JP3010766B2 - 光第２高調波発生装置 - Google Patents
光第２高調波発生装置Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
- G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波光源としての半
導体レーザと、これよりの光を短波長化する光第２高調
波素子（ＳＨＧ素子という）を有する光第２高調波発生
装置（ＳＨＧ装置という）に係わる。
導体レーザと、これよりの光を短波長化する光第２高調
波素子（ＳＨＧ素子という）を有する光第２高調波発生
装置（ＳＨＧ装置という）に係わる。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク、光磁気ディスク等の高密度
記録、高解像度再生等の目的から短波長光の必要性が高
まっている。
記録、高解像度再生等の目的から短波長光の必要性が高
まっている。
【０００３】この短波長光を取出すことのできる光デバ
イスとして非線形光学結晶を用いたＳＨＧ素子に対して
波長λ0 例えば８４０ｎｍ程度の半導体レーザ光を基本
波光として導入してこの基本波光の第２高調波による例
えば波長４２０ｎｍの青色光に変換するＳＨＧ装置が注
目されている。このＳＨＧ装置は、例えば図１に示すよ
うに非線形光学結晶４の一主面４ａ側に光導波路５を例
えばストライプ状に例えば選択的にプロトン交換を行っ
て高屈折率の領域を形成することによって構成してい
る。
イスとして非線形光学結晶を用いたＳＨＧ素子に対して
波長λ0 例えば８４０ｎｍ程度の半導体レーザ光を基本
波光として導入してこの基本波光の第２高調波による例
えば波長４２０ｎｍの青色光に変換するＳＨＧ装置が注
目されている。このＳＨＧ装置は、例えば図１に示すよ
うに非線形光学結晶４の一主面４ａ側に光導波路５を例
えばストライプ状に例えば選択的にプロトン交換を行っ
て高屈折率の領域を形成することによって構成してい
る。
【０００４】そして、この光導波路５の一端部５ａから
半導体レーザ３からの波長λ0 のレーザ光を入射し、他
方の端部５ｂから２次高調波のλ0 ／２を有する短波長
光を例えば基本波光と共に取出し、この出力光をフィル
ター（図示せず）を通ずることによって短波長光のみを
取出すという構成が採られる。
半導体レーザ３からの波長λ0 のレーザ光を入射し、他
方の端部５ｂから２次高調波のλ0 ／２を有する短波長
光を例えば基本波光と共に取出し、この出力光をフィル
ター（図示せず）を通ずることによって短波長光のみを
取出すという構成が採られる。
【０００５】このような導波路型ＳＨＧ素子を用いる場
合、高ＳＨＧ出力を得るには、その光導波路５における
基本波と第２高調波とが位相整合することが必要とな
る。
合、高ＳＨＧ出力を得るには、その光導波路５における
基本波と第２高調波とが位相整合することが必要とな
る。
【０００６】ところが、非線形光学結晶４としてその非
線形光学定数ｄ33が高いことから、この種のＳＨＧ素子
として用いて好適な例えばＬｉＮｂＯ3 （ＬＮという）
を用いる場合、その高出力が得られる基本波は、例えば
通常の一般的な半導体レーザの発振波長７８０〜９００
ｎｍより長い波長の例えば１０００ｎｍ程度で位相整合
がとられることから基本波光源として半導体レーザを用
いるに不適当である。このため、この種ＳＨＧ素子にお
いては、その光導波路５の形成部に擬似位相整合をとる
ための位相整合手段１が設けられる。
線形光学定数ｄ33が高いことから、この種のＳＨＧ素子
として用いて好適な例えばＬｉＮｂＯ3 （ＬＮという）
を用いる場合、その高出力が得られる基本波は、例えば
通常の一般的な半導体レーザの発振波長７８０〜９００
ｎｍより長い波長の例えば１０００ｎｍ程度で位相整合
がとられることから基本波光源として半導体レーザを用
いるに不適当である。このため、この種ＳＨＧ素子にお
いては、その光導波路５の形成部に擬似位相整合をとる
ための位相整合手段１が設けられる。
【０００７】この位相整合手段１は、例えば図１に矢印
ａに示すようにその分極が単分域化された非線形光学結
晶４の主面４ａ側に、光導波路５に沿って周期的に例え
ば選択的にＴｉドープしてその分極方向を周期的に反転
させるかあるいはその屈折率が周期的に変化するように
した位相整合手段１を形成し、その周期分極反転あるい
は屈折率変化による位相整合手段１によって所要の入力
基本波の波長とその２次高調波の整合を採らしめるよう
にする構成が採られる。
ａに示すようにその分極が単分域化された非線形光学結
晶４の主面４ａ側に、光導波路５に沿って周期的に例え
ば選択的にＴｉドープしてその分極方向を周期的に反転
させるかあるいはその屈折率が周期的に変化するように
