JPH0643513A

JPH0643513A - 波長変換素子

Info

Publication number: JPH0643513A
Application number: JP19886092A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Fukuda; 浩章福田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-07-24
Filing date: 1992-07-24
Publication date: 1994-02-18

Abstract

(57)【要約】【目的】安定に第２高調波を発生し光変調可能な波長変
換素子を提供する。【構成】本発明の波長変換素子は、所定波長を有する基
本波レーザ光を基板１上または基板１中に形成した非線
形媒質からなる光導波路２中を通過させて高調波レーザ
光を発生させる波長変換素子であり、テーパー状に導波
路幅Ｌを変化させ異なった導波路幅Ｌを有する光導波路
２と電極４を有することを特徴とする。【効果】本発明の波長変換素子においては、上記電極に
電圧を印加しない場合には、基本波はカットオフになり
基板中に放射され第２高調波発生部分に入射せず、第２
高調波は発生しないが、印加した場合には導波モード状
態になるため、第２高調波発生部分に基本波が入射し第
２高調波が発生するため、電圧のオン、オフにより光導
波路から出射する第２高調波出射光を変調することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクドライブの
光ピックアップ用光源、レーザプリンタの書き込み用光
源、あるいは光計測、光化学、光表示素子等の光源に応
用される波長変換素子に関し、特に、レーザ光を基本波
として第２高調波を発生し、光変調可能な光導波路型の
波長変換素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】波長変換素子、特に第２高調波発生（Ｓ
ＨＧ）素子は、非線形効果を持つ光学結晶材料を用いて
波長λのレーザ光をλ／２の波長に変換する素子であ
る。従来、ＳＨＧ素子には高出力のコヒーレント光源と
非線形結晶のバルク形素子が用いられてきた。現在、光
ディスクドライブ装置やレーザプリンタ装置等を小型化
する要求が強いため、光源として半導体レーザがガスレ
ーザに代わり用いられるようになってきた。この半導体
レーザを光源とする場合、その出力が数ｍＷ〜数１０ｍ
Ｗであるため、高い変換効率を得る必要上、薄膜導波路
型のＳＨＧ素子が用いられている。ここで、従来の導波
路型第２高調波発生素子としては、例えば、(１)特開平
２−２４２２３６号公報等に開示されたものが知られて
いる。また、導波路型の光変調素子としては、(２)西
原、他「光集積回路」オーム社，pp.313-314、等に記載
されたものが知られている。

【０００３】図７に上記従来技術(１)の導波路型第２高
調波発生素子を示す。図７において、符号１は非線形効
果を持つ結晶基板、Ｇ１は基板１上に形成された導波
路、ＺＤ１〜ＺＤｎは導波路の分極に対して周期的に分
極が反転している部分である。この周期は基本波に対す
る導波路の等価屈折率と第２高調波に対する等価屈折率
から求まるコヒーレント長の偶数倍になっている。この
構造の素子の一方の導波路端面に基本波を入射すると、
第２高調波が他方の端面より基本波と共に出射する。こ
の素子は次のような方法で作製できる。先ず、フォトリ
ソグラフィー法等により基板上にチタン（Ｔｉ）の周期
的パターンを形成した後、約１０００℃でＴｉを基板内
に拡散し周期的分極反転層を作製する。次に、アルミニ
ウム（Ａｌ）をマスクとして導波路パターンを形成した
後、３００℃の安息香酸中でプロトン交換し、アニーリ
ング処理により導波路を作製している。

