JP3506304B2 - 光発生装置及びその製造方法 - Google Patents
光発生装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3506304B2 JP3506304B2 JP30536396A JP30536396A JP3506304B2 JP 3506304 B2 JP3506304 B2 JP 3506304B2 JP 30536396 A JP30536396 A JP 30536396A JP 30536396 A JP30536396 A JP 30536396A JP 3506304 B2 JP3506304 B2 JP 3506304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- substrate
- semiconductor laser
- light
- laser chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
- G02B6/4257—Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
- G02B6/4268—Cooling
- G02B6/4272—Cooling with mounting substrates of high thermal conductivity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4213—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being polarisation selective optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
- G02B6/4268—Cooling
- G02B6/4271—Cooling with thermo electric cooling
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザと光
導波路型光機能デバイスとより構成される光発生装置、
及びその製造方法に関する。
導波路型光機能デバイスとより構成される光発生装置、
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光情報処理分野では、半導体レーザ光の
出力を高速変調したり波長を半分にして短波長化したり
する光機能デバイスの開発が、活発に行われている。こ
こで、光を数ＧＨｚ以上の周波数で変調したり、ｍＷ以
上の出力パワーを有する短波長レーザ光を実現したりす
るためには、光導波路型光機能デバイスが有望である。
以下では、光導波路型の第２高調波発生（ｓｅｃｏｎｄ
ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ：ＳＨＧ）
デバイス（例えば、水内、他：アイ・イー・イー・イ
ー、ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロニクス、
３０（１９９４）、ｐｐ．１５９６を参照）及び光変調
デバイスについて、簡単に説明する。
出力を高速変調したり波長を半分にして短波長化したり
する光機能デバイスの開発が、活発に行われている。こ
こで、光を数ＧＨｚ以上の周波数で変調したり、ｍＷ以
上の出力パワーを有する短波長レーザ光を実現したりす
るためには、光導波路型光機能デバイスが有望である。
以下では、光導波路型の第２高調波発生（ｓｅｃｏｎｄ
ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ：ＳＨＧ）
デバイス（例えば、水内、他：アイ・イー・イー・イ
ー、ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロニクス、
３０（１９９４）、ｐｐ．１５９６を参照）及び光変調
デバイスについて、簡単に説明する。
【０００３】ＳＨＧデバイス５０の構成を、図１６を用
いて説明する。図１６は、典型的なＳＨＧデバイス５０
の構成を示す斜視図である。
いて説明する。図１６は、典型的なＳＨＧデバイス５０
の構成を示す斜視図である。
【０００４】ＳＨＧデバイス５０では、ｚカットＬｉＴ
ａＯ3結晶基板３１に光導波路３２が形成され、さらに
それに直交して、周期的な分極反転領域３３が形成され
ている。ＳＨＧデバイス５０では、基本波と発生する高
調波との伝搬定数の不整合を分極反転領域３３の周期構
造で補償することにより、高効率に高調波を出すことが
できる。
ａＯ3結晶基板３１に光導波路３２が形成され、さらに
それに直交して、周期的な分極反転領域３３が形成され
ている。ＳＨＧデバイス５０では、基本波と発生する高
調波との伝搬定数の不整合を分極反転領域３３の周期構
造で補償することにより、高効率に高調波を出すことが
できる。
【０００５】ＳＨＧデバイス５０の作製方法について、
以下に説明する。
以下に説明する。
【０００６】まず、非線形光学結晶であるｚカットＬＴ
ａＯ3結晶基板３１に、Ｔａの電極パターンを、蒸着及
びフォトリソグラフィーにより、幅数μｍの周期で形成
する。次に、約２ｋＶ／ｍｍの電圧を印加して、周期的
な分極反転領域３３を形成する。次に、Ｔａによるスリ
ットを、形成された周期的な分極反転領域３３に直交す
るように形成し、その後にピロ燐酸（約２６０℃）中で
約１６分間の熱処理を行って、プロトン交換を施す。さ
らにその後に、約４２０℃で約１分間のアニールを行
い、光導波路３２を形成する。
ａＯ3結晶基板３１に、Ｔａの電極パターンを、蒸着及
びフォトリソグラフィーにより、幅数μｍの周期で形成
する。次に、約２ｋＶ／ｍｍの電圧を印加して、周期的
な分極反転領域３３を形成する。次に、Ｔａによるスリ
ットを、形成された周期的な分極反転領域３３に直交す
るように形成し、その後にピロ燐酸（約２６０℃）中で
約１６分間の熱処理を行って、プロトン交換を施す。さ
らにその後に、約４２０℃で約１分間のアニールを行
い、光導波路３２を形成する。
【０００７】このようにしてｚカットＬｉＴａＯ3結晶
基板３１の上に形成されるプロトン交換された光導波路
３２は、ｚ方向に偏光成分をもつ光のみを導波すること
ができる。ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いてもＳ
ＨＧデバイスを作製することは可能であるが、一般に
は、以上で説明したようにｚカットＬｉＴａＯ3結晶基
板の上に形成されたＳＨＧデバイスの方が、高調波への
変換効率が大きい。
基板３１の上に形成されるプロトン交換された光導波路
３２は、ｚ方向に偏光成分をもつ光のみを導波すること
ができる。ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いてもＳ
ＨＧデバイスを作製することは可能であるが、一般に
は、以上で説明したようにｚカットＬｉＴａＯ3結晶基
板の上に形成されたＳＨＧデバイスの方が、高調波への
変換効率が大きい。
【０００８】次に、光導波路型ＳＨＧデバイスと半導体
レーザとを用いた従来の光発生装置の構成を、図１７を
参照して説明する。
レーザとを用いた従来の光発生装置の構成を、図１７を
参照して説明する。
【０００９】図１７において、半導体レーザ３４からの
光は、２つの結合レンズを用いて光導波路型ＳＨＧデバ
イス３９の上の光導波路４０に導かれる。具体的には、
半導体レーザ３４から出た光は、コリメートレンズ３５
で平行化された後に、半波長板（λ／２板）３６及びバ
ンドパスフィルタ３７を透過して、フォーカシングレン
ズ３８により光導波路型ＳＨＧデバイス３９の上に形成
された光導波路４０に集光される。ここで、半導体レー
ザ３４がＴＥモードで発振するのに対して、ＳＨＧデバ
イス３９の光導波路４０は、ｚ方向の偏光方向の光（す
なわち、ＴＭモードの光）のみを伝搬する。半波長板３
６は、そのような条件の下で、半導体レーザ３４からの
出射光と光導波路４０の伝搬光との間で最大のオーバー
ラップを得るために用いられる。半導体レーザ３４から
出射された光は、光導波路４０を伝搬する間に高調波光
に変換され、ＳＨＧデバイス３９の出射端より取り出さ
れる。
光は、２つの結合レンズを用いて光導波路型ＳＨＧデバ
イス３９の上の光導波路４０に導かれる。具体的には、
半導体レーザ３４から出た光は、コリメートレンズ３５
で平行化された後に、半波長板（λ／２板）３６及びバ
ンドパスフィルタ３７を透過して、フォーカシングレン
ズ３８により光導波路型ＳＨＧデバイス３９の上に形成
された光導波路４０に集光される。ここで、半導体レー
ザ３４がＴＥモードで発振するのに対して、ＳＨＧデバ
イス３９の光導波路４０は、ｚ方向の偏光方向の光（す
なわち、ＴＭモードの光）のみを伝搬する。半波長板３
６は、そのような条件の下で、半導体レーザ３４からの
出射光と光導波路４０の伝搬光との間で最大のオーバー
ラップを得るために用いられる。半導体レーザ３４から
出射された光は、光導波路４０を伝搬する間に高調波光
に変換され、ＳＨＧデバイス３９の出射端より取り出さ
れる。
【００１０】典型的には、波長約８６０ｎｍで出力約１
２０ｍＷのＡｌＧａＡｓ半導体レーザ光を基本波とした
ときに、波長約４３０ｎｍのブルー光が、約２．８ｍＷ
のパワーで得られる。また、上述した２つの結合レンズ
３５及び３８を用いた短波長光源のモジュール容量は、
典型的には約３ｃｃである（例えば、北岡、他：レーザ
ー研究、２３（１９９５）、ｐｐ．７８７を参照）。
２０ｍＷのＡｌＧａＡｓ半導体レーザ光を基本波とした
ときに、波長約４３０ｎｍのブルー光が、約２．８ｍＷ
のパワーで得られる。また、上述した２つの結合レンズ
３５及び３８を用いた短波長光源のモジュール容量は、
典型的には約３ｃｃである（例えば、北岡、他：レーザ
ー研究、２３（１９９５）、ｐｐ．７８７を参照）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクシステムや
光通信システムが一般に広く利用されるに従って、各デ
バイスの小型化及び低コスト化が重要視されてきてい
る。半導体レーザと光導波路型光機能デバイスとを有す
る光発生装置の小型化及び低コスト化を実現するために
は、光結合の調整作業（すなわち、光結合を得るための
位置合わせ作業）を簡素化するとともに、結合レンズを
なくすことが重要である。具体的には、現状では、図１
７に示すような半導体レーザ３４の光を２つの結合レン
ズ３５及び３８によって光導波路４０に導くモジュール
構成では、フォーカシングレンズ３８の光軸方向（図１
７のｙ方向）の位置合わせ、コリメートレンズ３５の光
軸方向（図１７のｙ方向）の位置合わせ、及び半導体レ
ーザ３４の図１７に示すｘ及びｚ方向への位置合わせが
必要であり、結果として４つの光学的調整が必要とな
る。このため、調整に時間を要するとともに、製造コス
トがアップする。さらに、先述のように、上記の構成を
有するシステムはモジュール容量が約３ｃｃと比較的大
きく、比較的大きな空間を占有する。これらの点は、光
ディスクシステムなどの民生品への応用に対して、大き
な課題となる。
光通信システムが一般に広く利用されるに従って、各デ
バイスの小型化及び低コスト化が重要視されてきてい
る。半導体レーザと光導波路型光機能デバイスとを有す
る光発生装置の小型化及び低コスト化を実現するために
は、光結合の調整作業（すなわち、光結合を得るための
位置合わせ作業）を簡素化するとともに、結合レンズを
なくすことが重要である。具体的には、現状では、図１
７に示すような半導体レーザ３４の光を２つの結合レン
ズ３５及び３８によって光導波路４０に導くモジュール
構成では、フォーカシングレンズ３８の光軸方向（図１
７のｙ方向）の位置合わせ、コリメートレンズ３５の光
軸方向（図１７のｙ方向）の位置合わせ、及び半導体レ
ーザ３４の図１７に示すｘ及びｚ方向への位置合わせが
必要であり、結果として４つの光学的調整が必要とな
る。このため、調整に時間を要するとともに、製造コス
トがアップする。さらに、先述のように、上記の構成を
有するシステムはモジュール容量が約３ｃｃと比較的大
きく、比較的大きな空間を占有する。これらの点は、光
ディスクシステムなどの民生品への応用に対して、大き
な課題となる。
【００１２】小型化の課題を解決するための手段とし
て、結合レンズのない直接結合型モジュールが提案され
ている（山本、他：特公平５−２９８９２号公報）。し
かし、この場合も、光結合の調整のために、３軸方向或
いは２軸方向に沿った調整（位置合わせ）が必要であ
り、光結合のための位置合わせ調整に時間を要すること
やそれに関連するため製造コストのアップという課題
は、解決されない。
て、結合レンズのない直接結合型モジュールが提案され
ている（山本、他：特公平５−２９８９２号公報）。し
かし、この場合も、光結合の調整のために、３軸方向或
いは２軸方向に沿った調整（位置合わせ）が必要であ
り、光結合のための位置合わせ調整に時間を要すること
やそれに関連するため製造コストのアップという課題
は、解決されない。
【００１３】さらに、ｚカットされた結晶基板の上にプ
ロトン交換法により作製された光導波路型光機能デバイ
スと、ＴＥモードで発振する半導体レーザからの出射光
と、を一つのサブマウント上で簡便に光結合すること
は、現状では困難である。すなわち、ｚカットされた結
晶基板上にプロトン交換法により作製された光導波路
は、ＴＭモードの光のみを導波することができる。従っ
て、そのような光導波路を、ＴＥモードで発振する半導
体レーザと同じサブマウント上に固定して、発振された
レーザ光を光導波路に結合するためには、両者の間に半
波長板を設置する必要がある。
ロトン交換法により作製された光導波路型光機能デバイ
スと、ＴＥモードで発振する半導体レーザからの出射光
と、を一つのサブマウント上で簡便に光結合すること
は、現状では困難である。すなわち、ｚカットされた結
晶基板上にプロトン交換法により作製された光導波路
は、ＴＭモードの光のみを導波することができる。従っ
て、そのような光導波路を、ＴＥモードで発振する半導
体レーザと同じサブマウント上に固定して、発振された
レーザ光を光導波路に結合するためには、両者の間に半
波長板を設置する必要がある。
【００１４】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、（１）半導体レーザと
光導波路型光機能デバイスとの間の光学的結合を得るた
めの位置合わせ調整を容易に実施できる小型の光発生装
置を提供すること、及び、（２）その製造方法を提供す
ること、である。
されたものであり、その目的は、（１）半導体レーザと
光導波路型光機能デバイスとの間の光学的結合を得るた
めの位置合わせ調整を容易に実施できる小型の光発生装
置を提供すること、及び、（２）その製造方法を提供す
ること、である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の光発生装置は、
サブマウントと、該サブマウント上に固定された半導体
レーザチップと、該サブマウント上に固定された、光導
波路が形成されている基板と、該半導体レーザチップと
該基板の間に挿入されている、所定の径を有する物体
と、を備えており、そのことによって上記目的が達成さ
れる。
サブマウントと、該サブマウント上に固定された半導体
レーザチップと、該サブマウント上に固定された、光導
波路が形成されている基板と、該半導体レーザチップと
該基板の間に挿入されている、所定の径を有する物体
と、を備えており、そのことによって上記目的が達成さ
れる。
【００１６】ある実施形態では、前記基板が強誘電体結
晶基板である。前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａxＮ
ｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電
体結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域を
さらに備え得る。
晶基板である。前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａxＮ
ｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電
体結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域を
さらに備え得る。
【００１７】前記光導波路がイオン交換法により形成さ
れ得る。
れ得る。
【００１８】前記物体は、ガラス球体或いはファイバで
あり得る。
あり得る。
【００１９】本発明の他の局面によれば、光発生装置
は、第１の面及び第２の面を含むサブマウントと、該サ
ブマウントの該第１の面の上に固定された半導体レーザ
チップと、該サブマウントの該第２の面の上に固定され
た、光導波路が形成されている基板と、を備えており、
該第１の面と該第２の面とが垂直な位置関係にあり、そ
のことによって上記目的が達成される。
は、第１の面及び第２の面を含むサブマウントと、該サ
ブマウントの該第１の面の上に固定された半導体レーザ
チップと、該サブマウントの該第２の面の上に固定され
た、光導波路が形成されている基板と、を備えており、
該第１の面と該第２の面とが垂直な位置関係にあり、そ
のことによって上記目的が達成される。
【００２０】本発明のさらに他の局面によれば、光発生
装置が、第１の部分と第２の部分とを含むサブマウント
と、該サブマウントの該第１の部分に固定された半導体
レーザチップと、該サブマウントの該第２の部分に固定
された、光導波路が形成されている基板と、を備えてお
り、該第１の部分の構成材料と該第２の部分の構成材料
とがお互いに異なっていて、そのことによって上記目的
が達成される。
装置が、第１の部分と第２の部分とを含むサブマウント
と、該サブマウントの該第１の部分に固定された半導体
レーザチップと、該サブマウントの該第２の部分に固定
された、光導波路が形成されている基板と、を備えてお
り、該第１の部分の構成材料と該第２の部分の構成材料
とがお互いに異なっていて、そのことによって上記目的
が達成される。
【００２１】ある実施形態では、前記基板が強誘電体結
晶基板である。前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａxＮ
ｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電
体結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域を
さらに備え得る。
晶基板である。前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａxＮ
ｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電
体結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域を
さらに備え得る。
【００２２】前記光導波路がイオン交換法により形成さ
れ得る。
れ得る。
【００２３】ある実施形態では、前記サブマウントの前
記第１の部分と前記第２の部分との間に挿入されてい
る、複屈折性を有する結晶薄板をさらに備える。
記第１の部分と前記第２の部分との間に挿入されてい