した位相整合手段１を形成し、その周期分極反転あるい
は屈折率変化による位相整合手段１によって所要の入力
基本波の波長とその２次高調波の整合を採らしめるよう
にする構成が採られる。
【０００８】ところが、このような位相整合手段１は、
実際上温度依存性を有するものであり、一方その入力の
基本波光の光源としての半導体レーザ３についてもその
発振波長が温度依存性を有することから、位相整合手段
１の構造すなわち周期等を目的とする入力基本波波長に
応じて設定してもその外囲温度、あるいは動作時の温度
等によってその整合波長が変動することによって本来の
位相整合の機能が阻害され、高ＳＨＧ出力が得られない
という問題が生じてくる。
実際上温度依存性を有するものであり、一方その入力の
基本波光の光源としての半導体レーザ３についてもその
発振波長が温度依存性を有することから、位相整合手段
１の構造すなわち周期等を目的とする入力基本波波長に
応じて設定してもその外囲温度、あるいは動作時の温度
等によってその整合波長が変動することによって本来の
位相整合の機能が阻害され、高ＳＨＧ出力が得られない
という問題が生じてくる。
【０００９】すなわち、図５にそのＳＨＧ出力の温度に
対する依存性及び波長依存性を模式的に示すように、あ
る温度Ｔ0 においてある波長λでピーク値を示す。
対する依存性及び波長依存性を模式的に示すように、あ
る温度Ｔ0 においてある波長λでピーク値を示す。
【００１０】今、図１の構成において、プロトン交換導
波路構成をとり、擬似位相整合により第２高調波を発生
させる場合において、その導波路長を８ｍｍとすると
き、図５のＳＨＧ出力の波長半径幅Δλは、約１〜２
Å、温度の半値幅ΔＴは約１℃であった。
波路構成をとり、擬似位相整合により第２高調波を発生
させる場合において、その導波路長を８ｍｍとすると
き、図５のＳＨＧ出力の波長半径幅Δλは、約１〜２
Å、温度の半値幅ΔＴは約１℃であった。
【００１１】このため、光源３の波長及び温度のゆらぎ
に対してＳＨＧ出力は大きく変動する。
に対してＳＨＧ出力は大きく変動する。
【００１２】この変動を抑制するには、光源としての半
導体レーザ及びＳＨＧ素子をペルチェ素子等の電子温度
制御素子等を用いてそれぞれ個々に温度制御を精密に行
う必要が生じ、その構成、製造は極めて煩雑なものとな
る。
導体レーザ及びＳＨＧ素子をペルチェ素子等の電子温度
制御素子等を用いてそれぞれ個々に温度制御を精密に行
う必要が生じ、その構成、製造は極めて煩雑なものとな
る。
【００１３】例えば、図１において半導体レーザ３と位
相整合手段１の温度特性がそれぞれ図６の特性曲線６Ｌ
Ｄあるいは６ＰＭに示すように、その両特性が所定の温
度Ｔ 0 の１点で交わる場合、高ＳＨＧ出力を得るために
は、この温度Ｔ0 に半導体レーザ及びＳＨＧ素子を保持
することになる。
相整合手段１の温度特性がそれぞれ図６の特性曲線６Ｌ
Ｄあるいは６ＰＭに示すように、その両特性が所定の温
度Ｔ 0 の１点で交わる場合、高ＳＨＧ出力を得るために
は、この温度Ｔ0 に半導体レーザ及びＳＨＧ素子を保持
することになる。
【００１４】また、図７に示すように、その半導体レー
ザの温度特性７ＬＤと位相整合の温度特性７ＰＭに示す
ように、互いにその動作温度で交わることがない場合
は、それぞれ一定の波長を示す温度ＴＬＤ及びＴＰＭに
それぞれ異なる温度に保持する必要があることになる。
ザの温度特性７ＬＤと位相整合の温度特性７ＰＭに示す
ように、互いにその動作温度で交わることがない場合
は、それぞれ一定の波長を示す温度ＴＬＤ及びＴＰＭに
それぞれ異なる温度に保持する必要があることになる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した位
相整合手段を有するＳＨＧ素子と、これに対する基本波
光の光源としての半導体レーザを有するＳＨＧ装置にお
いて、安定してまた特段の温度制御手段を設けることな
く、高ＳＨＧ出力が得られるようにする。
相整合手段を有するＳＨＧ素子と、これに対する基本波
光の光源としての半導体レーザを有するＳＨＧ装置にお
いて、安定してまた特段の温度制御手段を設けることな
く、高ＳＨＧ出力が得られるようにする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１で説明し
たように位相整合手段１すなわち屈折率周期パターンあ
るいはドメイン反転周期パターンを有する光第２高調波
発生素子すなわちＳＨＧ素子２とその基本波光源の半導
体レーザ３とを有してなる光第２高調波発生装置におい
て、そのＳＨＧ素子２の位相整合波長の温度特性と、半
導体レーザ３の発振波長の温度特性は、図２及び図３に
それぞれ示すように所定の動作温度領域の温度すなわち
