JPH0627427A - 光機能素子 - Google Patents
光機能素子Info
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- JPH0627427A JPH0627427A JP11337793A JP11337793A JPH0627427A JP H0627427 A JPH0627427 A JP H0627427A JP 11337793 A JP11337793 A JP 11337793A JP 11337793 A JP11337793 A JP 11337793A JP H0627427 A JPH0627427 A JP H0627427A
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【目的】構成が簡単で、波長依存性の少ない導波路型光
スイッチ、光変調器、高調波発生器として機能する光機
能素子を提供する。 【構成】本発明の光機能素子は、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あ
るいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいは
ＬiＴaＯ3の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3 から
なる基板１上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させ
る光導波路作製法を用いて作製した光導波路３と、この
光導波路３に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよ
うな（一対の）電極２ａ，２ｂを有することを特徴と
し、この電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加することによ
り、光導波路３の導波光（例えばＴＭモード）を基板中
に放射させることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光
導波路３からの出射光の強度を変調することができる。
スイッチ、光変調器、高調波発生器として機能する光機
能素子を提供する。 【構成】本発明の光機能素子は、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あ
るいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいは
ＬiＴaＯ3の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3 から
なる基板１上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させ
る光導波路作製法を用いて作製した光導波路３と、この
光導波路３に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよ
うな（一対の）電極２ａ，２ｂを有することを特徴と
し、この電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加することによ
り、光導波路３の導波光（例えばＴＭモード）を基板中
に放射させることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光
導波路３からの出射光の強度を変調することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光スイッチ、光変調
器、高調波発生素子、短波長光源等として機能し、光デ
ィスクドライブの光ピックアップ用光源、光記録、光印
刷、光計測、光化学、光表示素子等の光源として応用さ
れる光機能素子に関する。
器、高調波発生素子、短波長光源等として機能し、光デ
ィスクドライブの光ピックアップ用光源、光記録、光印
刷、光計測、光化学、光表示素子等の光源として応用さ
れる光機能素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光スイッチ、光変調器、高調
波発生素子、短波長光源、モード変換器等として機能す
る光機能素子が知られている（例えば、Appl.Phys.Le
tt.36(7),1 April 1980,P.513、特公平2-242236号公
報、等）。ここで、図１０を参照して上記の従来技術
を説明する。この光機能素子においては、図１０に示す
ように、ＬiＮbＯ3 のＺ板からなる基板１０１上にＴｉ
拡散により光導波路１０３が設けられ、さらに基板１０
１上の光導波路１０３の両側に櫛形の一対の電極１０２
が設けられている。そして、上記電極間に電圧を印加す
ることにより、光導波路１０３に対して垂直に且つ基板
１０１に対して平行方向に電界を印加させ、ＬiＮbＯ3
結晶の屈折率楕円体の主軸を少し回転することにより、
互いに直交する波面を持つＴＥ，ＴＭモードを結合させ
ることができる。すなわち、光導波路１０３の一端に波
長λのＴＥモードを励起すると、もう一端からはＴＥモ
ードとＴＭモードの混合あるいはＴＭモード光がＴＥモ
ードから変換されて出射する。あるいはＴＭモードを入
射すると、ＴＭモードからＴＥモードに変換され、Ｔ
Ｅ，ＴＭの混合波か、ＴＥモード光が出射する。ここ
で、櫛形電極１０２の周期Λは、ＴＥ，ＴＭモードの光
導波路１０３における等価屈折率をＮTE，ＮTMとしたと
き、 Λ＝λ／｜ＮTE−ＮTM｜ で与えられる。尚、印加電圧を０にすると、ＴＥモード
←→ＴＭモード間のモード変換は生じず、光導波路１０
３に入射した導波モードはそのまま他端から出射する。
波発生素子、短波長光源、モード変換器等として機能す
る光機能素子が知られている（例えば、Appl.Phys.Le
tt.36(7),1 April 1980,P.513、特公平2-242236号公
報、等）。ここで、図１０を参照して上記の従来技術
を説明する。この光機能素子においては、図１０に示す
ように、ＬiＮbＯ3 のＺ板からなる基板１０１上にＴｉ
拡散により光導波路１０３が設けられ、さらに基板１０
１上の光導波路１０３の両側に櫛形の一対の電極１０２
が設けられている。そして、上記電極間に電圧を印加す
ることにより、光導波路１０３に対して垂直に且つ基板
１０１に対して平行方向に電界を印加させ、ＬiＮbＯ3
結晶の屈折率楕円体の主軸を少し回転することにより、
互いに直交する波面を持つＴＥ，ＴＭモードを結合させ
ることができる。すなわち、光導波路１０３の一端に波
長λのＴＥモードを励起すると、もう一端からはＴＥモ
ードとＴＭモードの混合あるいはＴＭモード光がＴＥモ
ードから変換されて出射する。あるいはＴＭモードを入
射すると、ＴＭモードからＴＥモードに変換され、Ｔ
Ｅ，ＴＭの混合波か、ＴＥモード光が出射する。ここ
で、櫛形電極１０２の周期Λは、ＴＥ，ＴＭモードの光
導波路１０３における等価屈折率をＮTE，ＮTMとしたと
き、 Λ＝λ／｜ＮTE−ＮTM｜ で与えられる。尚、印加電圧を０にすると、ＴＥモード
←→ＴＭモード間のモード変換は生じず、光導波路１０
３に入射した導波モードはそのまま他端から出射する。
【０００３】次に、の従来技術について図１１(ａ)，
(ｂ)を参照して説明する。この光機能素子においては、
図１１(ａ)，(ｂ)に示すように、ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3
等の誘電体基板１上にドーピングにより周期的分極反転
層（ＺＤ１〜ＺＤｎ）が形成され、さらにその上に光導
波路Ｇ１が形成されている。周期的分極反転層の周期
は、基本波に対する光導波路の等価屈折率と第２高調波
に対する等価屈折率及び基本波長から求まるコヒーレン
ト長の偶数倍となっている。この構造の素子の一端に基
本波となるコヒーレント光を入射すると、第２高調波が
基本波と共に他端より出射する。
(ｂ)を参照して説明する。この光機能素子においては、
図１１(ａ)，(ｂ)に示すように、ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3
等の誘電体基板１上にドーピングにより周期的分極反転
層（ＺＤ１〜ＺＤｎ）が形成され、さらにその上に光導
波路Ｇ１が形成されている。周期的分極反転層の周期
は、基本波に対する光導波路の等価屈折率と第２高調波
に対する等価屈折率及び基本波長から求まるコヒーレン
ト長の偶数倍となっている。この構造の素子の一端に基
本波となるコヒーレント光を入射すると、第２高調波が
基本波と共に他端より出射する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術にお
いては、光導波路の両端に設けられた電極に電圧を印加
することにより、光導波路のＴＥモードをＴＭモード
に、あるいはＴＭモードをＴＥモードに変換する機能が
ある。この素子を導波路型の光スイッチとして用いる場
合には、他にＴＥモードとＴＭモードを分離する手段、
例えば偏光子や偏光フィルタ、偏光ビームスプリッタ等
が必要となり、構成が複雑となってしまう。また、ＴＥ
モードとＴＭモードの間の位相整合をとるために、周期
的な櫛形の電極構造が必要で、高精度な微細加工技術が
必要となり、加工コストが上がる。また、スイッチング
性能の波長依存性が大きい（波長変動により光スイッチ
ングが出来なくなる）。
いては、光導波路の両端に設けられた電極に電圧を印加
することにより、光導波路のＴＥモードをＴＭモード
に、あるいはＴＭモードをＴＥモードに変換する機能が
ある。この素子を導波路型の光スイッチとして用いる場
合には、他にＴＥモードとＴＭモードを分離する手段、
例えば偏光子や偏光フィルタ、偏光ビームスプリッタ等
が必要となり、構成が複雑となってしまう。また、ＴＥ
モードとＴＭモードの間の位相整合をとるために、周期
的な櫛形の電極構造が必要で、高精度な微細加工技術が
必要となり、加工コストが上がる。また、スイッチング
性能の波長依存性が大きい（波長変動により光スイッチ
ングが出来なくなる）。
【０００５】上記の従来技術においては、光導波路中
に光源からの基本波を入射させ、高調波を発生させて、
光導波路端から出射させるようになっている。しかし、
光を高速変調させたい場合には、光源をＯＮ，ＯＦＦす
る以外になく、通常、これは難しく、光源が半導体レー
ザの場合でも波長変動が生じるため、通常は位相整合を
とることが難しい。このため、の従来技術において
は、高調波の高速変調はかなり難しい。本発明は上記事
情に鑑みてなされたものであって、構成が簡単で、波長
依存性の少ない導波路型光スイッチ、光変調器として機
能する光機能素子を提供することを目的とする。また、
導波路型高調波発生素子において発生する高調波の光変
調が可能な光機能素子を提供することを目的とする。
に光源からの基本波を入射させ、高調波を発生させて、
光導波路端から出射させるようになっている。しかし、
光を高速変調させたい場合には、光源をＯＮ，ＯＦＦす
る以外になく、通常、これは難しく、光源が半導体レー
ザの場合でも波長変動が生じるため、通常は位相整合を
とることが難しい。このため、の従来技術において
は、高調波の高速変調はかなり難しい。本発明は上記事
情に鑑みてなされたものであって、構成が簡単で、波長
依存性の少ない導波路型光スイッチ、光変調器として機
能する光機能素子を提供することを目的とする。また、
導波路型高調波発生素子において発生する高調波の光変
調が可能な光機能素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の光機能素子は、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板
あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるい
はＬiＴaＯ3 の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3か
らなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させ
る光導波路作製法を用いて作製した光導波路を有し、該
光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよう
な（一対の）電極を備え、導波路型光スイッチ、光変調
器として機能することを特徴とする。
め、請求項１記載の光機能素子は、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板
あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるい
はＬiＴaＯ3 の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3か
らなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させ
る光導波路作製法を用いて作製した光導波路を有し、該
光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよう
な（一対の）電極を備え、導波路型光スイッチ、光変調
器として機能することを特徴とする。
【０００７】請求項２記載の光機能素子は、ＬiＮbＯ3
のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくは
Ｘ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もし
くはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上
に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作
製法を用いて作製した光導波路を有し、該光導波路に垂
直且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）
電極を備え、導波路型光スイッチ、光変調器として機能
することを特徴とする。
のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくは
Ｘ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もし
くはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上
に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作
製法を用いて作製した光導波路を有し、該光導波路に垂
直且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）
電極を備え、導波路型光スイッチ、光変調器として機能
することを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の光機能素子は、コヒーレン
トな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3
の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ
板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期
的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増
加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波路、及
び光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよ
うな（一対の）電極を有し、上記屈折率分散手段の周期
Λが次式を満たし、強度変調可能な高調波発生素子とし
て機能することを特徴とする。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
トな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3
の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ
板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期
的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増