る、複屈折性を有する結晶薄板をさらに備える。
【００２４】ある実施形態では、前記第１の部分の熱伝
導率が前記第２の部分の熱伝導率よりも大きい。
導率が前記第２の部分の熱伝導率よりも大きい。
【００２５】前記第１の部分及び前記第２の部分の材料
がセラミックスであり得る。
がセラミックスであり得る。
【００２６】本発明の光発生装置の製造方法は、お互い
に垂直な位置関係にある第１の面及び第２の面を含むサ
ブマウントと、半導体レーザチップと、光導波路が形成
されている基板と、のそれぞれに、位置合わせ用のマー
クを形成するステップと、該サブマウントの該マークと
該半導体レーザチップの該マークとが一致するように両
者を位置合わせして、該サブマウントの該第１の面の上
に該半導体レーザチップを固定するステップと、該サブ
マウントの該マークと該基板の該マークとが一致するよ
うに両者を位置合わせして、該サブマウントの該第２の
面の上に該基板を固定するステップと、を包含してお
り、そのことによって上記目的が達成される。
に垂直な位置関係にある第１の面及び第２の面を含むサ
ブマウントと、半導体レーザチップと、光導波路が形成
されている基板と、のそれぞれに、位置合わせ用のマー
クを形成するステップと、該サブマウントの該マークと
該半導体レーザチップの該マークとが一致するように両
者を位置合わせして、該サブマウントの該第１の面の上
に該半導体レーザチップを固定するステップと、該サブ
マウントの該マークと該基板の該マークとが一致するよ
うに両者を位置合わせして、該サブマウントの該第２の
面の上に該基板を固定するステップと、を包含してお
り、そのことによって上記目的が達成される。
【００２７】本発明の他の局面によれば、光発生装置の
製造方法が、第１の面及び第２の面を含むサブマウント
と、半導体レーザチップと、のそれぞれに、位置合わせ
用のマークを形成するステップと、該サブマウントに該
第１の面に対向する側から該サブマウントを透過する光
を照射して、該サブマウントの該マークと該半導体チッ
プの該マークとをそれぞれ画像認識するステップと、該
サブマウントの該マークと該半導体チップの該マークと
が一致するように両者を位置合わせして、該サブマウン
トの該第１の面の上に該半導体レーザチップを固定する
ステップと、光導波路が形成されている基板を、該サブ
マウントの該第２の面の上に固定するステップと、を包
含しており、そのことによって上記目的が達成される。
製造方法が、第１の面及び第２の面を含むサブマウント
と、半導体レーザチップと、のそれぞれに、位置合わせ
用のマークを形成するステップと、該サブマウントに該
第１の面に対向する側から該サブマウントを透過する光
を照射して、該サブマウントの該マークと該半導体チッ
プの該マークとをそれぞれ画像認識するステップと、該
サブマウントの該マークと該半導体チップの該マークと
が一致するように両者を位置合わせして、該サブマウン
トの該第１の面の上に該半導体レーザチップを固定する
ステップと、光導波路が形成されている基板を、該サブ
マウントの該第２の面の上に固定するステップと、を包
含しており、そのことによって上記目的が達成される。
【００２８】ある実施形態では、前記サブマウントに照
射する前記光がＩｎＰ系半導体レーザ光である。
射する前記光がＩｎＰ系半導体レーザ光である。
【００２９】ある実施形態では、前記基板が強誘電体結
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に周期的分極反転領域を設けるステップを
さらに包含し得る。
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に周期的分極反転領域を設けるステップを
さらに包含し得る。
【００３０】前記光導波路をイオン交換法により形成す
るステップをさらに包含し得る。
るステップをさらに包含し得る。
【００３１】本発明のさらに他の局面よれば、光発生装
置の製造方法が、半導体レーザチップのレーザ発振のた
めの積層構造の少なくとも一部を発光させて発光領域を
形成するステップと、該半導体レーザチップの該発光領
域を認識して、その位置情報に基づいて、該半導体レー
ザチップをサブマウントの所望の位置に固定するステッ
プと、光導波路が形成された基板を該サブマウントの上
に固定するステップと、を包含しており、そのことによ
って上記目的が達成される。
置の製造方法が、半導体レーザチップのレーザ発振のた
めの積層構造の少なくとも一部を発光させて発光領域を
形成するステップと、該半導体レーザチップの該発光領
域を認識して、その位置情報に基づいて、該半導体レー
ザチップをサブマウントの所望の位置に固定するステッ
プと、光導波路が形成された基板を該サブマウントの上
に固定するステップと、を包含しており、そのことによ
って上記目的が達成される。
【００３２】ある実施形態では、光励起により前記発光
領域を形成する。
領域を形成する。
【００３３】他の実施形態では、前記半導体レーザチッ
プの活性層に外部から光結合することにより前記発光領
域を形成する。
プの活性層に外部から光結合することにより前記発光領
域を形成する。
【００３４】さらに他の実施形態では、前記半導体レー
ザチップのパルス駆動により前記発光領域を形成する。
ザチップのパルス駆動により前記発光領域を形成する。
【００３５】ある実施形態では、前記基板が強誘電体結
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に周期的分極反転領域を形成するステップ
をさらに包含し得る。
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に周期的分極反転領域を形成するステップ
をさらに包含し得る。
【００３６】前記光導波路をイオン交換法により形成す
るステップをさらに包含し得る。
るステップをさらに包含し得る。
【００３７】本発明のさらに他の局面によれば、光発生
装置が、サブマウントと、該サブマウントの上に固定さ
れた半導体レーザチップと、該サブマウントの上に固定
された、複数の光導波路が形成されている基板と、を備
え、該複数の光導波路が形成されている該基板の表面と
該基板が固定されている該サブマウントの表面とがお互
いに非平行関係にあり、そのことによって上記目的が達
成される。
装置が、サブマウントと、該サブマウントの上に固定さ
れた半導体レーザチップと、該サブマウントの上に固定
された、複数の光導波路が形成されている基板と、を備
え、該複数の光導波路が形成されている該基板の表面と
該基板が固定されている該サブマウントの表面とがお互
いに非平行関係にあり、そのことによって上記目的が達
成される。
【００３８】ある実施形態では、前記複数の光導波路が
形成されている前記基板の表面に形成された突起をさら
に備え、該突起によって前記非平行関係が得られる。
形成されている前記基板の表面に形成された突起をさら
に備え、該突起によって前記非平行関係が得られる。
【００３９】他の実施形態では、前記基板が固定されて
いる前記サブマウントの表面に形成された突起をさらに
備え、該突起によって前記非平行関係が得られる。
いる前記サブマウントの表面に形成された突起をさらに
備え、該突起によって前記非平行関係が得られる。
【００４０】さらに他の実施形態では、前記基板がお互
いに平行ではない表面と裏面とを有しており、それによ
って前記非平行関係が得られる。
いに平行ではない表面と裏面とを有しており、それによ
って前記非平行関係が得られる。
【００４１】ある実施形態では、前記基板が強誘電体結
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域をさ
らに備え得る。
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域をさ
らに備え得る。
【００４２】前記複数の光導波路がイオン交換法により
形成され得る。
形成され得る。
【００４３】本発明のさらに他の局面によれば、サブマ
ウントと、半導体レーザチップと、光導波路が形成され
ている基板と、を備え、該光導波路が形成されている該
基板の表面と該基板が固定される該サブマウントの表面
とがお互いに非平行関係にある、光発生装置の製造方法
であって、該方法は、該サブマウント及び該基板の少な
くとも一方を加工して該非平行関係を得るステップと、
該サブマウントの上に該半導体レーザチップを固定する
ステップと、該サブマウントの上で該基板を、該固定さ
れた半導体レーザチップの光軸に対して平行に移動さ
せ、該基板の厚み方向での該基板と該半導体レーザとの
間の結合光学調整を行って、該基板を該サブマウント上
の所望の位置に固定するステップと、を包含しており、
そのことによって上記目的が達成される。
ウントと、半導体レーザチップと、光導波路が形成され
ている基板と、を備え、該光導波路が形成されている該
基板の表面と該基板が固定される該サブマウントの表面
とがお互いに非平行関係にある、光発生装置の製造方法
であって、該方法は、該サブマウント及び該基板の少な
くとも一方を加工して該非平行関係を得るステップと、
該サブマウントの上に該半導体レーザチップを固定する
ステップと、該サブマウントの上で該基板を、該固定さ
れた半導体レーザチップの光軸に対して平行に移動さ
せ、該基板の厚み方向での該基板と該半導体レーザとの
間の結合光学調整を行って、該基板を該サブマウント上
の所望の位置に固定するステップと、を包含しており、
そのことによって上記目的が達成される。
【００４４】ある実施形態では、前記光導波路が形成さ
れている前記基板の表面に突起を形成するステップをさ
らに包含し、該突起によって前記非平行関係が得られ
る。
れている前記基板の表面に突起を形成するステップをさ
らに包含し、該突起によって前記非平行関係が得られ
る。
【００４５】他の実施形態では、前記基板が固定されて
いる前記サブマウントの表面に突起を形成するステップ
をさらに包含し、該突起によって前記非平行関係が得ら
れる。
いる前記サブマウントの表面に突起を形成するステップ
をさらに包含し、該突起によって前記非平行関係が得ら
れる。
【００４６】さらに他の実施形態では、前記基板の表面
と裏面とをお互いに非平行に形成するステップをさらに
包含し、それによって前記非平行関係が得られる。
と裏面とをお互いに非平行に形成するステップをさらに
包含し、それによって前記非平行関係が得られる。
【００４７】ある実施形態では、前記基板が強誘電体結
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域をさ
らに備え得る。
晶基板である。前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮｂ
1-xＯ3（０≦ｘ≦１）であり得る。また、前記強誘電体
結晶基板の上に形成されている周期的分極反転領域をさ
らに備え得る。
【００４８】前記光導波路がイオン交換法により形成さ
れ得る。
れ得る。
【００４９】以下に作用を説明する。
【００５０】本発明によれば、サブマウント上に少なく
とも、半導体レーザチップと、光導波路が形成された強
誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定されてい
る光発生装置において、半導体レーザチップと強誘電体
結晶基板の間に所定の半径を有する物体、例えば、ファ
イバやお互いに同一の半径を有する複数の球を挿入する
ことで、半導体レーザチップと光導波路との間の光学的
な調整を容易に実現することが可能になる。
とも、半導体レーザチップと、光導波路が形成された強
誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定されてい
る光発生装置において、半導体レーザチップと強誘電体
結晶基板の間に所定の半径を有する物体、例えば、ファ
イバやお互いに同一の半径を有する複数の球を挿入する
ことで、半導体レーザチップと光導波路との間の光学的
な調整を容易に実現することが可能になる。
【００５１】また、本発明によれば、サブマウント上に
少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成さ
れた強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定さ
れている光発生装置において、半導体レーザチップが固
定されているサブマウントの第１の面と強誘電体結晶基
板が固定されているサブマウントの第２の面とがお互い
に垂直な位置関係を有するようにすることで、半導体レ
ーザチップと光導波路との間の光学的な調整を容易に実
現することが可能になる。
少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成さ
れた強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定さ
れている光発生装置において、半導体レーザチップが固
定されているサブマウントの第１の面と強誘電体結晶基
板が固定されているサブマウントの第２の面とがお互い
に垂直な位置関係を有するようにすることで、半導体レ
ーザチップと光導波路との間の光学的な調整を容易に実
現することが可能になる。
【００５２】さらに、本発明によれば、サブマウント上
に少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成
された強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定
されている光発生装置において、半導体レーザチップが
固定されているサブマウントの第１の部分と強誘電体結
晶基板が固定されているサブマウントの第２の部分とを
異なる材料から形成することで、より安定して動作する
光発生装置を提供することが可能になる。
に少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成
された強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定
されている光発生装置において、半導体レーザチップが
固定されているサブマウントの第１の部分と強誘電体結
晶基板が固定されているサブマウントの第２の部分とを
異なる材料から形成することで、より安定して動作する
光発生装置を提供することが可能になる。
【００５３】さらに、本発明によれば、サブマウント上
に少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成
された強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定
されている光発生装置において、半導体レーザチップが
固定されているサブマウントの第１の部分と強誘電体結
晶基板が固定されているサブマウントの第２の部分とを
異なる材料から形成するとともに、第１の部分と第２の
部分との間に複屈折性を有する薄板を挿入することで、
より安定して動作する光発生装置を提供することが可能
になる。
に少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成
された強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定
されている光発生装置において、半導体レーザチップが
固定されているサブマウントの第１の部分と強誘電体結
晶基板が固定されているサブマウントの第２の部分とを
異なる材料から形成するとともに、第１の部分と第２の
部分との間に複屈折性を有する薄板を挿入することで、
より安定して動作する光発生装置を提供することが可能
になる。
【００５４】さらに本発明によれば、サブマウント上に
少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成さ
れた強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定さ
れている光発生装置において、半導体レーザチップと強
誘電体結晶基板とサブマウントとに位置合わせ用のマー
クを形成した上で、半導体レーザチップと強誘電体結晶
基板とを固定するサブマウントの面の反対側よりサブマ
ウントに透過光を照射して各マークを画像認識し、各マ
ークが一致するように各構成要素を位置合わせして、サ
ブマウント上に半導体レーザチップや強誘電体結晶基板
を固定する。これによって、光発生装置のさらに簡単な
製造方法が提供される。
少なくとも、半導体レーザチップと、光導波路が形成さ
れた強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が固定さ
れている光発生装置において、半導体レーザチップと強
誘電体結晶基板とサブマウントとに位置合わせ用のマー
クを形成した上で、半導体レーザチップと強誘電体結晶
基板とを固定するサブマウントの面の反対側よりサブマ
ウントに透過光を照射して各マークを画像認識し、各マ
ークが一致するように各構成要素を位置合わせして、サ
ブマウント上に半導体レーザチップや強誘電体結晶基板
を固定する。これによって、光発生装置のさらに簡単な
製造方法が提供される。
【００５５】さらに本発明によれば、半導体レーザチッ
プをサブマウント上に固定する際に、半導体レーザチッ
プを光励起により発光させたり、半導体レーザチップの
活性層内の導波路部分に外部から光結合させたりするこ
とにより、半導体レーザチップの積層構造に発光領域を
形成する。そして、この発光領域を利用して半導体レー
ザチップをサブマウントの所望の位置に固定することに
よって、光発生装置の安定した製造方法が提供される。
プをサブマウント上に固定する際に、半導体レーザチッ
プを光励起により発光させたり、半導体レーザチップの
活性層内の導波路部分に外部から光結合させたりするこ
とにより、半導体レーザチップの積層構造に発光領域を
形成する。そして、この発光領域を利用して半導体レー
ザチップをサブマウントの所望の位置に固定することに
よって、光発生装置の安定した製造方法が提供される。
【００５６】さらに本発明によれば、サブマウント上に
少なくとも、半導体レーザチップと、複数の光導波路が
形成された強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が
固定されている光発生装置において、光導波路が形成さ
れている強誘電体結晶基板の表面と、強誘電体結晶基板
が固定されているサブマウントの表面とを、お互いに平
行でない非平行な位置関係に置く。これによって、光結
合のための位置合わせ調整を容易に行うことができる光
発生装置が提供される。
少なくとも、半導体レーザチップと、複数の光導波路が
形成された強誘電体結晶基板（光機能デバイス）と、が
固定されている光発生装置において、光導波路が形成さ
れている強誘電体結晶基板の表面と、強誘電体結晶基板
が固定されているサブマウントの表面とを、お互いに平
行でない非平行な位置関係に置く。これによって、光結
合のための位置合わせ調整を容易に行うことができる光
発生装置が提供される。
【００５７】半導体レーザと光導波路型光機能デバイス
とから構成される光発生装置においては、結合レンズの
ない直接結合型の光発生装置の半導体レーザと光導波路
の光結合のための位置合わせ調整を簡素化することが重
要である。
とから構成される光発生装置においては、結合レンズの
ない直接結合型の光発生装置の半導体レーザと光導波路
