JP2982366B2 - 導波路型波長変換素子 - Google Patents
導波路型波長変換素子Info
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- JP2982366B2 JP2982366B2 JP11130291A JP11130291A JP2982366B2 JP 2982366 B2 JP2982366 B2 JP 2982366B2 JP 11130291 A JP11130291 A JP 11130291A JP 11130291 A JP11130291 A JP 11130291A JP 2982366 B2 JP2982366 B2 JP 2982366B2
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- waveguide
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒーレントな短波長
小型光源の実現を可能にする、半導体レーザ用波長変換
素子に関する。
小型光源の実現を可能にする、半導体レーザ用波長変換
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】波長変換素子とくに第２次高調波発生
（ＳＨＧ）素子は、エキシマレーザなどでは得にくいコ
ヒーレントな短波長光を得るデバイスとして産業上極め
て重要である。
（ＳＨＧ）素子は、エキシマレーザなどでは得にくいコ
ヒーレントな短波長光を得るデバイスとして産業上極め
て重要である。
【０００３】半導体レーザは小型で高出力のコヒーレン
ト光を発振する光源として各種の光通信機器や光情報機
器に使用されている。現在この半導体レーザから得られ
る光の波長は０．６３μｍ〜１．５５μｍの赤色から近
赤外領域の波長である。この半導体レーザをディスプレ
イ等、さらに広く機器に応用するために、緑色，青色
等、より短波長の光が求められているが、現在の技術で
はこの種の半導体レーザをにわかに実現するのは難し
い。半導体レーザの出力程度でも効率よく波長変換でき
る波長変換素子が実現できるとその効果は甚大である。
ト光を発振する光源として各種の光通信機器や光情報機
器に使用されている。現在この半導体レーザから得られ
る光の波長は０．６３μｍ〜１．５５μｍの赤色から近
赤外領域の波長である。この半導体レーザをディスプレ
イ等、さらに広く機器に応用するために、緑色，青色
等、より短波長の光が求められているが、現在の技術で
はこの種の半導体レーザをにわかに実現するのは難し
い。半導体レーザの出力程度でも効率よく波長変換でき
る波長変換素子が実現できるとその効果は甚大である。
【０００４】近年半導体レーザの製作技術が発達して、
従来にも増して高出力の特性が得られるようになってき
た。このため、光導波路型のＳＨＧ素子を構成すれば、
光の回折によるエネルギ密度の減少を回避でき、半導体
レーザ程度の光強度でも、比較的高い変換高率で波長変
換素子を実現できる可能性がある。その様な例として、
ニオブ酸リチウム結晶に光導波路を形成し、この光導波
路に近赤外光を透過し、これから結晶基板中に放射（チ
ェレンコフ輻射）される第２次高調波を得る方式のＳＨ
Ｇ素子の発明がある（特開昭６０−１４２２２，特開昭
６１−９４０３１）。この方式のＳＨＧ素子は、基板波
とＳＨＧ波との位相整合条件が自動的に取れているた
め、精密な温度調節が必要ないという特長を持つ。しか
しながら、導波光である基本波と放射光であるＳＨＧ光
とは電磁界分布が大幅に異なるため、基本波からＳＨＧ
光への変換効率が低く、半導体レーザの出力レベル（最
大百ｍＷ程度）では０．２％程度と実用的ではない。
従来にも増して高出力の特性が得られるようになってき
た。このため、光導波路型のＳＨＧ素子を構成すれば、
光の回折によるエネルギ密度の減少を回避でき、半導体
レーザ程度の光強度でも、比較的高い変換高率で波長変
換素子を実現できる可能性がある。その様な例として、
ニオブ酸リチウム結晶に光導波路を形成し、この光導波
路に近赤外光を透過し、これから結晶基板中に放射（チ
ェレンコフ輻射）される第２次高調波を得る方式のＳＨ
Ｇ素子の発明がある（特開昭６０−１４２２２，特開昭
６１−９４０３１）。この方式のＳＨＧ素子は、基板波
とＳＨＧ波との位相整合条件が自動的に取れているた
め、精密な温度調節が必要ないという特長を持つ。しか
しながら、導波光である基本波と放射光であるＳＨＧ光