加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波路、及
び光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよ
うな（一対の）電極を有し、上記屈折率分散手段の周期
Λが次式を満たし、強度変調可能な高調波発生素子とし
て機能することを特徴とする。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
【０００９】請求項４記載の光機能素子は、コヒーレン
トな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいは
ＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴa
XＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段及び
結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製
法を用いて作製した光導波路、及び光導波路に垂直且つ
面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電極を
有し、上記屈折率分散手段の周期Λが次式を満たし、強
度変調可能な高調波発生素子として機能することを特徴
とする。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
トな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいは
ＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴa
XＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段及び
結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製
法を用いて作製した光導波路、及び光導波路に垂直且つ
面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電極を
有し、上記屈折率分散手段の周期Λが次式を満たし、強
度変調可能な高調波発生素子として機能することを特徴
とする。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
【００１０】請求項５記載の光機能素子は、ＬiＮbＯ3
の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ
3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb
1-XＯ3 からなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法としてプロトン(Ｈ+）をド
ープして作製した光導波路を有し、該光導波路に垂直且
つ面方向に平行に電界を印加するような（一対の）電極
を備え、導波路型光スイッチ、光変調器として機能する
ことを特徴とする。
の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ
3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb
1-XＯ3 からなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法としてプロトン(Ｈ+）をド
ープして作製した光導波路を有し、該光導波路に垂直且
つ面方向に平行に電界を印加するような（一対の）電極
を備え、導波路型光スイッチ、光変調器として機能する
ことを特徴とする。
【００１１】請求項６記載の光機能素子は、ＬiＮbＯ3
のＹ板もしくはＸ板あるいは ＬiＴaＯ3 のＹ板もしく
はＸ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板も
しくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板
上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路
作製法としてプロトン(Ｈ+）をドープして作製した光導
波路を有し、該光導波路に垂直且つ面方向に垂直に電界
を印加するような（一対の）電極を備え、導波路型光ス
イッチ、光変調器として機能することを特徴とする。
のＹ板もしくはＸ板あるいは ＬiＴaＯ3 のＹ板もしく
はＸ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板も
しくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板
上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路
作製法としてプロトン(Ｈ+）をドープして作製した光導
波路を有し、該光導波路に垂直且つ面方向に垂直に電界
を印加するような（一対の）電極を備え、導波路型光ス
イッチ、光変調器として機能することを特徴とする。
【００１２】請求項７記載の光機能素子は、コヒーレン
トな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3
の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ
板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期
的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増
加させる光導波路作製法としてプロトン（Ｈ+)をドープ
して作製した光導波路、及び光導波路に垂直且つ面方向
に平行に電界を印加するような（一対の）電極を有し、
上記屈折率分散手段の周期Λが次式を満たし、強度変調
可能な高調波発生素子として機能することを特徴とす
る。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
トな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3
の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ
板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期
的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増
加させる光導波路作製法としてプロトン（Ｈ+)をドープ
して作製した光導波路、及び光導波路に垂直且つ面方向
に平行に電界を印加するような（一対の）電極を有し、
上記屈折率分散手段の周期Λが次式を満たし、強度変調
可能な高調波発生素子として機能することを特徴とす
る。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
【００１３】請求項８記載の光機能素子は、コヒーレン
トな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいは
ＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴa
XＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段及び
結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製
法としてプロトン（Ｈ+)をドープして作製した光導波
路、及び光導波路に垂直且つ面方向に垂直に電界を印加
するような（一対の）電極を有し、上記屈折率分散手段
の周期Λが次式を満たし、強度変調可能な高調波発生素
子として機能することを特徴とする。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
トな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいは
ＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴa
XＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段及び
結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製
法としてプロトン（Ｈ+)をドープして作製した光導波
路、及び光導波路に垂直且つ面方向に垂直に電界を印加
するような（一対の）電極を有し、上記屈折率分散手段
の周期Λが次式を満たし、強度変調可能な高調波発生素
子として機能することを特徴とする。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率．
【００１４】請求項９記載の光機能素子は、請求項３、
請求項７の光機能素子において、屈折率分散手段として
周期的分極反転層を有することを特徴とする。
請求項７の光機能素子において、屈折率分散手段として
周期的分極反転層を有することを特徴とする。
【００１５】請求項１０記載の光機能素子は、請求項
４、請求項８の光機能素子において、屈折率分散手段と
して周期的分極反転層を有することを特徴とする。
４、請求項８の光機能素子において、屈折率分散手段と
して周期的分極反転層を有することを特徴とする。
【００１６】請求項１１記載の光機能素子は、請求項９
あるいは請求項１０の光機能素子において、電極として
光導波路に周期的に電界を印加させるような（一対の）
電極を周期的分極反転層の領域付近に設け、且つその周
期が周期的分極反転層の周期と同じであることを特徴と
する。
あるいは請求項１０の光機能素子において、電極として
光導波路に周期的に電界を印加させるような（一対の）
電極を周期的分極反転層の領域付近に設け、且つその周
期が周期的分極反転層の周期と同じであることを特徴と
する。
【００１７】請求項１２記載の光機能素子は、請求項９
あるいは請求項１０の光機能素子において、電極として
周期的分極反転層の付近の領域では周期的に電界を印加
させ、その他の部分は光導波路に垂直且つ面方向に平行
あるいは垂直に連続的に電界を印加するような（一対）
の電極を有することを特徴とする。
あるいは請求項１０の光機能素子において、電極として
周期的分極反転層の付近の領域では周期的に電界を印加
させ、その他の部分は光導波路に垂直且つ面方向に平行
あるいは垂直に連続的に電界を印加するような（一対）
の電極を有することを特徴とする。
【００１８】請求項１３記載の光機能素子は、請求項１
乃至請求項１２の光機能素子において、基板の底面ある
いは光導波路端面を除いた基板端面に光の吸収、遮光層
を有することを特徴とする。
乃至請求項１２の光機能素子において、基板の底面ある
いは光導波路端面を除いた基板端面に光の吸収、遮光層
を有することを特徴とする。
【００１９】請求項１４記載の光機能素子は、請求項３
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０の光機能素子において、周期的屈折率分散手段
あるいは周期的分極反転層より手前の光導波路部分に電
界を印加して高調波の変調を行なうようにしたことを特
徴とする。
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０の光機能素子において、周期的屈折率分散手段
あるいは周期的分極反転層より手前の光導波路部分に電
界を印加して高調波の変調を行なうようにしたことを特
徴とする。
【００２０】請求項１５記載の光機能素子は、請求項３
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０の光機能素子において、周期的屈折率分散手段
あるいは周期的分極反転層より後方の光導波路部分に電
界を印加して高調波の変調を行なうようにしたことを特
徴とする。
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０の光機能素子において、周期的屈折率分散手段
あるいは周期的分極反転層より後方の光導波路部分に電
界を印加して高調波の変調を行なうようにしたことを特
徴とする。
【００２１】請求項１６記載の光機能素子は、請求項３
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０の光機能素子において、周期的屈折率分散手段
あるいは周期的分極反転層の設けられた領域の光導波路
部分にのみ電界を印加して高調波の変調を行なうように
したことを特徴とする。
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０の光機能素子において、周期的屈折率分散手段
あるいは周期的分極反転層の設けられた領域の光導波路
部分にのみ電界を印加して高調波の変調を行なうように
したことを特徴とする。
【００２２】請求項１７記載の光機能素子は、請求項３
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０、請求項１２の光機能素子において、周期的屈
折率分散手段あるいは周期的分極反転層より手前の光導
波路のみの領域及びそれに続く周期的屈折率分散手段あ
るいは周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を印加
して高調波の変調を行なうようにしたことを特徴とす
る。
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０、請求項１２の光機能素子において、周期的屈
折率分散手段あるいは周期的分極反転層より手前の光導
波路のみの領域及びそれに続く周期的屈折率分散手段あ
るいは周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を印加
して高調波の変調を行なうようにしたことを特徴とす
る。
【００２３】請求項１８記載の光機能素子は、請求項３
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０、請求項１２の光機能素子において、周期的屈
折率分散手段あるいは周期的分極反転層より後方の光導
波路のみの領域及びその手前にある周期的屈折率分散手
段あるいは周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を
印加して高調波の変調を行なうようにしたことを特徴と
する。
あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請
求項１０、請求項１２の光機能素子において、周期的屈
折率分散手段あるいは周期的分極反転層より後方の光導
波路のみの領域及びその手前にある周期的屈折率分散手
段あるいは周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を
印加して高調波の変調を行なうようにしたことを特徴と
する。
【００２４】
【作用】請求項１の光機能素子においては、ＬiＮbＯ3
の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3
あるいはＬiＴaＯ3の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-X
Ｏ3からなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎeのみを増加
させる光導波路作製法を用いて作製した光導波路と、該
光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよう
な（一対の）電極を有するため、この電極間に電圧を印
加することにより、光導波路の導波光（例えばＴＭモー
ド）を基板中に放射させることができ、電圧のＯＮ，Ｏ
ＦＦにより光導波路からの出射光の強度を変調すること
ができる。
の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3
あるいはＬiＴaＯ3の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-X
Ｏ3からなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎeのみを増加
させる光導波路作製法を用いて作製した光導波路と、該
