JP3038955B2 - 強誘電体の分極反転構造の形成方法 - Google Patents
強誘電体の分極反転構造の形成方法Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
- G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
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- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光第２高調波発
生素子、いわゆるＳＨＧ素子の作製に適用する強誘電体
の分極反転構造の形成方法に係わる。
生素子、いわゆるＳＨＧ素子の作製に適用する強誘電体
の分極反転構造の形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】非線形光学結晶よりなる例えばバルク型
ＳＨＧ、光導波路型ＳＨＧ、あるいは非線形光学結晶基
板上に線形の光導波路が形成されてなるチェレンコフ型
ＳＨＧにおいて、その非線形光学結晶すなわち強誘電体
の例えばＬｉＮｂＯ3 （ＬＮという）に周期的分極（ド
メイン）反転構造を形成して擬似位相整合を行わしめて
ＳＨＧ変換効率を高めるとか、チェレンコフ放射角の制
御を行わしめる。
ＳＨＧ、光導波路型ＳＨＧ、あるいは非線形光学結晶基
板上に線形の光導波路が形成されてなるチェレンコフ型
ＳＨＧにおいて、その非線形光学結晶すなわち強誘電体
の例えばＬｉＮｂＯ3 （ＬＮという）に周期的分極（ド
メイン）反転構造を形成して擬似位相整合を行わしめて
ＳＨＧ変換効率を高めるとか、チェレンコフ放射角の制
御を行わしめる。
【０００３】このような分極反転構造を形成する方法と
しては、例えばＴｉを結晶表面から拡散させる方法（伊
藤弘昌、張英海、稲場文男、第４９回応用物理学会講演
会予稿集９１９（１９８８））やＬｉＯ2 を外拡散する
方法（Ｊｏｎａｓ Ｗｅｂｊｏｅｒｎ，ｅｔ ａｌ，Ｉ
ＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬ． ＬＥ
ＴＴ．１，１９８９，ＰＰ３１６−３１８）が提案され
ている。しかしながらこれらの方法による場合、分極反
転部分の屈折率が変化したり、また分極反転形状の制御
性が劣化する（Ｆ．Ｌａｕｒｅｌｌ ｅｔ ａｌ，Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈ，Ｔｕ１２，１９８９）等の恐れがある。また、こ
れらの方法による場合、１０００℃にも及ぶ高温で長時
間の熱処理を施すことから、光学特性に影響を来し、ま
た分極反転の幅、及びパターン形状と深さを独立に選定
することかができないことからその制御性に問題があ
る。
しては、例えばＴｉを結晶表面から拡散させる方法（伊
藤弘昌、張英海、稲場文男、第４９回応用物理学会講演
会予稿集９１９（１９８８））やＬｉＯ2 を外拡散する
方法（Ｊｏｎａｓ Ｗｅｂｊｏｅｒｎ，ｅｔ ａｌ，Ｉ
ＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬ． ＬＥ
ＴＴ．１，１９８９，ＰＰ３１６−３１８）が提案され
ている。しかしながらこれらの方法による場合、分極反
転部分の屈折率が変化したり、また分極反転形状の制御
性が劣化する（Ｆ．Ｌａｕｒｅｌｌ ｅｔ ａｌ，Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈ，Ｔｕ１２，１９８９）等の恐れがある。また、こ
れらの方法による場合、１０００℃にも及ぶ高温で長時
間の熱処理を施すことから、光学特性に影響を来し、ま
た分極反転の幅、及びパターン形状と深さを独立に選定
することかができないことからその制御性に問題があ
る。
【０００４】また、このようにして得られた分極反転
は、図１１にその断面図を示すように、その分極反転部
２が強誘電体結晶１の厚さ（深さ）方向に漸次幅狭でか
つ比較的浅く形成されることから、この周期的分極反転
を形成して後、この形成面にプロトン交換等によって導
波路を形成した場合、擬似位相整合効果が不充分となっ
たり、不確実となったりする。
は、図１１にその断面図を示すように、その分極反転部
２が強誘電体結晶１の厚さ（深さ）方向に漸次幅狭でか
つ比較的浅く形成されることから、この周期的分極反転