の光結合のための位置合わせ調整を簡素化することが重
要である。
【００５８】以上のような特徴を有する本発明の利点
は、半導体レーザチップと光機能デバイスとをサブマウ
ントの同一平面上で光学的に位置合わせ調整する場合
に、半導体レーザチップと光機能デバイスとの間に所定
の半径を有する物体、例えば同一半径の複数の球を挿入
することで、半導体レーザと光機能デバイスとの距離方
向ｙ方向の調整を省略できることである。
は、半導体レーザチップと光機能デバイスとをサブマウ
ントの同一平面上で光学的に位置合わせ調整する場合
に、半導体レーザチップと光機能デバイスとの間に所定
の半径を有する物体、例えば同一半径の複数の球を挿入
することで、半導体レーザと光機能デバイスとの距離方
向ｙ方向の調整を省略できることである。
【００５９】また、光導波路が形成されている強誘電体
結晶基板がｚカット結晶基板である場合に、半導体レー
ザチップが固定されているサブマウントの面と強誘電体
結晶基板が固定されているサブマウントの面とをお互い
に垂直な位置関係にすることで、半導体レーザチップと
強誘電体結晶基板とを、それらの間に半波長板を設ける
ことなく同一サブマウント上に固定できる。さらに、半
導体レーザの活性層を強誘電体結晶基板が固定されてい
る平面内に固定すれば、強誘電体結晶基板を一軸方向に
位置合わせ調整するだけで、光結合のための位置合わせ
調整を容易に行うことができる。
結晶基板がｚカット結晶基板である場合に、半導体レー
ザチップが固定されているサブマウントの面と強誘電体
結晶基板が固定されているサブマウントの面とをお互い
に垂直な位置関係にすることで、半導体レーザチップと
強誘電体結晶基板とを、それらの間に半波長板を設ける
ことなく同一サブマウント上に固定できる。さらに、半
導体レーザの活性層を強誘電体結晶基板が固定されてい
る平面内に固定すれば、強誘電体結晶基板を一軸方向に
位置合わせ調整するだけで、光結合のための位置合わせ
調整を容易に行うことができる。
【００６０】
【発明の実施の形態】添付の図面を参照して、本発明の
様々な実施形態を以下に説明する。なお、各図面で、同
様の構成要素には同様の参照番号を付しており、重複す
る説明は省略する。
様々な実施形態を以下に説明する。なお、各図面で、同
様の構成要素には同様の参照番号を付しており、重複す
る説明は省略する。
【００６１】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態における光発生装置１００を、以下に説明する。
態における光発生装置１００を、以下に説明する。
【００６２】光発生装置１００では、半導体レーザチッ
プ１と光導波路４が形成された基板（光機能デバイス）
３とが同一のサブマウント６の上に固定され、半導体レ
ーザチップ１と基板３の間に同一半径の複数の球８が挿
入されている。基板としては、ｘカットＬｉＴａＯ3結
晶基板が用いられる。ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板に
は、イオン交換法の一種であるプロトン交換法により光
導波路４が形成され、さらに電界印加法により、周期的
分極反転構造５が光導波路４に直交して形成されてい
る。よって、この基板は、半導体レーザチップ１からの
出射光を半分の波長の光に変換する、ＳＨＧデバイス３
としての機能を有する。
プ１と光導波路４が形成された基板（光機能デバイス）
３とが同一のサブマウント６の上に固定され、半導体レ
ーザチップ１と基板３の間に同一半径の複数の球８が挿
入されている。基板としては、ｘカットＬｉＴａＯ3結
晶基板が用いられる。ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板に
は、イオン交換法の一種であるプロトン交換法により光
導波路４が形成され、さらに電界印加法により、周期的
分極反転構造５が光導波路４に直交して形成されてい
る。よって、この基板は、半導体レーザチップ１からの
出射光を半分の波長の光に変換する、ＳＨＧデバイス３
としての機能を有する。
【００６３】図１（ａ）は、光発生装置１００の側面図
であり、図１（ｂ）は、その上面図である。図１（ａ）
及び（ｂ）において、１は波長約８５０ｎｍのレーザ光
を発するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザチップ、３は光導
波路型ＳＨＧデバイス、６はＳｉサブマウントである。
であり、図１（ｂ）は、その上面図である。図１（ａ）
及び（ｂ）において、１は波長約８５０ｎｍのレーザ光
を発するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザチップ、３は光導
波路型ＳＨＧデバイス、６はＳｉサブマウントである。
【００６４】半導体レーザチップ１はＴＥモードで発振
しているため、偏光方向は、基板表面或いは活性層２の
表面に対して平行である。一方、光導波路型ＳＨＧデバ
イス３のｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板の上のプロトン
交換光導波路４は、基板のｚ方向に屈折率分布をもつた
めに、基板に対して平行方向の光を伝搬することができ
る（図中のｘ、ｙ、ｚは結晶軸を示す）。そのため、半
導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバイス３とを
Ｓｉサブマウント６の同一平面上に配置して、それらの
間で光結合を行うことができる。
しているため、偏光方向は、基板表面或いは活性層２の
表面に対して平行である。一方、光導波路型ＳＨＧデバ
イス３のｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板の上のプロトン
交換光導波路４は、基板のｚ方向に屈折率分布をもつた
めに、基板に対して平行方向の光を伝搬することができ
る（図中のｘ、ｙ、ｚは結晶軸を示す）。そのため、半
導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバイス３とを
Ｓｉサブマウント６の同一平面上に配置して、それらの
間で光結合を行うことができる。
【００６５】半導体レーザチップ１は、Ａｕ蒸着された
Ｓｉサブマウント６の上に、活性層２を下向きにして
（すなわちジャンクションダウン方向に）、はんだでボ
ンディングされている。半導体レーザチップ１の活性層
２の高さは、Ｓｉサブマウントから約５μｍである。
Ｓｉサブマウント６の上に、活性層２を下向きにして
（すなわちジャンクションダウン方向に）、はんだでボ
ンディングされている。半導体レーザチップ１の活性層
２の高さは、Ｓｉサブマウントから約５μｍである。
【００６６】光導波路型ＳＨＧデバイス３の上には、光
導波路４と周期約３．８μｍの分極反転領域５とが形成
されている。半導体レーザチップ１の活性層２と光導波
路４の高さとを一致させるために、光導波路４の上に
は、厚さ約５μｍのＳｉＯ2保護膜７が形成されてい
る。
導波路４と周期約３．８μｍの分極反転領域５とが形成
されている。半導体レーザチップ１の活性層２と光導波
路４の高さとを一致させるために、光導波路４の上に
は、厚さ約５μｍのＳｉＯ2保護膜７が形成されてい
る。
【００６７】半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧ
デバイス３との間に挿入されている球８は、ＳｉＯ2ガ
ラスからなる直径約４μｍの球である。本実施形態で
は、球８として、液晶ディスプレイの液晶を挟む部分の
ギャップの形成に用いられるガラス球が用いられる。
デバイス３との間に挿入されている球８は、ＳｉＯ2ガ
ラスからなる直径約４μｍの球である。本実施形態で
は、球８として、液晶ディスプレイの液晶を挟む部分の
ギャップの形成に用いられるガラス球が用いられる。
【００６８】半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧ
デバイス３の距離は、球８が挿入されているため、一定
に保持される。そのため、図１（ｂ）の矢印方向のみの
一軸に沿った調整で、半導体レーザチップ１の光を光導
波路４に結合させることができる。具体的には、半導体
レーザ出力約１００ｍＷに対して、約７０ｍＷの光を光
導波路４に結合することができる。
デバイス３の距離は、球８が挿入されているため、一定
に保持される。そのため、図１（ｂ）の矢印方向のみの
一軸に沿った調整で、半導体レーザチップ１の光を光導
波路４に結合させることができる。具体的には、半導体
レーザ出力約１００ｍＷに対して、約７０ｍＷの光を光
導波路４に結合することができる。
【００６９】光導波路型ＳＨＧデバイス３は、紫外線硬
化樹脂にてＳｉサブマウント６に固定される。また、本
実施形態では、半導体レーザチップ１として、波長チュ
ーニング可能なＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）半導体レ
ーザが用いられる。半導体レーザチップ１の光の波長
は、光導波路型ＳＨＧデバイス３の位相整合波長に可変
され、約１ｍＷのブルー光を光導波路４の出射端面より
得ることができる。
化樹脂にてＳｉサブマウント６に固定される。また、本
実施形態では、半導体レーザチップ１として、波長チュ
ーニング可能なＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）半導体レ
ーザが用いられる。半導体レーザチップ１の光の波長
は、光導波路型ＳＨＧデバイス３の位相整合波長に可変
され、約１ｍＷのブルー光を光導波路４の出射端面より
得ることができる。
【００７０】本実施形態のようなモジュール構成では、
容量１ｃｃ以下を実現できて、従来のレンズ結合型モジ
ュールよりも小さくできる。また、球８が半導体レーザ
チップ１とＳＨＧデバイス３の距離を自動的に決めるた
め、一軸方向の位置合わせ調整のみで半導体レーザチッ
プ１の光を光導波路４に結合でき、従来より短時間の光
結合のための位置合わせ調整が実現できる。具体的に
は、モジュール製造時間として、従来のレンズ結合型で
は約５分、従来の３軸方向の位置合わせ調整を要する直
接結合型では約１分を要していたが、本実施形態の構成
では、約３０秒で行うことができる。さらに、球８が半
導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバイス３の間
に挿入されているため、活性層２や光導波路４の端面を
損傷することなく、光結合のための位置合わせ調整する
ことが可能である。
容量１ｃｃ以下を実現できて、従来のレンズ結合型モジ
ュールよりも小さくできる。また、球８が半導体レーザ
チップ１とＳＨＧデバイス３の距離を自動的に決めるた
め、一軸方向の位置合わせ調整のみで半導体レーザチッ
プ１の光を光導波路４に結合でき、従来より短時間の光
結合のための位置合わせ調整が実現できる。具体的に
は、モジュール製造時間として、従来のレンズ結合型で
は約５分、従来の３軸方向の位置合わせ調整を要する直
接結合型では約１分を要していたが、本実施形態の構成
では、約３０秒で行うことができる。さらに、球８が半
導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバイス３の間
に挿入されているため、活性層２や光導波路４の端面を
損傷することなく、光結合のための位置合わせ調整する
ことが可能である。
【００７１】球８を利用して半導体レーザチップ１と光
導波路型ＳＨＧデバイス３の距離を調整しているが、シ
ングルモードファイバのような円柱状の物体を挿入して
調整しても、同様の効果が得られる。
導波路型ＳＨＧデバイス３の距離を調整しているが、シ
ングルモードファイバのような円柱状の物体を挿入して
調整しても、同様の効果が得られる。
【００７２】また、本実施形態ではｘカットＬｉＴａＯ
3結晶基板を用いてＳＨＧデバイス３を構成している
が、ｘカットＬｉＮｂＯ3結晶基板やｘカットＫＴｉＯ
ＰＯ4結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス３と
半導体レーザチップ１とにより構成される光発生装置に
おいても、同様の効果が得られる。
3結晶基板を用いてＳＨＧデバイス３を構成している
が、ｘカットＬｉＮｂＯ3結晶基板やｘカットＫＴｉＯ
ＰＯ4結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス３と
半導体レーザチップ１とにより構成される光発生装置に
おいても、同様の効果が得られる。
【００７３】（第２の実施形態）図２（ａ）は、第２の
実施形態における光発生装置２００の側面図であり、図
２（ｂ）は、その上面図である。
実施形態における光発生装置２００の側面図であり、図
２（ｂ）は、その上面図である。
【００７４】第１の実施形態では、ｘカットＬｉＴａＯ
3結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス３を用い
る構成について述べた。しかし、現状では、ｚカットＬ
ｉＴａＯ3結晶基板上に光導波路１０と周期的分極反転
領域１１とが形成された光導波路型ＳＨＧデバイス９の
方が、変換効率の高いデバイスを実現できる。そのた
め、図２（ａ）及び（ｂ）の光発生装置２００の構成で
は、ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いた光導波路型
ＳＨＧデバイス９の光導波路１０の入射端面に半波長膜
１２を形成して、サブマウント６の同一平面上で半導体
レーザチップ１との間の調整を行うようになっている。
3結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス３を用い
る構成について述べた。しかし、現状では、ｚカットＬ
ｉＴａＯ3結晶基板上に光導波路１０と周期的分極反転
領域１１とが形成された光導波路型ＳＨＧデバイス９の
方が、変換効率の高いデバイスを実現できる。そのた
め、図２（ａ）及び（ｂ）の光発生装置２００の構成で
は、ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いた光導波路型
ＳＨＧデバイス９の光導波路１０の入射端面に半波長膜
１２を形成して、サブマウント６の同一平面上で半導体
レーザチップ１との間の調整を行うようになっている。
【００７５】半波長膜１２は、ＳＨＧデバイス９の側面
にＴａ2Ｏ5をＥＢ装置により斜め方向に蒸着して、形成
される。半波長板１２の分だけ半導体レーザチップ１と
光導波路型ＳＨＧデバイス９の距離を近づけることが困
難となるため、結合効率は、半波長膜がない構成の約６
０％に低下する。しかし、ＳＨＧデバイス９の変換効率
が大きいため、約３ｍＷのブルー出力が得られる。
にＴａ2Ｏ5をＥＢ装置により斜め方向に蒸着して、形成
される。半波長板１２の分だけ半導体レーザチップ１と
光導波路型ＳＨＧデバイス９の距離を近づけることが困
難となるため、結合効率は、半波長膜がない構成の約６
０％に低下する。しかし、ＳＨＧデバイス９の変換効率
が大きいため、約３ｍＷのブルー出力が得られる。
【００７６】また、光発生装置２００ではｚカットＬｉ
ＴａＯ3結晶基板を用いているが、ｚカットＬｉＮｂＯ3
結晶基板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光
導波路型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成され
る光発生装置においても、同様の効果が得られる。
ＴａＯ3結晶基板を用いているが、ｚカットＬｉＮｂＯ3
結晶基板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光
導波路型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成され
る光発生装置においても、同様の効果が得られる。
【００７７】（第３の実施形態）以下では、半導体レー
ザチップ１と光導波路１０が形成された基板（光機能デ
バイス）９とがサブマウント１３の上に固定され、半導
体レーザチップ１が固定されている面と基板９の固定さ
れている面がお互いに垂直な位置関係にある光発生装置
３００について説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、それ
ぞれ本実施形態における光発生装置３００の側面図、上
面図、及び斜視図である。
ザチップ１と光導波路１０が形成された基板（光機能デ
バイス）９とがサブマウント１３の上に固定され、半導
体レーザチップ１が固定されている面と基板９の固定さ
れている面がお互いに垂直な位置関係にある光発生装置
３００について説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、それ
ぞれ本実施形態における光発生装置３００の側面図、上
面図、及び斜視図である。
【００７８】本実施形態では、第２の実施形態と同様
に、光導波路１０が形成された基板９としてｚカットＬ
ｉＴａＯ3結晶基板により作製された光導波路型ＳＨＧ
デバイス９を用いる。基板９には、プロトン交換法によ
り形成された光導波路１０と、電界印加法により形成さ
れた周期的分極反転構造１１とが、お互いに直交して設
けられている。これより、このデバイス９は、半導体レ
ーザチップ１の光を半分の波長の光に変換するＳＨＧデ
バイス９としての機能を有する。
に、光導波路１０が形成された基板９としてｚカットＬ
ｉＴａＯ3結晶基板により作製された光導波路型ＳＨＧ
デバイス９を用いる。基板９には、プロトン交換法によ
り形成された光導波路１０と、電界印加法により形成さ
れた周期的分極反転構造１１とが、お互いに直交して設
けられている。これより、このデバイス９は、半導体レ
ーザチップ１の光を半分の波長の光に変換するＳＨＧデ
バイス９としての機能を有する。
【００７９】図３（ａ）において、１は出力約１００ｍ
Ｗ、波長約８５０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザチ
ップであり、９は光導波路型ＳＨＧデバイスであり、１
３はＳｉサブマウントである。半導体レーザチップ１は
Ｓｉサブマウント１３の第１の面１３Ａ’（「Ａ面」と
も称する）に固定され、光導波路型ＳＨＧデバイス９は
第２の面１３Ｂ’（「Ｂ面とも称する」）に固定され
る。
Ｗ、波長約８５０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザチ
ップであり、９は光導波路型ＳＨＧデバイスであり、１
３はＳｉサブマウントである。半導体レーザチップ１は
Ｓｉサブマウント１３の第１の面１３Ａ’（「Ａ面」と
も称する）に固定され、光導波路型ＳＨＧデバイス９は
第２の面１３Ｂ’（「Ｂ面とも称する」）に固定され
る。
【００８０】光発生装置（モジュール）３００の製造方
法について、詳しく説明する。
法について、詳しく説明する。
【００８１】Ｌ字型のＳｉサブマウント１３は、厚さ約
５ｍｍのＳｉ基板を、第１の面１３Ａ’と第２の面１３
Ｂ’が垂直な位置関係になるように切断して作製され
る。Ｓｉサブマウント１３の第１の面１３Ａ’には、Ａ
ｕ薄膜が形成されている。半導体レーザチップ１が取り
付けられる位置には、ボンディング用のＡｕ／Ｓｎはん
だ層が蒸着されている。
５ｍｍのＳｉ基板を、第１の面１３Ａ’と第２の面１３
Ｂ’が垂直な位置関係になるように切断して作製され