光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよう
な（一対の）電極を有するため、この電極間に電圧を印
加することにより、光導波路の導波光（例えばＴＭモー
ド）を基板中に放射させることができ、電圧のＯＮ，Ｏ
ＦＦにより光導波路からの出射光の強度を変調すること
ができる。
【００２５】請求項２の光機能素子においては、ＬiＮb
Ｏ3のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3のＹ板もしく
はＸ板あるいはＬiＮbＯ3あるいはＬiＴaＯ3のＹ板もし
くはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上
に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作
製法を用いて作製した光導波路と、該光導波路に垂直且
つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電極
を有するため、この電極間に電圧を印加することによ
り、光導波路の導波光（例えばＴＥモード）を基板中に
放射することができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波
路からの出射光の強度を変調することができる。
Ｏ3のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3のＹ板もしく
はＸ板あるいはＬiＮbＯ3あるいはＬiＴaＯ3のＹ板もし
くはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上
に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作
製法を用いて作製した光導波路と、該光導波路に垂直且
つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電極
を有するため、この電極間に電圧を印加することによ
り、光導波路の導波光（例えばＴＥモード）を基板中に
放射することができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波
路からの出射光の強度を変調することができる。
【００２６】請求項３の光機能素子においては、コヒー
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴa
Ｏ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の
±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に
周期的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波
路、及び光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加
するような（一対の）電極を有するため、基本波及び光
導波路中で発生する高調波の導波モードを上記電極に電
圧を印加することにより基板中に放射させることがで
き、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波路から出射する高
調波の強度を変調することができる。
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴa
Ｏ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の
±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に
周期的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波
路、及び光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加
するような（一対の）電極を有するため、基本波及び光
導波路中で発生する高調波の導波モードを上記電極に電
圧を印加することにより基板中に放射させることがで
き、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波路から出射する高
調波の強度を変調することができる。
【００２７】請求項４の光機能素子においては、コヒー
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3
あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬ
iＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段
及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路
作製法を用いて作製した光導波路、及び光導波路に垂直
且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電
極を有するため、基本波及び光導波路中で発生する高調
波の導波モードを上記電極に電圧を印加することにより
基板中に放射させることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦに
より光導波路から出射する高調波の強度を変調すること
ができる。また、光導波路の導波光のモードがＴＥモー
ドとなるため、光源に半導体レーザを用いた場合、直接
接合により光導波路に励起可能な長所がある。
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3
あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬ
iＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段
及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路
作製法を用いて作製した光導波路、及び光導波路に垂直
且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電
極を有するため、基本波及び光導波路中で発生する高調
波の導波モードを上記電極に電圧を印加することにより
基板中に放射させることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦに
より光導波路から出射する高調波の強度を変調すること
ができる。また、光導波路の導波光のモードがＴＥモー
ドとなるため、光源に半導体レーザを用いた場合、直接
接合により光導波路に励起可能な長所がある。
【００２８】請求項５の光機能素子においては、請求項
１と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
１と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００２９】請求項６の光機能素子においては、請求項
２と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
２と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００３０】請求項７の光機能素子においては、請求項
３と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
３と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００３１】請求項８の光機能素子においては、請求項
４と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
４と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００３２】請求項９の光機能素子においては、請求項
３、請求項７の光機能素子において、屈折率分散手段と
して周期的分極反転層を用いているため、通常のグレー
ティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波を
発生することができ、より高出力の高調波が得られる。
３、請求項７の光機能素子において、屈折率分散手段と
して周期的分極反転層を用いているため、通常のグレー
ティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波を
発生することができ、より高出力の高調波が得られる。
【００３３】請求項１０の光機能素子においては、請求
項４、請求項８の光機能素子において、屈折率分散手段
として周期的分極反転層を用いているため、通常のグレ
ーティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波
を発生することができ、より高出力の高調波が得られ
る。
項４、請求項８の光機能素子において、屈折率分散手段
として周期的分極反転層を用いているため、通常のグレ
ーティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波
を発生することができ、より高出力の高調波が得られ
る。
【００３４】請求項１１の光機能素子においては、請求
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して光導波路に周期的に電界を印加するような（一対
の）電極を周期的分極反転層の領域付近に設け、その周
期が周期的分極反転層の周期と同じであるため、請求項
９あるいは請求項１０と同様の作用効果が得られる他、
分極方向が一定の部分にのみ電界を印加するため、誘起
される放射モードの電界変化が導波モードの電界変化に
比例し、且つ位相も同じになるため、請求項９あるいは
請求項１０の素子に比べて効率良く導波モードを放射モ
ードに変換することができ、高調波の変調度を大きくと
れる。
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して光導波路に周期的に電界を印加するような（一対
の）電極を周期的分極反転層の領域付近に設け、その周
期が周期的分極反転層の周期と同じであるため、請求項
９あるいは請求項１０と同様の作用効果が得られる他、
分極方向が一定の部分にのみ電界を印加するため、誘起
される放射モードの電界変化が導波モードの電界変化に
比例し、且つ位相も同じになるため、請求項９あるいは
請求項１０の素子に比べて効率良く導波モードを放射モ
ードに変換することができ、高調波の変調度を大きくと
れる。
【００３５】請求項１２の光機能素子においては、請求
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して周期的分極反転層の付近の領域では周期的に電界を
印加させ、その他の部分では光導波路に垂直且つ面方向
に平行あるいは垂直に連続的に電界を印加するような
（一対の）電極を有しているため、請求項１１の作用効
果に加え、周期的分極反転層のない部分では、さらに導
波モードから放射モードへの変換効率を良くすることが
でき、高調波の変調度を大きくとれる。
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して周期的分極反転層の付近の領域では周期的に電界を
印加させ、その他の部分では光導波路に垂直且つ面方向
に平行あるいは垂直に連続的に電界を印加するような
（一対の）電極を有しているため、請求項１１の作用効
果に加え、周期的分極反転層のない部分では、さらに導
波モードから放射モードへの変換効率を良くすることが
でき、高調波の変調度を大きくとれる。
【００３６】請求項１３の光機能素子においては、請求
項１乃至請求項１２の光機能素子において、基板の底面
あるいは光導波路端面を除いた基板端面に光の吸収、遮
光層を有しているため、光導波路から基板中へ出射する
放射光が基板外へ洩れることがなく、光導波路からの出
射光と混ざることがない。このため、請求項１，５ある
いは請求項２，６の作用効果に加え、導波光の変調度を
より大きくとることができる。また、請求項３あるいは
請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１
０、請求項１１、請求項１２の作用効果に加え、高調波
の変調度をより大きくとることができる。
項１乃至請求項１２の光機能素子において、基板の底面
あるいは光導波路端面を除いた基板端面に光の吸収、遮
光層を有しているため、光導波路から基板中へ出射する
放射光が基板外へ洩れることがなく、光導波路からの出
射光と混ざることがない。このため、請求項１，５ある
いは請求項２，６の作用効果に加え、導波光の変調度を
より大きくとることができる。また、請求項３あるいは
請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１
０、請求項１１、請求項１２の作用効果に加え、高調波
の変調度をより大きくとることができる。
【００３７】請求項１４の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より手前の光導波
路部分において基本波を変調することにより結果的に高
調波を変調する方式であり、高調波の出力は基本波の光
強度の２乗に比例するため、高調波の変調度を大きくと
ることができる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より手前の光導波
路部分において基本波を変調することにより結果的に高
調波を変調する方式であり、高調波の出力は基本波の光
強度の２乗に比例するため、高調波の変調度を大きくと
ることができる。
【００３８】請求項１５の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より後の光導波路
部分に電界を印加して基本波及び高調波を同時に変調す
る方式であり、高調波は波長が基本波に対して短いた
め、電界の印加による屈折率楕円体の主軸の回転角が、
基本波のみを変調する場合に比べて大きくとれ、基本波
を変調する方式に比べると電極の長さをより短くするこ
とができる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より後の光導波路
部分に電界を印加して基本波及び高調波を同時に変調す
る方式であり、高調波は波長が基本波に対して短いた
め、電界の印加による屈折率楕円体の主軸の回転角が、
基本波のみを変調する場合に比べて大きくとれ、基本波
を変調する方式に比べると電極の長さをより短くするこ
とができる。
【００３９】請求項１６の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の設けられた領域の光導
波路部分にのみ電界を加えて基本波及び高調波を同時に
変調するため、高調波の発生領域と変調領域の光導波路
が共通化でき、素子長が短く強度変調可能な高調波発生
素子が構成できる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の設けられた領域の光導
波路部分にのみ電界を加えて基本波及び高調波を同時に
変調するため、高調波の発生領域と変調領域の光導波路
が共通化でき、素子長が短く強度変調可能な高調波発生
素子が構成できる。
【００４０】請求項１７の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より手前の光導波路及び
それに続く周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反
転層の領域の光導波路に電界を印加して基本波及び高調
波の変調を行なうため、請求項１４の場合と同様に高調
波の変調度を大きくとれる上に、さらに高調波そのもの
も直接変調するため、さらに変調度を大きくすることが
できる。また、請求項１２の作用効果に加えて、周期的
分極反転層より手前の光導波路のみの領域で基本波を変
調しそれに続く周期的分極反転層の領域の光導波路部で
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１４の場
合と同様に、さらに高調波の変調度を大きくることがで
きる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より手前の光導波路及び