を形成して後、この形成面にプロトン交換等によって導
波路を形成した場合、擬似位相整合効果が不充分となっ
たり、不確実となったりする。
【０００５】このような方法に対して、電子線を非線形
光学材料に照射して、所要のパターンの周期分極反転構
造を得る方法が提案されている （Ｒ．Ｗ．Ｋｅｙｓ，
Ａ．Ｌｏｎｉ，Ｂ．Ｊ．Ｌｕｆｆ，Ｐ．Ｄ．Ｔｏｗｎｓ
ｅｎｄ，他、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
１ｓｔ Ｆｅｂｕｒｕａｒｙ １９９０Ｖｏｌ．２６
Ｎｏ．３）。この方法による場合、ＬＮ基板の−ｃ面
に、ＮｉＣｒ層及びＡｕ層を所要のパターンに形成し、
これの上から電子ビームを照射するもので、この場合基
板を約５８０℃に加熱し、基板自体にそのｃ軸方向に１
０Ｖ／ｃｍの電界をかけ、１０ｋｅＶのエネルギーで、
９ｍｍ2 に対して全ドーズ量１０17、即ち約１０16ｍｍ
-2の電子ビーム照射を行うものである。
光学材料に照射して、所要のパターンの周期分極反転構
造を得る方法が提案されている （Ｒ．Ｗ．Ｋｅｙｓ，
Ａ．Ｌｏｎｉ，Ｂ．Ｊ．Ｌｕｆｆ，Ｐ．Ｄ．Ｔｏｗｎｓ
ｅｎｄ，他、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
１ｓｔ Ｆｅｂｕｒｕａｒｙ １９９０Ｖｏｌ．２６
Ｎｏ．３）。この方法による場合、ＬＮ基板の−ｃ面
に、ＮｉＣｒ層及びＡｕ層を所要のパターンに形成し、
これの上から電子ビームを照射するもので、この場合基
板を約５８０℃に加熱し、基板自体にそのｃ軸方向に１
０Ｖ／ｃｍの電界をかけ、１０ｋｅＶのエネルギーで、
９ｍｍ2 に対して全ドーズ量１０17、即ち約１０16ｍｍ
-2の電子ビーム照射を行うものである。
【０００６】しかしながらこのような方法による場合、
基板全体を高温に加熱した状態で電圧印加を行うことか
ら非線形光学材料の特性に影響を及ぼすとか分極反転の
鮮明さに必ずしも充分満足できない。
基板全体を高温に加熱した状態で電圧印加を行うことか
ら非線形光学材料の特性に影響を及ぼすとか分極反転の
鮮明さに必ずしも充分満足できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本出願人は、先に特願
平１−８２７１号特許出願及び特願平１−１８４３６２
号特許出願において、強誘電体材料の非線形光学材料に
対するドメイン制御方法を提案した。この方法は、シン
グルドメイン化された強誘電体材料を挟んでその相対向
する両主面に対向電極を配置または絶縁体を介して対向
配置し、両電極間に直流電圧を印加することによって強
誘電体を加熱することなく局部的に分極反転部を形成し
て周期ドメイン（分極）反転構造を得るものである。
平１−８２７１号特許出願及び特願平１−１８４３６２
号特許出願において、強誘電体材料の非線形光学材料に
対するドメイン制御方法を提案した。この方法は、シン
グルドメイン化された強誘電体材料を挟んでその相対向
する両主面に対向電極を配置または絶縁体を介して対向
配置し、両電極間に直流電圧を印加することによって強
誘電体を加熱することなく局部的に分極反転部を形成し
て周期ドメイン（分極）反転構造を得るものである。
【０００８】本発明は、このような分極反転構造を、よ
り確実に強誘電体の光学特性に影響を与えることなく鮮
明なパターンをもって形成することができるようにす
る。
り確実に強誘電体の光学特性に影響を与えることなく鮮
明なパターンをもって形成することができるようにす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１に
その模式的断面図を示すように、矢印ａで分極方向を示
す単分域化された強誘電体結晶１上に、所要パターンの
局部的加熱を行う通電加熱体３を配置し、この通電加熱
体３に、所要の通電を行って強誘電体結晶１に所要のパ
ターンをもって急激な温度勾配を有する加熱部を形成し
て、矢印ｂで模式的に示すような分極反転部２生ぜしめ
る。
その模式的断面図を示すように、矢印ａで分極方向を示
す単分域化された強誘電体結晶１上に、所要パターンの
局部的加熱を行う通電加熱体３を配置し、この通電加熱
体３に、所要の通電を行って強誘電体結晶１に所要のパ
ターンをもって急激な温度勾配を有する加熱部を形成し
て、矢印ｂで模式的に示すような分極反転部２生ぜしめ
る。
【００１０】
【作用】上述したように、本発明においては、所要の分
