JP2001337253A - 光導波路デバイス集積モジュールおよびその実装方法 - Google Patents
光導波路デバイス集積モジュールおよびその実装方法Info
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- JP2001337253A JP2001337253A JP2001062302A JP2001062302A JP2001337253A JP 2001337253 A JP2001337253 A JP 2001337253A JP 2001062302 A JP2001062302 A JP 2001062302A JP 2001062302 A JP2001062302 A JP 2001062302A JP 2001337253 A JP2001337253 A JP 2001337253A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体レーザとプレーナ型光導波路デバイスの
高さ方向の位置精度を高精度に制御し実装した光導波路
デバイス集積モジュールおよびその実装方法を提供す
る。 【解決手段】半導体レーザ３と基板表面に光導波路が形
成された光導波路デバイス２をサブマウント４上に備
え、半導体レーザ３と光導波路デバイス４は、活性層
８、９と前記光導波路の形成面５がともにサブマウント
に対向するように実装され、光導波路デバイス２とサブ
マウント４の間に、球形または円筒形等のスペーサー１
１を複数配置したことにより、高さ方向の位置決めを自
動的に行うことができ、かつ高精度の光結合実装を可能
にする。
高さ方向の位置精度を高精度に制御し実装した光導波路
デバイス集積モジュールおよびその実装方法を提供す
る。 【解決手段】半導体レーザ３と基板表面に光導波路が形
成された光導波路デバイス２をサブマウント４上に備
え、半導体レーザ３と光導波路デバイス４は、活性層
８、９と前記光導波路の形成面５がともにサブマウント
に対向するように実装され、光導波路デバイス２とサブ
マウント４の間に、球形または円筒形等のスペーサー１
１を複数配置したことにより、高さ方向の位置決めを自
動的に行うことができ、かつ高精度の光結合実装を可能
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザと光
導波路デバイスをサブマウント上に実装した光導波路デ
バイス集積モジュールおよびその実装方法に関するもの
である。
導波路デバイスをサブマウント上に実装した光導波路デ
バイス集積モジュールおよびその実装方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光通信分野において、石英系光波回路プ
ラットフォームに、半導体レーザと電子素子と光ファイ
バなどをハイブリッド集積した光モジュールの開発が重
要視されている。モジュールの小型化、低コスト化に
は、必要不可欠な技術である。ここで、重要なことは高
精度の各素子を固定し、伝達損失をできる限り小さくす
ることである。
ラットフォームに、半導体レーザと電子素子と光ファイ
バなどをハイブリッド集積した光モジュールの開発が重
要視されている。モジュールの小型化、低コスト化に
は、必要不可欠な技術である。ここで、重要なことは高
精度の各素子を固定し、伝達損失をできる限り小さくす
ることである。
【０００３】Si-V溝基板を用いて、半導体レーザと単一
モードファイバの直接結合による表面実装型光モジュー
ルが提案されている（1997年電子情報通信学会総合大
会、C-3-63）。構成図を図１２に示す。Si基板２４およ
び半導体レーザ２５にアライメントキー２６を形成し、
アライメントキー２６を画像認識することによりＶ溝２
７中心および半導体レーザ２５の発光点位置を検出し、
高精度に調整する。Si基板２４上のＶ溝２７に対して、
実装バラツキｘ方向±0.61μｍ、ｚ方向±１μｍ程度を
実現している。また、Ｖ溝２７に光ファイバ−２８を正
確に実装する。Ｖ溝２７はSiの異方性エッチングにより