それに続く周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反
転層の領域の光導波路に電界を印加して基本波及び高調
波の変調を行なうため、請求項１４の場合と同様に高調
波の変調度を大きくとれる上に、さらに高調波そのもの
も直接変調するため、さらに変調度を大きくすることが
できる。また、請求項１２の作用効果に加えて、周期的
分極反転層より手前の光導波路のみの領域で基本波を変
調しそれに続く周期的分極反転層の領域の光導波路部で
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１４の場
合と同様に、さらに高調波の変調度を大きくることがで
きる。
【００４１】請求項１８の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より後方の光導波路のみ
の領域及びその手前にある周期的屈折率分散手段あるい
は周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を印加して
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１５の場
合と同様に電極の長さを短くできるだけでなく、さらに
周期的屈折率分散領域あるいは周期的分極反転領域にあ
る光導波路部分でも変調するため、さらに高調波の変調
度を大きくとることができる。また、請求項１２の作用
効果に加えて、周期的分極反転層より後方の光導波路の
みの領域及びその手前にある周期的分極反転層の領域の
光導波路に電界を印加して基本波及び高調波の変調を行
なうため、請求項１５の場合と同様に基本波のみを変調
する場合より電極の長さをより短くできる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より後方の光導波路のみ
の領域及びその手前にある周期的屈折率分散手段あるい
は周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を印加して
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１５の場
合と同様に電極の長さを短くできるだけでなく、さらに
周期的屈折率分散領域あるいは周期的分極反転領域にあ
る光導波路部分でも変調するため、さらに高調波の変調
度を大きくとることができる。また、請求項１２の作用
効果に加えて、周期的分極反転層より後方の光導波路の
みの領域及びその手前にある周期的分極反転層の領域の
光導波路に電界を印加して基本波及び高調波の変調を行
なうため、請求項１５の場合と同様に基本波のみを変調
する場合より電極の長さをより短くできる。
【００４２】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。尚、本発明では、ＬiＮbＯ3の±Ｚ板ある
いはＬiＴaＯ3の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3あるいはＬi
ＴaＯ3の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる
基板上、あるいは、ＬiＮbＯ3のＹ板もしくはＸ板ある
いはＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3あ
るいはＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴ
aXＮb1-XＯ3からなる基板上に光導波路を作製する際
に、結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させるような光
導波路作製法として、以下の実施例では主にプロトン
（Ｈ+)をドープして光導波路を作製する方法（プロトン
交換法）を用いているが、この他に例えば、Ｌｉ外拡散
による光導波路の作製法がある。ただし、プロトンをド
ープする方法は２００〜３００℃と比較的低温で容易に
光導波路を作製できるが、Ｌｉ外拡散による方法は９０
０〜１０００℃程度の比較的高温で行なうため、作製温
度がキュリー点と同程度かそれより上になった場合ポー
リングが必要となり作製の工程が増加する。しかし、一
例として、Ｌｉ外拡散により作製した光導波路を用いた
実施例についても最後に説明する。
に説明する。尚、本発明では、ＬiＮbＯ3の±Ｚ板ある
いはＬiＴaＯ3の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3あるいはＬi
ＴaＯ3の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる
基板上、あるいは、ＬiＮbＯ3のＹ板もしくはＸ板ある
いはＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3あ
るいはＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴ
aXＮb1-XＯ3からなる基板上に光導波路を作製する際
に、結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させるような光
導波路作製法として、以下の実施例では主にプロトン
（Ｈ+)をドープして光導波路を作製する方法（プロトン
交換法）を用いているが、この他に例えば、Ｌｉ外拡散
による光導波路の作製法がある。ただし、プロトンをド
ープする方法は２００〜３００℃と比較的低温で容易に
光導波路を作製できるが、Ｌｉ外拡散による方法は９０
０〜１０００℃程度の比較的高温で行なうため、作製温
度がキュリー点と同程度かそれより上になった場合ポー
リングが必要となり作製の工程が増加する。しかし、一
例として、Ｌｉ外拡散により作製した光導波路を用いた
実施例についても最後に説明する。
【００４３】［実施例１］図１は本発明の一実施例を示
す光機能素子の説明図であって、（ａ）は光機能素子の
斜視図、（ｂ）は光機能素子の断面図である。図１にお
いて、この光機能素子では、ＬiＴaＯ3 あるいはＬiＮb
Ｏ3 を基板１として用い、基板方位は＋Ｚ板あるいは−
Ｚ板とする。この基板１上にはプロトン交換法（基板上
にプロトン（Ｈ+)をドープする）により３次元光導波路
３が作製され、さらに基板１上の光導波路３の両側に平
行して金属を装荷してなる電極２ａ，２ｂが設けられて
いる。
す光機能素子の説明図であって、（ａ）は光機能素子の
斜視図、（ｂ）は光機能素子の断面図である。図１にお
いて、この光機能素子では、ＬiＴaＯ3 あるいはＬiＮb
Ｏ3 を基板１として用い、基板方位は＋Ｚ板あるいは−
Ｚ板とする。この基板１上にはプロトン交換法（基板上
にプロトン（Ｈ+)をドープする）により３次元光導波路
３が作製され、さらに基板１上の光導波路３の両側に平
行して金属を装荷してなる電極２ａ，２ｂが設けられて
いる。
【００４４】ここで、例えば図１(ａ)のように光導波路
３がＸ軸方向に沿って設けられた場合、電極２ａ，２ｂ
間に電圧を印加すると、光導波路３中ではＹ軸方向の電
界が印加されることになる。この時、参考文献”西原，
春名，栖原著「光集積回路」オーム社、1985年”のP.10
9〜111に述べられているような理由により、基板１の結
晶の屈折率楕円体の主軸が回転し、それにより比誘電率
テンソル［ε］の非対角項が生じる。ここで、光導波路
３にＴＭモードを励起したとすると、ＴＭモードでは主
にＺ方向に電界成分を持つ（一部はＸ方向にもある）。
このため、Ｙ軸方向への分極δPyが生じる。ここで、δ
Pyは以下のように表せる。 δPy＝ε0δε23Ｅz ≒−ε0ｎe 2ｎ0 2γ51ＥeyＥz ・・・(１) 尚、ε0は真空の誘電率、δε23は比誘電率テンソルの
非対角成分、ｎe，ｎ0は基板１の異常光，常光の屈折
率、Ｅeyは電極２ａ，２ｂ間の電界、ＥzはＴＭモード
のＺ方向成分の電界、γ51は基板１の電気光学定数を表
す。
３がＸ軸方向に沿って設けられた場合、電極２ａ，２ｂ
間に電圧を印加すると、光導波路３中ではＹ軸方向の電
界が印加されることになる。この時、参考文献”西原，
春名，栖原著「光集積回路」オーム社、1985年”のP.10
9〜111に述べられているような理由により、基板１の結
晶の屈折率楕円体の主軸が回転し、それにより比誘電率
テンソル［ε］の非対角項が生じる。ここで、光導波路
３にＴＭモードを励起したとすると、ＴＭモードでは主
にＺ方向に電界成分を持つ（一部はＸ方向にもある）。
このため、Ｙ軸方向への分極δPyが生じる。ここで、δ
Pyは以下のように表せる。 δPy＝ε0δε23Ｅz ≒−ε0ｎe 2ｎ0 2γ51ＥeyＥz ・・・(１) 尚、ε0は真空の誘電率、δε23は比誘電率テンソルの
非対角成分、ｎe，ｎ0は基板１の異常光，常光の屈折
率、Ｅeyは電極２ａ，２ｂ間の電界、ＥzはＴＭモード
のＺ方向成分の電界、γ51は基板１の電気光学定数を表
す。
【００４５】このようにしてＴＭモード光を光導波路端
に励起すると、電極２ａ，２ｂ間、すなわち光導波路に
垂直且つ面方向に平行に電圧を印加した場合、Ｙ方向の
分極δPyが生じ、このため、もし光導波路３のＴＥモー
ドが存在すれば、ＴＥモードが励起される。しかし、光
導波路３はプロトン交換により作製された光導波路であ
り、この場合、Ｙ方向の電界に対しては導波路となら
ず、バルクに近い構造となるため、通常の放射が生じ
る。すなわち、導波光は光導波路３から基板中へ放射し
て進み、基板の底や端面に到達することになる。すなわ
ち、図１（ｂ）においてＴＭモード光を入射光Ａによっ
て励起すると、電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加しない場
合は導波モードは光導波路３中を伝播し、他端から出射
光Ｂが生じる。しかし、電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加
した場合は、入射光Ａにより励起されたＴＭモードと基
板１中の放射モード（電界方向はＹ軸に平行）が結合
し、放射光Ｃとなって基板１の底面や端面に到達する。
ここで、通常ならば基板１の底面で反射したり透過した
りして、端面から透過して基板１から出て行くことにな
るが、図１（ｂ）に示す実施例のように、光の吸収層
（あるいは遮光層）５，６を基板１の底面及び光導波路
端面を除いた基板端面に設けてある場合には、放射光は
ここで吸収（あるいは遮光）され、基板外には出ないこ
とになる。従って、図１(ａ)，(ｂ)に示す光機能素子
は、電極２ａ，２ｂ間に印加する電圧をＯＮ，ＯＦＦす
ることにより光導波路３からの出射光のＯＮ，ＯＦＦ
や、出射光の強度を変調することができ、導波路型光ス
イッチ、光変調器として機能させることができる。ま
た、ＬiＮbＯ3とＬiＴaＯ3の違いについては、ＬiＮbＯ
3では一般に異常光屈折率ｎe と常光屈折率ｎo を比較
した場合、ｎo＞ｎeであるため、ｎo を感じる放射光は
導波光と容易にカップリングし、放射光が基板中に励起
される。これに対して、ＬiＴaＯ3 の場合、一般に調和
融液組成ではｎe＞ｎoであり、放射光は導波光とカップ
リングしにくい。しかし、ＬｉとＴａの組成比をＬｉが
多いようにして作製した結晶では、ｎo≧ｎeとなる場合
があり、このときはＬiＮbＯ3 に比べてやや弱いが、導
波光と放射光がカップリングして放射光が基板中に励起
される。
に励起すると、電極２ａ，２ｂ間、すなわち光導波路に
垂直且つ面方向に平行に電圧を印加した場合、Ｙ方向の
分極δPyが生じ、このため、もし光導波路３のＴＥモー
ドが存在すれば、ＴＥモードが励起される。しかし、光
導波路３はプロトン交換により作製された光導波路であ
り、この場合、Ｙ方向の電界に対しては導波路となら
ず、バルクに近い構造となるため、通常の放射が生じ
る。すなわち、導波光は光導波路３から基板中へ放射し
て進み、基板の底や端面に到達することになる。すなわ
ち、図１（ｂ）においてＴＭモード光を入射光Ａによっ
て励起すると、電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加しない場
合は導波モードは光導波路３中を伝播し、他端から出射
光Ｂが生じる。しかし、電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加
した場合は、入射光Ａにより励起されたＴＭモードと基
板１中の放射モード（電界方向はＹ軸に平行）が結合
し、放射光Ｃとなって基板１の底面や端面に到達する。
ここで、通常ならば基板１の底面で反射したり透過した
りして、端面から透過して基板１から出て行くことにな
るが、図１（ｂ）に示す実施例のように、光の吸収層
（あるいは遮光層）５，６を基板１の底面及び光導波路
端面を除いた基板端面に設けてある場合には、放射光は
ここで吸収（あるいは遮光）され、基板外には出ないこ
とになる。従って、図１(ａ)，(ｂ)に示す光機能素子
は、電極２ａ，２ｂ間に印加する電圧をＯＮ，ＯＦＦす
ることにより光導波路３からの出射光のＯＮ，ＯＦＦ
や、出射光の強度を変調することができ、導波路型光ス
イッチ、光変調器として機能させることができる。ま
た、ＬiＮbＯ3とＬiＴaＯ3の違いについては、ＬiＮbＯ
3では一般に異常光屈折率ｎe と常光屈折率ｎo を比較
した場合、ｎo＞ｎeであるため、ｎo を感じる放射光は
導波光と容易にカップリングし、放射光が基板中に励起
される。これに対して、ＬiＴaＯ3 の場合、一般に調和
融液組成ではｎe＞ｎoであり、放射光は導波光とカップ
リングしにくい。しかし、ＬｉとＴａの組成比をＬｉが
多いようにして作製した結晶では、ｎo≧ｎeとなる場合
があり、このときはＬiＮbＯ3 に比べてやや弱いが、導
波光と放射光がカップリングして放射光が基板中に励起
される。
【００４６】［実施例２］ところで、上記実施例では基
板１の材料として、ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3の±Ｚ板を用
いた例を示したが、ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3のＹ板、Ｘ板
でも可能である。図６にこの場合の実施例を示す。図６
に示す光機能素子では、ＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3
のＹ板あるいはＸ板からなる基板１上に、光導波路３を
プロトン交換法により作製する。そして、その上にバッ
ファ層７ａ，７ｂを介して電極２ａ，２ｂが設けられて
いる。この場合、電極２ａ，２ｂはＹ方向（光導波路及
び面方向に垂直）に電界を印加させるため、一方の電極
２ａの一部が光導波路３の上に設けられ、もう一方の電
極２ｂが光導波路３に平行に設けられている。バッファ
層７ａ，７ｂは光導波路３の導波光が電極２ａにより吸
収されないために設けられているが、この吸収を無視す
れば必ずしも必要ではない。この実施例の場合は、光導
波路３にＴＥモードを図１（ｂ）と同様に励起させ、電
極２ａ，２ｂ間に電圧を印加して光導波路３のＹ軸方向
に電界を印加する。このときＴＥモードと電界がＹ軸方
向（一部Ｚ方向成分もある）の放射モードとが結合し、
図１（ｂ）と同様に、導波光が基板１の底部や端面方向
に放射する。また、電圧を電極２ａ，２ｂ間に印加しな
い場合は、ＴＥモード光は光導波路３を導波して他端か
ら出射する。従って、図６に示した光機能素子は、電極
２ａ，２ｂ間に印加する電圧をＯＮ，ＯＦＦすることに
より光導波路３からの出射光のＯＮ，ＯＦＦや、出射光
の強度を変調することができ、導波路型光スイッチ、光
変調器として機能させることができる。
板１の材料として、ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3の±Ｚ板を用
いた例を示したが、ＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3のＹ板、Ｘ板
でも可能である。図６にこの場合の実施例を示す。図６
に示す光機能素子では、ＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3
のＹ板あるいはＸ板からなる基板１上に、光導波路３を
プロトン交換法により作製する。そして、その上にバッ
ファ層７ａ，７ｂを介して電極２ａ，２ｂが設けられて
いる。この場合、電極２ａ，２ｂはＹ方向（光導波路及
び面方向に垂直）に電界を印加させるため、一方の電極
２ａの一部が光導波路３の上に設けられ、もう一方の電
極２ｂが光導波路３に平行に設けられている。バッファ
層７ａ，７ｂは光導波路３の導波光が電極２ａにより吸
収されないために設けられているが、この吸収を無視す