極反転を形成すべき位置のみを局部的に加熱するもので
あり、このようにすることによって図２にその温度分布
を示すように、結晶１の表面から内部に向かって急激に
温度が下がる局部的な温度勾配を生じさせ、これによっ
て焦電効果による電界を発生させるか、あるいは局部的
加熱による局部的抗電界の低下を生じさせて周囲の単分
域による漏洩磁界の影響によって分極の反転を生じさせ
るものである。
極反転を形成すべき位置のみを局部的に加熱するもので
あり、このようにすることによって図２にその温度分布
を示すように、結晶１の表面から内部に向かって急激に
温度が下がる局部的な温度勾配を生じさせ、これによっ
て焦電効果による電界を発生させるか、あるいは局部的
加熱による局部的抗電界の低下を生じさせて周囲の単分
域による漏洩磁界の影響によって分極の反転を生じさせ
るものである。
【００１１】
【実施例】本発明においては、単分域化された強誘電体
結晶１例えばＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）結晶による基板に所
要のパターンすなわち最終的に得る分極反転パターンに
応じたパターンの局部的加熱を行う。
結晶１例えばＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）結晶による基板に所
要のパターンすなわち最終的に得る分極反転パターンに
応じたパターンの局部的加熱を行う。
【００１２】実施例１ 単分域化された例えばＬＮより成る強誘電体結晶１の主
面１ａを構成する−Ｚ面（−Ｃ面）上に、図３にその平
面図を示すように、強誘電体単結晶１の分極反転構造の
パターンに応じたパターンの通電加熱体３を被着形成す
る。
面１ａを構成する−Ｚ面（−Ｃ面）上に、図３にその平
面図を示すように、強誘電体単結晶１の分極反転構造の
パターンに応じたパターンの通電加熱体３を被着形成す
る。
【００１３】この通電加熱体３は、加熱によっても強誘
電体結晶１例えばＬＮと反応することがなく、所要の導
電性を有し、耐熱性を有する例えばＭｏ、Ｗ層等より成
る細線状体が、目的とする擬似位相整合の分極反転構造
のピッチ及び幅に応じて所定のピッチ及び幅をもって平
行配列されて成る。これら細線状体は各両端がそれぞれ
連結部３Ｂ及び３Ｃによって相互に連結され、これら連
結部３Ｂ及び３Ｃ間に通電電源４が連結されて、両者間
に通電をなして各細線状体３Ａにジュール熱によって発
熱が生じるようになされる。
電体結晶１例えばＬＮと反応することがなく、所要の導
電性を有し、耐熱性を有する例えばＭｏ、Ｗ層等より成
る細線状体が、目的とする擬似位相整合の分極反転構造
のピッチ及び幅に応じて所定のピッチ及び幅をもって平
行配列されて成る。これら細線状体は各両端がそれぞれ
連結部３Ｂ及び３Ｃによって相互に連結され、これら連
結部３Ｂ及び３Ｃ間に通電電源４が連結されて、両者間
に通電をなして各細線状体３Ａにジュール熱によって発
熱が生じるようになされる。
【００１４】この通電加熱体３は、導電層の全面的スパ
ッタ、蒸着の後に、フォトリソグラフィによるエッチン
グによってパターン化して形成できる。
ッタ、蒸着の後に、フォトリソグラフィによるエッチン
グによってパターン化して形成できる。
【００１５】この通電加熱体３への通電によって強誘電
体結晶１の通電加熱体３の被着部直下に図２に示すよう
に主面１ａ側から深さ方向に向って急激に温度が低下す
るような温度勾配を生じさせる。このようにすると、強
誘電体結晶１における低温側から高温側に向って、即ち
内部から主面１ａ側に向って、この加熱部において焦電
効果による電界が発生し、此処に図１に示すように、強
誘電体結晶１に、その主面１ａに臨んで矢印ａとは逆向
きの矢印ｂで示す分極反転部２が生じる。
体結晶１の通電加熱体３の被着部直下に図２に示すよう
に主面１ａ側から深さ方向に向って急激に温度が低下す
るような温度勾配を生じさせる。このようにすると、強
誘電体結晶１における低温側から高温側に向って、即ち
内部から主面１ａ側に向って、この加熱部において焦電
効果による電界が発生し、此処に図１に示すように、強
誘電体結晶１に、その主面１ａに臨んで矢印ａとは逆向
きの矢印ｂで示す分極反転部２が生じる。
【００１６】即ち、強誘電体結晶１が例えばＬＮである
例をとると、上述したように、−Ｚ面に熱を与えると、
＋Ｚに向いて低減する数１の温度勾配を生じる。
例をとると、上述したように、−Ｚ面に熱を与えると、
＋Ｚに向いて低減する数１の温度勾配を生じる。
【００１７】
【数１】∇Ｔ＝−（∂Ｔ／∂Ｚ）ｅZ
【００１８】ＬＮではｑ33＞０であるので、数１から下
記数２で表わされる焦電電界Ｅが発生する。
記数２で表わされる焦電電界Ｅが発生する。
【００１９】
【数２】Ｅ＝Ｑ∇Ｔ＝−ｑ33（∂Ｔ／∂Ｚ）ｅz
【００２０】上述の実施例１では急激な温度勾配による
焦電効果に基づく電界発生によって分極反転を形成する
ようにした場合であるが、加熱による抗電界の低下を利
用して分極反転を形成するようにすることもできる。
焦電効果に基づく電界発生によって分極反転を形成する
ようにした場合であるが、加熱による抗電界の低下を利
用して分極反転を形成するようにすることもできる。
【００２１】即ち、今、自発分極電界の温度依存性をみ
ると、図４に示すように、材料固有のキュリー点Ｔｃ以
上の温度で急激に分極が消失するのでこの特性を用い
る。
ると、図４に示すように、材料固有のキュリー点Ｔｃ以
上の温度で急激に分極が消失するのでこの特性を用い
る。
【００２２】その一実施例を説明する。 実施例２ この場合は、図１で説明したと同様に強誘電体結晶１の
−Ｚ面に分極反転部２を形成する場合に限らず−Ｚ面に
同様に分極反転部２即ち周期分極反転構造を形成するこ
ともできる。
−Ｚ面に分極反転部２を形成する場合に限らず−Ｚ面に
同様に分極反転部２即ち周期分極反転構造を形成するこ
ともできる。
【００２３】この場合においても−Ｚ面或いは＋Ｚ面に
実施例１におけると同様に加熱体３を形成し、これへの
通電によって、加熱線状体３Ａの直下を局部的に加熱
し、此処に図２に示す温度分布を形成する。
実施例１におけると同様に加熱体３を形成し、これへの
通電によって、加熱線状体３Ａの直下を局部的に加熱
し、此処に図２に示す温度分布を形成する。
【００２４】このようにすると例えば図４で説明した温
度Ｔｃに近い温度若しくはこれ以上の加熱部においては
分極の消失、云い換えれば抗電界が低下する。したがっ
て、この抗電界の低下によってその周囲による非加熱部
における単分域分極によって図１に破線Ｃをもって模式
的に示す漏れ電界によってこの加熱部の分極が反転し、
分極反転部２が生ずるようにすることができる。
度Ｔｃに近い温度若しくはこれ以上の加熱部においては
分極の消失、云い換えれば抗電界が低下する。したがっ
て、この抗電界の低下によってその周囲による非加熱部
における単分域分極によって図１に破線Ｃをもって模式
的に示す漏れ電界によってこの加熱部の分極が反転し、
分極反転部２が生ずるようにすることができる。
【００２５】実施例３ 実施例１及び２において、より分極反転部２が生じ易く
なるように、図５に示すように、通電加熱体３が設けら
れる面１ａとは反対側の面１ｂに対向電極５を被着し、
通電加熱体３と、対向電極５との間に補助電界印加用電
源６を接続して両者間に反転分極を生じさせる方向の補
助電界を与えるようにする。
なるように、図５に示すように、通電加熱体３が設けら
れる面１ａとは反対側の面１ｂに対向電極５を被着し、
通電加熱体３と、対向電極５との間に補助電界印加用電
源６を接続して両者間に反転分極を生じさせる方向の補
助電界を与えるようにする。
【００２６】この場合、この補助電界は、焦電効果によ
る電界の発生部、或いは抗電界の低下部においてのみ分
極反転が生じるような電界に選定する。
る電界の発生部、或いは抗電界の低下部においてのみ分
極反転が生じるような電界に選定する。
【００２７】実施例４ 上述した各例においては、強誘電体単結晶１の例えばＬ
Ｎが、その厚さ方向に単分域化されていて厚さ方向にこ
れとは逆向きの分極反転部２を形成するようにした場合
であるが、図６あるいは図７に示すように主面１ａに沿
う方向の例えば加熱体３の加熱線状体の延長方向と直交
する方向あるいはこれに沿う方向に単分域化させ、上述
した加熱体３による局部的加熱による焦電効果による電
界の発生、或いは抗電界の低下部におけるその周囲の自
発分極の漏れ電界によって分極反転部２を形成するよう
にすることもできる。
Ｎが、その厚さ方向に単分域化されていて厚さ方向にこ
れとは逆向きの分極反転部２を形成するようにした場合
であるが、図６あるいは図７に示すように主面１ａに沿
う方向の例えば加熱体３の加熱線状体の延長方向と直交
する方向あるいはこれに沿う方向に単分域化させ、上述
した加熱体３による局部的加熱による焦電効果による電
界の発生、或いは抗電界の低下部におけるその周囲の自