る。Ｓｉサブマウント１３の第１の面１３Ａ’には、Ａ
ｕ薄膜が形成されている。半導体レーザチップ１が取り
付けられる位置には、ボンディング用のＡｕ／Ｓｎはん
だ層が蒸着されている。
【００８２】図３（ｂ）に示すように、半導体レーザチ
ップ１は、Ｓｉサブマウント１３上の第１の面１３Ａ’
の基準線Ｃ（第２の面１３Ｂ’の延長線に一致する）よ
り約１μｍ離れたところに半導体レーザチップ１の活性
層２の発光領域が位置するように、固定される。発光点
Ｅは、基準線Ｄより約１μｍ離れている。
ップ１は、Ｓｉサブマウント１３上の第１の面１３Ａ’
の基準線Ｃ（第２の面１３Ｂ’の延長線に一致する）よ
り約１μｍ離れたところに半導体レーザチップ１の活性
層２の発光領域が位置するように、固定される。発光点
Ｅは、基準線Ｄより約１μｍ離れている。
【００８３】本実施形態では、半導体レーザチップ１を
パルス駆動により発光させて発光点Ｅを認識し、所定の
位置に調整して固定する。直流駆動で動作させた半導体
レーザチップは、サブマウント上に固定されていない
と、十分に放熱されないために短時間で劣化を起こす。
しかし、パルス駆動により発光させた場合には、発光さ
せながら調整を行うことができる。
パルス駆動により発光させて発光点Ｅを認識し、所定の
位置に調整して固定する。直流駆動で動作させた半導体
レーザチップは、サブマウント上に固定されていない
と、十分に放熱されないために短時間で劣化を起こす。
しかし、パルス駆動により発光させた場合には、発光さ
せながら調整を行うことができる。
【００８４】次に、光導波路型ＳＨＧデバイス９を第２
の面１３Ｂ’上で調整する。光導波路型ＳＨＧデバイス
９は、第２の面１３Ｂ’上で入射端面が基準線Ｄに接し
た状態で、図３（ａ）に示す矢印の方向に一軸に沿って
位置合わせ調整される。
の面１３Ｂ’上で調整する。光導波路型ＳＨＧデバイス
９は、第２の面１３Ｂ’上で入射端面が基準線Ｄに接し
た状態で、図３（ａ）に示す矢印の方向に一軸に沿って
位置合わせ調整される。
【００８５】半導体レーザチップ１は、ＴＥモードで発
振しているため、得られるレーザ光の偏光方向は、第１
の面１３Ａ’に対して平行な方向である。一方、ｚカッ
トＬｉＴａＯ3結晶基板を用いて作製された光導波路型
ＳＨＧデバイス９の上のプロトン交換光導波路１０は、
ｚ方向に屈折率分布をもつために、基板表面に対して垂
直な方向の光（ＴＭモード）を伝搬することができる。
本実施形態の構成では、半導体レーザチップ１と光導波
路型ＳＨＧデバイス９が、お互いに垂直な位置関係でＳ
ｉサブマウント１３上に固定されているため、半波長板
がなくても、半導体レーザチップ１の光を光導波路１０
に結合することができる。
振しているため、得られるレーザ光の偏光方向は、第１
の面１３Ａ’に対して平行な方向である。一方、ｚカッ
トＬｉＴａＯ3結晶基板を用いて作製された光導波路型
ＳＨＧデバイス９の上のプロトン交換光導波路１０は、
ｚ方向に屈折率分布をもつために、基板表面に対して垂
直な方向の光（ＴＭモード）を伝搬することができる。
本実施形態の構成では、半導体レーザチップ１と光導波
路型ＳＨＧデバイス９が、お互いに垂直な位置関係でＳ
ｉサブマウント１３上に固定されているため、半波長板
がなくても、半導体レーザチップ１の光を光導波路１０
に結合することができる。
【００８６】また、半導体レーザチップ１の発光点Ｅ
は、第２の面１３Ｂ’より約１１μｍの高さに固定され
ていて、半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバ
イス９の距離も約１μｍであるため、図３（ａ）の矢印
方向の一軸に沿った位置合わせ調整のみで、半導体レー
ザチップ１の光を光導波路１０に結合させることができ
る。具体的には、結合効率約６０％を実現することがで
きる。
は、第２の面１３Ｂ’より約１１μｍの高さに固定され
ていて、半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバ
イス９の距離も約１μｍであるため、図３（ａ）の矢印
方向の一軸に沿った位置合わせ調整のみで、半導体レー
ザチップ１の光を光導波路１０に結合させることができ
る。具体的には、結合効率約６０％を実現することがで
きる。
【００８７】光導波路型ＳＨＧデバイス９は、紫外線硬
化樹脂を用いてサブマウント１３に固定される。なお、
本実施形態の構成でも、半導体レーザチップ１としてＤ
ＢＲ半導体レーザが用いられる。半導体レーザチップ１
の光の波長を光導波路型ＳＨＧデバイス１０の位相整合
波長に一致させて、約３ｍＷのブルー出力が安定に得ら
れる。
化樹脂を用いてサブマウント１３に固定される。なお、
本実施形態の構成でも、半導体レーザチップ１としてＤ
ＢＲ半導体レーザが用いられる。半導体レーザチップ１
の光の波長を光導波路型ＳＨＧデバイス１０の位相整合
波長に一致させて、約３ｍＷのブルー出力が安定に得ら
れる。
【００８８】本実施形態の構成では容量１ｃｃ以下を実
現でき、従来のレンズ結合型モジュールに比べて大幅に
小さくすることができる。また、ｚカットＬｉＴａＯ3
結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス９を半波長
板なしで利用することができるため、高効率のＳＨＧブ
ルーレーザを実現できる。さらに、一軸位置合わせ調整
で半導体レーザ１の光を光導波路１０に光結合できるた
め、その調整が容易であり、約３０秒間で組立及び調整
が完了する。
現でき、従来のレンズ結合型モジュールに比べて大幅に
小さくすることができる。また、ｚカットＬｉＴａＯ3
結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス９を半波長
板なしで利用することができるため、高効率のＳＨＧブ
ルーレーザを実現できる。さらに、一軸位置合わせ調整
で半導体レーザ１の光を光導波路１０に光結合できるた
め、その調整が容易であり、約３０秒間で組立及び調整
が完了する。
【００８９】さらに、本実施形態の構成の最大の利点
は、サブマウント１３の上に蒸着するはんだ（Ａｕ／Ｓ
ｎ）層やＡｕ層の厚さを制御して光軸合わせをする必要
がなく、光導波路型ＳＨＧデバイス９の位置の調整のみ
で、光軸合わせができる点である。通常、半導体レーザ
チップ１ははんだで固定されるので、はんだ層自身の厚
みを制御して半導体レーザチップ１の活性層２の高さレ
ベルを調整することは、困難である。本実施形態では、
光導波路型ＳＨＧデバイス９の固定位置の調整を半導体
レーザチップの高さ方向（図３（ｃ）のｘ方向）に行う
ため、はんだ層の厚さを制御せずに光結合のための位置
合わせ調整を行える。
は、サブマウント１３の上に蒸着するはんだ（Ａｕ／Ｓ
ｎ）層やＡｕ層の厚さを制御して光軸合わせをする必要
がなく、光導波路型ＳＨＧデバイス９の位置の調整のみ
で、光軸合わせができる点である。通常、半導体レーザ
チップ１ははんだで固定されるので、はんだ層自身の厚
みを制御して半導体レーザチップ１の活性層２の高さレ
ベルを調整することは、困難である。本実施形態では、
光導波路型ＳＨＧデバイス９の固定位置の調整を半導体
レーザチップの高さ方向（図３（ｃ）のｘ方向）に行う
ため、はんだ層の厚さを制御せずに光結合のための位置
合わせ調整を行える。
【００９０】もう一つの大きな利点は、光結合のための
位置合わせ調整の調整尤度（最大結合効率の半分の結合
効率が得られる移動量）が、第１或いは第２の実施形態
の構成よりも大きいことである。従来のレンズ結合型の
構成では、最も厳しい方向、すなわち基板に対して垂直
な方向の調整尤度が、約±０．６μｍであるのに対し
て、本実施形態のように半導体レーザチップ１とＳＨＧ
デバイス９の強誘電体結晶基板とをお互いに垂直な位置
関係に設置してその位置関係を調整することにより、調
整尤度が約２μｍに拡大する。
位置合わせ調整の調整尤度（最大結合効率の半分の結合
効率が得られる移動量）が、第１或いは第２の実施形態
の構成よりも大きいことである。従来のレンズ結合型の
構成では、最も厳しい方向、すなわち基板に対して垂直
な方向の調整尤度が、約±０．６μｍであるのに対し
て、本実施形態のように半導体レーザチップ１とＳＨＧ
デバイス９の強誘電体結晶基板とをお互いに垂直な位置
関係に設置してその位置関係を調整することにより、調
整尤度が約２μｍに拡大する。
【００９１】さらに、半導体レーザチップ１をパルス駆
動して発光点を認識しているため、半導体レーザチップ
１を劣化させることなく、サブマウント１３上の所定の
位置に固定することができる。なぜならば、固定に際し
て、半導体レーザチップ１を、温度上昇なしでレーザ発
振させることができるためである。
動して発光点を認識しているため、半導体レーザチップ
１を劣化させることなく、サブマウント１３上の所定の
位置に固定することができる。なぜならば、固定に際し
て、半導体レーザチップ１を、温度上昇なしでレーザ発
振させることができるためである。
【００９２】また、本実施形態ではｚカットＬｉＴａＯ
3結晶基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基
板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路
型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発
生装置においても、同様の効果が得られる。
3結晶基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基
板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路
型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発
生装置においても、同様の効果が得られる。
【００９３】（第４の実施形態）第３の実施形態では、
切断により作製したＬ字型のＳｉサブマウント上に半導
体レーザチップと光導波路型ＳＨＧデバイスとを固定し
た光発生装置３００について説明した。本実施形態で
は、あるＳｉサブマウントに他のＳｉサブマウントを接
着して得られたＬ字型Ｓｉサブマウントを用いた光発生
装置４００について説明する。
切断により作製したＬ字型のＳｉサブマウント上に半導
体レーザチップと光導波路型ＳＨＧデバイスとを固定し
た光発生装置３００について説明した。本実施形態で
は、あるＳｉサブマウントに他のＳｉサブマウントを接
着して得られたＬ字型Ｓｉサブマウントを用いた光発生
装置４００について説明する。
【００９４】光発生装置４００の構成において、Ｌ字型
Ｓｉサブマウント１４は第１の部分１４Ａ（「Ａ部分」
とも称する）と第２の部分１４Ｂ（「Ｂ部分」とも称す
る）から構成され、第１の部分１４Ａと第２の部分１４
Ｂは、図４（ａ）に示すような段差ができるように接着
されている。本実施形態の光発生装置４００と第３の実
施形態における光発生装置３００の違いは、第１の面１
４Ａ’上で第１の部分１４Ａと第２の部分１４Ｂの間に
段差が存在するため、半導体レーザチップ１を固定する
際に、図４（ａ）のように半導体レーザチップ１を第２
の部分１４Ｂにあてることで、基準線Ｄに対して一定の
距離で固定できることである。そのため、所望の位置に
半導体レーザチップ１を固定するためには、Ｓｉサブマ
ウント１４上の第１の面１４Ａ’（Ａ面）の基準線Ｃ
（第２の面１４Ｂ’の延長線に相当する）より１μｍ離
れたところに半導体レーザチップ１の活性層２の発光領
域を一致させるだけでよく、一軸方向の位置合わせ調整
だけで済む。
Ｓｉサブマウント１４は第１の部分１４Ａ（「Ａ部分」
とも称する）と第２の部分１４Ｂ（「Ｂ部分」とも称す
る）から構成され、第１の部分１４Ａと第２の部分１４
Ｂは、図４（ａ）に示すような段差ができるように接着
されている。本実施形態の光発生装置４００と第３の実
施形態における光発生装置３００の違いは、第１の面１
４Ａ’上で第１の部分１４Ａと第２の部分１４Ｂの間に
段差が存在するため、半導体レーザチップ１を固定する
際に、図４（ａ）のように半導体レーザチップ１を第２
の部分１４Ｂにあてることで、基準線Ｄに対して一定の
距離で固定できることである。そのため、所望の位置に
半導体レーザチップ１を固定するためには、Ｓｉサブマ
ウント１４上の第１の面１４Ａ’（Ａ面）の基準線Ｃ
（第２の面１４Ｂ’の延長線に相当する）より１μｍ離
れたところに半導体レーザチップ１の活性層２の発光領
域を一致させるだけでよく、一軸方向の位置合わせ調整
だけで済む。
【００９５】図４（ｂ）〜（ｄ）は、それぞれ光発生装
置４００の側面図、上面図、及び斜視図である。第３の
実施形態と同様に、半導体レーザチップ１は、Ａｕ／Ｓ
ｎはんだ層でＳｉサブマウント１４上に固定される。光
導波路型ＳＨＧデバイス９は、第３の実施形態と同様に
第２の面１４Ｂ’上でその位置を調整する。本実施形態
では、ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いて作製され
た光導波路型ＳＨＧデバイス９が用いられている。
置４００の側面図、上面図、及び斜視図である。第３の
実施形態と同様に、半導体レーザチップ１は、Ａｕ／Ｓ
ｎはんだ層でＳｉサブマウント１４上に固定される。光
導波路型ＳＨＧデバイス９は、第３の実施形態と同様に
第２の面１４Ｂ’上でその位置を調整する。本実施形態
では、ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いて作製され
た光導波路型ＳＨＧデバイス９が用いられている。
【００９６】本実施形態の構成では、半導体レーザチッ
プ１と光導波路型ＳＨＧデバイス９の距離を近付けるこ
とができるため、結合効率約７０％が実現される。光導
波路型ＳＨＧデバイス９は、紫外線硬化樹脂にてサブマ
ウント１４上に固定される。典型的には、半導体レーザ
１の出力約１００ｍＷに対して、約４ｍＷのブルー光を
得ることができる。。
プ１と光導波路型ＳＨＧデバイス９の距離を近付けるこ
とができるため、結合効率約７０％が実現される。光導
波路型ＳＨＧデバイス９は、紫外線硬化樹脂にてサブマ
ウント１４上に固定される。典型的には、半導体レーザ
１の出力約１００ｍＷに対して、約４ｍＷのブルー光を
得ることができる。。
【００９７】第３の実施形態の構成では、Ｌ字型Ｓｉサ
ブマウント１３のコーナ部分を直角に形成することが困
難である。しかしながら、本実施形態では、２つのＳｉ
サブマウント（第１の部分１４Ａと第２の部分１４Ｂ）
とを接着してサブマウント１４を形成するために、容易
に直角のコーナを形成できる。特に本実施形態の特徴
は、第１の部分１４Ａと第２の部分１４Ｂの段差を形成
することにより、半導体レーザチップ１と光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス９の距離が自動的に決定され、より簡便な
一軸位置合わせ調整で、半導体レーザチップ１の光を光
導波路１０に結合できることである。先の実施形態より
も半導体レーザチップ１の固定が容易であるため、組立
調整に要する時間は、約２０秒である。
ブマウント１３のコーナ部分を直角に形成することが困
難である。しかしながら、本実施形態では、２つのＳｉ
サブマウント（第１の部分１４Ａと第２の部分１４Ｂ）
とを接着してサブマウント１４を形成するために、容易
に直角のコーナを形成できる。特に本実施形態の特徴
は、第１の部分１４Ａと第２の部分１４Ｂの段差を形成
することにより、半導体レーザチップ１と光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス９の距離が自動的に決定され、より簡便な
一軸位置合わせ調整で、半導体レーザチップ１の光を光
導波路１０に結合できることである。先の実施形態より
も半導体レーザチップ１の固定が容易であるため、組立
調整に要する時間は、約２０秒である。
【００９８】本実施形態においても、モジュール容量が
１ｃｃ以下の小型ＳＨＧブルーレーザが実現でき、また
ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板に作製した光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス９を用いるために、高効率でブルー光を得
ることができる。また、先の実施形態と同様に、サブマ
ウント１４上に蒸着するはんだ（Ａｕ／Ｓｎ）層やＡｕ
層の厚さを制御することなく、光導波路型ＳＨＧデバイ
ス９の位置の調整のみで、光結合の調整を行うことがで
きる。
１ｃｃ以下の小型ＳＨＧブルーレーザが実現でき、また
ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板に作製した光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス９を用いるために、高効率でブルー光を得
ることができる。また、先の実施形態と同様に、サブマ
ウント１４上に蒸着するはんだ（Ａｕ／Ｓｎ）層やＡｕ
層の厚さを制御することなく、光導波路型ＳＨＧデバイ
ス９の位置の調整のみで、光結合の調整を行うことがで
きる。
【００９９】また、本実施形態ではｚカットＬｉＴａＯ
3結晶基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基
板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路
型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発
生装置においても、同様の効果が得られる。
3結晶基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基
板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路
型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発
生装置においても、同様の効果が得られる。
【０１００】（第５の実施形態）半導体レーザの放熱を
考えた場合、サブマウントは、熱伝導性の高い材料で構
成されることが好ましい。また、半導体レーザチップだ
けでなく光機能デバイスも同時に固定することを考える
と、サブマウントの構成材料は加工性の良いことが望ま
れる。一方、半導体レーザチップの発熱が、光導波路が
形成された強誘電体結晶基板に伝達することは好ましく
ない。例えば、ＳＨＧデバイスの場合では、半導体レー
ザで発生した熱の伝導によりＳＨＧデバイスの温度が不
均一になるため、高調波光への変換効率の劣化を招く。
考えた場合、サブマウントは、熱伝導性の高い材料で構
成されることが好ましい。また、半導体レーザチップだ
けでなく光機能デバイスも同時に固定することを考える
と、サブマウントの構成材料は加工性の良いことが望ま
れる。一方、半導体レーザチップの発熱が、光導波路が
形成された強誘電体結晶基板に伝達することは好ましく
ない。例えば、ＳＨＧデバイスの場合では、半導体レー
ザで発生した熱の伝導によりＳＨＧデバイスの温度が不
均一になるため、高調波光への変換効率の劣化を招く。
【０１０１】セラミックス材料は、一般に加工性のよい
材料である。また、材料の選択により、熱伝導率や線膨
張係数を所望の値に設定できる。例えば、ＡｌＮ（熱伝
導率：０．４ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃）やＳｉＣ（熱