とは電磁界分布が大幅に異なるため、基本波からＳＨＧ
光への変換効率が低く、半導体レーザの出力レベル（最
大百ｍＷ程度）では０．２％程度と実用的ではない。
【０００５】すなわち、導波基本波から放射２次高調波
への変換の効率に寄与する因子としては、非線形光学定
数の大小および位相整合がとれていることは勿論である
が、上で述べた基本波とＳＨＧ放射光ととの電磁界分布
の整合がもうひとつ重要である。これを詳しく分析すれ
ば、導波路を伝わる基本波は、非線形光学定数を介し
て、基本波の界分布に対応した分布の、２倍の周波数の
分極波を生成する。この分極波の回折パターンの主峰の
方向と基本波の位相速度（屈折率）と合致する方向とが
等しい時に、その方向へ分極波が加算的に累積され、効
率の良いＳＨＧ光が放射される。
への変換の効率に寄与する因子としては、非線形光学定
数の大小および位相整合がとれていることは勿論である
が、上で述べた基本波とＳＨＧ放射光ととの電磁界分布
の整合がもうひとつ重要である。これを詳しく分析すれ
ば、導波路を伝わる基本波は、非線形光学定数を介し
て、基本波の界分布に対応した分布の、２倍の周波数の
分極波を生成する。この分極波の回折パターンの主峰の
方向と基本波の位相速度（屈折率）と合致する方向とが
等しい時に、その方向へ分極波が加算的に累積され、効
率の良いＳＨＧ光が放射される。
【０００６】上記の従来例では、基本波の波長０．８４
μｍの場合で、チェレンコフ放射角は１６．２度と報告
されている。一方、導波路を導かれている基本波のモー
ド分布は、直径２μｍ程度のガウス分布と近似され、発
生する２次分極波の分布もこれと等しい。この分極波の
回折パターンはエアリ回折パターンで大まかではあるが
近似され、導波路進行方向が最大で、基板深さ斜め方向
の角度には急激に強度を低下させる。直径２μｍの分極
波のエアリ回折像の最初の強度０となる角度は７度程度
であり、上記のチェレンコフ放射角１６．２度はその外
であるため、分極波の強度は極めて小さい。上記の従来
例の効率の悪さはここで述べたように概略解釈できる。
μｍの場合で、チェレンコフ放射角は１６．２度と報告
されている。一方、導波路を導かれている基本波のモー
ド分布は、直径２μｍ程度のガウス分布と近似され、発
生する２次分極波の分布もこれと等しい。この分極波の
回折パターンはエアリ回折パターンで大まかではあるが
近似され、導波路進行方向が最大で、基板深さ斜め方向
の角度には急激に強度を低下させる。直径２μｍの分極
波のエアリ回折像の最初の強度０となる角度は７度程度
であり、上記のチェレンコフ放射角１６．２度はその外
であるため、分極波の強度は極めて小さい。上記の従来
例の効率の悪さはここで述べたように概略解釈できる。
【０００７】分極波の回折パターンの主峰の方向とチェ
レンコフ放射角とを等しくできれば、効率の高い導波路
型波長変換素子が構成できる。２つの角度を合わせる考
え方は２つ可能である。
レンコフ放射角とを等しくできれば、効率の高い導波路
型波長変換素子が構成できる。２つの角度を合わせる考
え方は２つ可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
の従来の導波型ＳＨＧ素子の持つ変換効率が低いという
難点を取り除き、しかも位相整合条件がゆるいという特
長を持つ構造の導波路型波長変換素子を提供することに
ある。
の従来の導波型ＳＨＧ素子の持つ変換効率が低いという
難点を取り除き、しかも位相整合条件がゆるいという特
長を持つ構造の導波路型波長変換素子を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】基本波によって励起され
る２次分極波の電界の位相が結晶基板とは反転する層を
基板表面に形成し、該層表面に誘電体装荷による基本波
に対する導波路を形成し、前記２次分極波の位相が反転
する層の厚さによって定まる前記２次分極波の基板中へ
の回折パターンの主峰の角度が前記誘電体装荷による基
本波に対する導波路の等価屈折率と前記基板の屈折率と
によって定まる前記２次分極波の基板への放射角度に等
しくなるように前記誘電体装荷による基本波に対する導
波路の等価屈折率を定めることによって、高効率で安定
な導波路型波長変換素子が得られる。
る２次分極波の電界の位相が結晶基板とは反転する層を
基板表面に形成し、該層表面に誘電体装荷による基本波
に対する導波路を形成し、前記２次分極波の位相が反転
する層の厚さによって定まる前記２次分極波の基板中へ
