストは、基板１の歩留まりや光軸
の角度調整時間が大幅に低減され、偏光回転子９の資材
費上昇分を加味しても全体として約８０％以上のコスト
ダウンが可能となる。
の角度調整時間が大幅に低減され、偏光回転子９の資材
費上昇分を加味しても全体として約８０％以上のコスト
ダウンが可能となる。
【００３０】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能で
ある。
の一例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能で
ある。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の導波路型偏波スクランブラは、電気光学効果を有する
基板に直線導波路が形成され、基板の表面の少なくとも
導波路直上にバッファ層が形成され、このバッファ層の
表面に光導波路素子が形成され、光導波路素子に制御信
号を印加するための素子駆動回路を有する。この光導波
路素子の光入射端面に偏光回転子を介して入射用光ファ
イバが光学的に結合されて構成される。上記の構成によ
れば、偏光回転子により入射光の偏光状態を制御し、容
易にＤＯＰをほぼゼロとすることが可能となる。ＤＯＰ
を小さくし且つ低コスト化が図れる。
の導波路型偏波スクランブラは、電気光学効果を有する
基板に直線導波路が形成され、基板の表面の少なくとも
導波路直上にバッファ層が形成され、このバッファ層の
表面に光導波路素子が形成され、光導波路素子に制御信
号を印加するための素子駆動回路を有する。この光導波
路素子の光入射端面に偏光回転子を介して入射用光ファ
イバが光学的に結合されて構成される。上記の構成によ
れば、偏光回転子により入射光の偏光状態を制御し、容
易にＤＯＰをほぼゼロとすることが可能となる。ＤＯＰ
を小さくし且つ低コスト化が図れる。
【図１】本発明の導波路型偏波スクランブラの実施形態
の基本的な構成例を示す図である。
の基本的な構成例を示す図である。
【図２】素子制御周波数ｆv 、磁石駆動周波数ｆH とＤ
ＯＰとの関係を示すグラフ１である。
ＯＰとの関係を示すグラフ１である。
【図３】素子制御周波数ｆv 、磁石駆動周波数ｆH とＤ
ＯＰとの関係を示すグラフ２である。
ＯＰとの関係を示すグラフ２である。
【図４】従来のマッハツェンダ型光変調器の構成例を示
す図である。
す図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’断面である。
【図６】図５において電圧印加時の電界分布を示してい
る。
る。
【図７】図６の印加電圧とＤＯＰの相関を示す図であ
る。
る。
１ ニオブ酸リチウム基板 ２ 直線導波路 ３、４ 電極 ５ 素子駆動回路 ６ ファラデ回転子偏光板 ７ 電磁石 ８ 磁石駆動回路 ９ 偏光回転子 １０ 入力側光ファイバ １１ 出力側光ファイバ
Claims (5)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する基板に形成された
直線導波路と、 前記基板の表面の少なくとも導波路直上に形成されたバ
ッファ層と、 該バッファ層の表面に形成された光導波路素子と、 該光導波路素子に制御信号を印加するための素子駆動回
路とを有し、 前記光導波路素子の光入射端面に偏光回転子を介して入
射用光ファイバが光学的に結合されて構成されたことを
特徴とする導波路型偏波スクランブラ。 - 【請求項２】 前記基板はニオブ酸リチウムまたはニオ
ブ酸タンタレートであることを特徴とする請求項１記載
の導波路型偏波スクランブラ。 - 【請求項３】 前記直線導波路はチタンの熱拡散により
形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の導
波路型偏波スクランブラ。 - 【請求項４】 前記偏光回転子はファラデ回転子と電磁
石と該電磁石を駆動する磁石駆動回路とからなることを
特徴とする請求項１から３何れか１項に記載の導波路型
偏波スクランブラ。 - 【請求項５】 前記制御信号の素子制御周波数ｆv と前
記磁石駆動回路の磁石駆動周波数ｆH とが、ｆv ≦ｆH
の関係を有することを特徴とする請求項４記載の導波路
型偏波スクランブラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022432A JPH09211398A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 導波路型偏波スクランブラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022432A JPH09211398A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 導波路型偏波スクランブラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211398A true JPH09211398A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12082542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8022432A Pending JPH09211398A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 導波路型偏波スクランブラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211398A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9544087B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-01-10 | Fujitsu Limited | Amplifying device, receiving device, and amplification method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113721A (ja) * | 1987-08-22 | 1989-05-02 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 偏光スクランブラ |
| JPH0713111A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-17 | At & T Corp | 偏光光信号の変調装置及び方法 |
| JPH07152005A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-06-16 | At & T Corp | 光装置 |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP8022432A patent/JPH09211398A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113721A (ja) * | 1987-08-22 | 1989-05-02 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 偏光スクランブラ |
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| JPH07152005A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-06-16 | At & T Corp | 光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9544087B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-01-10 | Fujitsu Limited | Amplifying device, receiving device, and amplification method |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980616 |