温度Ｔ1 〜Ｔ2 の例えば１０°〜６０°において同一の
温度特性を有するようにほぼ一致するように構成する。
たように位相整合手段１すなわち屈折率周期パターンあ
るいはドメイン反転周期パターンを有する光第２高調波
発生素子すなわちＳＨＧ素子２とその基本波光源の半導
体レーザ３とを有してなる光第２高調波発生装置におい
て、そのＳＨＧ素子２の位相整合波長の温度特性と、半
導体レーザ３の発振波長の温度特性は、図２及び図３に
それぞれ示すように所定の動作温度領域の温度すなわち
温度Ｔ1 〜Ｔ2 の例えば１０°〜６０°において同一の
温度特性を有するようにほぼ一致するように構成する。
【００１７】
【作用】上述の本発明構成によれば、所要の動作温度Ｔ
1 〜Ｔ2において図２及び図３に示すように位相整合波
長の温度特性と半導体レーザの波長の温度特性とが一致
するようにしたので、この温度Ｔ1 〜Ｔ2 における基本
波すなわち半導体レーザ３からの入射光がλ1 〜λ2 に
変化する場合、その位相整合波長もまたλ1 〜λ 2 にお
いて同一勾配をもって変化することから常時この温度Ｔ
1 〜Ｔ2 において温度に依存することなく位相整合が確
実になされることになる。
1 〜Ｔ2において図２及び図３に示すように位相整合波
長の温度特性と半導体レーザの波長の温度特性とが一致
するようにしたので、この温度Ｔ1 〜Ｔ2 における基本
波すなわち半導体レーザ３からの入射光がλ1 〜λ2 に
変化する場合、その位相整合波長もまたλ1 〜λ 2 にお
いて同一勾配をもって変化することから常時この温度Ｔ
1 〜Ｔ2 において温度に依存することなく位相整合が確
実になされることになる。
【００１８】したがって、温度に依存することなく所定
の波長λの高ＳＨＧ出力が保持されるようにすることが
できる。
の波長λの高ＳＨＧ出力が保持されるようにすることが
できる。
【００１９】
【実施例】図１を参照して本発明によるＳＨＧ装置を説
明する。
明する。
【００２０】本発明においては、例えば矢印ａで示す単
分域化されたＬＮのＺ板よりなる非線形光学結晶４の例
えば１主面４ａに例えば選択的にＴｉ等の拡散を行うこ
とによって、あるいはＬｉの外拡散法等の周知の技術に
よって周期分極反転による位相整合手段４を形成する。
或いは単分域化されたＬＮ結晶基板に電圧印加、電子照
射等による局部的電界形成によってその分極を反転させ
て分極反転周期パターンによる位相整合手段１を形成す
る。その後、周知の技術例えばプロトン交換法によって
所要のストライプ状の光導波路５を形成する。このプロ
トン交換法としては、例えば非線形光学結晶４の１主面
４ａ上の光導波路５を形成すべき以外の部分を例えば２
００ÅのＴａ等よりなるマスクをレジストを用いたリフ
トオフ法によって光導波路を形成すべき部分のみにスト
ライプ状の窓開けを行って形成し、これを例えば２２０
℃の熱りん酸中に１３分間浸漬し、その後大気中３５０
℃２時間程度の熱処理を行うことによって目的とする例
えばその相互作用長すなわち導波路長が８ｍｍのストラ
イプ状の光導波路５を形成する。
分域化されたＬＮのＺ板よりなる非線形光学結晶４の例
えば１主面４ａに例えば選択的にＴｉ等の拡散を行うこ
とによって、あるいはＬｉの外拡散法等の周知の技術に
よって周期分極反転による位相整合手段４を形成する。
或いは単分域化されたＬＮ結晶基板に電圧印加、電子照
射等による局部的電界形成によってその分極を反転させ
て分極反転周期パターンによる位相整合手段１を形成す
る。その後、周知の技術例えばプロトン交換法によって
所要のストライプ状の光導波路５を形成する。このプロ
トン交換法としては、例えば非線形光学結晶４の１主面
４ａ上の光導波路５を形成すべき以外の部分を例えば２
００ÅのＴａ等よりなるマスクをレジストを用いたリフ
トオフ法によって光導波路を形成すべき部分のみにスト
ライプ状の窓開けを行って形成し、これを例えば２２０
℃の熱りん酸中に１３分間浸漬し、その後大気中３５０
℃２時間程度の熱処理を行うことによって目的とする例
えばその相互作用長すなわち導波路長が８ｍｍのストラ
イプ状の光導波路５を形成する。
【００２１】そして、このＳＨＧ素子の光導波路５の一
端部５ａに対向して半導体レーザ例えば波長λ0 が８４
０ｎｍのレーザ光を発振する半導体レーザ３の光出射端
を対向させて光導波路５に波長λ0 の基本波光を導入す
る。
端部５ａに対向して半導体レーザ例えば波長λ0 が８４
０ｎｍのレーザ光を発振する半導体レーザ３の光出射端
を対向させて光導波路５に波長λ0 の基本波光を導入す
る。
【００２２】そして、光導波路５の他端５ｂ側から基本
波と共に、その第２高調波の短波長光を取出し、図示し
ないがこれをフィルターを通ずることによってこれより