の回折パターンの主峰の角度が前記誘電体装荷による基
本波に対する導波路の等価屈折率と前記基板の屈折率と
によって定まる前記２次分極波の基板への放射角度に等
しくなるように前記誘電体装荷による基本波に対する導
波路の等価屈折率を定めることによって、高効率で安定
な導波路型波長変換素子が得られる。
【００１０】
【実施例】以下本発明を実施例に基づき図面を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例である導波路型波
長変換素子の構造を示す図である。１は有効な２次非線
形光学材料であるタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）
結晶板であり、基板方位はｚ板（すなわち、基板に立て
た法線はｚ軸）である。この結晶の表面層２は後に述べ
る方法によって自発分極の方向が反転させてある。さら
に、この表面層２の上には、簡便な導波路構造の一つで
ある装荷型の導波路を形成するように、基板であるタン
タル酸リチウムより、基本波の波長において屈折率が高
い誘電体、例えば酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の膜３がチャ
ンネル状に設けられてある。基本波の光源である半導体
レーザ１０は、基本波を効率よく前記の装荷型の導波路
３にＴＭ波として注入されるようにタンタル酸リチウム
結晶板端面に近接して置かれてある。基本波は、装荷型
の導波路に導かれて行くうちに、効率よくＳＨＧ放射光
６を基板中に放出する。本発明では、タンタル酸リチウ
ム結晶板の表面に自発分極反転層２を設けてある。この
ために、分極波の主回折方向とチェレンコフ角（位相整
合角）とが等しくなり、基本波からＳＨＧ光への変換効
率がきわめて高い。この関係を図２を用いて説明する。
長変換素子の構造を示す図である。１は有効な２次非線
形光学材料であるタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）
結晶板であり、基板方位はｚ板（すなわち、基板に立て
た法線はｚ軸）である。この結晶の表面層２は後に述べ
る方法によって自発分極の方向が反転させてある。さら
に、この表面層２の上には、簡便な導波路構造の一つで
ある装荷型の導波路を形成するように、基板であるタン
タル酸リチウムより、基本波の波長において屈折率が高
い誘電体、例えば酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の膜３がチャ
ンネル状に設けられてある。基本波の光源である半導体
レーザ１０は、基本波を効率よく前記の装荷型の導波路
３にＴＭ波として注入されるようにタンタル酸リチウム
結晶板端面に近接して置かれてある。基本波は、装荷型
の導波路に導かれて行くうちに、効率よくＳＨＧ放射光
６を基板中に放出する。本発明では、タンタル酸リチウ
ム結晶板の表面に自発分極反転層２を設けてある。この
ために、分極波の主回折方向とチェレンコフ角（位相整
合角）とが等しくなり、基本波からＳＨＧ光への変換効
率がきわめて高い。この関係を図２を用いて説明する。
【００１２】図２は、導波路３の中心での光透過方向に
沿った断面図を示す。分極反転層２の自発分極８の方向
は、基板の自発分極７とは方向を反転させてあり、その
厚さをここでは０．４μｍ程度としてある。ＴｉＯ2 装
荷膜導波路３によって導波される基本波ＴＭ波の電界分
布４は分極反転層２とタンタル酸リチウム結晶板（基
板）１の間では屈折率の違いが無いために分極反転層２
の有無に関わりなく最低次のモード分布を示す。この基
本波によって非線形光学定数ｄ33を介して発生する２次
分極波の電界分布５は、基板と分極反転層とで自発分極
の方向が反対であるため、分極反転層２内と基板１内と
では極性が反転している。回折光学の分野で知られてい
るように、幅ａで上下に２分され、位相が反転した開口
からのフラウンホーフェル回折パターンの強度Ｉは、 Ｉ＝Ｓｉｎ2 （ａＲ／２）／ａＲ／２ で与えられ、強度Ｉが最大となるａＲm は２．３５程度
である。このＲm の値から計算される強度最大の回折方
向の角度θm は、θm ＝２．３５λ／（２πａｎ）で与
えられる。ここでλは分極波の波長、ｎはこの波長にお
ける結晶の屈折率である。波長０．４２μｍ、この波長
でのＬｉＴａＯ3 結晶の屈折率ｎe ＝２．２６７を用い
ると、回折最大方向の角度θm は１０度程度となる。
沿った断面図を示す。分極反転層２の自発分極８の方向