伝導率：０．１５ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃）のセラミ
ックスは、Ｓｉ（熱伝導率：０．３ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅ
ｃ／℃）とほぼ同程度か或いはそれ以上の熱伝導度を有
する。一方で、ＺｒＯ2（熱伝導率：０．０１ｃａｌ／
ｃｍ／ｓｅｃ／℃）などは、熱伝導の悪い材料である。
材料である。また、材料の選択により、熱伝導率や線膨
張係数を所望の値に設定できる。例えば、ＡｌＮ（熱伝
導率：０．４ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃）やＳｉＣ（熱
伝導率：０．１５ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃）のセラミ
ックスは、Ｓｉ（熱伝導率：０．３ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅ
ｃ／℃）とほぼ同程度か或いはそれ以上の熱伝導度を有
する。一方で、ＺｒＯ2（熱伝導率：０．０１ｃａｌ／
ｃｍ／ｓｅｃ／℃）などは、熱伝導の悪い材料である。
【０１０２】第１〜第４の実施形態では、Ｓｉサブマウ
ントを用いた光発生装置について説明したが、上述した
ようにＡｌＮやＳｉＣのセラミックスは熱伝導性が大き
く、第１〜第４の実施形態の構成でＳｉサブマウントの
代わりに用いても、同様の効果が得られる。
ントを用いた光発生装置について説明したが、上述した
ようにＡｌＮやＳｉＣのセラミックスは熱伝導性が大き
く、第１〜第４の実施形態の構成でＳｉサブマウントの
代わりに用いても、同様の効果が得られる。
【０１０３】本実施形態の光発生装置５００では、サブ
マウント１５のうちで半導体レーザチップ１が固定され
ている部分１５Ａ（「Ａ部分」とも称する）と光導波路
４が形成された基板（光機能デバイス）３が固定されて
いる第２の部分１５Ｂ（「Ｂ部分」とも称する）で、構
成材料が異なっている。光導波路４が形成された基板と
しては、ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板光導波路型ＳＨ
Ｇデバイス３が用いられる。
マウント１５のうちで半導体レーザチップ１が固定され
ている部分１５Ａ（「Ａ部分」とも称する）と光導波路
４が形成された基板（光機能デバイス）３が固定されて
いる第２の部分１５Ｂ（「Ｂ部分」とも称する）で、構
成材料が異なっている。光導波路４が形成された基板と
しては、ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板光導波路型ＳＨ
Ｇデバイス３が用いられる。
【０１０４】図５（ａ）は、本実施形態の光発生装置５
００の側面図であり、図５（ｂ）は、その上面図であ
る。
００の側面図であり、図５（ｂ）は、その上面図であ
る。
【０１０５】光発生装置５００で、サブマウント１５
は、半導体レーザチップ１が固定される第１の部分１５
Ａ（Ａ部分）と光導波路型ＳＨＧデバイス３の固定され
る第２の部分１５Ｂ（Ｂ部分）により構成される。第１
の部分１５Ａの材料は、熱伝導性がよいＡｌＮセラミッ
クスであり、第２の部分１５Ｂの材料は、熱伝導性が悪
いＺｒＯ2セラミックスである。第１及び第２の部分１
５Ａ及び１５Ｂは、接着により一体化されてサブマウン
ト１５を構成し、半導体レーザチップ１と光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス３が固定される面は、鏡面加工されてい
る。
は、半導体レーザチップ１が固定される第１の部分１５
Ａ（Ａ部分）と光導波路型ＳＨＧデバイス３の固定され
る第２の部分１５Ｂ（Ｂ部分）により構成される。第１
の部分１５Ａの材料は、熱伝導性がよいＡｌＮセラミッ
クスであり、第２の部分１５Ｂの材料は、熱伝導性が悪
いＺｒＯ2セラミックスである。第１及び第２の部分１
５Ａ及び１５Ｂは、接着により一体化されてサブマウン
ト１５を構成し、半導体レーザチップ１と光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス３が固定される面は、鏡面加工されてい
る。
【０１０６】或いは、上記のように異なった材料から構
成されている第１及び第２の部分１５Ａ及び１５Ｂを接
着せずに、焼結する前にお互いに密着させ、その後に焼
結により一体化させてもよい。その場合には、図６に示
す光発生装置６００のように、サブマウント１５の第１
の部分１５Ａをテラス状の部分を有するように形成し、
第２の部分１５Ｂをそのテラス状部分の上に載置するよ
うな構造の方が、機械的強度の観点からは有利である。
成されている第１及び第２の部分１５Ａ及び１５Ｂを接
着せずに、焼結する前にお互いに密着させ、その後に焼
結により一体化させてもよい。その場合には、図６に示
す光発生装置６００のように、サブマウント１５の第１
の部分１５Ａをテラス状の部分を有するように形成し、
第２の部分１５Ｂをそのテラス状部分の上に載置するよ
うな構造の方が、機械的強度の観点からは有利である。
【０１０７】半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧ
デバイス３は、第１の実施形態と同様にサブマウント１
５の同一平面上に固定して、半導体レーザチップ１の光
を導波路４に結合する。半導体レーザチップ１と光導波
路型ＳＨＧデバイス３の距離は、球８により一定に保持
される。本実施形態の構成でも、図５（ｂ）の矢印方向
のみの一軸位置合わせ調整で、半導体レーザチップ１の
光を光導波路４に結合させることができる。典型的に
は、半導体レーザチップ１の出力約１００ｍＷに対し
て、約７０ｍＷの光を光導波路４に結合することができ
る。また、本実施形態の半導体レーザチップ１として
も、波長チューニング可能なＤＢＲ半導体レーザが用い
られる。半導体レーザチップ１の波長は、光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス９の位相整合波長に可変され、約１．５ｍ
Ｗのブルー光を光導波路４の出射端面より得ることがで
きる。
デバイス３は、第１の実施形態と同様にサブマウント１
５の同一平面上に固定して、半導体レーザチップ１の光
を導波路４に結合する。半導体レーザチップ１と光導波
路型ＳＨＧデバイス３の距離は、球８により一定に保持
される。本実施形態の構成でも、図５（ｂ）の矢印方向
のみの一軸位置合わせ調整で、半導体レーザチップ１の
光を光導波路４に結合させることができる。典型的に
は、半導体レーザチップ１の出力約１００ｍＷに対し
て、約７０ｍＷの光を光導波路４に結合することができ
る。また、本実施形態の半導体レーザチップ１として
も、波長チューニング可能なＤＢＲ半導体レーザが用い
られる。半導体レーザチップ１の波長は、光導波路型Ｓ
ＨＧデバイス９の位相整合波長に可変され、約１．５ｍ
Ｗのブルー光を光導波路４の出射端面より得ることがで
きる。
【０１０８】本実施形態のサブマウント１５を銅製ステ
ムなどにさらに固定すると、半導体レーザチップ１から
の発熱は、熟伝導度の高いＡｌＮセラミックス（第１の
部分１５Ａ）を伝達してステムに放熱される。一方、光
導波路型ＳＨＧデバイス３は、熱伝導性の悪いＺｒＯ2
セラミックス（第２の部分１５Ｂ）の上に固定されてい
るため、ほとんど半導体レーザチップ１からの熱の影響
を受けない。結果として、半導体レーザチップ１で発生
した熱の光導波路型ＳＨＧデバイス３への伝達が低減で
き、第１の実施形態と比較して約１．５倍高い変換効率
を得ることができる。
ムなどにさらに固定すると、半導体レーザチップ１から
の発熱は、熟伝導度の高いＡｌＮセラミックス（第１の
部分１５Ａ）を伝達してステムに放熱される。一方、光
導波路型ＳＨＧデバイス３は、熱伝導性の悪いＺｒＯ2
セラミックス（第２の部分１５Ｂ）の上に固定されてい
るため、ほとんど半導体レーザチップ１からの熱の影響
を受けない。結果として、半導体レーザチップ１で発生
した熱の光導波路型ＳＨＧデバイス３への伝達が低減で
き、第１の実施形態と比較して約１．５倍高い変換効率
を得ることができる。
【０１０９】上記の説明では、第１の部分１５Ａと第２
の部分１５Ｂの熱伝導率の比が約４０倍になるように
（第１の部分１５Ａが第２の部分１５Ｂよりも約４０倍
大きい熱伝導率を有するように）しているが、ＡｌＮの
代わりにＳｉＣを用いても、同様の効果が得られる。し
かし、Ａｌ2Ｏ3（熱伝導率：０．０５ｃａｌ／ｃｍ／ｓ
ｅｃ／℃）では必ずしも十分な効果が得られず、これよ
り、熱伝導率の比が、約１０倍以上であることが望まし
い。
の部分１５Ｂの熱伝導率の比が約４０倍になるように
（第１の部分１５Ａが第２の部分１５Ｂよりも約４０倍
大きい熱伝導率を有するように）しているが、ＡｌＮの
代わりにＳｉＣを用いても、同様の効果が得られる。し
かし、Ａｌ2Ｏ3（熱伝導率：０．０５ｃａｌ／ｃｍ／ｓ
ｅｃ／℃）では必ずしも十分な効果が得られず、これよ
り、熱伝導率の比が、約１０倍以上であることが望まし
い。
【０１１０】なお、本実施形態では、加工性、線膨張係
数などを考慮してセラミックスをサブマウント１５の構
成材料として用いているが、熱伝導性のよい材料として
の金属と熱伝導性の悪い材料としてのガラスとの組み合
わせによっても、同様の効果が得られる。
数などを考慮してセラミックスをサブマウント１５の構
成材料として用いているが、熱伝導性のよい材料として
の金属と熱伝導性の悪い材料としてのガラスとの組み合
わせによっても、同様の効果が得られる。
【０１１１】また、本実施形態では、ｘカットＬｉＴａ
Ｏ3結晶基板が用いられているが、ｘカットＬｉＮｂＯ3
結晶基板やｘカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光
導波路型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成され
る光発生装置においても、同様の効果が得られる。
Ｏ3結晶基板が用いられているが、ｘカットＬｉＮｂＯ3
結晶基板やｘカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光
導波路型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成され
る光発生装置においても、同様の効果が得られる。
【０１１２】（第６の実施形態）本実施形態の光発生装
置７００では、図７（ａ）に示すように、サブマウント
１６のうちで半導体レーザチップ１が固定されている部
分１６Ａ（「Ａ部分」とも称する）と光導波路１０が形
成された基板（光機能デバイス）９が固定されている第
２の部分１６Ｂ（「Ｂ部分」とも称する）で、構成材料
が異なっている。光導波路１０が形成された基板として
は、ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板光導波路型ＳＨＧデ
バイス９が用いられる。
置７００では、図７（ａ）に示すように、サブマウント
１６のうちで半導体レーザチップ１が固定されている部
分１６Ａ（「Ａ部分」とも称する）と光導波路１０が形
成された基板（光機能デバイス）９が固定されている第
２の部分１６Ｂ（「Ｂ部分」とも称する）で、構成材料
が異なっている。光導波路１０が形成された基板として
は、ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板光導波路型ＳＨＧデ
バイス９が用いられる。
【０１１３】図７（ｂ）〜（ｄ）は、それぞれ、本実施
形態の光発生装置７００の側面図、上面図、及び斜視図
である。
形態の光発生装置７００の側面図、上面図、及び斜視図
である。
【０１１４】光発生装置７００で、サブマウント１６
は、半導体レーザチップ１が固定される第１の部分１６
Ａ（Ａ部分）と光導波路型ＳＨＧデバイス９の固定され
る第２の部分１６Ｂ（Ｂ部分）により構成される。第１
の部分１６Ａの材料は、熱伝導性がよいＡｌＮセラミッ
クスであり、第２の部分１６Ｂの材料は、熱伝導性が悪
いＺｒＯ2セラミックスである。第１及び第２の部分１
６Ａ及び１６Ｂは、接着により段差ができるように一体
化されてサブマウント１６を構成し、半導体レーザチッ
プ１と光導波路型ＳＨＧデバイス９が固定される面は、
鏡面加工されている。
は、半導体レーザチップ１が固定される第１の部分１６
Ａ（Ａ部分）と光導波路型ＳＨＧデバイス９の固定され
る第２の部分１６Ｂ（Ｂ部分）により構成される。第１
の部分１６Ａの材料は、熱伝導性がよいＡｌＮセラミッ
クスであり、第２の部分１６Ｂの材料は、熱伝導性が悪
いＺｒＯ2セラミックスである。第１及び第２の部分１
６Ａ及び１６Ｂは、接着により段差ができるように一体
化されてサブマウント１６を構成し、半導体レーザチッ
プ１と光導波路型ＳＨＧデバイス９が固定される面は、
鏡面加工されている。
【０１１５】或いは、上記のように異なった材料から構
成されている第１及び第２の部分１６Ａ及び１６Ｂを接
着せずに、焼結する前にお互いに密着させ、その後に焼
結により一体化させてもよい。その場合には、先に図６
を参照して説明した構成が、機械的強度の観点からは有
利である。
成されている第１及び第２の部分１６Ａ及び１６Ｂを接
着せずに、焼結する前にお互いに密着させ、その後に焼
結により一体化させてもよい。その場合には、先に図６
を参照して説明した構成が、機械的強度の観点からは有
利である。
【０１１６】半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧ
デバイス９とは第４の実施形態と同様に位置合わせ調整
及び固定されて、典型的には、約７０％の結合効率を実
現する。また、半導体レーザ１の出力約１００ｍＷに対
して、約６ｍＷのブルー光を得ることができる。
デバイス９とは第４の実施形態と同様に位置合わせ調整
及び固定されて、典型的には、約７０％の結合効率を実
現する。また、半導体レーザ１の出力約１００ｍＷに対
して、約６ｍＷのブルー光を得ることができる。
【０１１７】本実施形態の構成では、第３及び第４の実
施形態と同様に、モジュール容量が１ｃｃ以下であり、
また簡便な一軸方向の位置合わせ調整で、半導体レーザ
チップ１の光を光導波路１０に導くことができる。この
ため、小型で低コストのＳＨＧブルーレーザを実現でき
る。また、光結合のための位置合わせ調整の結合尤度を
拡大することもできる。さらに、半導体レーザチップ１
の発生する熱が光導波路型ＳＨＧデバイス９に伝達する
ことを低減でき、第３及び第４の実施形態の構成と比較
して、約１．５倍の変換効率の向上が実現される。
施形態と同様に、モジュール容量が１ｃｃ以下であり、
また簡便な一軸方向の位置合わせ調整で、半導体レーザ
チップ１の光を光導波路１０に導くことができる。この
ため、小型で低コストのＳＨＧブルーレーザを実現でき
る。また、光結合のための位置合わせ調整の結合尤度を
拡大することもできる。さらに、半導体レーザチップ１
の発生する熱が光導波路型ＳＨＧデバイス９に伝達する
ことを低減でき、第３及び第４の実施形態の構成と比較
して、約１．５倍の変換効率の向上が実現される。
【０１１８】また、本実施形態ではｚカットＬｉＴａＯ
3結晶基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基
板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路
型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発
生装置においても、同様の効果が得られる。
3結晶基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基
板やｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路
型ＳＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発
生装置においても、同様の効果が得られる。
【０１１９】（第７の実施形態）本実施形態では、第５
の実施形態で説明したサブマウントの第１の部分（Ａ部
分）と第２の部分（Ｂ部分）の間に、半波長板が挟まれ
ているサブマウントを用いた光発生装置８００について
説明する。
の実施形態で説明したサブマウントの第１の部分（Ａ部
分）と第２の部分（Ｂ部分）の間に、半波長板が挟まれ
ているサブマウントを用いた光発生装置８００について
説明する。
【０１２０】図８（ａ）は、光発生装置８００の側面図
であり、図８（ｂ）は、その上面図である。
であり、図８（ｂ）は、その上面図である。
【０１２１】光発生装置８００で、サブマウント１７
は、半導体レーザチップ１が固定される第１の部分１７
Ａ（Ａ部分）と光導波路型ＳＨＧデバイス９の固定され
る第２の部分１７Ｂ（Ｂ部分）により構成される。第１
の部分１７Ａの材料は、熱伝導性がよいＡｌＮセラミッ
クスであり、第２の部分１７Ｂの材料は、熱伝導性が悪
いＺｒＯ2セラミックスである。第１及び第２の部分１
７Ａ及び１７Ｂの間には、厚さ約５．４μｍのＬｉＮｂ
Ｏ3結晶薄板１８が挿入され、接着により一体化されて
いる。半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバイ
ス９が固定される面は、鏡面加工されている。なお、本
実施形態では、光導波路１０が形成された基板として、
ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いた光導波路型ＳＨ
Ｇデバイス９が用いられている。
は、半導体レーザチップ１が固定される第１の部分１７
Ａ（Ａ部分）と光導波路型ＳＨＧデバイス９の固定され
る第２の部分１７Ｂ（Ｂ部分）により構成される。第１
の部分１７Ａの材料は、熱伝導性がよいＡｌＮセラミッ
クスであり、第２の部分１７Ｂの材料は、熱伝導性が悪
いＺｒＯ2セラミックスである。第１及び第２の部分１
７Ａ及び１７Ｂの間には、厚さ約５．４μｍのＬｉＮｂ
Ｏ3結晶薄板１８が挿入され、接着により一体化されて
いる。半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧデバイ
ス９が固定される面は、鏡面加工されている。なお、本
実施形態では、光導波路１０が形成された基板として、
ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板を用いた光導波路型ＳＨ
Ｇデバイス９が用いられている。
【０１２２】半導体レーザチップ１と光導波路型ＳＨＧ
デバイス９は、第５の実施形態と同様にサブマウント１
７の同一平面上に固定されて、半導体レーザチップ１の
光を光導波路１０に結合する。半導体レーザチップ１
は、出射端面がＬｉｌｂＯ3結晶薄板（半波長板）１８
に接した状態で、Ａｕ／Ｓｎはんだによりサブマウント
１７に固定される。光導波路型ＳＨＧデバイス９上に
は、厚さ約５μｍのＳｉＯ2保護膜７が形成されてい
て、半導体レーザチップ１の活性層２を、ＳＨＧデバイ
ス９の光導波路１０の高さと同じにしている。
デバイス９は、第５の実施形態と同様にサブマウント１
７の同一平面上に固定されて、半導体レーザチップ１の
光を光導波路１０に結合する。半導体レーザチップ１
は、出射端面がＬｉｌｂＯ3結晶薄板（半波長板）１８
に接した状態で、Ａｕ／Ｓｎはんだによりサブマウント