れば必ずしも必要ではない。この実施例の場合は、光導
波路３にＴＥモードを図１（ｂ）と同様に励起させ、電
極２ａ，２ｂ間に電圧を印加して光導波路３のＹ軸方向
に電界を印加する。このときＴＥモードと電界がＹ軸方
向（一部Ｚ方向成分もある）の放射モードとが結合し、
図１（ｂ）と同様に、導波光が基板１の底部や端面方向
に放射する。また、電圧を電極２ａ，２ｂ間に印加しな
い場合は、ＴＥモード光は光導波路３を導波して他端か
ら出射する。従って、図６に示した光機能素子は、電極
２ａ，２ｂ間に印加する電圧をＯＮ，ＯＦＦすることに
より光導波路３からの出射光のＯＮ，ＯＦＦや、出射光
の強度を変調することができ、導波路型光スイッチ、光
変調器として機能させることができる。
【００４７】さて、以上の図１(ａ)，(ｂ)及び図６の実
施例においては、光導波路３は、安息香酸、りん酸、そ
の他の酸を沸点近くの温度にして、この中でプロトン交
換することにより作製できる。また、電極２ａ，２ｂは
導電性の金属や半導体、酸化物ならばどれを用いても良
く、金属では、Ａl，Ｃr，Ｎi，Ｔa、その他の材料が考
えられ、蒸着、スパタッリング、ＣＶＤ、電着、その他
の方法で作製可能である。
施例においては、光導波路３は、安息香酸、りん酸、そ
の他の酸を沸点近くの温度にして、この中でプロトン交
換することにより作製できる。また、電極２ａ，２ｂは
導電性の金属や半導体、酸化物ならばどれを用いても良
く、金属では、Ａl，Ｃr，Ｎi，Ｔa、その他の材料が考
えられ、蒸着、スパタッリング、ＣＶＤ、電着、その他
の方法で作製可能である。
【００４８】［実施例３］次に、第３の実施例について
図２(ａ)，(ｂ)及び図３を用いて説明する。図２(ａ)，
(ｂ)に示す光機能素子では、基板１としてＬiＮbＯ3 の
±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板を用いる。尚、図２
（ａ）は−Ｚ板の例を示す。基板１がＬiＮbＯ3 の場合
は、基板１の表面に周期的Ｔi 拡散を施すか、あるいは
周期的なＳiＯ2層を装荷した後、キュリー点直下まで加
熱し急冷することにより、周期的分極反転層４を形成す
る。また、基板１がＬiＴaＯ3 の場合は、周期的プロト
ン交換の後に、キュリー点直下付近の温度まで加熱し急
冷することにより、周期的分極反転層４を形成する。こ
の他、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3の±Ｚ板
に電子ビームを照射したり、基板の上下に周期的電極を
設けて高電界を印加したり、イオン注入を行なうことに
より、周期的分極反転層４を作製することができる。こ
の周期的分極反転層４を作製した後、図１、図６の実施
例１，２と同様の手法で光導波路３を基板表面に作製す
る。次に、周期的櫛型状の電極２ａ，２ｂを、周期的分
極反転層４と同じ周期で光導波路３の両側に図２（ａ）
のように設ける。尚、図２(ａ)，(ｂ)では、櫛型電極２
ａ，２ｂの間が狭くなる部分が周期的分極反転層４で無
い部分の基板上に設けられているが、これは周期的分極
反転層４上であっても良い。
図２(ａ)，(ｂ)及び図３を用いて説明する。図２(ａ)，
(ｂ)に示す光機能素子では、基板１としてＬiＮbＯ3 の
±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板を用いる。尚、図２
（ａ）は−Ｚ板の例を示す。基板１がＬiＮbＯ3 の場合
は、基板１の表面に周期的Ｔi 拡散を施すか、あるいは
周期的なＳiＯ2層を装荷した後、キュリー点直下まで加
熱し急冷することにより、周期的分極反転層４を形成す
る。また、基板１がＬiＴaＯ3 の場合は、周期的プロト
ン交換の後に、キュリー点直下付近の温度まで加熱し急
冷することにより、周期的分極反転層４を形成する。こ
の他、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3の±Ｚ板
に電子ビームを照射したり、基板の上下に周期的電極を
設けて高電界を印加したり、イオン注入を行なうことに
より、周期的分極反転層４を作製することができる。こ
の周期的分極反転層４を作製した後、図１、図６の実施
例１，２と同様の手法で光導波路３を基板表面に作製す
る。次に、周期的櫛型状の電極２ａ，２ｂを、周期的分
極反転層４と同じ周期で光導波路３の両側に図２（ａ）
のように設ける。尚、図２(ａ)，(ｂ)では、櫛型電極２
ａ，２ｂの間が狭くなる部分が周期的分極反転層４で無
い部分の基板上に設けられているが、これは周期的分極
反転層４上であっても良い。
【００４９】この光機能素子においては、光導波路３に
図２（ｂ）に示すように基本波Ａを入射させてＴＭモー
ドを励起する。基本波の導波モードは、周期的分極反転
層４が設けられているため、光導波路３内で発生する高
調波の導波モードと疑似的に位相整合して基本波から高
調波へのパワーの変換が生じる。このため、光導波路３
の他端からは基本波及び高調波Ｂが出射する。また、電
極２ａ，２ｂ間に電圧を印加すると、光導波路３のＹ軸
方向に電界がかかり、基本波及び高調波の導波モード
（ＴＭモード）が基板１中で、電界の向きが主にＹ軸方
向の放射モードと結合し、図２（ｂ）のＣのような放射
光が基板１の底面あるいは端面に向かって光導波路３か
ら出射する。ここで、周期的分極反転層４の周期Λにつ
いては、コヒーレント長Lcを用いて以下のようになる。 Λ＝２ｍLc （ｍ＝1,2,3・・・) ・・・(２) ただし、 Lc＝λw／（４|ｎ２w−ｎw|） ・・・(３) ここで、周期的分極反転層４の幅が周期Λの１／２の場
合は、ｍ＝1,3,5・・・と奇数の場合が良く、それ以外の場
合は、ｍが偶数の場合を含んで良い。
図２（ｂ）に示すように基本波Ａを入射させてＴＭモー
ドを励起する。基本波の導波モードは、周期的分極反転
層４が設けられているため、光導波路３内で発生する高
調波の導波モードと疑似的に位相整合して基本波から高
調波へのパワーの変換が生じる。このため、光導波路３
の他端からは基本波及び高調波Ｂが出射する。また、電
極２ａ，２ｂ間に電圧を印加すると、光導波路３のＹ軸
方向に電界がかかり、基本波及び高調波の導波モード
（ＴＭモード）が基板１中で、電界の向きが主にＹ軸方
向の放射モードと結合し、図２（ｂ）のＣのような放射
光が基板１の底面あるいは端面に向かって光導波路３か
ら出射する。ここで、周期的分極反転層４の周期Λにつ
いては、コヒーレント長Lcを用いて以下のようになる。 Λ＝２ｍLc （ｍ＝1,2,3・・・) ・・・(２) ただし、 Lc＝λw／（４|ｎ２w−ｎw|） ・・・(３) ここで、周期的分極反転層４の幅が周期Λの１／２の場
合は、ｍ＝1,3,5・・・と奇数の場合が良く、それ以外の場
合は、ｍが偶数の場合を含んで良い。
【００５０】次に、図３により図２(ａ)，(ｂ)で説明し
た光機能素子を用いた短波長光源について述べる。図３
において、半導体レーザ等からなるコヒーレントな光源
７からの出射光は、集光レンズ８により光導波路３の端
面に集光し、光導波路３にＴＭモード光を励起する。こ
の時、電極２ａ，２ｂ間に電圧が印加されない場合は、
光導波路３の他端から高調波と基本波が出射する。尚、
図中の符号９は出射光をコリメートする集光レンズであ
る。また、高調波のみを完全に分離する必要がある時
は、誘電体フィルタ、カラーフィルタ、プリズム等を用
いれば分離可能になる。電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加
した場合は、基本波、高調波とも光導波路３から基板１
の底面や端面に向かって放射し、吸収層５あるいは６に
より吸収される。この吸収層５，６は無くても動作その
ものには影響しない。このように、図２、図３に示す光
機能素子では、電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加するかし
ないかで高調波のスイッチングや変調を行なうことがで
きる。
た光機能素子を用いた短波長光源について述べる。図３
において、半導体レーザ等からなるコヒーレントな光源
７からの出射光は、集光レンズ８により光導波路３の端
面に集光し、光導波路３にＴＭモード光を励起する。こ
の時、電極２ａ，２ｂ間に電圧が印加されない場合は、
光導波路３の他端から高調波と基本波が出射する。尚、
図中の符号９は出射光をコリメートする集光レンズであ
る。また、高調波のみを完全に分離する必要がある時
は、誘電体フィルタ、カラーフィルタ、プリズム等を用
いれば分離可能になる。電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加
した場合は、基本波、高調波とも光導波路３から基板１
の底面や端面に向かって放射し、吸収層５あるいは６に
より吸収される。この吸収層５，６は無くても動作その
ものには影響しない。このように、図２、図３に示す光
機能素子では、電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加するかし
ないかで高調波のスイッチングや変調を行なうことがで
きる。
【００５１】［実施例４］次に、別の実施例について図
７を用いて説明する。この実施例は図２(ａ)，(ｂ）の
実施例とほぼ同じ構成であるが、櫛型電極の代わりに直
線状の電極２ａ，２ｂを用いた所が異なっている。この
実施例の場合、周期的分極反転層４の部分及び基板１の
部分の両方の光導波路３に電界がＹ軸方向に印加される
ため、屈折率楕円体の主軸の回転方向の向きが周期的分
極反転層４の部分と基板１の部分で反対になるため、誘
起されるＹ軸方向に電界を持つ放射光の分極の向きが逆
になり位相が 180°反転するため、互いに打ち消し合っ
て、やや放射光が図２(ａ)，(ｂ）の素子の場合に比べ
て弱くなるが、基本波及び高調波の基板１中での波長と
周期的分極反転層４の周期Λとは一般に異なり、また放
射光は基板中を導波路方向に対して斜めに進むため、位
相の異なる放射光同士は空間的に分離され、放射光が無
くなることはない。
７を用いて説明する。この実施例は図２(ａ)，(ｂ）の
実施例とほぼ同じ構成であるが、櫛型電極の代わりに直
線状の電極２ａ，２ｂを用いた所が異なっている。この
実施例の場合、周期的分極反転層４の部分及び基板１の
部分の両方の光導波路３に電界がＹ軸方向に印加される
ため、屈折率楕円体の主軸の回転方向の向きが周期的分
極反転層４の部分と基板１の部分で反対になるため、誘
起されるＹ軸方向に電界を持つ放射光の分極の向きが逆
になり位相が 180°反転するため、互いに打ち消し合っ
て、やや放射光が図２(ａ)，(ｂ）の素子の場合に比べ
て弱くなるが、基本波及び高調波の基板１中での波長と
周期的分極反転層４の周期Λとは一般に異なり、また放
射光は基板中を導波路方向に対して斜めに進むため、位
相の異なる放射光同士は空間的に分離され、放射光が無
くなることはない。
【００５２】次に、図２(ａ)，(ｂ)及び図７の実施例に
おいては、周期的分極反転層４の代わりに周期的なグレ
ーティング等の屈折率分散手段を設けることもできる。
この周期的な屈折率分散手段の作製法としては、Ｔi，
Ａg，Ｃu，Ｋ，Ｃs，Ｔl 等の金属イオンを基板１に周
期的に拡散させるか、プロトン交換等により作製する方
法と、ＳiＯ2等の材料を光導波路３上に周期的に装荷す
ることによっても作製可能である。この場合の屈折率分
散手段の周期としては、前述の式(２)，(３)と同様であ
るが、整数ｍは奇数、偶数の区別はこの場合必要なく、
同等として扱うことができる。さらに、基板１として用
いるＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3は、一軸性の光学結晶であ
り、光学軸をＺ軸にとった場合、Ｚ軸に垂直な方向は光
学的に等方であるためＹ軸、Ｘ軸の区別は特になく、両
端を交換しても効果、作用は同等である。ただし、電極
間に電界を印加した場合はＸ方向とＹ方向で電気光学定
数が異なるため、やや違いが生じる。
おいては、周期的分極反転層４の代わりに周期的なグレ
ーティング等の屈折率分散手段を設けることもできる。
この周期的な屈折率分散手段の作製法としては、Ｔi，
Ａg，Ｃu，Ｋ，Ｃs，Ｔl 等の金属イオンを基板１に周
期的に拡散させるか、プロトン交換等により作製する方
法と、ＳiＯ2等の材料を光導波路３上に周期的に装荷す
ることによっても作製可能である。この場合の屈折率分
散手段の周期としては、前述の式(２)，(３)と同様であ
るが、整数ｍは奇数、偶数の区別はこの場合必要なく、
同等として扱うことができる。さらに、基板１として用
いるＬiＮbＯ3，ＬiＴaＯ3は、一軸性の光学結晶であ
り、光学軸をＺ軸にとった場合、Ｚ軸に垂直な方向は光
学的に等方であるためＹ軸、Ｘ軸の区別は特になく、両
端を交換しても効果、作用は同等である。ただし、電極
間に電界を印加した場合はＸ方向とＹ方向で電気光学定
数が異なるため、やや違いが生じる。
【００５３】［実施例５］次に、本発明のさらに別の実
施例について説明する。図４の実施例は、図１(ａ)，
(ｂ)の光機能素子（光スイッチ）と、図２(ａ)，(ｂ)の
光機能素子（高調波発生素子）から櫛型電極２ａ，２ｂ
を除いたものを一体化した構造になっており、周期的分
極反転層（あるいは周期的屈折率分散手段）４の領域以
外の光導波路に電界を印加して高調波の光スイッチング
及び光変調を行なうようにした例であり、図３の実施例
と同様に光源７及び集光レンズ８，９と共に用いること
により、光スイッチング機能あるいは光変調機能を持つ
短波長光源を構成することができる。尚、その他の点は
図２(ａ)，(ｂ)及び図１(ａ)，(ｂ)の実施例と同様であ
る。
施例について説明する。図４の実施例は、図１(ａ)，
(ｂ)の光機能素子（光スイッチ）と、図２(ａ)，(ｂ)の
光機能素子（高調波発生素子）から櫛型電極２ａ，２ｂ
を除いたものを一体化した構造になっており、周期的分
極反転層（あるいは周期的屈折率分散手段）４の領域以
外の光導波路に電界を印加して高調波の光スイッチング
及び光変調を行なうようにした例であり、図３の実施例
と同様に光源７及び集光レンズ８，９と共に用いること
により、光スイッチング機能あるいは光変調機能を持つ
短波長光源を構成することができる。尚、その他の点は
図２(ａ)，(ｂ)及び図１(ａ)，(ｂ)の実施例と同様であ
る。
【００５４】［実施例６］次に、図５に示す実施例は、
図１(ａ)，(ｂ)の光機能素子（光スイッチ）と、図２
(ａ)，(ｂ）の光機能素子（高調波発生素子）とを一体
化した形となっており、電極２ａ，２ｂは直線部分と櫛
型の部分を持つ構造となっており、周期的分極反転層
（あるいは周期的屈折率分散手段）４の領域の光導波路
とそれ以外の部分の光導波路とに電界を印加して高調波
の光スイッチング及び光変調を行なうようにした例であ
り、この場合も図３の実施例と同様に光源７及び集光レ
ンズ８，９と共に用いることにより、光スイッチング機
能あるいは光変調機能を持つ短波長光源を構成すること
ができる。尚、その他の点は図１(ａ)，(ｂ)及び図２
(ａ)，(ｂ)の実施例と同様である。
図１(ａ)，(ｂ)の光機能素子（光スイッチ）と、図２
(ａ)，(ｂ）の光機能素子（高調波発生素子）とを一体
化した形となっており、電極２ａ，２ｂは直線部分と櫛
型の部分を持つ構造となっており、周期的分極反転層
（あるいは周期的屈折率分散手段）４の領域の光導波路
とそれ以外の部分の光導波路とに電界を印加して高調波
の光スイッチング及び光変調を行なうようにした例であ
り、この場合も図３の実施例と同様に光源７及び集光レ
ンズ８，９と共に用いることにより、光スイッチング機
能あるいは光変調機能を持つ短波長光源を構成すること
ができる。尚、その他の点は図１(ａ)，(ｂ)及び図２
(ａ)，(ｂ)の実施例と同様である。
【００５５】［実施例７］次に、図８に示す実施例は、
図５の実施例の場合とほぼ同じ構成であるが、周期的分
極反転層（あるいは周期的屈折率分散手段）４の領域の
部分の構成が、図５の実施例では図２と同様に構成され
ているのに対し、図８では図７の実施例のように直線状
の電極となっている所が異なる。尚、その他の点は図１
(ａ)，(ｂ)、図７及び図５の実施例と同様である。
図５の実施例の場合とほぼ同じ構成であるが、周期的分
極反転層（あるいは周期的屈折率分散手段）４の領域の
部分の構成が、図５の実施例では図２と同様に構成され
ているのに対し、図８では図７の実施例のように直線状
の電極となっている所が異なる。尚、その他の点は図１
(ａ)，(ｂ)、図７及び図５の実施例と同様である。
【００５６】尚、図４，５，８の各実施例においては、
入射光Ａと出射光Ｂを矢印で示してあるが、入射光Ａに
対して各素子の左右を逆転して反対側の端面より光を入