目的とする２次高調波による短波長光を取出す。
波と共に、その第２高調波の短波長光を取出し、図示し
ないがこれをフィルターを通ずることによってこれより
目的とする２次高調波による短波長光を取出す。
【００２３】そして、特に本発明においては、図３にそ
の半導体レーザ波長の温度依存性の一例を示すように、
例えばこのＳＨＧ装置の一般的動作温度領域例えばＴ1
＝１０°〜Ｔ2 ＝６０°程度の温度範囲によって例えば
温度ＴすなわちＴ1 ≦Ｔ≦Ｔ 2 の範囲でその発振波長
が、各温度Ｔ1 ，ＴR ，Ｔ2 における波長λ1 ，λR ，
λ2 とするとき（λ2 −λ1 ）／（Ｔ2 −Ｔ1 ）の傾き
をもつ半導体レーザを用い、一方図２に示すように上述
の傾きと同程度の温度Ｔ1 〜Ｔ2 においてそれぞれその
温度勾配が図３の半導体レーザ波長の温度依存性と同様
の特性を示す温度依存性を有する位相整合手段１とす
る。
の半導体レーザ波長の温度依存性の一例を示すように、
例えばこのＳＨＧ装置の一般的動作温度領域例えばＴ1
＝１０°〜Ｔ2 ＝６０°程度の温度範囲によって例えば
温度ＴすなわちＴ1 ≦Ｔ≦Ｔ 2 の範囲でその発振波長
が、各温度Ｔ1 ，ＴR ，Ｔ2 における波長λ1 ，λR ，
λ2 とするとき（λ2 −λ1 ）／（Ｔ2 −Ｔ1 ）の傾き
をもつ半導体レーザを用い、一方図２に示すように上述
の傾きと同程度の温度Ｔ1 〜Ｔ2 においてそれぞれその
温度勾配が図３の半導体レーザ波長の温度依存性と同様
の特性を示す温度依存性を有する位相整合手段１とす
る。
【００２４】実際上、例えば半導体レーザとして８０ｍ
Ｗのシングルモードの発振をなし、３０℃で波長８３９
ｎｍの半導体レーザにおける２５℃〜５０℃の温度範囲
の温度特性の勾配は０．０６ｎｍ／ｄｅｇであり、一方
上述したようにプロトン交換によって導波路を形成し、
ドメイン反転周期パターンによって位相整合手段１を構
成した場合の温度依存性もこれとほぼ一致させることが
できる。
Ｗのシングルモードの発振をなし、３０℃で波長８３９
ｎｍの半導体レーザにおける２５℃〜５０℃の温度範囲
の温度特性の勾配は０．０６ｎｍ／ｄｅｇであり、一方
上述したようにプロトン交換によって導波路を形成し、
ドメイン反転周期パターンによって位相整合手段１を構
成した場合の温度依存性もこれとほぼ一致させることが
できる。
【００２５】上述したように本発明によれば、基本波光
源としての半導体レーザ３の温度依存性とＳＨＧ素子２
の位相整合波長の温度依存性を一致させるようにしたこ
とによって、何等温度制御手段あるいは温度設定手段等
を設けることなく確実にこの温度範囲において高ＳＨＧ
出力を安定に得ることができる。
源としての半導体レーザ３の温度依存性とＳＨＧ素子２
の位相整合波長の温度依存性を一致させるようにしたこ
とによって、何等温度制御手段あるいは温度設定手段等
を設けることなく確実にこの温度範囲において高ＳＨＧ
出力を安定に得ることができる。
【００２６】図１で説明した例においては、ＳＨＧ素子
２に半導体レーザ３からの出射光を直接的に導入するよ
うにした場合であるが、ある場合は図４に示すように光
学系１０を配置を介して導入することができる。
２に半導体レーザ３からの出射光を直接的に導入するよ
うにした場合であるが、ある場合は図４に示すように光
学系１０を配置を介して導入することができる。
【００２７】この光学系１０としては、例えば、コリメ
ートレンズ１１と集光レンズ１２との組合せ等種々の構
成を採り得る。
ートレンズ１１と集光レンズ１２との組合せ等種々の構
成を採り得る。
【００２８】上述した例においては、ＬＮのＺ板よりな
る非線形光学結晶によるＳＨＧ素子２を用いた場合であ
るが、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等による光導波路ＳＨ
Ｇ素子あるいは非線形光学結晶４上に線形光学結晶の光
導波路を設けてかつ上述したような位相整合手段を具備
するチェレンコフ放射型ＳＨＧ素子を用いる場合等種々
のＳＨＧ素子とその基本波光源として半導体レーザを用
いる場合に本発明を適用することができる。
る非線形光学結晶によるＳＨＧ素子２を用いた場合であ
るが、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等による光導波路ＳＨ
Ｇ素子あるいは非線形光学結晶４上に線形光学結晶の光
導波路を設けてかつ上述したような位相整合手段を具備
するチェレンコフ放射型ＳＨＧ素子を用いる場合等種々
のＳＨＧ素子とその基本波光源として半導体レーザを用
いる場合に本発明を適用することができる。
【００２９】
【発明の効果】上述したように、本発明においては位相
整合手段１を有するＳＨＧ素子２のその位相整合の温度
特性とその基本波光源としての半導体レーザ３の温度特
性を所要の範囲でほぼ一致させるようにしたことによっ
て、何等特段の温度制御手段を設けることなく常に高Ｓ
ＨＧ出力を取出すことのできる光第２高調波発生装置Ｓ
ＨＧ装置を得ることができる。
整合手段１を有するＳＨＧ素子２のその位相整合の温度
特性とその基本波光源としての半導体レーザ３の温度特
性を所要の範囲でほぼ一致させるようにしたことによっ
て、何等特段の温度制御手段を設けることなく常に高Ｓ
ＨＧ出力を取出すことのできる光第２高調波発生装置Ｓ
ＨＧ装置を得ることができる。
【００３０】したがって、光ディスク、光磁気ディスク
短波長光源として用いて好適な光第２高調波発生装置を
構成することができる。
短波長光源として用いて好適な光第２高調波発生装置を
構成することができる。
【図１】本発明装置の説明に供する構成図である。
【図２】ＳＨＧ素子の位相整合波長の温度依存性を示す
特性曲線図である。
特性曲線図である。
【図３】半導体レーザ波長の温度依存性を示す特性曲線
図である。
図である。
【図４】本発明装置の他の例の構成図である。
【図５】ＳＨＧ出力の温度及び波長依存性を示す特性曲
線図である。
線図である。
【図６】半導体レーザとＳＨＧ素子の位相整合の温度特
性曲線図である。
性曲線図である。
【図７】半導体レーザと位相整合の温度特性曲線図であ
る。
る。
１ 位相整合手段 ２ 光第２高調波発生素子（ＳＨＧ素子） ３ 半導体レーザ ４ 非線形光学結晶 ５ 光導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/35 - 1/39 H01S 3/108 - 3/109
Claims (1)
- 【請求項１】 位相整合手段を有する光第２高調波発生
素子と、その基本波光源の半導体レーザとを有してなる
光第２高調波発生装置において、上記位相整合波長の温
度特性と上記半導体レーザの発振波長の温度特性とが、
所要の動作温度範囲においてほぼ一致するようにしたこ
とを特徴とする光第２高調波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063472A JP3010766B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光第２高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063472A JP3010766B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光第２高調波発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296830A JPH04296830A (ja) | 1992-10-21 |
| JP3010766B2 true JP3010766B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=13230210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3063472A Expired - Fee Related JP3010766B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 光第２高調波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3010766B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996010855A1 (en) * | 1994-10-03 | 1996-04-11 | Sdl, Inc. | Tunable blue laser diode |
| US9859676B2 (en) * | 2015-12-18 | 2018-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light source configured for stabilization relative to external operating conditions |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3063472A patent/JP3010766B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH04296830A (ja) | 1992-10-21 |
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