１７に固定される。光導波路型ＳＨＧデバイス９上に
は、厚さ約５μｍのＳｉＯ2保護膜７が形成されてい
て、半導体レーザチップ１の活性層２を、ＳＨＧデバイ
ス９の光導波路１０の高さと同じにしている。
【０１２３】光発生装置８００の構成では、光導波路型
ＳＨＧデバイス９の入射端面がＬｉＮｂＯ3結晶薄板
（半波長板）１８に接した状態で、図８（ｂ）の矢印の
方向に一軸方向に位置合わせ調整して、半導体レーザチ
ップ１の光を光導波路１０に結合する。半導体レーザチ
ップ１の出力約１００ｍＷに対して、約５０ｍＷの光を
光導波路１０に結合することができ、約１ｍＷのブルー
光を光導波路１０の出射端面より得ることができる。
ＳＨＧデバイス９の入射端面がＬｉＮｂＯ3結晶薄板
（半波長板）１８に接した状態で、図８（ｂ）の矢印の
方向に一軸方向に位置合わせ調整して、半導体レーザチ
ップ１の光を光導波路１０に結合する。半導体レーザチ
ップ１の出力約１００ｍＷに対して、約５０ｍＷの光を
光導波路１０に結合することができ、約１ｍＷのブルー
光を光導波路１０の出射端面より得ることができる。
【０１２４】本実施形態の構成ではｚカットＬｉＴａＯ
3結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス９を利用
することができるため、高効率のＳＨＧブルーレーザを
実現できる。また、半導体レーザチップ１と光導波路型
ＳＨＧデバイス９の距離は、ＬｉＮｂＯ3結晶薄板（半
波長板）１８の厚さにより自動的に決定されるため、簡
便な一軸方向の位置合わせ調整のみで、光結合の調整が
行える。
3結晶基板を用いた光導波路型ＳＨＧデバイス９を利用
することができるため、高効率のＳＨＧブルーレーザを
実現できる。また、半導体レーザチップ１と光導波路型
ＳＨＧデバイス９の距離は、ＬｉＮｂＯ3結晶薄板（半
波長板）１８の厚さにより自動的に決定されるため、簡
便な一軸方向の位置合わせ調整のみで、光結合の調整が
行える。
【０１２５】本実施形態ではｚカットＬｉＴａＯ3結晶
基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基板や
ｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路型Ｓ
ＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発生装
置においても、同様の効果が得られる。
基板が用いられたが、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基板や
ｚカットＫＴｉＯＰＯ4結晶基板を用いた光導波路型Ｓ
ＨＧデバイスと半導体レーザにより構成される光発生装
置においても、同様の効果が得られる。
【０１２６】本実施形態における半波長板１８として、
例えば、複屈折性を有する結晶薄板であるＬｉＮｂＯ3
結晶薄板を用いることができる。或いは、水晶やＬｉＴ
ａＯ3結晶など、他の複屈折性結晶からできた薄板を用
いても、同様の効果が得られる。しかし、ＬｉＮｂＯ3
結晶は、複屈折性が大きいため、結晶薄板を薄くしても
十分な効果が得られる。そのため、半導体レーザチップ
１と光導波路１０を近づけることができ、さらに結合効
率も大きくできる。また、ＬｉＮｂＯ3結晶は、加工性
がよい。これらの点より、ＬｉＮｂＯ3結晶は、半波長
板１８を構成する結晶薄板として望ましい材料である。
例えば、複屈折性を有する結晶薄板であるＬｉＮｂＯ3
結晶薄板を用いることができる。或いは、水晶やＬｉＴ
ａＯ3結晶など、他の複屈折性結晶からできた薄板を用
いても、同様の効果が得られる。しかし、ＬｉＮｂＯ3
結晶は、複屈折性が大きいため、結晶薄板を薄くしても
十分な効果が得られる。そのため、半導体レーザチップ
１と光導波路１０を近づけることができ、さらに結合効
率も大きくできる。また、ＬｉＮｂＯ3結晶は、加工性
がよい。これらの点より、ＬｉＮｂＯ3結晶は、半波長
板１８を構成する結晶薄板として望ましい材料である。
【０１２７】（第８の実施形態）これまでに説明した第
１〜第７の実施形態の光発生装置を製造するにあたって
は、まず、半導体レーザチップをサブマウント上の所望
の位置に固定することが重要である。特に、第３、第４
及び第６の実施形態のようなＬ字型のサブマウントを用
いた光発生装置においては、半導体レーザチップをサブ
ミクロンの精度で固定する必要がある。これに関して、
第１の実施形態では、半導体レーザチップ１をパルス駆
動して実際に発光させ、発光点を認識しながら位置合わ
せ調整及び固定作業を行うが、本実施形態では、サブマ
ウントの裏側より、サブマウントを透過する波長の光を
照射し、半導体レーザチップを精度良く画像認識して位
置合わせ調整及び固定する方法について説明する。
１〜第７の実施形態の光発生装置を製造するにあたって
は、まず、半導体レーザチップをサブマウント上の所望
の位置に固定することが重要である。特に、第３、第４
及び第６の実施形態のようなＬ字型のサブマウントを用
いた光発生装置においては、半導体レーザチップをサブ
ミクロンの精度で固定する必要がある。これに関して、
第１の実施形態では、半導体レーザチップ１をパルス駆
動して実際に発光させ、発光点を認識しながら位置合わ
せ調整及び固定作業を行うが、本実施形態では、サブマ
ウントの裏側より、サブマウントを透過する波長の光を
照射し、半導体レーザチップを精度良く画像認識して位
置合わせ調整及び固定する方法について説明する。
【０１２８】まず図９及び図１０を参照して、第３の実
施形態で説明した光発生装置３００において、半導体レ
ーザチップ１の活性層２の発光点ＥをＳｉサブマウント
１３のＡ面上の所定の位置（基準線Ｃより１μｍ、基準
線Ｄより１μｍ離れた位置）に固定する方法を、以下に
説明する。
施形態で説明した光発生装置３００において、半導体レ
ーザチップ１の活性層２の発光点ＥをＳｉサブマウント
１３のＡ面上の所定の位置（基準線Ｃより１μｍ、基準
線Ｄより１μｍ離れた位置）に固定する方法を、以下に
説明する。
【０１２９】図９において、１９は検出器、２０は５０
０倍の拡大率を有する顕微鏡、２１はＳｉに対して透明
な赤外光源である。図１０（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、Ｓｉサブマウント１３上には４つの三角形が配置さ
れたマーキングＢが、半導体レーザチップ１の表面には
方形状のマーキングＡが、それぞれＡｕ薄膜で形成され
ている。Ｓｉサブマウント１３上には、電極用のＡｕ薄
膜２２及びはんだ層２３も形成されている。なお、図１
０（ｃ）では、マーキングＢのイメージの中央にマーキ
ングＡのイメージが、重ねて描かれている。
０倍の拡大率を有する顕微鏡、２１はＳｉに対して透明
な赤外光源である。図１０（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、Ｓｉサブマウント１３上には４つの三角形が配置さ
れたマーキングＢが、半導体レーザチップ１の表面には
方形状のマーキングＡが、それぞれＡｕ薄膜で形成され
ている。Ｓｉサブマウント１３上には、電極用のＡｕ薄
膜２２及びはんだ層２３も形成されている。なお、図１
０（ｃ）では、マーキングＢのイメージの中央にマーキ
ングＡのイメージが、重ねて描かれている。
【０１３０】Ｓｉサブマウント１３の裏面から照射され
た赤外光源２１からの光は、マーキングＡ及びＢでそれ
ぞれ反射する。反射光は、顕微鏡２０で拡大されて検出
器１９に結像する。本実施形態では、赤外光源２１とし
て、１．３μｍ帯のＩｎＰ半導体レーザが用いられる。
図１０（ｃ）のｘ方向とｙ方向のマーキングからの反射
光を検出し、検出器１９上での反射光強度分布が中心対
称になるように半導体レーザチップ１を調整して、図１
０（ｃ）に示すようにマーキングＡをマーキングＢの中
央の位置に位置させる。この状態で、Ｓｉサブマウント
１３を加熱してはんだ層２３を溶融させ、半導体レーザ
チップ１をサブマウント１３の上の所定の位置に固定す
る。
た赤外光源２１からの光は、マーキングＡ及びＢでそれ
ぞれ反射する。反射光は、顕微鏡２０で拡大されて検出
器１９に結像する。本実施形態では、赤外光源２１とし
て、１．３μｍ帯のＩｎＰ半導体レーザが用いられる。
図１０（ｃ）のｘ方向とｙ方向のマーキングからの反射
光を検出し、検出器１９上での反射光強度分布が中心対
称になるように半導体レーザチップ１を調整して、図１
０（ｃ）に示すようにマーキングＡをマーキングＢの中
央の位置に位置させる。この状態で、Ｓｉサブマウント
１３を加熱してはんだ層２３を溶融させ、半導体レーザ
チップ１をサブマウント１３の上の所定の位置に固定す
る。
【０１３１】次に、図１１（ａ）及び（ｂ）を参照し
て、第４及び第６の実施形態のように半導体レーザチッ
プ１の位置を一軸方向に調整する場合の調整方法につい
て述べる。
て、第４及び第６の実施形態のように半導体レーザチッ
プ１の位置を一軸方向に調整する場合の調整方法につい
て述べる。
【０１３２】図１１（ｂ）のサブマウント１４は、先に
述べたように第１の部分１４Ａ（Ａ部分）と第２の部分
１４Ｂ（Ｂ部分）とに分かれて、それらの間には段差が
設けられている。半導体レーザチップ１をこの段差に押
し当てることで、半導体レーザチップ１の出射端面を基
準線Ｄ上に位置させることができる。半導体レーザチッ
プ１の発光領域の真上には、ライン状のマーキングＣが
形成されている。また、Ｓｉサブマウント１４上には、
マーキングＤとはんだ層２４が形成されている。
述べたように第１の部分１４Ａ（Ａ部分）と第２の部分
１４Ｂ（Ｂ部分）とに分かれて、それらの間には段差が
設けられている。半導体レーザチップ１をこの段差に押
し当てることで、半導体レーザチップ１の出射端面を基
準線Ｄ上に位置させることができる。半導体レーザチッ
プ１の発光領域の真上には、ライン状のマーキングＣが
形成されている。また、Ｓｉサブマウント１４上には、
マーキングＤとはんだ層２４が形成されている。
【０１３３】半導体レーザチップ１を図１１（ｂ）に描
かれた矢印の方向に移動させて、マーキングＣがマーキ
ングＤの間に位置するように、その位置を調整する。先
に図９を参照して説明したように、赤外光源２１により
Ｓｉサブマウント１４の裏側からサブマウント１４を透
過する光を照射すると、透過光はマーキングＣ及びマー
キングＤで反射し、顕微鏡２０で拡大されて検出器１９
に結像する。マーキングＣがマーキングＤの間に位置す
るように位置合わせ調整されると、マーキングからの反
射光の強度が最大になる。この位置でＳｉサブマウント
１４を加熱してはんだ層２４を溶融し、半導体レーザチ
ップ１を所定の位置に固定する。
かれた矢印の方向に移動させて、マーキングＣがマーキ
ングＤの間に位置するように、その位置を調整する。先
に図９を参照して説明したように、赤外光源２１により
Ｓｉサブマウント１４の裏側からサブマウント１４を透
過する光を照射すると、透過光はマーキングＣ及びマー
キングＤで反射し、顕微鏡２０で拡大されて検出器１９
に結像する。マーキングＣがマーキングＤの間に位置す
るように位置合わせ調整されると、マーキングからの反
射光の強度が最大になる。この位置でＳｉサブマウント
１４を加熱してはんだ層２４を溶融し、半導体レーザチ
ップ１を所定の位置に固定する。
【０１３４】半導体レーザチップ１の上側よりマーキン
グを認識しようとすると、半導体レーザチップ１が多層
構造であるため、レンズの収差を補正することが困難で
ある。また、半導体レーザチップの上側にＡｕ電極を形
成すると、赤外光がＡｕを透過しないため、マーキング
の認識が困難となる。これに対して本実施形態では、顕
微鏡２０を構成するレンズをＳｉサブマウント１３の厚
さを考慮して設計することで、マーキングＡ〜Ｄからの
反射光は収差なく検出器１９に結像される。そのため、
サブマウント１４の裏側から光を照射してマーキングＡ
〜Ｄを裏面から認識することで、高精度の位置調整が実
現できる。
グを認識しようとすると、半導体レーザチップ１が多層
構造であるため、レンズの収差を補正することが困難で
ある。また、半導体レーザチップの上側にＡｕ電極を形
成すると、赤外光がＡｕを透過しないため、マーキング
の認識が困難となる。これに対して本実施形態では、顕
微鏡２０を構成するレンズをＳｉサブマウント１３の厚
さを考慮して設計することで、マーキングＡ〜Ｄからの
反射光は収差なく検出器１９に結像される。そのため、
サブマウント１４の裏側から光を照射してマーキングＡ
〜Ｄを裏面から認識することで、高精度の位置調整が実
現できる。
【０１３５】（第９の実施形態）第８の実施形態では、
半導体レーザチップ１の発光領域を認識するために、半
導体レーザチップ１にマーキングＡやマーキングＣを形
成する必要がある。これに対して本実施形態では、半導
体レーザチップ１にマーキングせずに発光領域を検出す
る方法について説明する。
半導体レーザチップ１の発光領域を認識するために、半
導体レーザチップ１にマーキングＡやマーキングＣを形
成する必要がある。これに対して本実施形態では、半導
体レーザチップ１にマーキングせずに発光領域を検出す
る方法について説明する。
【０１３６】図１２のように、半導体レーザチップ１を
波長６５０ｎｍの色素パルスレーザ２５で照射すると、
活性層２の電子が励起されてレーザ発振を起こす。発振
が起きると発光点Ｅが発光するため、発光点Ｅを認識し
ながら位置合わせ調整を行うことができる。
波長６５０ｎｍの色素パルスレーザ２５で照射すると、
活性層２の電子が励起されてレーザ発振を起こす。発振
が起きると発光点Ｅが発光するため、発光点Ｅを認識し
ながら位置合わせ調整を行うことができる。
【０１３７】或いは、図１３のように、波長８５０ｎｍ
帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ２６から出射された光
を、半導体レーザチップ１の後端面に集光する。このと
き、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ２６の光は、半導体レ
ーザチップ１の活性層（発光領域）２の内部を伝搬して
いき、その過程で活性層２の電子が励起されて発光点Ｅ
が発光する。これにより、発光点Ｅを認識しながら位置
合わせ調整を行うことができる。
帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ２６から出射された光
を、半導体レーザチップ１の後端面に集光する。このと
き、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ２６の光は、半導体レ
ーザチップ１の活性層（発光領域）２の内部を伝搬して
いき、その過程で活性層２の電子が励起されて発光点Ｅ
が発光する。これにより、発光点Ｅを認識しながら位置
合わせ調整を行うことができる。
【０１３８】以上のような本実施形態の方法では、半導
体レーザチップ１に電流を印加することなく、発光点Ｅ
を認識することができる。また、半導体レーザチップ１
にマーキングを形成する必要もなく、半導体レーザチッ
プ１の位置を認識できる。形成された発光点Ｅを利用す
ることで、約２０秒間という短時間で、半導体レーザチ
ップ１の位置合わせ調整及び固定が行えて、光発生装置
を簡便に製造することができる。
体レーザチップ１に電流を印加することなく、発光点Ｅ
を認識することができる。また、半導体レーザチップ１
にマーキングを形成する必要もなく、半導体レーザチッ
プ１の位置を認識できる。形成された発光点Ｅを利用す
ることで、約２０秒間という短時間で、半導体レーザチ
ップ１の位置合わせ調整及び固定が行えて、光発生装置
を簡便に製造することができる。
【０１３９】（第１０の実施形態）本実施形態では、図
１４（ａ）〜（ｅ）を参照して、光導波路が形成されて
いる基板の表面と、基板（光機能デバイス）が固定され
ているサブマウントの表面が平行でなく、基板をスライ
ド移動させることで、光導波路とサブマウントの高さを
調整できる光発生装置について説明する。
１４（ａ）〜（ｅ）を参照して、光導波路が形成されて
いる基板の表面と、基板（光機能デバイス）が固定され
ているサブマウントの表面が平行でなく、基板をスライ
ド移動させることで、光導波路とサブマウントの高さを
調整できる光発生装置について説明する。
【０１４０】まず、光導波路が形成されている基板の表
面と基板が固定されているサブマウントの表面とを非平
行状態にする方法について説明する。本実施形態では、
光機能デバイスとして、ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板
上に光導波路４を作製した光導波路ＳＨＧデバイス３を
用いて説明する。
面と基板が固定されているサブマウントの表面とを非平
行状態にする方法について説明する。本実施形態では、
光機能デバイスとして、ｘカットＬｉＴａＯ3結晶基板
上に光導波路４を作製した光導波路ＳＨＧデバイス３を
用いて説明する。
【０１４１】図１４（ａ）に示す側面図及び図１４
（ｂ）に示す上面図において、第１の実施形態と同様
に、Ｓｉサブマウント６上には、半導体レーザチップ１
と光導波路型ＳＨＧデバイス３が固定される。Ｓｉサブ
マウント６上には電極用のＡｕ層が蒸着され、さらに、
はんだ層により半導体レーザチップ１が固定される。第
１の実施形態では、光導波路型ＳＨＧデバイス３上にＳ
ｉＯ2保護膜を形成して半導体レーザチップ１の活性層
２と光導波路４の高さを調整したが、本実施形態では、
図１４（ｃ）に示すように、光導波路型ＳＨＧデバイス
３の光導波路４が形成されている基板表面にストライプ
状の突起２７が形成されていて、この突起２７を利用し
て活性層２と光導波路４の高さを調整する。突起２７の
高さは、例えば約１０μｍである。
（ｂ）に示す上面図において、第１の実施形態と同様
に、Ｓｉサブマウント６上には、半導体レーザチップ１
と光導波路型ＳＨＧデバイス３が固定される。Ｓｉサブ
マウント６上には電極用のＡｕ層が蒸着され、さらに、
はんだ層により半導体レーザチップ１が固定される。第
１の実施形態では、光導波路型ＳＨＧデバイス３上にＳ
ｉＯ2保護膜を形成して半導体レーザチップ１の活性層
２と光導波路４の高さを調整したが、本実施形態では、
図１４（ｃ）に示すように、光導波路型ＳＨＧデバイス
３の光導波路４が形成されている基板表面にストライプ
状の突起２７が形成されていて、この突起２７を利用し
て活性層２と光導波路４の高さを調整する。突起２７の
高さは、例えば約１０μｍである。
【０１４２】通常、光導波路型ＳＨＧデバイス３には、
複数の光導波路４が約３０μｍ間隔で形成されている。
そのため、突起２７が光導波路型ＳＨＧデバイス３の上
に形成されていると、図１４（ｃ）に示すＯ点、Ｐ点及
びＱ点で、それぞれ光導波路４のサブマウント６の表面
からの高さが異なることになる。具体的には、光導波路
４のサブマウント６の表面からの高さは、例えばＯ点で
は約０μｍ、Ｐ点では約５μｍ、さらにＱ点では約１０
μｍとなる。故に、図１４（ｂ）の矢印方向に光導波路
型ＳＨＧデバイス３を移動させることにより、最大の光
結合効率が得られるように、光導波路４の高さを任意に
調整できる。典型的には、結合効率を、約８０％にまで
改善することができて、約１．３ｍＷのブルー光を得る
ことができる。
複数の光導波路４が約３０μｍ間隔で形成されている。
そのため、突起２７が光導波路型ＳＨＧデバイス３の上
に形成されていると、図１４（ｃ）に示すＯ点、Ｐ点及