は、基板の自発分極７とは方向を反転させてあり、その
厚さをここでは０．４μｍ程度としてある。ＴｉＯ2 装
荷膜導波路３によって導波される基本波ＴＭ波の電界分
布４は分極反転層２とタンタル酸リチウム結晶板（基
板）１の間では屈折率の違いが無いために分極反転層２
の有無に関わりなく最低次のモード分布を示す。この基
本波によって非線形光学定数ｄ33を介して発生する２次
分極波の電界分布５は、基板と分極反転層とで自発分極
の方向が反対であるため、分極反転層２内と基板１内と
では極性が反転している。回折光学の分野で知られてい
るように、幅ａで上下に２分され、位相が反転した開口
からのフラウンホーフェル回折パターンの強度Ｉは、 Ｉ＝Ｓｉｎ2 （ａＲ／２）／ａＲ／２ で与えられ、強度Ｉが最大となるａＲm は２．３５程度
である。このＲm の値から計算される強度最大の回折方
向の角度θm は、θm ＝２．３５λ／（２πａｎ）で与
えられる。ここでλは分極波の波長、ｎはこの波長にお
ける結晶の屈折率である。波長０．４２μｍ、この波長
でのＬｉＴａＯ3 結晶の屈折率ｎe ＝２．２６７を用い
ると、回折最大方向の角度θm は１０度程度となる。
【００１３】一方、チェレンコフ角θcはθｃ＝Ｃｏｓ
-1（Ｎ／ｎe）で与えられる。Ｎは基本波の導波路等価
屈折率で、θｃ＝１０度となる基本波の導波路等価屈折
率の大きさは２．２３２となり、この大きさは、ＴｉＯ
2 の厚さを０．２μｍ程度装荷することによって得るこ
とが出来る。
-1（Ｎ／ｎe）で与えられる。Ｎは基本波の導波路等価
屈折率で、θｃ＝１０度となる基本波の導波路等価屈折
率の大きさは２．２３２となり、この大きさは、ＴｉＯ
2 の厚さを０．２μｍ程度装荷することによって得るこ
とが出来る。
【００１４】このように、上のような導波路設計条件を
選ぶことによって、チェレンコフ角と回折強度最大の方
向を一致させることが出来るため、効率の高いＳＨＧ波
のチェレンコフ放射が得られる。
選ぶことによって、チェレンコフ角と回折強度最大の方
向を一致させることが出来るため、効率の高いＳＨＧ波
のチェレンコフ放射が得られる。
【００１５】上記の説明では基本波とＳＨＧ波とがｄ33
を介した同じ変更の間の波長変換の場合を述べた。例え
ば、ＬｉＮｂＯ3 結晶の場合のように複屈折が大きい場
合、基本波をＥy （またはＥX ）、ＳＨＧ波をＥZ のよ
うに、直交する偏光間での変換の場合にも適用できる。
すなわち、分極反転層の厚さを選んで回折角を定め、こ
れに合わせるように装荷誘電体の厚さを選んでチェレン
コフ角を調整すればよい。
を介した同じ変更の間の波長変換の場合を述べた。例え
ば、ＬｉＮｂＯ3 結晶の場合のように複屈折が大きい場
合、基本波をＥy （またはＥX ）、ＳＨＧ波をＥZ のよ
うに、直交する偏光間での変換の場合にも適用できる。
すなわち、分極反転層の厚さを選んで回折角を定め、こ
れに合わせるように装荷誘電体の厚さを選んでチェレン
コフ角を調整すればよい。
【００１６】本発明の重要なる構成要件は自発分極の反
転した層を基板表面に有することである。タンタル酸リ
チウムやニオブ酸リチウムの表面に自発分極の反転した
層を設ける方法は、中村，安藤，細矢，清水の共著の論
文「プロトン交換を利用したＬｉＴａＯ3 板の分極反転
層の形成」（電気通信学会、技術報告書、ＵＳ８７−３
７、１９８７年）や、同じく中村、安藤、清水の共著の
論文「ＬｉＮｂＯ3 単結晶における分極反転層の形成と
その圧電振動子への応用」（電気通信学界、技術報告
書、ＵＳ８６−１８、１９８６年）に詳しく述べられて
いるように、通常に利用できる方法である。
転した層を基板表面に有することである。タンタル酸リ
チウムやニオブ酸リチウムの表面に自発分極の反転した
層を設ける方法は、中村，安藤，細矢，清水の共著の論
文「プロトン交換を利用したＬｉＴａＯ3 板の分極反転
層の形成」（電気通信学会、技術報告書、ＵＳ８７−３
７、１９８７年）や、同じく中村、安藤、清水の共著の
論文「ＬｉＮｂＯ3 単結晶における分極反転層の形成と
その圧電振動子への応用」（電気通信学界、技術報告
書、ＵＳ８６−１８、１９８６年）に詳しく述べられて
いるように、通常に利用できる方法である。
【００１７】以上の説明で解る通り、本発明は、分極波
の位相の反転する表面層を設けることがポイントであ
る。従って、上の説明では強誘電体の結晶を用い、自発
分極を反転させる場合の実施例を述べたが、強誘電体で
あることや、結晶軸の反転は必ずしも必要な条件ではな