射させて用いても全く同様の効果を有する。また、図４
の実施例では、電極２ａ，２ｂにより光導波路３を通る
基本波を変調し、その結果、周期的分極反転層（あるい
は周期的屈折率分散手段）４の領域で発生し光導波路３
を出射する高調波を変調することになる。これに対し
て、図４の実施例で、矢印Ａとは反対側の光導波路３の
端面から基本波を入射した場合は、電極２ａ，２ｂによ
り周期的分極反転層４の領域を通過した後の基本波及び
高調波の両方を変調することになる。この場合、高調波
は波長が基本波に対して短いため、電界の印加による屈
折率楕円体の主軸の回転角が、基本波のみを変調する場
合に比べて大きくとれ、基本波のみを変調する方式に比
べると電極の長さを短くすることができる。
入射光Ａと出射光Ｂを矢印で示してあるが、入射光Ａに
対して各素子の左右を逆転して反対側の端面より光を入
射させて用いても全く同様の効果を有する。また、図４
の実施例では、電極２ａ，２ｂにより光導波路３を通る
基本波を変調し、その結果、周期的分極反転層（あるい
は周期的屈折率分散手段）４の領域で発生し光導波路３
を出射する高調波を変調することになる。これに対し
て、図４の実施例で、矢印Ａとは反対側の光導波路３の
端面から基本波を入射した場合は、電極２ａ，２ｂによ
り周期的分極反転層４の領域を通過した後の基本波及び
高調波の両方を変調することになる。この場合、高調波
は波長が基本波に対して短いため、電界の印加による屈
折率楕円体の主軸の回転角が、基本波のみを変調する場
合に比べて大きくとれ、基本波のみを変調する方式に比
べると電極の長さを短くすることができる。
【００５７】さて、上記図１，２，３，４，５，７，８
の各実施例において、光導波路３の両側の基板の部分を
エッチングや切削等の手段で除去し、図９に示すように
リッジ型にしてその側面部を含めて電極２ａ，２ｂを設
けることもできる。この場合、光導波路３にＹ軸方向の
電界をより効率良く印加させることができる。さらに、
図３の光源７としては、半導体レーザを例にあげたが、
この他、各種固体，気体レーザや高調波光源等のコヒー
レンスの良いものが適用できる。また、集光レンズ８，
９としては、通常のレンズ、非球面レンズ、フレネルレ
ンズ、及びそれらの組み合わせ等、種々のものが考えら
れるが、集光レンズ８は必ずしも必要ではない。すなわ
ち、光源７の光導波路３への直接結合も可能であり、出
射光も放射光でよければ、集光レンズ９も必要ではな
い。
の各実施例において、光導波路３の両側の基板の部分を
エッチングや切削等の手段で除去し、図９に示すように
リッジ型にしてその側面部を含めて電極２ａ，２ｂを設
けることもできる。この場合、光導波路３にＹ軸方向の
電界をより効率良く印加させることができる。さらに、
図３の光源７としては、半導体レーザを例にあげたが、
この他、各種固体，気体レーザや高調波光源等のコヒー
レンスの良いものが適用できる。また、集光レンズ８，
９としては、通常のレンズ、非球面レンズ、フレネルレ
ンズ、及びそれらの組み合わせ等、種々のものが考えら
れるが、集光レンズ８は必ずしも必要ではない。すなわ
ち、光源７の光導波路３への直接結合も可能であり、出
射光も放射光でよければ、集光レンズ９も必要ではな
い。
【００５８】尚、以上の実施例３〜７では、基板１の材
料として、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±
Ｚ板を用いた例を示したが、ＬiＮbＯ3 のＹ板もしくは
Ｘ板あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板、さらに
は、前述したようにＬiＮbＯ3あるいはＬiＴaＯ3 の±
Ｚ板あるいはＹ板もしくはＸ板の上に形成したＬiＴaX
Ｎb1-XＯ3 からなる基板を用いても同様に実施可能であ
る。ただし、ＬiＮbＯ3のＹ板もしくはＸ板あるいはＬi
ＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3あるいは
ＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb
1-XＯ3からなる基板を用いる場合は、光導波路に垂直且
つ面方向に垂直に電界を印加するような一対の電極を設
ける。この場合、直線状の電極の形状は図６に示した電
極２ａ，２ｂでよい。櫛型電極の場合は図６の電極２ｂ
の部分のみを例えば図２の櫛型電極２ｂに置き換えれば
可能である。また、周期的分極反転層４については、第
３の実施例の場合とほぼ同様であり、櫛型電極による電
界印加や周期的プロトン交換後、キュリー点付近まで加
熱後急冷する方法が適用できる。
料として、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±
Ｚ板を用いた例を示したが、ＬiＮbＯ3 のＹ板もしくは
Ｘ板あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板、さらに
は、前述したようにＬiＮbＯ3あるいはＬiＴaＯ3 の±
Ｚ板あるいはＹ板もしくはＸ板の上に形成したＬiＴaX
Ｎb1-XＯ3 からなる基板を用いても同様に実施可能であ
る。ただし、ＬiＮbＯ3のＹ板もしくはＸ板あるいはＬi
ＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3あるいは
ＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb
1-XＯ3からなる基板を用いる場合は、光導波路に垂直且
つ面方向に垂直に電界を印加するような一対の電極を設
ける。この場合、直線状の電極の形状は図６に示した電
極２ａ，２ｂでよい。櫛型電極の場合は図６の電極２ｂ
の部分のみを例えば図２の櫛型電極２ｂに置き換えれば
可能である。また、周期的分極反転層４については、第
３の実施例の場合とほぼ同様であり、櫛型電極による電
界印加や周期的プロトン交換後、キュリー点付近まで加
熱後急冷する方法が適用できる。
【００５９】［実施例８］次に、図１２に本発明のさら
に別の実施例を示す。この実施例は、第３の実施例にお
いて基板１として、ＬiＮbＯ3 あるいはＬiTaＯ3の＋Ｚ
板あるいは−Ｚ板からなる基板に換えて、ＬiＮbＯ3 あ
るいはＬiＴaＯ3の＋Ｚ板あるいは−Ｚ板の上に液相成
長で成長させたＬiＴaXＮb1-XＯ3（０≦Ｘ≦１）の組成
のエピ層が装荷された基板を用いた例である。図中符号
１１がＬiＴaXＮb1-XＯ3エピ層である。さらに、光導波
路３として、プロトンをドープして作製したものに換え
て、Ｌｉの外拡散により作製した光導波路を用いてい
る。その他の構成は図２(ａ)，(ｂ）の実施例と同様で
ある。
に別の実施例を示す。この実施例は、第３の実施例にお
いて基板１として、ＬiＮbＯ3 あるいはＬiTaＯ3の＋Ｚ
板あるいは−Ｚ板からなる基板に換えて、ＬiＮbＯ3 あ
るいはＬiＴaＯ3の＋Ｚ板あるいは−Ｚ板の上に液相成
長で成長させたＬiＴaXＮb1-XＯ3（０≦Ｘ≦１）の組成
のエピ層が装荷された基板を用いた例である。図中符号
１１がＬiＴaXＮb1-XＯ3エピ層である。さらに、光導波
路３として、プロトンをドープして作製したものに換え
て、Ｌｉの外拡散により作製した光導波路を用いてい
る。その他の構成は図２(ａ)，(ｂ）の実施例と同様で
ある。
【００６０】作製法は第３の実施例と異なり、基板１に
選択的にＳiＯ2あるいはＳiＮ の膜をＣＶＤ、スパッタ
リング等で形成し、このとき光導波路３の部分だけスト
ライプ状にＳiＯ2あるいはＳiＮ 膜が形成されないよう
に、リフトオフ法を用いるか選択的エッチング等の方法
でストライプ状にＳiＯ2あるいはＳiＮ 膜を除去してお
く。この後、基板１を９００〜１０００℃程度の温度で
Ｏ2 雰囲気中で数１０分程度加熱すると、ＬiＴaXＮb
1-XＯ3エピ層の露出している部分からＬｉが外拡散によ
り出て行き、この部分の屈折率が上がって光導波路３が
形成される。この後、ＳiＯ2あるいはＳiＮ 膜をフッ酸
等でエッチングにより除去する。ここで、ＬiＴaXＮb
1-XＯ3のキュリー点が９００〜１０００℃より小さい場
合は、再び基板１を電界印加等で分極を揃えるポーリン
グが必要になる。この後、キュリー点直下で第３の実施
例と同様にして周期的分極反転層を形成し、さらに櫛型
電極２ａ，２ｂを形成して光機能素子を作製する。
選択的にＳiＯ2あるいはＳiＮ の膜をＣＶＤ、スパッタ
リング等で形成し、このとき光導波路３の部分だけスト
ライプ状にＳiＯ2あるいはＳiＮ 膜が形成されないよう
に、リフトオフ法を用いるか選択的エッチング等の方法
でストライプ状にＳiＯ2あるいはＳiＮ 膜を除去してお
く。この後、基板１を９００〜１０００℃程度の温度で
Ｏ2 雰囲気中で数１０分程度加熱すると、ＬiＴaXＮb
1-XＯ3エピ層の露出している部分からＬｉが外拡散によ
り出て行き、この部分の屈折率が上がって光導波路３が
形成される。この後、ＳiＯ2あるいはＳiＮ 膜をフッ酸
等でエッチングにより除去する。ここで、ＬiＴaXＮb
1-XＯ3のキュリー点が９００〜１０００℃より小さい場
合は、再び基板１を電界印加等で分極を揃えるポーリン
グが必要になる。この後、キュリー点直下で第３の実施
例と同様にして周期的分極反転層を形成し、さらに櫛型
電極２ａ，２ｂを形成して光機能素子を作製する。
【００６１】ここで、Ｌｉ外拡散による光導波路の形成
法は他の全ての実施例においてもプロトン交換法による
形成法に換わり適用でき、従って、プロトン交換光導波
路の換わりにＬｉ外拡散光導波路を用いることができ
る。また、ＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 上にＬiＴaX
Ｎb1-XＯ3エピ層を成長させた基板もこの実施例に限ら
ず、ＬiＮbＯ3 及びＬiＴaＯ3 の基板に換えて用いるこ
とができる。
法は他の全ての実施例においてもプロトン交換法による
形成法に換わり適用でき、従って、プロトン交換光導波
路の換わりにＬｉ外拡散光導波路を用いることができ
る。また、ＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 上にＬiＴaX
Ｎb1-XＯ3エピ層を成長させた基板もこの実施例に限ら
ず、ＬiＮbＯ3 及びＬiＴaＯ3 の基板に換えて用いるこ
とができる。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の光機能
素子においては、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ
3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±
Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に結
晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製法
を用いて作製した光導波路と、該光導波路に垂直且つ面
方向に平行に電界を印加するような（一対の）電極を有
するため、この電極間に電圧を印加することにより、光
導波路の導波光（例えばＴＭモード）を基板中に放射さ
せることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波路か
らの出射光の強度を変調することができる。従って、本
発明によれば、構成が簡単で、波長依存性の少ない導波
路型光スイッチ、光変調器として機能する光機能素子を
提供することができる。
素子においては、ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ
3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±
Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に結
晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製法
を用いて作製した光導波路と、該光導波路に垂直且つ面
方向に平行に電界を印加するような（一対の）電極を有
するため、この電極間に電圧を印加することにより、光
導波路の導波光（例えばＴＭモード）を基板中に放射さ
せることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波路か
らの出射光の強度を変調することができる。従って、本
発明によれば、構成が簡単で、波長依存性の少ない導波
路型光スイッチ、光変調器として機能する光機能素子を
提供することができる。
【００６３】また、請求項２の光機能素子においては、
ＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3 のＹ
板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3
のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3から
なる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる
光導波路作製法を用いて作製した光導波路と、該光導波
路に垂直且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一
対の）電極を有するため、この電極間に電圧を印加する
ことにより、光導波路の導波光（例えばＴＥモード）を
基板中に放射することができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦによ
り光導波路からの出射光の強度を変調することができ
る。従って、本発明によれば、構成が簡単で、波長依存
性の少ない導波路型光スイッチ、光変調器として機能す
る光機能素子を提供することができる。
ＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3 のＹ
板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3
のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3から
なる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる
光導波路作製法を用いて作製した光導波路と、該光導波
路に垂直且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一
対の）電極を有するため、この電極間に電圧を印加する
ことにより、光導波路の導波光（例えばＴＥモード）を
基板中に放射することができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦによ
り光導波路からの出射光の強度を変調することができ
る。従って、本発明によれば、構成が簡単で、波長依存
性の少ない導波路型光スイッチ、光変調器として機能す
る光機能素子を提供することができる。
【００６４】請求項３の光機能素子においては、コヒー
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴa
Ｏ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の
±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に
周期的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波
路、及び光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加
するような（一対の）電極を有するため、基本波及び光
導波路中で発生する高調波の導波モードを上記電極に電
圧を印加することにより基板中に放射させることがで
き、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波路から出射する高
調波の強度を変調することができる。従って、本発明に
よれば、高調波の光変調が可能な光機能素子を提供する
ことができる。
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴa
Ｏ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の
±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に
周期的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波
路、及び光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加
するような（一対の）電極を有するため、基本波及び光
導波路中で発生する高調波の導波モードを上記電極に電
圧を印加することにより基板中に放射させることがで
き、電圧のＯＮ，ＯＦＦにより光導波路から出射する高
調波の強度を変調することができる。従って、本発明に
よれば、高調波の光変調が可能な光機能素子を提供する
ことができる。
【００６５】請求項４の光機能素子においては、コヒー
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3
あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬ
iＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段
及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路
作製法を用いて作製した光導波路、及び光導波路に垂直
且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電
極を有するため、基本波及び光導波路中で発生する高調
波の導波モードを上記電極に電圧を印加することにより
基板中に放射させることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦに
より光導波路から出射する高調波の強度を変調すること
ができる。従って、本発明によれば、高調波の光変調が
可能な光機能素子を提供することができる。また、本発
明によれば、光導波路の導波光のモードがＴＥモードと
なるため、光源に半導体レーザを用いた場合、直接接合
により光導波路に励起可能な長所もある。
レントな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板ある
いはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3
あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬ
iＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段
及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路
作製法を用いて作製した光導波路、及び光導波路に垂直
且つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電
極を有するため、基本波及び光導波路中で発生する高調
波の導波モードを上記電極に電圧を印加することにより
基板中に放射させることができ、電圧のＯＮ，ＯＦＦに
より光導波路から出射する高調波の強度を変調すること
ができる。従って、本発明によれば、高調波の光変調が
可能な光機能素子を提供することができる。また、本発
明によれば、光導波路の導波光のモードがＴＥモードと
なるため、光源に半導体レーザを用いた場合、直接接合
により光導波路に励起可能な長所もある。
【００６６】請求項５の光機能素子においては、請求項
１と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
１と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００６７】請求項６の光機能素子においては、請求項
２と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
２と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００６８】請求項７の光機能素子においては、請求項
３と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
３と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００６９】請求項８の光機能素子においては、請求項
４と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
４と同様の作用効果が得られ、且つ、結晶の異常光屈折
率ｎe のみを増加させる光導波路作製法としてプロトン
（Ｈ+)をドープして作製する方法（プロトン交換法）を
用いたことにより、比較的低温で光導波路が作製でき、
作製が容易となる。
【００７０】請求項９の光機能素子においては、請求項
３、請求項７の光機能素子において、屈折率分散手段と
して周期的分極反転層を用いているため、通常のグレー
ティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波を
発生することができ、より高出力の高調波が得られる。
従って、本発明によれば、高調波の光変調が可能で、且
つ高出力の高調波が得られる光機能素子を提供すること
ができる。
３、請求項７の光機能素子において、屈折率分散手段と
して周期的分極反転層を用いているため、通常のグレー
ティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波を
発生することができ、より高出力の高調波が得られる。
従って、本発明によれば、高調波の光変調が可能で、且
つ高出力の高調波が得られる光機能素子を提供すること
ができる。
【００７１】請求項１０の光機能素子においては、請求
項４、請求項８の光機能素子において、屈折率分散手段
として周期的分極反転層を用いているため、通常のグレ
ーティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波
を発生することができ、より高出力の高調波が得られ
る。従って、本発明によれば、高調波の光変調が可能
で、且つ高出力の高調波が得られる光機能素子を提供す
ることができる。
項４、請求項８の光機能素子において、屈折率分散手段
として周期的分極反転層を用いているため、通常のグレ
ーティング等の屈折率分散手段に比べて効率良く高調波
を発生することができ、より高出力の高調波が得られ
る。従って、本発明によれば、高調波の光変調が可能
で、且つ高出力の高調波が得られる光機能素子を提供す
ることができる。
【００７２】請求項１１の光機能素子においては、請求
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して光導波路に周期的に電界を印加するような（一対
の）電極を周期的分極反転層の領域付近に設け、その周
期が周期的分極反転層の周期と同じであるため、請求項
９あるいは請求項１０と同様の作用効果が得られる他、
分極方向が一定の部分にのみ電界を印加するため、誘起
される放射モードの電界変化が導波モードの電界変化に
比例し、且つ位相も同じになるため、請求項９あるいは
請求項１０の素子に比べて効率良く導波モードを放射モ
ードに変換することができ、高調波の変調度を大きくと
れる。
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して光導波路に周期的に電界を印加するような（一対
の）電極を周期的分極反転層の領域付近に設け、その周
期が周期的分極反転層の周期と同じであるため、請求項
９あるいは請求項１０と同様の作用効果が得られる他、
分極方向が一定の部分にのみ電界を印加するため、誘起
される放射モードの電界変化が導波モードの電界変化に
比例し、且つ位相も同じになるため、請求項９あるいは
請求項１０の素子に比べて効率良く導波モードを放射モ
ードに変換することができ、高調波の変調度を大きくと
れる。
【００７３】請求項１２の光機能素子においては、請求
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して周期的分極反転層の付近の領域では周期的に電界を
印加させ、その他の部分では光導波路に垂直且つ面方向
に平行あるいは垂直に連続的に電界を印加するような
（一対の）電極を有しているため、請求項１１の作用効
果に加え、周期的分極反転層のない部分では、さらに導
波モードから放射モードへの変換効率を良くすることが
でき、高調波の変調度を大きくとれる。
項９あるいは請求項１０の光機能素子において、電極と
して周期的分極反転層の付近の領域では周期的に電界を
印加させ、その他の部分では光導波路に垂直且つ面方向
に平行あるいは垂直に連続的に電界を印加するような
（一対の）電極を有しているため、請求項１１の作用効
果に加え、周期的分極反転層のない部分では、さらに導
波モードから放射モードへの変換効率を良くすることが
でき、高調波の変調度を大きくとれる。
【００７４】請求項１３の光機能素子においては、請求
項１乃至請求項１２の光機能素子において、基板の底面
あるいは光導波路端面を除いた基板端面に光の吸収、遮
光層を有しているため、光導波路から基板中へ出射する
放射光が基板外へ洩れることがなく、光導波路からの出
射光と混ざることがない。このため、請求項１，５ある
いは請求項２，６の作用効果に加え、導波光の変調度を
より大きくとることができる。また、請求項３あるいは
請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１
０、請求項１１、請求項１２の作用効果に加え、高調波
の変調度をより大きくとることができる。
項１乃至請求項１２の光機能素子において、基板の底面
あるいは光導波路端面を除いた基板端面に光の吸収、遮
光層を有しているため、光導波路から基板中へ出射する
放射光が基板外へ洩れることがなく、光導波路からの出
射光と混ざることがない。このため、請求項１，５ある
いは請求項２，６の作用効果に加え、導波光の変調度を
より大きくとることができる。また、請求項３あるいは
請求項４、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１
０、請求項１１、請求項１２の作用効果に加え、高調波
の変調度をより大きくとることができる。
【００７５】請求項１４の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より手前の光導波
路部分において基本波を変調することにより結果的に高
調波を変調する方式であり、高調波の出力は基本波の光
強度の２乗に比例するため、高調波の変調度を大きくと
ることができる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より手前の光導波
路部分において基本波を変調することにより結果的に高
調波を変調する方式であり、高調波の出力は基本波の光
強度の２乗に比例するため、高調波の変調度を大きくと
ることができる。
【００７６】請求項１５の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より後の光導波路
部分に電界を印加して基本波及び高調波を同時に変調す
る方式であり、高調波は波長が基本波に対して短いた
め、電界の印加による屈折率楕円体の主軸の回転角が、
基本波のみを変調する場合に比べて大きくとれ、基本波
を変調する方式に比べると電極の長さをより短くするこ
とができる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の領域より後の光導波路
部分に電界を印加して基本波及び高調波を同時に変調す
る方式であり、高調波は波長が基本波に対して短いた
め、電界の印加による屈折率楕円体の主軸の回転角が、
基本波のみを変調する場合に比べて大きくとれ、基本波
を変調する方式に比べると電極の長さをより短くするこ
とができる。
【００７７】請求項１６の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の設けられた領域の光導
波路部分にのみ電界を加えて基本波及び高調波を同時に
変調するため、高調波の発生領域と変調領域の光導波路
が共通化でき、素子長が短く強度変調可能な高調波発生
素子が構成できる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層の設けられた領域の光導
波路部分にのみ電界を加えて基本波及び高調波を同時に
変調するため、高調波の発生領域と変調領域の光導波路
が共通化でき、素子長が短く強度変調可能な高調波発生
素子が構成できる。
【００７８】請求項１７の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より手前の光導波路及び
それに続く周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反
転層の領域の光導波路に電界を印加して基本波及び高調
波の変調を行なうため、請求項１４の場合と同様に高調
波の変調度を大きくとれる上に、さらに高調波そのもの
も直接変調するため、さらに変調度を大きくすることが
できる。また、請求項１２の作用効果に加えて、周期的
分極反転層より手前の光導波路のみの領域で基本波を変
調しそれに続く周期的分極反転層の領域の光導波路部で
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１４の場
合と同様に、さらに高調波の変調度を大きくることがで
きる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より手前の光導波路及び
それに続く周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反
転層の領域の光導波路に電界を印加して基本波及び高調
波の変調を行なうため、請求項１４の場合と同様に高調
波の変調度を大きくとれる上に、さらに高調波そのもの
も直接変調するため、さらに変調度を大きくすることが
できる。また、請求項１２の作用効果に加えて、周期的
分極反転層より手前の光導波路のみの領域で基本波を変
調しそれに続く周期的分極反転層の領域の光導波路部で
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１４の場
合と同様に、さらに高調波の変調度を大きくることがで
きる。
【００７９】請求項１８の光機能素子においては、請求
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より後方の光導波路のみ
の領域及びその手前にある周期的屈折率分散手段あるい
は周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を印加して
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１５の場
合と同様に電極の長さを短くできるだけでなく、さらに
周期的屈折率分散領域あるいは周期的分極反転領域にあ
る光導波路部分でも変調するため、さらに高調波の変調
度を大きくとることができる。また、請求項１２の作用
効果に加えて、周期的分極反転層より後方の光導波路の
みの領域及びその手前にある周期的分極反転層の領域の
光導波路に電界を印加して基本波及び高調波の変調を行
なうため、請求項１５の場合と同様に基本波のみを変調
する場合より電極の長さをより短くできる。
項３あるいは請求項４、請求項７、請求項８、請求項
９、請求項１０の作用効果に加えて、周期的屈折率分散
手段あるいは周期的分極反転層より後方の光導波路のみ
の領域及びその手前にある周期的屈折率分散手段あるい
は周期的分極反転層の領域の光導波路に電界を印加して
基本波及び高調波の変調を行なうため、請求項１５の場
合と同様に電極の長さを短くできるだけでなく、さらに
周期的屈折率分散領域あるいは周期的分極反転領域にあ
る光導波路部分でも変調するため、さらに高調波の変調
度を大きくとることができる。また、請求項１２の作用
効果に加えて、周期的分極反転層より後方の光導波路の
みの領域及びその手前にある周期的分極反転層の領域の
光導波路に電界を印加して基本波及び高調波の変調を行
なうため、請求項１５の場合と同様に基本波のみを変調
する場合より電極の長さをより短くできる。
【図１】本発明の一実施例を示す図であって、（ａ）は
光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子の断面図であ
る。
光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子の断面図であ