発分極の漏れ電界によって分極反転部２を形成するよう
にすることもできる。
【００２８】尚、上述の例では、焦電効果と、抗電界の
低下とを個々に説明したが、焦電効果の発生と共に抗電
界の或る程度の低下を発生させ、両者が相俟って発生す
ることによって分極反転が生じるようにすることもでき
る。
低下とを個々に説明したが、焦電効果の発生と共に抗電
界の或る程度の低下を発生させ、両者が相俟って発生す
ることによって分極反転が生じるようにすることもでき
る。
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】上述した例では、強誘電体結晶がＬＮであ
る場合を主として説明したが、他の強誘電体結晶例えば
ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等への分極反転構造の形成に
適用することもできる。
る場合を主として説明したが、他の強誘電体結晶例えば
ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等への分極反転構造の形成に
適用することもできる。
【００４０】上述したように分極反転構造を形成した面
には、例えばプロトン交換等の周知の技術をもって光導
波路の形成を行って擬似位相整合手段を具備するＳＨＧ
を構成する。
には、例えばプロトン交換等の周知の技術をもって光導
波路の形成を行って擬似位相整合手段を具備するＳＨＧ
を構成する。
【００４１】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、局部的
加熱によって焦電効果による電界の発生あるいは抗電界
の低下によって周囲の単分域化された分極よりの漏れ電
界、或いは外部からの電界によって分極の反転を生ぜし
めるようにしたので鮮明なパターンの分極反転を、充分
な深さに得ることができる。
加熱によって焦電効果による電界の発生あるいは抗電界
の低下によって周囲の単分域化された分極よりの漏れ電
界、或いは外部からの電界によって分極の反転を生ぜし
めるようにしたので鮮明なパターンの分極反転を、充分
な深さに得ることができる。
【図１】本発明による強誘電体の分極反転構造の形成方
法の一実施例の分極反転発生態様の模式的断面図であ
る。
法の一実施例の分極反転発生態様の模式的断面図であ
る。
【図２】その加熱部の温度分布曲線図である。
【図３】本発明方法の一実施例の通電加熱体の一例の平
面図である。
面図である。
【図４】自発分極電解の温度依存性を示す図である。
【図５】本発明方法の一実施例の分極反転発生態様の模
式的斜視図である。
式的斜視図である。
【図６】本発明方法の一実施例の分極反転発生態様の模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図７】本発明方法の一実施例の分極反転発生態様の模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図８】従来方法による分極反転発生の模式的断面図で
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川久保 伸 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−48832（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−260635（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−187735（ＪＰ，Ａ) 国際公開90／9094（ＷＯ，Ａ１) Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，Ｖｏｌ．26 Ｎｏ．３（１ｓｔ Ｆｅｂｒｕａｒｙ 1990）ｐｐ．188− 189 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ ｒｓ，Ｖｏｌ．25 Ｎｏ．３（２ｎｄ Ｆｅｂｒｕａｒｙ 1989）ｐｐ．174− 175 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗ ａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏ ｌ．７ Ｎｏ．10（Ｏｃｔｏｒｂｅｒ 1989）ｐｐ．