高精度に形成されている。光ファイバ−２８も、外形寸
法およびコア中心を高精度に制御して作製されているた
め、光ファイバ−２８をＶ溝２７にはめ込み固定するこ
とで、光ファイバ−２８を半導体レーザ２５に対して高
精度に固定できる。
モードファイバの直接結合による表面実装型光モジュー
ルが提案されている（1997年電子情報通信学会総合大
会、C-3-63）。構成図を図１２に示す。Si基板２４およ
び半導体レーザ２５にアライメントキー２６を形成し、
アライメントキー２６を画像認識することによりＶ溝２
７中心および半導体レーザ２５の発光点位置を検出し、
高精度に調整する。Si基板２４上のＶ溝２７に対して、
実装バラツキｘ方向±0.61μｍ、ｚ方向±１μｍ程度を
実現している。また、Ｖ溝２７に光ファイバ−２８を正
確に実装する。Ｖ溝２７はSiの異方性エッチングにより
高精度に形成されている。光ファイバ−２８も、外形寸
法およびコア中心を高精度に制御して作製されているた
め、光ファイバ−２８をＶ溝２７にはめ込み固定するこ
とで、光ファイバ−２８を半導体レーザ２５に対して高
精度に固定できる。
【０００４】一方で、光ディスクの高密度化およびディ
スプレイの高精細化を実現するため、小型の短波長光源
が必要とされている。短波長化技術として、半導体レー
ザーと擬似位相整合（以下、「ＱＰＭ」と記す。）方式の
光導波路型第２高調波発生（Second Harmonic Generati
on：以下、「ＳＨＧ」と記す）デバイスを用いた青色光
発生がある（山本他、Optics Letters Vol.16, No.15,
1156頁,(1991)）。
スプレイの高精細化を実現するため、小型の短波長光源
が必要とされている。短波長化技術として、半導体レー
ザーと擬似位相整合（以下、「ＱＰＭ」と記す。）方式の
光導波路型第２高調波発生（Second Harmonic Generati
on：以下、「ＳＨＧ」と記す）デバイスを用いた青色光
発生がある（山本他、Optics Letters Vol.16, No.15,
1156頁,(1991)）。
【０００５】光導波路型QPM-SHGデバイスを用いた青色
光源の概略構成図を図１３に示す。半導体レーザとし
て、分布ブラッグ反射（Distributed Bragg Reflecto
r：以下、「ＤＢＲ」と記す）領域を有する波長可変半導
体レーザが用いられている（以下、「波長可変DＢR半導
体レーザ」と記す。）。２９は0.85μm帯の100mW級AlGaA
s系波長可変DＢR半導体レーザで、活性層領域とＤＢＲ
領域から構成される。ＤＢＲ領域への注入電流を可変す
ることにより、発振波長を可変することができる。
光源の概略構成図を図１３に示す。半導体レーザとし
て、分布ブラッグ反射（Distributed Bragg Reflecto
r：以下、「ＤＢＲ」と記す）領域を有する波長可変半導
体レーザが用いられている（以下、「波長可変DＢR半導
体レーザ」と記す。）。２９は0.85μm帯の100mW級AlGaA
s系波長可変DＢR半導体レーザで、活性層領域とＤＢＲ
領域から構成される。ＤＢＲ領域への注入電流を可変す
ることにより、発振波長を可変することができる。
【０００６】波長変換素子である光導波路型QPM-SHGデ
バイス３０は、Ｘ板MgをドープしたLiNbO3基板上に形成
された光導波路と周期的な分極反転領域より構成されて
いる。光導波路形成面にはSiO2の保護膜３１が形成され
ている。波長可変DBR半導体レーザ２９と光導波路型QPM
-SHGデバイス３０は、活性層および光導波路が形成され
た面がサブマウント３２に接するように（以下、「フェ
イスダウン実装」と記す）で固定され、波長可変DBR半導
体レーザ２９の出射面より得られたレーザ光は、光導波
路型QPM-SHGデバイス３０の光導波路に直接結合され
る。
バイス３０は、Ｘ板MgをドープしたLiNbO3基板上に形成
された光導波路と周期的な分極反転領域より構成されて
いる。光導波路形成面にはSiO2の保護膜３１が形成され