る。
【図２】本発明の別の実施例を示す図であって、（ａ）
は光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子の断面図で
ある。
は光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子の断面図で
ある。
【図３】本発明の別の実施例を示す図であって、図２に
示す光機能素子を用いて構成した短波長光源の概略構成
図である。
示す光機能素子を用いて構成した短波長光源の概略構成
図である。
【図４】本発明のさらに別の実施例を示す光機能素子の
平面図である。
平面図である。
【図５】本発明のさらに別の実施例を示す光機能素子の
平面図である。
平面図である。
【図６】本発明のさらに別の実施例を示す光機能素子の
斜視図である。
斜視図である。
【図７】本発明のさらに別の実施例を示す光機能素子の
斜視図である。
斜視図である。
【図８】本発明のさらに別の実施例を示す光機能素子の
平面図である。
平面図である。
【図９】本発明のさらに別の実施例を示す光機能素子の
断面図である。
断面図である。
【図１０】従来技術の一例を示す光機能素子の斜視図で
ある。
ある。
【図１１】従来技術の別の例を示す図であって、（ａ）
は光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子の平面図で
ある。
は光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子の平面図で
ある。
【図１２】本発明のさらに別の実施例を示す図であっ
て、（ａ）は光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子
の断面図である。
て、（ａ）は光機能素子の斜視図、（ｂ）は光機能素子
の断面図である。
１・・・基板 ２ａ，２ｂ・・・（一対の）電極 ３・・・光導波路 ４・・・周期的屈折率分散手段（あるいは周期的分極反
転層） ５，６・・・吸収層（あるいは遮光層） ７・・・光源 ７ａ，７ｂ・・・バッファ層 ８，９・・・集光レンズ １１・・・ＬiＴaXＮb1-XＯ3層
転層） ５，６・・・吸収層（あるいは遮光層） ７・・・光源 ７ａ，７ｂ・・・バッファ層 ８，９・・・集光レンズ １１・・・ＬiＴaXＮb1-XＯ3層
Claims (18)
- 【請求項１】ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の
±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板
上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に結晶の
異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製法を用
いて作製した光導波路を有し、該光導波路に垂直且つ面
方向に平行に電界を印加するような（一対の）電極を備
え、導波路型光スイッチ、光変調器として機能する光機
能素子。 - 【請求項２】ＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬ
iＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 あるい
はＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮ
b1-XＯ3からなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波路
を有し、該光導波路に垂直且つ面方向に垂直に電界を印
加するような（一対の）電極を備え、導波路型光スイッ
チ、光変調器として機能する光機能素子。 - 【請求項３】コヒーレントな光源、及びＬiＮbＯ3 の±
Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あ
るいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-X
Ｏ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段及び結晶の
異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製法を用
いて作製した光導波路、及び光導波路に垂直且つ面方向
に平行に電界を印加するような（一対の）電極を有し、
上記屈折率分散手段の周期Λが次式を満たし、強度変調
可能な高調波発生素子として機能する光機能素子。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． - 【請求項４】コヒーレントな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ
板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板
あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくは
Ｘ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周
期的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを
増加させる光導波路作製法を用いて作製した光導波路、
及び光導波路に垂直且つ面方向に垂直に電界を印加する
ような（一対の）電極を有し、上記屈折率分散手段の周
期Λが次式を満たし、強度変調可能な高調波発生素子と
して機能する光機能素子。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． - 【請求項５】ＬiＮbＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の
±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板
上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に結晶の
異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製法とし
てプロトン（Ｈ+)をドープして作製した光導波路を有
し、該光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加す
るような（一対の）電極を備え、導波路型光スイッチ、
光変調器として機能する光機能素子。 - 【請求項６】ＬiＮbＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬ
iＴaＯ3 のＹ板もしくはＸ板あるいはＬiＮbＯ3 あるい
はＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板上に形成したＬiＴaXＮ
b1-XＯ3からなる基板上に結晶の異常光屈折率ｎe のみ
を増加させる光導波路作製法としてプロトン(Ｈ+)をド
ープして作製した光導波路を有し、該光導波路に垂直且
つ面方向に垂直に電界を印加するような（一対の）電極
を備え、導波路型光スイッチ、光変調器として機能する
光機能素子。 - 【請求項７】コヒーレントな光源、及びＬiＮbＯ3 の±
Ｚ板あるいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板あるいはＬiＮbＯ3 あ
るいはＬiＴaＯ3 の±Ｚ板上に形成したＬiＴaXＮb1-X
Ｏ3からなる基板上に周期的屈折率分散手段及び結晶の
異常光屈折率ｎe のみを増加させる光導波路作製法とし
てプロトン（Ｈ+)をドープして作製した光導波路、及び
光導波路に垂直且つ面方向に平行に電界を印加するよう
な（一対の）電極を有し、上記屈折率分散手段の周期Λ
が次式を満たし、強度変調可能な高調波発生素子として
機能する光機能素子。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． - 【請求項８】コヒーレントな光源、及びＬiＮbＯ3 のＹ
板もしくはＸ板あるいはＬiＴaＯ3のＹ板もしくはＸ板
あるいはＬiＮbＯ3 あるいはＬiＴaＯ3 のＹ板もしくは
Ｘ板上に形成したＬiＴaXＮb1-XＯ3からなる基板上に周
期的屈折率分散手段及び結晶の異常光屈折率ｎe のみを
増加させる光導波路作製法としてプロトン（Ｈ+)をドー
プして作製した光導波路、及び光導波路に垂直且つ面方
向に垂直に電界を印加するような（一対の）電極を有
し、上記屈折率分散手段の周期Λが次式を満たし、強度
変調可能な高調波発生素子として機能する光機能素子。 Λ＝(ｍ／２)｛λw／(|ｎ2w−ｎw|)｝ （ｍ＝1,
2,3・・・） 但し、λw：基本波の波長． ｎw：基本波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． ｎ2w：高調波に対応する光導波路の導波モードの等価屈
折率． - 【請求項９】請求項３、請求項７記載の光機能素子にお
いて、屈折率分散手段として周期的分極反転層を有する
ことを特徴とする光機能素子。 - 【請求項１０】請求項４、請求項８記載の光機能素子に
おいて、屈折率分散手段として周期的分極反転層を有す
ることを特徴とする光機能素子。 - 【請求項１１】請求項９あるいは請求項１０記載の光機
能素子において、電極として光導波路に周期的に電界を
印加させるような（一対の）電極を周期的分極反転層の
領域付近に設け、且つその周期が周期的分極反転層の周
期と同じであることを特徴とする光機能素子。 - 【請求項１２】請求項９あるいは請求項１０記載の光機
能素子において、電極として周期的分極反転層の付近の
領域では周期的に電界を印加させ、その他の部分は光導
波路に垂直且つ面方向に平行あるいは垂直に連続的に電
界を印加するような（一対）の電極を有することを特徴
とする光機能素子。 - 【請求項１３】請求項１乃至請求項１２記載の光機能素
子において、基板の底面あるいは光導波路端面を除いた
基板端面に光の吸収、遮光層を有することを特徴とする
光機能素子。 - 【請求項１４】請求項３あるいは請求項４、請求項７、
請求項８、請求項９、請求項１０記載の光機能素子にお
いて、周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反転層
より手前の光導波路部分に電界を印加して高調波の変調
を行なうようにしたことを特徴とする光機能素子。 - 【請求項１５】請求項３あるいは請求項４、請求項７、
請求項８、請求項９、請求項１０記載の光機能素子にお
いて、周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反転層
より後方の光導波路部分に電界を印加して高調波の変調
を行なうようにしたことを特徴とする光機能素子。 - 【請求項１６】請求項３あるいは請求項４、請求項７、
請求項８、請求項９、請求項１０記載の光機能素子にお
いて、周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反転層
の設けられた領域の光導波路部分にのみ電界を印加して
高調波の変調を行なうようにしたことを特徴とする光機
能素子。 - 【請求項１７】請求項３あるいは請求項４、請求項７、
請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１２記載の光
機能素子において、周期的屈折率分散手段あるいは周期
的分極反転層より手前の光導波路のみの領域及びそれに
続く周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反転層の
領域の光導波路に電界を印加して高調波の変調を行なう
ようにしたことを特徴とする光機能素子。 - 【請求項１８】請求項３あるいは請求項４、請求項７、
請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１２記載の光
機能素子において、周期的屈折率分散手段あるいは周期
的分極反転層より後方の光導波路のみの領域及びその手
前にある周期的屈折率分散手段あるいは周期的分極反転
層の領域の光導波路に電界を印加して高調波の変調を行
なうようにしたことを特徴とする光機能素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11337793A JPH0627427A (ja) | 1992-05-15 | 1993-05-14 | 光機能素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12376392 | 1992-05-15 | ||
| JP4-123763 | 1992-05-15 | ||
| JP11337793A JPH0627427A (ja) | 1992-05-15 | 1993-05-14 | 光機能素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627427A true JPH0627427A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=26452366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11337793A Pending JPH0627427A (ja) | 1992-05-15 | 1993-05-14 | 光機能素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627427A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4431589A1 (de) * | 1994-09-05 | 1996-03-07 | Deutsche Telekom Ag | Integriert-optischer Einseitenbandmodulator für Mikrowellenfrequenzen |
| JPH09325227A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Fujikura Ltd | 光導波路グレーティング |
| KR100888477B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2009-03-12 | 삼성전자주식회사 | 1차원 광변조기 및 이를 채용한 화상 출력 장치 |
| US7630132B2 (en) | 2005-05-23 | 2009-12-08 | Ricoh Company, Ltd. | Polarization control device |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11337793A patent/JPH0627427A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4431589A1 (de) * | 1994-09-05 | 1996-03-07 | Deutsche Telekom Ag | Integriert-optischer Einseitenbandmodulator für Mikrowellenfrequenzen |
| DE4431589C2 (de) * | 1994-09-05 | 1999-06-17 | Deutsche Telekom Ag | Integriert-optischer Einseitenbandmodulator für Mikrowellenfrequenzen |
| JPH09325227A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Fujikura Ltd | 光導波路グレーティング |
| US7630132B2 (en) | 2005-05-23 | 2009-12-08 | Ricoh Company, Ltd. | Polarization control device |
| KR100888477B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2009-03-12 | 삼성전자주식회사 | 1차원 광변조기 및 이를 채용한 화상 출력 장치 |
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