【０００４】次に２番目の従来例(２)に記載されたカッ
トオフ型光変調器／スイッチを図８に示す。ここで、基
板はＹカットＬｉＮｂＯ₃ で、上記従来例(１)と同様に
Ｔｉを拡散することにより３次元導波路を作製してい
る。この例では導波路幅を４μｍから２μｍにテーパー
状に変化している。この幅２μｍのところで導波モード
は厚み方向にカットオフされるが、この導波路に沿って
配置されている電極に電圧を印加することにより導波モ
ード伝搬状態を作り出すことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】光ディスク装置やレー
ザビームプリンタ等の情報処理機器、あるいは光応用計
測等では、小型でコヒーレントな光源として半導体レー
ザが用いられている。現在用いられている半導体レーザ
の発振波長は７８０ｎｍ、８３０ｎｍ等の近赤外光であ
るが、近年レーザ光の短波長化が進められている。例え
ば、光ディスク装置では、波長を短くすることによりレ
ーザ光のスポット径を小さくすることができるため、光
ディスクに書き込む情報量を増大させることが可能にな
る。また、レーザビームプリンタでは、波長を短くする
ことにより、微小画像を形成することができるため記録
密度を増大させることができ、解像度を向上させること
が可能になる。また、光応用計測では、波長を短くする
ことにより、計測精度の向上が可能になる。しかし、発
振波長が６００ｎｍ台の半導体レーザは得られている
が、緑色、青色光を室温で直接連続発振する半導体レー
ザは現在実現されていない。従って、緑色、青色光領域
のレーザ光はアルゴンイオンレーザ等の大型気体レーザ
によってしか得ることができなかった。

【０００６】そこで、このような大型レーザを用いるこ
と無く緑色、青色光領域のレーザ光を得るためには、前
述したように、非線形光学材料を用いた波長変換素子
（第２高調波発生素子）によりレーザ光を波長変換する
ことにより実現することが可能である。ここで、従来例
の方法で作製された第２高調波発生素子は、周期的分極
反転層を用いて基本波と第２高調波の位相を整合させて
いる。しかし、光を高速変調したい場合、従来例では光
源をオン・オフする以外なく、光源に半導体レーザを用
いた場合では、オン・オフに対して波長変動が生じるた
め、通常、位相整合を取るのが大変困難になる。本発明
は上記事情に鑑みてなされたものであって、安定に第２
高調波を発生し、光変調可能な波長変換素子を実現する
ことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明では、所定波長を有する基本波レー
ザ光を基板上または基板中に形成した非線形媒質からな
る光導波路中を通過させて高調波レーザ光を発生させる
波長変換素子において、テーパー状に導波路幅を変化さ
せ異なった導波路幅を有する光導波路と電極を有するこ
とを特徴としている。

【０００８】請求項２の発明は、上記請求項１の波長変
換素子において、基本波レーザ光の波長をλとすると
き、基本波の導波モードに対する伝搬定数をβ(λ)、前
記基本波に対する第２高調波の伝搬定数をβ(λ／２)、
そしてｍを自然数とすると、 Λ＝２(２ｍ−１)π／{β(λ／２)−２β(λ)} なる関係を満たすような周期Λの分極反転構造を第２高
調波発生部分に有していることを特徴としている。

【０００９】また、請求項３の発明では、請求項１の波
長変換素子において、非線形媒質にＬｉＴａＯ₃ の−ｚ
板、あるいはＬｉＮｂＯ₃ のｚ板を用い、プロトンをド
ープして作製した光導波路を有し、該光導波路に垂直か
つ面方向に平行に電界を印加するような一対の電極を有
することを特徴としている。また、請求項４の発明で
は、請求項１記載の波長変換素子において、非線形媒質
にＬｉＮｂＯ₃ のｘ板、あるいはｙ板を用い、プロトン
をドープして作製した光導波路、あるいはＴｉを拡散し
て作製した光導波路を有し、該光導波路に垂直かつ面方
向に平行に電界を印加するような一対の電極を有するこ
とを特徴としている。

【００１０】請求項５の発明は、請求項１記載の波長変
換素子において、基板の底面あるいは光導波路端面を除
いた基板端面に光の吸収、遮光層を有することを特徴と
している。また、請求項６の発明は、請求項２記載の波
長変換素子において、周期的分極反転層がテーパー状に
導波路幅を変化させ異なった導波路幅を有する光導波路
の導波路幅変化部に形成され、その部分に光導波路に垂
直かつ面方向に平行に電界を印加するような一対の電極
を有することを特徴としている。

【００１１】

【作用】本発明では、所定波長を有する基本波レーザ光
を基板上または基板中に形成した非線形媒質からなる光
導波路中を通過させて高調波レーザ光を発生させる波長
変換素子において、テーパー状に導波路幅を変化させ異
なった導波路幅を有する光導波路と電極を有するため、
電極に電圧を印加しない場合には、基本波はカットオフ
になり基板中に放射され第２高調波発生部分に入射せ
ず、第２高調波は発生しないが、印加した場合には導波
モード状態になるため、第２高調波発生部分に基本波が
入射し第２高調波が発生するため、電圧のオン、オフに
より光導波路から出射する第２高調波出射光を変調する
ことができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例を示す波長変換素
子の斜視図である。図１において、符号１は非線形材料
ＬｉＴａＯ₃ からなる単結晶基板であり、基板方位は−
ｚ板である。また、符号２は基板１上に作製した基板１
よりも高い屈折率を持った３次元導波路、３は非線形分
極が周期的に反転している分極反転領域、４は電極、５
は導波路テーパー部分である。尚、上記実施例の他に、
ＬｉＮｂＯ₃ 基板や、ＭｇＯをドープしたＬｉＮｂＯ₃
基板、ＫＴｉＯＰＯ₄ 基板等でも実現可能である。ここ
で、３次元導波路を導波する基本波の波長をλ、前記基
本波に対する伝搬定数をβ(λ)、前記基本波に対する第
２高調波の伝搬定数をβ(λ／２)、そしてｍを自然数と
すると、 β(λ／２)−２β(λ)＝２(２ｍ−１)π／Λ なる関係を満たすように、３次元導波路の光伝搬方向に
分極反転の周期Λを設けることにより効率良く第２高調
波を発生させることができる。

【００１３】上記波長変換素子の作製法としては、Ｌｉ
ＴａＯ₃ の−ｚ板を洗浄後、タンタル（Ｔａ）を用いて
図１の分極反転領域３形成部分以外の基板上をマスク
し、周期的パターンを形成した後、ピロリン酸あるいは
安息香酸等の溶液中で約２６０℃の温度でプロトン交換
を行なう。その後、弗硝酸の混合液でＴａマスクを除去
した後、ＬｉＴａＯ₃ 結晶のキュリー点直下の温度（６
００℃）で熱処理することによりマスクされていない部
分に分極が反転した領域３が形成される。この分極反転
領域３の厚さは、プロトン交換時間、熱処理時間等を変
化させることにより調整できる。また、ＬｉＮｂＯ₃ 結
晶を用いた場合には、周期的にＴｉを拡散、あるいは、
周期的にＳｉＯ₂ 層を装荷した後、キュリー点直下（約
１０００℃）まで加熱し急冷することにより周期的分極
反転層３を形成することができる。

【００１４】分極反転領域形成後、３次元導波路２は、
Ｔａを用いて３次元導波路部分上面以外をマスクした
後、ピロリン酸、安息香酸等の溶液中で約２６０℃程度
の温度でプロトン交換することにより、マスクされてい
ない部分に高屈折率層が形成されることにより作製でき
る。また、Ｒｂ，Ｃｓ，Ａｇ等の金属を約３００〜４０
０℃付近で拡散することによっても３次元導波路を作製
することが可能である。さらに、基板にＫＴｉＯＰＯ₄
結晶のｚ板を用いた場合には、ＲｂＮＯ₃／Ｂａ(ＮＯ₃)
₂の溶融塩をイオン源にすることにより、イオン交換に
より上記同様の３次元導波路が作製可能である。尚、こ
れらの３次元導波路は単一モード導波路であることが望
ましい。

【００１５】また、３次元導波路はＴｉ，Ｃｕ等を約１
０００℃程度の温度で拡散することによっても作製でき
る。この場合、基板にＬｉＮｂＯ₃ 結晶を用いた場合に
は、そのキュリー点が約１１００℃であるのでポーリン
グを行なって分極方向を揃える必要は無いが、ＬｉＴａ
Ｏ₃ 結晶を用いた場合には、キュリー点が約６００℃で
あるので、３次元導波路作製後、結晶のｃ軸方向にキュ
リー点近くの温度で電界を印加し分極を揃える必要があ
る。また、ＬｉＴａＯ₃ 結晶は、光損傷しきい値が高い
ため光損傷に強い特徴がある。