188−189 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａ ｌ Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．85（1987) ｐｐ．264−269 電子情報通信学会超音波技術研究報告 ＵＳ87−37（1987）ｐｐ．17−22 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/35 - 1/39 H01S 3/108 - 3/109 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 単分域化された強誘電体結晶上に、所要
パターンの局部的加熱を行う通電加熱体を配置し、 該通電加熱体に、所要の通電を行って上記強誘電体結晶
に所要の温度勾配を有する加熱部を形成し、上記強誘電
体結晶の上記加熱部に分極反転部を生ぜしめることを特
徴とする強誘電体の分極反転構造の形成方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3062014A JP3038955B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 強誘電体の分極反転構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP3062014A JP3038955B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 強誘電体の分極反転構造の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296730A JPH04296730A (ja) | 1992-10-21 |
| JP3038955B2 true JP3038955B2 (ja) | 2000-05-08 |
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ID=13187883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3062014A Expired - Lifetime JP3038955B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 強誘電体の分極反転構造の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3038955B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7473789B2 (ja) * | 2020-03-13 | 2024-04-24 | 富士通株式会社 | 波長変換装置および波長変換方法 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3062014A patent/JP3038955B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２５ Ｎｏ．３（２ｎｄ Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９８９）ｐｐ．１７４−１７５ |
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２６ Ｎｏ．３（１ｓｔ Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９０）ｐｐ．１８８−１８９ |
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，Ｖｏｌ．８５（１９８７）ｐｐ．２６４−２６９ |
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．７ Ｎｏ．１０（Ｏｃｔｏｒｂｅｒ １９８９）ｐｐ．１８８−１８９ |
| 電子情報通信学会超音波技術研究報告 ＵＳ８７−３７（１９８７）ｐｐ．１７−２２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04296730A (ja) | 1992-10-21 |
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