く、必要なのは、関与する非線形光学定数の符号が表面
層と基板とで異符号であることである。従って、例え
ば、無機や有機の非線形光学結晶の上に、関与する非線
形光学定数の符号が異なり、基本波の波長において屈折
率が基板とする結晶より屈折率が大きい別なる無機や有
機の非線形結晶膜を形成できれば同じように機能を満た
すことが出来る。
の位相の反転する表面層を設けることがポイントであ
る。従って、上の説明では強誘電体の結晶を用い、自発
分極を反転させる場合の実施例を述べたが、強誘電体で
あることや、結晶軸の反転は必ずしも必要な条件ではな
く、必要なのは、関与する非線形光学定数の符号が表面
層と基板とで異符号であることである。従って、例え
ば、無機や有機の非線形光学結晶の上に、関与する非線
形光学定数の符号が異なり、基本波の波長において屈折
率が基板とする結晶より屈折率が大きい別なる無機や有
機の非線形結晶膜を形成できれば同じように機能を満た
すことが出来る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明のように、本発明によれば高効
率でしかも安定な導波路型波長変換素子が得られる。
率でしかも安定な導波路型波長変換素子が得られる。
【図１】本発明の一実施例の導波路型波長変換素子の構
造を説明する斜視図。
造を説明する斜視図。
【図２】実施例の断面図。
１ タンタル酸リチウム結晶板 ２ 分極反転層 ３ 導波路（ＴｉＯ2 膜） ６ ＳＨＧ放射光
Claims (1)
- 【請求項１】 基本波によって励起される２次分極波の
電界の位相が結晶基板とは反転する層を基板表面に形成
し、該層表面に誘電体装荷による基本波に対する導波路
を形成し、前記２次分極波の位相が反転する層の厚さに
よって定まる前記２次分極波の基板中への回折パターン
の主峰の角度が前記誘電体装荷による基本波に対する導
波路の等価屈折率と前記基板の屈折率とによって定まる
前記２次分極波の基板への放射角度に等しくなるように
前記誘電体装荷による基本波に対する導波路の等価屈折
率を定めたことを特徴とする導波路型波長変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11130291A JP2982366B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 導波路型波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11130291A JP2982366B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 導波路型波長変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07181533A JPH07181533A (ja) | 1995-07-21 |
| JP2982366B2 true JP2982366B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=14557780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11130291A Expired - Fee Related JP2982366B2 (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 導波路型波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982366B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256502A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 波長分離導波路及びそれを用いた波長変換素子 |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP11130291A patent/JP2982366B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07181533A (ja) | 1995-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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