【００１６】また、図１に示すように、導波路２におい
て、基板と導波路の屈折率差を基本モードのカットオフ
よりわずかに小さい値になるように導波路幅を選択する
ことにより、電極４に印加する電圧Ｖ＝０で導波モード
はカットオフ、Ｖ≠０で導波モードの状態を実現するこ
とが可能になる。すなわち、導波路幅をテーパー状に変
化させ、幅の細い導波路を作製し、この部分に電極４を
配置することにより、この部分で導波モードの等価屈折
率が変化し、導波モードが導波路幅方向にカットオフさ
れる。しかし、電圧を電極４に印加した場合、電極配置
部分の光導波路の等価屈折率が変化し導波モード状態を
実現できる。尚、この電極４はプラズマＣＶＤ法を用い
て形成したシリコン酸化膜のバッファ層の上に電界めっ
き法を用いて形成した。すなわち、バッファ層の上に、
接着層としてＮｉＣｒ−Ａｕを蒸着した後、厚膜レジス
トをパターニングし、そのパターンをガイドにしてＡｕ
を電界めっきで成長させた後、レジストリムーバでレジ
スト部分を除去しＡｕめっき以外をエッチングで除去し
た。また、Ａｌ，Ｎｉの場合は、リフトオフ法、フォト
リソグラフィー法等で形成できる。

【００１７】上記実施例において、ＬｉＴａＯ₃ 結晶を
用いた場合、波長０．８３μｍの基本波では基板の屈折
率の波長分散は、常光に相当する電界方向がｘ方向を向
いているＥx₀₀ モードを用いた場合で２．１５０９、異
常光に相当する電界方向がｚ方向を向いているＥz₀₀ モ
ードを用いた場合で２．１５５０、波長０．４１５μｍ
の第２高調波の波長では常光に相当する電界方向がｘ方
向を向いているＥx₀₀モードを用いた場合で２．２４２
２、異常光に相当する電界方向がｚ方向を向いているＥ
z₀₀ モードを用いた場合で２．２７４０である。ここ
で、導波路深さが１．８μｍ、導波路と基板との間の屈
折率差が０．０１ある場合の、Ｅz₀₀ モードの基本波の
波長０．８３μｍにおける、導波路幅に対する等価屈折
率分散は図２のようになる。また、Ｅz₀₀ モードの基本
波の波長０．４１５μｍにおける導波路幅に対する等価
屈折率分散は図３のようになる。

【００１８】上記実施例において、基本波に対する等価
屈折率をＮ(λ)、前記基本波の第２高調波に対する等価
屈折率をＮ(λ／２)、ｍを自然数とすると、 β(λ／２)−２β(λ)＝２(２ｍ−１)π／Λ β(λ)＝２πＮ(λ)／λ から、 Λ＝(２ｍ−１)λ／２{Ｎ(λ／２)−Ｎ(λ)} の関係を満たす周期Λの分極反転構造があれば高効率な
第２高調波の発生が得られる。ここで、一数値例とし
て、導波路幅が４．０μｍで、基本波に波長０．８３μ
ｍのＥz₀₀ モードを用い、第２高調波に波長０．４１５
μｍのＥz₀₀ モードを用いた場合、１次の疑似位相整合
を行なうための分極反転の周期は３．３４μｍ、３次の
疑似位相整合を行なうための分極反転の周期は１０．０
μｍになる。プロトン交換導波路ではＥz₀₀ モードのみ
が導波するので、このような偏波を用いる必要がある。

【００１９】上記実施例において、Ｅz₀₀ モードの基本
波を入射した場合、電極４に電圧を印加した場合には基
本波はカットオフされることなく位相整合部に入射し、
第２高調波が発生し導波路端面から出射されるが、電極
４に電界を印加しない場合には、基本波は導波路幅が細
くなっている部分でカットオフになり放射光になるた
め、位相整合部に入射せず、第２高調波は導波路端面か
ら出射されない。さらに、周期的分極反転層３は図４に
示すように導波路幅が細くなっている部分にあっても同
様の効果が得られる。この場合も、電極４に電圧を印加
した場合には第２高調波が導波路端面から出射される
が、電極４に電圧を印加しない場合には基本波はカット
オフになっているので第２高調波は導波路端面から出射
されない。この場合には電圧を印加することにより光導
波路の導波モードに対する等価屈折率が変化するため、
電圧印加時に第２高調波発生のための位相整合条件を満
足するように周期的分極反転層３の周期を設定すること
により、電圧を印加していない場合には位相整合がとれ
なくなり第２高調波発生効率も低下するが、電圧印加時
には効率良く第２高調波が発生するため、より高い変調
度が得られる。カットオフされた光は基板１中の放射モ
ードと結合し、放射光となって基板１の底面や端面に到
達する。これらの放射光は、図５に示すように光の吸収
層５，６を基板底面及び基板端面の導波路端面以外に設
けることによりノイズと成ることなく吸収され、基板外
に放出されることはなくなる。

【００２０】また上記実施例の他に、図６に示すよう
に、基板１にＬｉＮｂＯ₃ 結晶のｚ板を用いても同様な
効果を得ることが可能である。また基本波の波長が１．
０μｍ以上である場合には、周期的分極反転層が無くて
も位相整合が可能である。この場合、素子は図６に示す
ように基板１にＬｉＮｂＯ₃ 結晶のｙ板を用い、基本波
にＥy₀₀ モード、第２高調波にＥz₀₀ モードを用いると
結晶の複屈折を利用して位相整合をとることが可能とな
る。上記実施例において、ＬｉＴａＯ₃ 結晶、ＬｉＮｂ
Ｏ₃ 結晶共に一軸性の光学結晶であり、光学軸をｚ軸に
取った場合、ｚ軸に垂直な方向は光学的に等方であるた
めｙ軸、ｘ軸の区別は特になく、両者を交換しても効果
は同様である。

【００２１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明で
は、所定波長を有する基本波レーザ光を基板上または基
板中に形成した非線形媒質からなる光導波路中を通過さ
せて高調波レーザ光を発生させる波長変換素子におい
て、テーパー状に導波路幅を変化させ異なった導波路幅
を有する光導波路と電極を有するため、電極に電圧を印
加しない場合には、基本波はカットオフになり基板中に
放射され第２高調波発生部分に入射せず、第２高調波は
発生しないが、印加した場合には導波モード状態になる
ため、第２高調波発生部分に基本波が入射し第２高調波
が発生するため、電圧のオン、オフにより光導波路から
出射する第２高調波出射光を変調することができる。

【００２２】請求項２の波長変換素子においては、請求
項１の作用効果に加えて、基本波レーザ光の波長をλと
するとき、基本波の導波モードに対する伝搬定数をβ
(λ)、前記基本波に対する第２高調波の伝搬定数をβ
(λ／２)、そしてｍを自然数とすると、 Λ＝２(２ｍ−１)π／{β(λ／２)−２β(λ)} なる関係を満たすような周期Λの分極反転構造を有して
いるため、第２高調波発生を行なう非線形媒質の種類を
増やすことができ、さらに、位相整合可能な波長領域を
広げ、任意の波長の第２高調波を発生することができ
る。

【００２３】請求項３の波長変換素子においては、請求
項１の作用効果に加えて、非線形媒質にＬｉＴａＯ₃ の
−ｚ板、あるいはＬｉＮｂＯ₃ のｚ板を用いているた
め、同一基板上に大量に作製可能でありコストダウンが
図れる。また、光導波路をプロトンをドープして作製し
ているため安定に作製することが可能であり、さらに、
光導波路に垂直かつ面方向に平行に電界を印加するよう
な一対の電極を有しているため、電圧のオン、オフによ
り光導波路からの第２高調波出射光を変調することがで
きる。

【００２４】請求項４の波長変換素子においては、請求
項１の作用効果に加えて、非線形媒質にＬｉＮｂＯ₃ の
ｘ板、あるいはｙ板を用いているので、より低コストに
作製可能である。また、プロトンをドープして作製した
光導波路、あるいはＴｉを拡散して作製した光導波路を
有し、光導波路に垂直かつ面方向に平行に電界を印加す
るような一対の電極を有しているので、電圧のオン、オ
フにより光導波路からの第２高調波出射光を変調するこ
とができる。

【００２５】請求項５の波長変換素子においては、請求
項１の作用効果に加えて、基板の底面あるいは光導波路
端面を除いた基板端面に光の吸収、遮光層を有するた
め、光導波路から基板中に放射する放射光が基板外に洩
れることがなく、光導波路端面からの出射光と混ざるこ
とがないため、より高い変調度を得ることができる。

【００２６】請求項６の波長変換素子においては、請求
項１，２の作用効果に加えて、周期的分極反転層がテー
パー状に導波路幅を変化させ異なった導波路幅を有する
光導波路の導波路幅変化部に形成され、その部分に光導
波路に垂直かつ面方向に平行に電界を印加するような一
対の電極を有しているため、電極に電圧を印加すること
により光導波路の導波モードに対する等価屈折率が変化
するため、電圧を印加していない場合には位相整合がと
れなくなり第２高調波発生効率も低下するが、電圧印加
時には効率良く第２高調波が発生するため高い変調度が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す波長変換素子の斜視図
である。

【図２】図１に示す波長変換素子において、導波路深さ
が１．８μｍ、導波路と基板との間の屈折率差が０．０
１ある場合の、Ｅz₀₀ モードの基本波の波長０．８３μ
ｍにおける、導波路幅に対する等価屈折率を示す図であ
る。

【図３】図１に示す波長変換素子において、導波路深さ
が１．８μｍ、導波路と基板との間の屈折率差が０．０
１ある場合の、Ｅz₀₀ モードの基本波の波長０．４１５
μｍにおける導波路幅に対する等価屈折率を示す図であ
る。

【図４】本発明の別の実施例を示す波長変換素子の断面
図である。

【図５】本発明のさらに別の実施例を示す波長変換素子
の断面図である。

【図６】本発明のさらに別の実施例を示す波長変換素子
の斜視図である。

【図７】従来技術の一例を示す導波路型第２高調波発生
素子の斜視図である。

【図８】従来技術の別の例を示すカットオフ型光変調器
／スイッチの説明図である。

【符号の説明】

１・・・基板２・・・光導波路３・・・分極反転領域（分極反転層）４・・・電極５，６・・・光の吸収層Ｌ・・・導波路幅 Λ・・・分極反転の周期

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定波長を有する基本波レーザ光を基板上
または基板中に形成した非線形媒質からなる光導波路中
を通過させて高調波レーザ光を発生させる波長変換素子
において、テーパー状に導波路幅を変化させ異なった導
波路幅を有する光導波路と電極を有することを特徴とす
る波長変換素子。
【請求項２】請求項１記載の波長変換素子において、基
本波レーザ光の波長をλとするとき、基本波の導波モー
ドに対する伝搬定数をβ(λ)、前記基本波に対する第２
高調波の伝搬定数をβ(λ／２)、そしてｍを自然数とす
ると、 Λ＝２(２ｍ−１)π／{β(λ／２)−２β(λ)} なる関係を満たすような周期Λの分極反転構造を第２高
調波発生部分に有していることを特徴とする波長変換素
子。
【請求項３】請求項１記載の波長変換素子において、非
線形媒質にＬｉＴａＯ₃ の−ｚ板、あるいはＬｉＮｂＯ
₃ のｚ板を用い、プロトンをドープして作製した光導波
路を有し、該光導波路に垂直かつ面方向に平行に電界を
印加するような一対の電極を有することを特徴とする波
長変換素子。
【請求項４】請求項１記載の波長変換素子において、非
線形媒質にＬｉＮｂＯ₃ のｘ板、あるいはｙ板を用い、
プロトンをドープして作製した光導波路、あるいはＴｉ
を拡散して作製した光導波路を有し、該光導波路に垂直
かつ面方向に平行に電界を印加するような一対の電極を
有することを特徴とする波長変換素子。
【請求項５】請求項１記載の波長変換素子において、基
板の底面あるいは光導波路端面を除いた基板端面に光の
吸収、遮光層を有することを特徴とする波長変換素子。
【請求項６】請求項２記載の波長変換素子において、周
期的分極反転層がテーパー状に導波路幅を変化させ異な
った導波路幅を有する光導波路の導波路幅変化部に形成
され、その部分に光導波路に垂直かつ面方向に平行に電
界を印加するような一対の電極を有することを特徴とす
る波長変換素子。