びＱ点で、それぞれ光導波路４のサブマウント６の表面
からの高さが異なることになる。具体的には、光導波路
４のサブマウント６の表面からの高さは、例えばＯ点で
は約０μｍ、Ｐ点では約５μｍ、さらにＱ点では約１０
μｍとなる。故に、図１４（ｂ）の矢印方向に光導波路
型ＳＨＧデバイス３を移動させることにより、最大の光
結合効率が得られるように、光導波路４の高さを任意に
調整できる。典型的には、結合効率を、約８０％にまで
改善することができて、約１．３ｍＷのブルー光を得る
ことができる。
【０１４３】図１４（ｃ）では、光導波路型ＳＨＧデバ
イス３に突起２７を形成した構成になっているが、図１
４（ｄ）のように、Ｓｉサブマウント６の上に突起２７
を形成しても、同様の効果が得られる。
イス３に突起２７を形成した構成になっているが、図１
４（ｄ）のように、Ｓｉサブマウント６の上に突起２７
を形成しても、同様の効果が得られる。
【０１４４】また、図１４（ｅ）のように、ＳＨＧデバ
イス３の光導波路４が形成されていない結晶基板面をサ
ブマウント６に密着させて固定する場合、結晶を斜めに
研磨することで光導波路４の高さを順に変化させて、同
様の効果が得ることができる。図１４（ｅ）の配置で
は、光導波路４がサブマウント６よりも離れて位置する
ために、半導体レーザチップ１からサブマウント６を通
じたＳＨＧデバイス３への熱伝導を、より効果的に防止
することができる。
イス３の光導波路４が形成されていない結晶基板面をサ
ブマウント６に密着させて固定する場合、結晶を斜めに
研磨することで光導波路４の高さを順に変化させて、同
様の効果が得ることができる。図１４（ｅ）の配置で
は、光導波路４がサブマウント６よりも離れて位置する
ために、半導体レーザチップ１からサブマウント６を通
じたＳＨＧデバイス３への熱伝導を、より効果的に防止
することができる。
【０１４５】本実施形態では、光導波路型ＳＨＧデバイ
ス３の一軸位置調整により、光導波路４の高さの調整も
行える。このため、半導体レーザチップ１を固定する際
のはんだ層の厚さを厳密に制御する必要がなく、より実
用的な製造が実現できる。
ス３の一軸位置調整により、光導波路４の高さの調整も
行える。このため、半導体レーザチップ１を固定する際
のはんだ層の厚さを厳密に制御する必要がなく、より実
用的な製造が実現できる。
【０１４６】（第１１の実施形態）本実施形態では、本
発明を光導波路型光変調デバイスに適用して、同様の効
果が得られることを説明する。
発明を光導波路型光変調デバイスに適用して、同様の効
果が得られることを説明する。
【０１４７】図１５に示す光導波路型光変調デバイスで
は、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基板２８上に、２つのＹ
分岐光導波路が、組み合わされて形成されている。分岐
された２つの光導波路２９には、それぞれ電極３０が構
成されている。ＴＭモードの伝搬光は、それぞれの光導
波路２９で△φ及び−△φの位相変化を受けるので、両
者の間には２△φの位相差が生じる（プッシュプル動
作）。これより、出力光の強度は、２△φの位相差に対
して光変調される。
は、ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基板２８上に、２つのＹ
分岐光導波路が、組み合わされて形成されている。分岐
された２つの光導波路２９には、それぞれ電極３０が構
成されている。ＴＭモードの伝搬光は、それぞれの光導
波路２９で△φ及び−△φの位相変化を受けるので、両
者の間には２△φの位相差が生じる（プッシュプル動
作）。これより、出力光の強度は、２△φの位相差に対
して光変調される。
【０１４８】光導波路型光変調デバイスにおいても、半
導体レーザチップからの光を光導波路に結合するための
結合レンズを削除した直接結合型が、小型化のためには
望まれる。この場合、光結合のための位置合わせ調整の
簡素化が可能なモジュール構成の実現が、重要である。
また、直接結合型モジュールでは、半導体レーザチップ
からの熱伝導は、位相変化に影響を与え、さらに変調特
性の劣化を招くことになる。
導体レーザチップからの光を光導波路に結合するための
結合レンズを削除した直接結合型が、小型化のためには
望まれる。この場合、光結合のための位置合わせ調整の
簡素化が可能なモジュール構成の実現が、重要である。
また、直接結合型モジュールでは、半導体レーザチップ
からの熱伝導は、位相変化に影響を与え、さらに変調特
性の劣化を招くことになる。
【０１４９】第１〜第１０の実施形態で説明した構成に
おいて、光機能デバイスとしてＳＨＧデバイスの代わり
に光変調デバイスを固定した光発生装置を構成すれば、
容積が約１ｃｃ以下と小型で且つ約３０秒以内の短い時
間で製造できる、直接結合型の光変調デバイスが実現で
きる。また、半導体レーザチップが固定されているサブ
マウントの部分の構成材料を、光変調デバイスが固定さ
れているサブマウントの部分の構成材料から異ならせる
ことで、半導体レーザチップから光デバイス（光変調デ
バイス）への熱伝導を低減できて、出力光の強度変調を
安定して行うことができる。
おいて、光機能デバイスとしてＳＨＧデバイスの代わり
に光変調デバイスを固定した光発生装置を構成すれば、
容積が約１ｃｃ以下と小型で且つ約３０秒以内の短い時
間で製造できる、直接結合型の光変調デバイスが実現で
きる。また、半導体レーザチップが固定されているサブ
マウントの部分の構成材料を、光変調デバイスが固定さ
れているサブマウントの部分の構成材料から異ならせる
ことで、半導体レーザチップから光デバイス（光変調デ
バイス）への熱伝導を低減できて、出力光の強度変調を
安定して行うことができる。
【０１５０】なお、以上の説明では、強誘電体結晶基板
上にプロトン交換法により作製された光導波路型光機能
デバイスを用いた光発生装置を説明しているが、ガラス
基板上にイオン交換より作製された光導波路型光機能デ
バイスを用いても、同様の効果が得られる。
上にプロトン交換法により作製された光導波路型光機能
デバイスを用いた光発生装置を説明しているが、ガラス
基板上にイオン交換より作製された光導波路型光機能デ
バイスを用いても、同様の効果が得られる。
【０１５１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、同一の
径（同一の厚さ）を有する複数の球やファイバなどの物
体を、半導体レーザチップと光機能デバイス（例えば、
ＳＨＧデバイス、或いは光変調デバイス）としての機能
を有する強誘電体結晶基板の間に挿入することにより、
半導体レーザの光を光導波路へ光結合するための位置合
わせ調整（光結合調整）、特に半導体レーザチップと強
誘電体結晶基板の距離方向の調整が簡素化される。さら
に、超小型の光発生装置を実現することができる。
径（同一の厚さ）を有する複数の球やファイバなどの物
体を、半導体レーザチップと光機能デバイス（例えば、
ＳＨＧデバイス、或いは光変調デバイス）としての機能
を有する強誘電体結晶基板の間に挿入することにより、
半導体レーザの光を光導波路へ光結合するための位置合
わせ調整（光結合調整）、特に半導体レーザチップと強
誘電体結晶基板の距離方向の調整が簡素化される。さら
に、超小型の光発生装置を実現することができる。
【０１５２】また、本発明によれば、サブマウント上に
半導体レーザチップと光導波路が形成された強誘電体結
晶基板（光機能デバイス）とが固定された光発生装置に
おいて、半導体レーザチップが固定されているサブマウ
ントの面と強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定
されているサブマウントの面を、お互いに垂直な位置関
係に配置することにより、半導体レーザの光を光導波路
へ導くための光学的調整（位置合わせ調整）を簡素化す
ることができ、超小型の光発生装置を実現することがで
きる。特に、ＳＨＧデバイスのような光機能デバイスを
ｚ板結晶基板上に形成した場合に、半波長板なしで半導
体レーザチップと光機能デバイスとの間の光結合を行う
ことができる。
半導体レーザチップと光導波路が形成された強誘電体結
晶基板（光機能デバイス）とが固定された光発生装置に
おいて、半導体レーザチップが固定されているサブマウ
ントの面と強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定
されているサブマウントの面を、お互いに垂直な位置関
係に配置することにより、半導体レーザの光を光導波路
へ導くための光学的調整（位置合わせ調整）を簡素化す
ることができ、超小型の光発生装置を実現することがで
きる。特に、ＳＨＧデバイスのような光機能デバイスを
ｚ板結晶基板上に形成した場合に、半波長板なしで半導
体レーザチップと光機能デバイスとの間の光結合を行う
ことができる。
【０１５３】また、本発明によれば、サブマウント上に
少なくとも半導体レーザチップと光導波路が形成された
強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定された光発
生装置において、半導体レーザチップが固定されている
部分のサブマウントの材料の熱伝導率が、強誘電体結晶
基板が固定されている部分のサブマウントの材料の熱伝
導率よりも大きくなるように、それぞれの部分を異なっ
た材料から形成する。これによって、半導体レーザチッ
プから発熱する熱が強誘電体結晶基板に伝導することを
低減し、強誘電体結晶基板上に形成した光機能デバイス
の特性劣化を防止できる。セラミックスをサブマウント
の構成材料として用いる場合、熱伝導率や線膨張係数を
自由に選択でき、また加工性もよいため、半導体レーザ
チップから発熱する熱が光機能デバイスへ伝導すること
を、効果的に低減できる。
少なくとも半導体レーザチップと光導波路が形成された
強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定された光発
生装置において、半導体レーザチップが固定されている
部分のサブマウントの材料の熱伝導率が、強誘電体結晶
基板が固定されている部分のサブマウントの材料の熱伝
導率よりも大きくなるように、それぞれの部分を異なっ
た材料から形成する。これによって、半導体レーザチッ
プから発熱する熱が強誘電体結晶基板に伝導することを
低減し、強誘電体結晶基板上に形成した光機能デバイス
の特性劣化を防止できる。セラミックスをサブマウント
の構成材料として用いる場合、熱伝導率や線膨張係数を
自由に選択でき、また加工性もよいため、半導体レーザ
チップから発熱する熱が光機能デバイスへ伝導すること
を、効果的に低減できる。
【０１５４】さらに、半導体レーザチップが固定されて
いる部分と強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定
されている部分との間に、複屈折性を有する結晶薄板を
挿入することにより、光結合のための位置合わせ調整が
容易で且つ半導体レーザチップの放熱特性にすぐれた光
発生装置が実現される。
いる部分と強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定
されている部分との間に、複屈折性を有する結晶薄板を
挿入することにより、光結合のための位置合わせ調整が
容易で且つ半導体レーザチップの放熱特性にすぐれた光
発生装置が実現される。
【０１５５】また、本発明によれば、サブマウント上に
少なくとも半導体レーザチップと光導波路が形成された
強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定された光発
生装置において、半導体レーザチップと強誘電体結晶基
板とサブマウント上に、位置合わせ用のマークを形成す
る。そして、半導体レーザチップと強誘電体結晶基板と
固定される面の反対側よりサブマウントに透過光を照射
し、各マークを画像認識する。認識された各マークを利
用して位置合わせ調整を行うことで、調整作業を簡易化
することができる。
少なくとも半導体レーザチップと光導波路が形成された
強誘電体結晶基板（光機能デバイス）が固定された光発
生装置において、半導体レーザチップと強誘電体結晶基
板とサブマウント上に、位置合わせ用のマークを形成す
る。そして、半導体レーザチップと強誘電体結晶基板と
固定される面の反対側よりサブマウントに透過光を照射
し、各マークを画像認識する。認識された各マークを利
用して位置合わせ調整を行うことで、調整作業を簡易化
することができる。
【０１５６】また、本発明によれば、半導体レーザチッ
プをサブマウント上に固定する際に、半導体レーザチッ
プを光励起により発光させたり、半導体レーザチップの
活性層内の導波路部分に外部から光結合させたり、半導
体レーザチップをパルス駆動させたりして、発光部を形
成する。この発光部を認識しながら、サブマウントの所
望の位置に半導体レーザチップを位置合わせさせること
により、短時間で且つ半導体レーザチップを劣化させる
ことのない光学調整の実施が可能になる。
プをサブマウント上に固定する際に、半導体レーザチッ
プを光励起により発光させたり、半導体レーザチップの
活性層内の導波路部分に外部から光結合させたり、半導
体レーザチップをパルス駆動させたりして、発光部を形
成する。この発光部を認識しながら、サブマウントの所
望の位置に半導体レーザチップを位置合わせさせること
により、短時間で且つ半導体レーザチップを劣化させる
ことのない光学調整の実施が可能になる。
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態における光
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の第２の実施形態における光
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第３の実施形態における光
発生装置の側面図であり、（ｂ）は、その上面図であ
り、（ｃ）は、その斜視図である。
発生装置の側面図であり、（ｂ）は、その上面図であ
り、（ｃ）は、その斜視図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第４の実施形態における光
発生装置に用いられるサブマウントの構成を示す側面図
であり、（ｂ）は、その光発生装置の側面図であり、
（ｃ）は、その上面図であり、（ｄ）は、その斜視図で
ある。
発生装置に用いられるサブマウントの構成を示す側面図
であり、（ｂ）は、その光発生装置の側面図であり、
（ｃ）は、その上面図であり、（ｄ）は、その斜視図で
ある。
【図５】（ａ）は、本発明の第５の実施形態における光
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態における他の光発生装
置の側面図である。
置の側面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第６の実施形態における光
発生装置に用いられるサブマウントの構成を示す側面図
であり、（ｂ）は、その光発生装置の側面図であり、
（ｃ）は、その上面図であり、（ｄ）は、その斜視図で
ある。
発生装置に用いられるサブマウントの構成を示す側面図
であり、（ｂ）は、その光発生装置の側面図であり、
（ｃ）は、その上面図であり、（ｄ）は、その斜視図で
ある。
【図８】（ａ）は、本発明の第７の実施形態における光
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
発生装置の側面図であり、（ｂ）はその上面図である。
【図９】本発明による光発生装置の製造プロセスにおけ
る半導体レーザチップのある位置合わせ工程を模式的に
説明するための図である。
る半導体レーザチップのある位置合わせ工程を模式的に
説明するための図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による光発生装置
の製造プロセスにおける半導体レーザチップの位置合わ
せ工程を模式的に説明するための図である。
の製造プロセスにおける半導体レーザチップの位置合わ
せ工程を模式的に説明するための図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明による光発生装
置の製造プロセスにおける半導体レーザチップの他の位
置合わせ工程を模式的に説明するための図である。
置の製造プロセスにおける半導体レーザチップの他の位
置合わせ工程を模式的に説明するための図である。
【図１２】本発明による光発生装置の製造プロセスにお
ける半導体レーザチップのさらに他の位置合わせ工程を
模式的に説明するための図である。
ける半導体レーザチップのさらに他の位置合わせ工程を
模式的に説明するための図である。
【図１３】本発明による光発生装置の製造プロセスにお
ける半導体レーザチップのさらに他の位置合わせ工程を
模式的に説明するための図である。
ける半導体レーザチップのさらに他の位置合わせ工程を
模式的に説明するための図である。
【図１４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明による光発生装置
の製造プロセスにおける光導波路の高さ調整工程を模式
的に説明するための図である。
の製造プロセスにおける光導波路の高さ調整工程を模式
的に説明するための図である。
【図１５】光変調デバイスの構成を表す斜視図である。
【図１６】ＳＨＧデバイスの構成を表す斜視図である。
【図１７】従来の光発生装置の構成を模式的に表す図で
ある。
ある。
１ 半導体レーザチップ
２ 活性層
３ 光導波路型ＳＨＧデバイス
４ 光導波路
５ 分極反転領域
６ Ｓｉサブマウント
７ ＳｉＯ2保護膜
８ 球
９ 光導波路型ＳＨＧデバイス
１０ 光導波路
１１ 分極反転領域
１２ 半波長板（膜）
１３ Ｓｉサブマウント
１４ Ｓｉサブマウント
１５ サブマウント
１６ サブマウント
１７ サブマウント
１８ ＬｉＮｂＯ3結晶薄板（薄膜）
１９ 検出器
２０ 顕微鏡
２１ 赤外光源
２２ Ａｕ薄膜
２３ はんだ
２４ はんだ
２５ 色素パルスレーザ
２６ ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
２７ 突起
２８ ｚカットＬｉＮｂＯ3結晶基板
２９ 光導波路
３０ 電極
３１ ｚカットＬｉＴａＯ3結晶基板
３２ 光導波路
３３ 分極反転領域
３４ 半導体レーザ
３５ コリメートレンズ
３６ 半波長板
３７ バンドパスフィルタ
３８ フォーカシングレンズ
３９ 光導波路型ＳＨＧデバイス
４０ 光導波路
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｍ
(72)発明者 宇野 智昭
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/00 - 1/125
G02F 1/35 - 1/39
G02B 6/26 - 6/35
G02B 6/42
Claims (47)
- 【請求項１】 サブマウントと、 該サブマウント上に固定された半導体レーザチップと、 該サブマウント上に固定された、光導波路が形成されて
いる基板と、 該半導体レーザチップと該基板の間に挿入されている、
所定の径を有する物体と、を備える、光発生装置。 - 【請求項２】 前記基板が強誘電体結晶基板である、請
求項１に記載の光発生装置。 - 【請求項３】 前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａxＮ
ｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）である、請求項２に記載の光発
生装置。 - 【請求項４】 前記強誘電体結晶基板の上に形成されて
いる周期的分極反転領域をさらに備える、請求項２に記
載の光発生装置。 - 【請求項５】 前記光導波路がイオン交換法により形成
されている、請求項１に記載の光発生装置。 - 【請求項６】 前記物体がガラス球体である、請求項１
に記載の光発生装置。 - 【請求項７】 前記物体がファイバである、請求項１に
記載の光発生装置。 - 【請求項８】 第１の面及び第２の面を含むサブマウン
トと、 該サブマウントの該第１の面の上に固定された半導体レ
ーザチップと、 該サブマウントの該第２の面の上に固定された、光導波
路が形成されている基板と、を備える光発生装置であっ
て、 該第１の面と該第２の面とが垂直な位置関係にある、光
発生装置。 - 【請求項９】 第１の部分と第２の部分とを含むサブマ
ウントと、 該サブマウントの該第１の部分に固定された半導体レー
ザチップと、 該サブマウントの該第２の部分に固定された、光導波路
が形成されている基板と、を備える光発生装置であっ
て、 該第１の部分の構成材料と該第２の部分の構成材料とが
お互いに異なっている、光発生装置。 - 【請求項１０】 前記基板が強誘電体結晶基板である、
請求項８或いは９に記載の光発生装置。 - 【請求項１１】 前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａx
Ｎｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）である、請求項１０に記載の
光発生装置。 - 【請求項１２】 前記強誘電体結晶基板の上に形成され
ている周期的分極反転領域をさらに備える、請求項１０
に記載の光発生装置。 - 【請求項１３】 前記光導波路がイオン交換法により形
成されている、請求項８或いは９に記載の光発生装置。 - 【請求項１４】 前記サブマウントの前記第１の部分と
前記第２の部分との間に挿入されている、複屈折性を有
する結晶薄板をさらに備える、請求項９に記載の光発生
装置。 - 【請求項１５】 前記第１の部分の熱伝導率が前記第２
の部分の熱伝導率よりも大きい、請求項９に記載の光発
生装置。 - 【請求項１６】 前記第１の部分及び前記第２の部分の
材料がセラミックスである、請求項９に記載の光発生装
置。 - 【請求項１７】 お互いに垂直な位置関係にある第１の
面及び第２の面を含むサブマウントと、半導体レーザチ
ップと、光導波路が形成されている基板と、のそれぞれ
に、位置合わせ用のマークを形成するステップと、 該サブマウントの該マークと該半導体レーザチップの該
マークとが一致するように両者を位置合わせして、該サ
ブマウントの該第１の面の上に該半導体レーザチップを
固定するステップと、 該サブマウントの該マークと該基板の該マークとが一致
するように両者を位置合わせして、該サブマウントの該
第２の面の上に該基板を固定するステップと、を包含す
る、光発生装置の製造方法。 - 【請求項１８】 第１の面及び第２の面を含むサブマウ
ントと、半導体レーザチップと、のそれぞれに、位置合
わせ用のマークを形成するステップと、 該サブマウントに該第１の面に対向する側から該サブマ
ウントを透過する光を照射して、該サブマウントの該マ
ークと該半導体チップの該マークとをそれぞれ画像認識
するステップと、 該サブマウントの該マークと該半導体チップの該マーク
とが一致するように両者を位置合わせして、該サブマウ
ントの該第１の面の上に該半導体レーザチップを固定す
るステップと、 光導波路が形成されている基板を、該サブマウントの該
第２の面の上に固定するステップと、を包含する、光発
生装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記サブマウントに照射する前記光が
ＩｎＰ系半導体レーザ光である、請求項１８に記載の光
発生装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記基板が強誘電体結晶基板である、
請求項１７或いは１８に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮ
ｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）である、請求項２０に記載の光
発生装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記強誘電体結晶基板の上に周期的分
極反転領域を設けるステップをさらに包含する、請求項
２０に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記光導波路をイオン交換法により形
成するステップをさらに包含する、請求項１７或いは１
８に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項２４】 半導体レーザチップのレーザ発振のた
めの積層構造の少なくとも一部を発光させて発光領域を
形成するステップと、 該半導体レーザチップの該発光領域を認識して、その位
置情報に基づいて、該半導体レーザチップをサブマウン
トの所望の位置に固定するステップと、 光導波路が形成された基板を該サブマウントの上に固定
するステップと、を包含する、光発生装置の製造方法。 - 【請求項２５】 光励起により前記発光領域を形成す
る、請求項２４に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項２６】 前記半導体レーザチップの活性層に外
部から光結合することにより前記発光領域を形成する、
請求項２４に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項２７】 前記半導体レーザチップのパルス駆動
により前記発光領域を形成する、請求項２４に記載の光
発生装置の製造方法。 - 【請求項２８】 前記基板が強誘電体結晶基板である、
請求項２４から２７のいずれかに記載の光発生装置の製
造方法。 - 【請求項２９】 前記強誘電体結晶基板がＬｉＴａxＮ
ｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）である、請求項２８に記載の光
発生装置の製造方法。 - 【請求項３０】 前記強誘電体結晶基板の上に周期的分
極反転領域を形成するステップをさらに包含する、請求
項２８に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項３１】 前記光導波路をイオン交換法により形
成するステップをさらに包含する、請求項２４から２７
のいずれかに記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項３２】 サブマウントと、 該サブマウントの上に固定された半導体レーザチップ
と、 該サブマウントの上に固定された、複数の光導波路が形
成されている基板と、を備える光発生装置であって、 該複数の光導波路が形成されている該基板の表面と該基
板が固定されている該サブマウントの表面とがお互いに
非平行関係にある、光発生装置。 - 【請求項３３】 前記複数の光導波路が形成されている
前記基板の表面に形成された突起をさらに備え、該突起
によって前記非平行関係が得られる、請求項３２に記載
の光発生装置。 - 【請求項３４】 前記基板が固定されている前記サブマ
ウントの表面に形成された突起をさらに備え、該突起に
よって前記非平行関係が得られる、請求項３２に記載の
光発生装置。 - 【請求項３５】 前記基板がお互いに平行ではない表面
と裏面とを有しており、それによって前記非平行関係が
得られる、請求項３２に記載の光発生装置。 - 【請求項３６】 前記基板が強誘電体結晶基板である、
請求項３２から３５のいずれかひとつに記載の光発生装
置。 - 【請求項３７】 前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａx
Ｎｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）である、請求項３６に記載の
光発生装置。 - 【請求項３８】 前記強誘電体結晶基板の上に形成され
ている周期的分極反転領域をさらに備える、請求項３６
に記載の光発生装置。 - 【請求項３９】 前記複数の光導波路がイオン交換法に
より形成されている、請求項３２から３５のいずれかひ
とつに記載の光発生装置。 - 【請求項４０】 サブマウントと、半導体レーザチップ
と、光導波路が形成されている基板と、を備え、該光導
波路が形成されている該基板の表面と該基板が固定され
る該サブマウントの表面とがお互いに非平行関係にあ
る、光発生装置の製造方法であって、該方法は、 該サブマウント及び該基板の少なくとも一方を加工して
該非平行関係を得るステップと、 該サブマウントの上に該半導体レーザチップを固定する
ステップと、 該サブマウントの上で該基板を、該固定された半導体レ
ーザチップの光軸に対して平行に移動させ、該基板の厚
み方向での該基板と該半導体レーザとの間の結合光学調
整を行って、該基板を該サブマウント上の所望の位置に
固定するステップと、を包含する、光発生装置の製造方
法。 - 【請求項４１】 前記光導波路が形成されている前記基
板の表面に突起を形成するステップをさらに包含し、該
突起によって前記非平行関係が得られる、請求項４０に
記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項４２】 前記基板が固定されている前記サブマ
ウントの表面に突起を形成するステップをさらに包含
し、該突起によって前記非平行関係が得られる、請求項
４０に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項４３】 前記基板の表面と裏面とをお互いに非
平行に形成するステップをさらに包含し、それによって
前記非平行関係が得られる、請求項４０に記載の光発生
装置の製造方法。 - 【請求項４４】 前記基板が強誘電体結晶基板である、
請求項４０から４３のいずれかひとつに記載の光発生装
置の製造方法。 - 【請求項４５】 前記強誘電体結晶基板が、ＬｉＴａx
Ｎｂ1-xＯ3（０≦ｘ≦１）である、請求項４４に記載の
光発生装置の製造方法。 - 【請求項４６】 前記強誘電体結晶基板の上に形成され
ている周期的分極反転領域をさらに備える、請求項４４
に記載の光発生装置の製造方法。 - 【請求項４７】 前記光導波路がイオン交換法により形
成されている、請求項３２から３５のいずれかひとつに
記載の光発生装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30536396A JP3506304B2 (ja) | 1995-11-16 | 1996-11-15 | 光発生装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-298027 | 1995-11-16 | ||
| JP29802795 | 1995-11-16 | ||
| JP30536396A JP3506304B2 (ja) | 1995-11-16 | 1996-11-15 | 光発生装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197457A JPH09197457A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3506304B2 true JP3506304B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=26561344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30536396A Expired - Fee Related JP3506304B2 (ja) | 1995-11-16 | 1996-11-15 | 光発生装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3506304B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4573374B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP4565690B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2010-10-20 | 日本碍子株式会社 | 第二高調波発生装置 |
| JP2001337253A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路デバイス集積モジュールおよびその実装方法 |
| JP4778627B2 (ja) * | 2001-04-04 | 2011-09-21 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | レーザダイオード用サブマウント及びその製造方法 |
| US8285151B2 (en) * | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
| JP2008198980A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-08-28 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置 |
| JP2009237326A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積回路モジュール、このモジュールに用いる光学ベンチ、及び光集積回路モジュールの作製方法 |
| JP5548422B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2014-07-16 | シチズンホールディングス株式会社 | レーザ光源 |
| JP6730583B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2020-07-29 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| CN115524806A (zh) * | 2017-07-19 | 2022-12-27 | 苏州旭创科技有限公司 | 光模块 |
| US11143821B1 (en) * | 2020-03-24 | 2021-10-12 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Integrated grating coupler system |
| CN116364561B (zh) * | 2023-06-01 | 2023-09-08 | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 | 键合方法及键合结构 |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP30536396A patent/JP3506304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09197457A (ja) | 1997-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100254640B1 (ko) | 광학장치 및 그 제조방법 | |
| US4951293A (en) | Frequency doubled laser apparatus | |
| JP3506304B2 (ja) | 光発生装置及びその製造方法 | |
| JPH11289131A (ja) | 波長可変半導体レーザ及びそれを使用した光集積化デバイス、並びにそれらの製造方法 | |
| JP3129028B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| JP3156444B2 (ja) | 短波長レーザ光源およびその製造方法 | |
| US6802655B2 (en) | Laser source | |
| US5960259A (en) | Optical apparatus and method for producing the same | |
| US6836497B1 (en) | Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module | |
| JP3366160B2 (ja) | 高調波出力安定化方法及びそれを利用する短波長レーザ光源 | |
| US6839489B2 (en) | Micro-electrodes for electro-optic control of optical waveguides | |
| JP2000284135A (ja) | プレーナ型光導波路を有する光導波路デバイス及びそれを使用して構成される集積化光モジュールとその実装方法 | |
| JP3454810B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| JP3111786B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| JP2003046183A (ja) | コヒーレント光源 | |
| JPH0627427A (ja) | 光機能素子 | |
| JP2001311974A (ja) | 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、及び波長変換モジュール | |
| JP3264056B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| US20240184147A1 (en) | Wavelength Conversion Device And Manufacturing Method Of Wavelength Conversion Device | |
| JPH06281982A (ja) | レーザ光発生装置 | |
| JP2002062556A (ja) | 高調波出力安定化方法及びそれを利用する短波長レーザ光源 | |
| JP3492337B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| JPH0980497A (ja) | レーザ光発生装置 | |
| JPH05297428A (ja) | 波長変換方法 | |
| JPH06164066A (ja) | レーザ光発生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031211 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031211 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |