JP3178849B2 - 導波路型ｓｈｇ素子 - Google Patents
導波路型ｓｈｇ素子Info
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- JP3178849B2 JP3178849B2 JP04104291A JP4104291A JP3178849B2 JP 3178849 B2 JP3178849 B2 JP 3178849B2 JP 04104291 A JP04104291 A JP 04104291A JP 4104291 A JP4104291 A JP 4104291A JP 3178849 B2 JP3178849 B2 JP 3178849B2
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- waveguide
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
- G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導波路型ＳＨＧ素子に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】光応用技術の進歩発展に伴い、光ディス
クメモリ、レーザプリンタ、半導体プロセスなど幅広い
分野で、光源レーザの短波長化が要求されている。特に
光ディスクシステム等の光機器分野への応用を考えると
小型化・低コスト化のために光源として半導体レーザを
用いることが前提となる。そこで、半導体レーザ自体の
短波長化の研究と平行して、非線形光学効果を応用した
第２高調波発生（ＳＨＧ）素子による短波長化の研究が
活発に行なわれている。特に半導体レーザを光源とする
場合は、数mWから数１０mWの入力光で高い変換効率を得
るために薄膜導波型のＳＨＧ素子を用いる必要がある。
クメモリ、レーザプリンタ、半導体プロセスなど幅広い
分野で、光源レーザの短波長化が要求されている。特に
光ディスクシステム等の光機器分野への応用を考えると
小型化・低コスト化のために光源として半導体レーザを
用いることが前提となる。そこで、半導体レーザ自体の
短波長化の研究と平行して、非線形光学効果を応用した
第２高調波発生（ＳＨＧ）素子による短波長化の研究が
活発に行なわれている。特に半導体レーザを光源とする
場合は、数mWから数１０mWの入力光で高い変換効率を得
るために薄膜導波型のＳＨＧ素子を用いる必要がある。
【０００３】この薄膜導波路を用いた光高調波発生で
は、第一に薄膜に集中した光のエネルギーを利用できる
ため高い変換効率が得られること、第二にバルク単結晶
においては基本波と第２高調波との位相整合のできない
物質でも薄膜のモード分散を利用して位相整合が可能に
なること、第三に、光波が薄膜内に集中され、チャンネ
ル型導波路では横方向にも閉じ込められ広がらないため
に、長い距離にわたって相互作用を行なわせることがで
きる、などの点で有利である。
は、第一に薄膜に集中した光のエネルギーを利用できる
ため高い変換効率が得られること、第二にバルク単結晶
においては基本波と第２高調波との位相整合のできない
物質でも薄膜のモード分散を利用して位相整合が可能に
なること、第三に、光波が薄膜内に集中され、チャンネ
ル型導波路では横方向にも閉じ込められ広がらないため
に、長い距離にわたって相互作用を行なわせることがで
きる、などの点で有利である。
【０００４】特に、半導体レーザでは、出力が低いの
で、入射光と第２高調波との位相整合を行なうことが重
要である。すなわち、高いＳＨＧ出力を得るためには、
発生した第２高調波と基本波長光から非線形光学効果に
より誘起される分極波とが、干渉により弱めあって減衰
してしまうのを防ぐために、両者の位相速度を一致させ
なければならない。これは、基本波長光に対する結晶の
屈折率と、第２高調波光に対する屈折率を一致させるこ
とに相当する。
で、入射光と第２高調波との位相整合を行なうことが重
要である。すなわち、高いＳＨＧ出力を得るためには、
発生した第２高調波と基本波長光から非線形光学効果に
より誘起される分極波とが、干渉により弱めあって減衰
してしまうのを防ぐために、両者の位相速度を一致させ
なければならない。これは、基本波長光に対する結晶の
屈折率と、第２高調波光に対する屈折率を一致させるこ
とに相当する。
【０００５】本発明者らは、半導体レーザを光源として
集光が容易で、数mW以上のＳＨＧ出力が得られる導波型
のＳＨＧ素子の開発研究を行ない、先に、非線形光学材
料としてＭｇＯ固溶ＬｉＮｂＯ3 を用いて、半導体レー
ザ光源により高出力可能なＳＨＧ素子を構成し、０．８
μm 帯半導体レーザ光源によるＳＨＧが可能なことを提
案している（“ＭｇＯ固溶ＬｉＮｂＯ3 導波路を用いた
ＳＨＧ素子の光波特性”電気学会研資・電磁界理論研究
会、ＥＭＴ−８９−１０４、１９８９，“ＬＤ光源を用
いた導波型ＳＨＧ素子の出力特性”信学技報、ＭＷ８９
−１４４、１９８９）。
集光が容易で、数mW以上のＳＨＧ出力が得られる導波型
のＳＨＧ素子の開発研究を行ない、先に、非線形光学材
料としてＭｇＯ固溶ＬｉＮｂＯ3 を用いて、半導体レー
ザ光源により高出力可能なＳＨＧ素子を構成し、０．８
μm 帯半導体レーザ光源によるＳＨＧが可能なことを提
案している（“ＭｇＯ固溶ＬｉＮｂＯ3 導波路を用いた
ＳＨＧ素子の光波特性”電気学会研資・電磁界理論研究
会、ＥＭＴ−８９−１０４、１９８９，“ＬＤ光源を用
いた導波型ＳＨＧ素子の出力特性”信学技報、ＭＷ８９
−１４４、１９８９）。
【０００６】このＳＨＧ素子の位相整合条件はモード分
散曲線によって求めるが、光源レーザの波長によってＳ
ＨＧ位相整合のとれる薄膜の厚さ（位相整合膜厚）も変
化する。波長０．８３μm のＬＤを光源とした場合の位
相整合膜厚は、約５．６μm であり、一方波長１．１５
μm のＨｅ−Ｎｅレーザを光源とした場合には約１．６
μm である。そして、光電搬損失は、１．０〜１．３dB
/cm と従来にない良好な値を示し、実際、波長１．１５
μm のＨｅ−Ｎｅレーザを光源とした場合は膜厚１．６
μm 、波長０．８３μm の半導体レーザを光源とした場
合は膜厚５．６μm でＳＨＧ位相整合がとれ、いずれも
理論値と一致する。そして、変換効率は４０mW入力に換
算して約１３％（ＳＨＧ出力約５mW）となる。
散曲線によって求めるが、光源レーザの波長によってＳ
ＨＧ位相整合のとれる薄膜の厚さ（位相整合膜厚）も変
化する。波長０．８３μm のＬＤを光源とした場合の位
相整合膜厚は、約５．６μm であり、一方波長１．１５
μm のＨｅ−Ｎｅレーザを光源とした場合には約１．６
μm である。そして、光電搬損失は、１．０〜１．３dB
/cm と従来にない良好な値を示し、実際、波長１．１５
μm のＨｅ−Ｎｅレーザを光源とした場合は膜厚１．６
μm 、波長０．８３μm の半導体レーザを光源とした場
合は膜厚５．６μm でＳＨＧ位相整合がとれ、いずれも
理論値と一致する。そして、変換効率は４０mW入力に換
算して約１３％（ＳＨＧ出力約５mW）となる。
【０００７】一方、ＬｉＮｂＯ3 結晶に光導波路を形成
し、この光導波路に近赤外光を透過し、これから結晶基
板中に放射（チェレンコフ輻射）される第２次高調波を
得る方式のＳＨＧ素子の提案もある（特開昭６０−１４
２２２号、特開昭６１−９４０３１号等）。
し、この光導波路に近赤外光を透過し、これから結晶基
板中に放射（チェレンコフ輻射）される第２次高調波を
得る方式のＳＨＧ素子の提案もある（特開昭６０−１４
２２２号、特開昭６１−９４０３１号等）。
【０００８】この方式のＳＨＧ素子は、基本波とＳＨＧ
波との位相整合条件が自動的に取れているため、精密な
温度調節が必要ないという特長を持つ反面、ＳＨＧ出力
が基板放射光であるため波面が特異で、収差のきつい、
不均一な強度分布の光が基板の端面から出てくる。この
ため、この光をガウス状強度分布の通常の使いやすいビ
ームに変換するには、この収差を補正する高級なレンズ
を必要とする。
波との位相整合条件が自動的に取れているため、精密な
温度調節が必要ないという特長を持つ反面、ＳＨＧ出力
が基板放射光であるため波面が特異で、収差のきつい、
不均一な強度分布の光が基板の端面から出てくる。この
ため、この光をガウス状強度分布の通常の使いやすいビ
ームに変換するには、この収差を補正する高級なレンズ
を必要とする。
【０００９】このため、例えばＺカットＬｉＮｂＯ3 結
晶板の表面に、交互に反転した自発分極の周期をもた
せ、この自発分極の周期の方向を、チャンネル光導波路
とし、このチャンネル光導波路の基本波（周波数ω）に
対する波数β（ω）と、第２高調波に対する前記チャン
ネル光導波路の波数β（２ω）とがβ（２ω）−２β
（ω）＝２π／Λなる関係をほぼ満たすように、交互に
反転した自発分極の周期Λを定め、前記チャンネル光導
波路の一端から基本波を入射し、他端から第２高調波を
得るようにすることによって、ＳＨＧ出力光に波面収差
のない、いわゆるグレーティング型の導波路型ＳＨＧ素
子が得る旨が種々提案されている（特開昭６３−８２０
２２号、特開平１−２５７９２２号、特開平２−６３０
２６号、特開平２−９３６２４号等）。
晶板の表面に、交互に反転した自発分極の周期をもた
せ、この自発分極の周期の方向を、チャンネル光導波路
とし、このチャンネル光導波路の基本波（周波数ω）に
対する波数β（ω）と、第２高調波に対する前記チャン
ネル光導波路の波数β（２ω）とがβ（２ω）−２β
（ω）＝２π／Λなる関係をほぼ満たすように、交互に
反転した自発分極の周期Λを定め、前記チャンネル光導
波路の一端から基本波を入射し、他端から第２高調波を
得るようにすることによって、ＳＨＧ出力光に波面収差
のない、いわゆるグレーティング型の導波路型ＳＨＧ素
子が得る旨が種々提案されている（特開昭６３−８２０
２２号、特開平１−２５７９２２号、特開平２−６３０
２６号、特開平２−９３６２４号等）。
【００１０】しかし、これらグレーティング型のＳＨＧ
素子は、ＳＨＧ出力が低く、ＳＨＧ変換効率が０．０１
％以下と低い。
素子は、ＳＨＧ出力が低く、ＳＨＧ変換効率が０．０１
％以下と低い。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、位相
整合のとれた高出力ＳＨＧが得られる新規なグレーティ
ング型のＳＨＧ素子を提供することにある。
整合のとれた高出力ＳＨＧが得られる新規なグレーティ
ング型のＳＨＧ素子を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）の本発明によって達成される。
（１）の本発明によって達成される。
【００１３】（１） 基板上に、非線形光学材料の第１
の導波路層を有し、この第１の導波路層と基板との間
に、この第１の導波路層の屈折率以下の屈折率の第２の
導波路層を設け、前記第１の導波路層の上に、前記第２
導波路層の屈折率とほぼ同等の第３の導波路層を設け、
この第３の導波路層に周期構造を付与し、第１の導波路
層が発生する第２高周波の電磁界の第２の導波路層で減
衰するように構成したことを特徴とする導波路型ＳＨＧ
素子。
の導波路層を有し、この第１の導波路層と基板との間
に、この第１の導波路層の屈折率以下の屈折率の第２の
導波路層を設け、前記第１の導波路層の上に、前記第２
導波路層の屈折率とほぼ同等の第３の導波路層を設け、
この第３の導波路層に周期構造を付与し、第１の導波路
層が発生する第２高周波の電磁界の第２の導波路層で減
衰するように構成したことを特徴とする導波路型ＳＨＧ
素子。
【００１４】
【実施例】図１には、本発明の実施例のＳＨＧ素子構造
が示される。
が示される。
【００１５】図１に示されるＳＨＧ素子１は、ＬｉＴａ
Ｏ3 の単結晶の基板２上に、非線形光学材料であるプロ
トン交換ＬｉＮｂＯ3 単結晶の第１の導波路層４を、所
定導波路長にて形成している。図示例では、導波路長は
１〜１０mm程度とし、第１の導波路層４の厚さｄ1 は、
０．３〜１μm 程度としている。
Ｏ3 の単結晶の基板２上に、非線形光学材料であるプロ
トン交換ＬｉＮｂＯ3 単結晶の第１の導波路層４を、所
定導波路長にて形成している。図示例では、導波路長は
１〜１０mm程度とし、第１の導波路層４の厚さｄ1 は、
０．３〜１μm 程度としている。
【００１６】この場合、本発明では、後述の周期構造
や、他の導波路層との結合による分散特性によって位相
整合を調整するので、第１の導波路層４の厚さｄ1 は、
位相整合膜厚とする必要はない。なお、第１の導波路層
４の巾は、チャンネル型ＳＨＧ素子の場合、０．５〜１
０μm 程度とする。
や、他の導波路層との結合による分散特性によって位相
整合を調整するので、第１の導波路層４の厚さｄ1 は、
位相整合膜厚とする必要はない。なお、第１の導波路層
４の巾は、チャンネル型ＳＨＧ素子の場合、０．５〜１
０μm 程度とする。
【００１７】第１の導波路層４の屈折率は、入射光（ｅ
jwt ）に対してｎo ＝２．２〜２．４程度すればよく、
このとき基板２は、ｎo ＝２．１〜２．２程度とすれば
よい。
jwt ）に対してｎo ＝２．２〜２．４程度すればよく、
このとき基板２は、ｎo ＝２．１〜２．２程度とすれば
よい。
【００１８】このような基板２と第１の導波路層４との
間には、Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 の第２の導波路層３が、
０．５〜５μm の厚さｄ2 で設けられている。この第２
の導波路層３は、入射光ｅjwt の電磁界が存在し、第１
の導波路層４で発生する第２高調波ｅj2wtの電磁界が層
中で減衰してしまうような屈折率の膜厚および材質とす
ればよい。
間には、Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 の第２の導波路層３が、
０．５〜５μm の厚さｄ2 で設けられている。この第２
の導波路層３は、入射光ｅjwt の電磁界が存在し、第１
の導波路層４で発生する第２高調波ｅj2wtの電磁界が層
中で減衰してしまうような屈折率の膜厚および材質とす
ればよい。
【００１９】一方、第２の導波路層４上には、第３の導
波路層５が形成される。第３の導波路層５の厚さｄ3 は
０．５〜５μm 程度とする。この第３の導波路層５は、
第２の導波路層と同様第１の導波路層４より低屈折率の
ものとする。
波路層５が形成される。第３の導波路層５の厚さｄ3 は
０．５〜５μm 程度とする。この第３の導波路層５は、
第２の導波路層と同様第１の導波路層４より低屈折率の
ものとする。
【００２０】このような場合、第１、第２および第３の
導波路層と、基板の屈折率を、それぞれｎ1 、ｎ2 、ｎ
3 、ｎ4とすると、基本波ωのＴＭ波に対し、ｎ1 ＞ｎ2
≒ｎ3 ＞ｎ4 、ｎ1 ＝１．０５〜１．２ｎ4 、ｎ2 ≒
ｎ3 ＝１．０１〜１．１ｎ4 程度とすることが好まし
い。
導波路層と、基板の屈折率を、それぞれｎ1 、ｎ2 、ｎ
3 、ｎ4とすると、基本波ωのＴＭ波に対し、ｎ1 ＞ｎ2
≒ｎ3 ＞ｎ4 、ｎ1 ＝１．０５〜１．２ｎ4 、ｎ2 ≒
ｎ3 ＝１．０１〜１．１ｎ4 程度とすることが好まし
い。
【００２１】さらに、このような第３の導波路層５の表
面には、周期構造が与えられる。周期構造としては、図
１に示されるように、周期的にドメインが反転する周期
ドメイン反転構造６であっても、周期的に屈折率が変化
する周期屈折率構造であってもよい。周期ドメイン反転
構造としては、周期的にＴｉの拡散、プロトンの交換等
を行なったりすればよく、周期屈折率構造としては、周
期的にＳｉ3 Ｎ4 、ＴｉＯ2 、ＳｅＡｓ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｏ、ガラス等を堆積させてもよい。
面には、周期構造が与えられる。周期構造としては、図
１に示されるように、周期的にドメインが反転する周期
ドメイン反転構造６であっても、周期的に屈折率が変化
する周期屈折率構造であってもよい。周期ドメイン反転
構造としては、周期的にＴｉの拡散、プロトンの交換等
を行なったりすればよく、周期屈折率構造としては、周
期的にＳｉ3 Ｎ4 、ＴｉＯ2 、ＳｅＡｓ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｏ、ガラス等を堆積させてもよい。
【００２２】周期構造パターンの周期Λは、前記のとお
り、β（２ω）−２β（ω）＝２π／Λ、すなわちｎ
（２ω）−ｎ（ω）＝λ／２Λ（λは波長）とすればよ
い。そして、このΛは導波路長方向に徐々に変化してい
てもよい。
り、β（２ω）−２β（ω）＝２π／Λ、すなわちｎ
（２ω）−ｎ（ω）＝λ／２Λ（λは波長）とすればよ
い。そして、このΛは導波路長方向に徐々に変化してい
てもよい。
【００２３】このような構成のＳＨＧ素子１の第１の導
波路層４内に、入射光ｅjwt を入射すると、第１の導波
路２には、非線形分極により、第２高調波ｅj2wtが発生
する。このとき、屈折率ｎo （ω）とｎe （２ω）との
関係により、入射光ＴＭ（ω）の電磁界Ｅ（ω）は第
１、第２および第３の導波路層４、３、５間で結合し、
図１に示されるような電磁界分布を示し、基本波が第１
〜第３の導波路４、３、５から出射される。
波路層４内に、入射光ｅjwt を入射すると、第１の導波
路２には、非線形分極により、第２高調波ｅj2wtが発生
する。このとき、屈折率ｎo （ω）とｎe （２ω）との
関係により、入射光ＴＭ（ω）の電磁界Ｅ（ω）は第
１、第２および第３の導波路層４、３、５間で結合し、
図１に示されるような電磁界分布を示し、基本波が第１
〜第３の導波路４、３、５から出射される。
【００２４】また、第１の導波路層４中では、グレーテ
ィング効果の結果、位相整合が行なわれる。そして、こ
の第２高調波ＴＥ（２ω）は、グレーティングの影響を
受けず、減衰されずに第１の導波路層４のみから出射さ
れ、第１の導波路層４から、入射光とともに、第２高調
波が高出力で出射される。
ィング効果の結果、位相整合が行なわれる。そして、こ
の第２高調波ＴＥ（２ω）は、グレーティングの影響を
受けず、減衰されずに第１の導波路層４のみから出射さ
れ、第１の導波路層４から、入射光とともに、第２高調
波が高出力で出射される。
【００２５】なお、本発明のＳＨＧ素子は、スラブ型と
してもチャンネル型としてもよい。
してもチャンネル型としてもよい。
【００２６】また、第１、第２、および第３の導波路層
３、４、５用の光学結晶としては、非線形光学効果を有
する光学異方性の材料であり、ｎ1 ＞ｎ2 ≒ｎ3 であれ
ば特に限定はなく、ＭｇＯ固溶ＬｉＮｂＯ3 や、この
他、例えば、Ｔｉを熱拡散させたＬｉＮｂＯ2 、プロト
ン交換したＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＫＴｉＯＰＯ
4 、ＫＮｂＯ3 、β−ＢａＢ2 Ｏ4 、Ｂａ2 ＮａＮｂ3
Ｏ15、Ｂａ2 ＬｉＮｂ5 Ｏ15、Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ2 Ｏ15、
α−石英、ＫＨ2 ＰＯ4 、ＫＤ2 ＰＯ4 、ＮＨ4 Ｈ2 Ｐ
Ｏ4 、ＣｓＨ2 ＡｓＯ4 、ＣｓＤ2 ＡｓＯ4 、ＲｂＨ2
ＰＯ4 、ＲｂＨ2 ＡｓＯ4 、ＢｅＳＯ4 −４Ｈ2 Ｏ、Ｌ
ｉＣｌＯ4 −３Ｈ2 Ｏ、ＬｉＩＯ3 等はいずれも使用可
能である。
３、４、５用の光学結晶としては、非線形光学効果を有
する光学異方性の材料であり、ｎ1 ＞ｎ2 ≒ｎ3 であれ
ば特に限定はなく、ＭｇＯ固溶ＬｉＮｂＯ3 や、この
他、例えば、Ｔｉを熱拡散させたＬｉＮｂＯ2 、プロト
ン交換したＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＫＴｉＯＰＯ
4 、ＫＮｂＯ3 、β−ＢａＢ2 Ｏ4 、Ｂａ2 ＮａＮｂ3
Ｏ15、Ｂａ2 ＬｉＮｂ5 Ｏ15、Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ2 Ｏ15、
α−石英、ＫＨ2 ＰＯ4 、ＫＤ2 ＰＯ4 、ＮＨ4 Ｈ2 Ｐ
Ｏ4 、ＣｓＨ2 ＡｓＯ4 、ＣｓＤ2 ＡｓＯ4 、ＲｂＨ2
ＰＯ4 、ＲｂＨ2 ＡｓＯ4 、ＢｅＳＯ4 −４Ｈ2 Ｏ、Ｌ
ｉＣｌＯ4 −３Ｈ2 Ｏ、ＬｉＩＯ3 等はいずれも使用可
能である。
【００２７】また、前記の他、基板２としては、導波路
層より屈折率が低く、基板上に特に導波路材料をエピタ
キシャル成長によって形成することのできる材料が要求
され、例えば実施例のようにＬｉＮｂＯ3 導波路にはＬ
ｉＴａＯ3 などが選ばれる。
層より屈折率が低く、基板上に特に導波路材料をエピタ
キシャル成長によって形成することのできる材料が要求
され、例えば実施例のようにＬｉＮｂＯ3 導波路にはＬ
ｉＴａＯ3 などが選ばれる。
【００２８】
【発明の効果】本発明のＳＨＧ素子では、高効率にてＳ
ＨＧ出力を得ることができる。また、基本波と第２高調
波との分波も容易となる。
ＨＧ出力を得ることができる。また、基本波と第２高調
波との分波も容易となる。
【図１】本発明の導波路型ＳＨＧ素子と、その電磁界分
布とを示す模式図である。
布とを示す模式図である。
１ 導波路ＳＨＧ素子 ２ 基板 ３ 第２の導波路層 ４ 第１の導波路層 ５ 第３の導波路層 ６ 周期ドメイン反転構造
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−44781（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−282232（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−71836（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−257922（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−82022（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−172933（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−93624（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/377 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、非線形光学材料の第１の導波
路層を有し、この第１の導波路層と基板との間に、この
第１の導波路層の屈折率以下の屈折率の第２の導波路層
を設け、前記第１の導波路層の上に、前記第２導波路層
の屈折率とほぼ同等の第３の導波路層を設け、この第３
の導波路層に周期構造を付与し、第１の導波路層が発生
する第２高周波の電磁界の第２の導波路層で減衰するよ
うに構成したことを特徴とする導波路型ＳＨＧ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04104291A JP3178849B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 導波路型ｓｈｇ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04104291A JP3178849B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 導波路型ｓｈｇ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257829A JPH04257829A (ja) | 1992-09-14 |
| JP3178849B2 true JP3178849B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=12597349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04104291A Expired - Fee Related JP3178849B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 導波路型ｓｈｇ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3178849B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP04104291A patent/JP3178849B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04257829A (ja) | 1992-09-14 |
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