ている。波長可変DBR半導体レーザ２９と光導波路型QPM
-SHGデバイス３０は、活性層および光導波路が形成され
た面がサブマウント３２に接するように（以下、「フェ
イスダウン実装」と記す）で固定され、波長可変DBR半導
体レーザ２９の出射面より得られたレーザ光は、光導波
路型QPM-SHGデバイス３０の光導波路に直接結合され
る。
【０００７】半導体レーザを発光させながら光結合の調
整を行い、100mWのレーザ出力に対して60mWのレーザ光
を光導波路に結合させた。波長可変DBR半導体レーザの
ＤＢＲ領域への注入電流量を制御し、発振波長を光導波
路型QPM-SHGデバイスの位相整合波長許容度内に固定す
る。現在、波長425nmの青色光が10mW程度得られてい
る。
整を行い、100mWのレーザ出力に対して60mWのレーザ光
を光導波路に結合させた。波長可変DBR半導体レーザの
ＤＢＲ領域への注入電流量を制御し、発振波長を光導波
路型QPM-SHGデバイスの位相整合波長許容度内に固定す
る。現在、波長425nmの青色光が10mW程度得られてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザと光ファ
イバを集積した光モジュールでは、光ファイバがSiサブ
マウント上に形成されたＶ溝に実装され、そのＶ溝を基
準位置として、半導体レーザを実装する。光ファイバは
円筒状であり、そのコア部（光伝搬領域）が光ファイバ
の中心に形成されており、また光ファイバ径も高精度に
制御され形成される。また、Siサブマウント上に形成さ
れるＶ溝も、Siの異方性エッチングを利用して、高い精
度で形成される。そのため、光ファイバ中心であるコア
部は、Siサブマウントに対して、高い精度で実装され
る。一方、半導体レーザの位置合わせ用のアライメント
キーも、Ｖ溝を基準にして形成されているので、高い精
度で実装できる。
イバを集積した光モジュールでは、光ファイバがSiサブ
マウント上に形成されたＶ溝に実装され、そのＶ溝を基
準位置として、半導体レーザを実装する。光ファイバは
円筒状であり、そのコア部（光伝搬領域）が光ファイバ
の中心に形成されており、また光ファイバ径も高精度に
制御され形成される。また、Siサブマウント上に形成さ
れるＶ溝も、Siの異方性エッチングを利用して、高い精
度で形成される。そのため、光ファイバ中心であるコア
部は、Siサブマウントに対して、高い精度で実装され
る。一方、半導体レーザの位置合わせ用のアライメント
キーも、Ｖ溝を基準にして形成されているので、高い精
度で実装できる。
【０００９】LiNbO3基板上にプロトン交換やTi拡散など
方法により基板表面に光導波路を形成したプレーナ型光
導波路デバイス（本発明では、光ファイバのように同軸
中心に光導波層（コア）がある光導波路デバイス以外を
「プレーナ型光導波路デバイス」と記す。）では、基板表
面から光導波路までの高さは、高精度に制御されてい
る。半導体レーザとプレーナ型光導波路デバイスから構
成される集積モジュールでは、半導体レーザを半田材料
を用いて固定し、光導波路デバイスを接着剤でフェイス
ダウン実装で固定する。半導体レーザは、一般にｎ型基
板上に活性層を形成し、その上にＰ型のクラッド層を形
成し、さらにｐ側電極を形成する。そのため、ｐ側の表
面から活性層までの高さは、３μｍ程度である。また、
半田材料の厚みが１〜２μｍ程度あるため、結果として
実装後のサブマウントから活性層までの高さは、４〜５
μｍ程度となる。この高さは、実装時の半導体レーザの
加圧量を調整することにより、±0.2μｍ程度に制御で
きる。
方法により基板表面に光導波路を形成したプレーナ型光
導波路デバイス（本発明では、光ファイバのように同軸
中心に光導波層（コア）がある光導波路デバイス以外を
「プレーナ型光導波路デバイス」と記す。）では、基板表
面から光導波路までの高さは、高精度に制御されてい
る。半導体レーザとプレーナ型光導波路デバイスから構
成される集積モジュールでは、半導体レーザを半田材料
を用いて固定し、光導波路デバイスを接着剤でフェイス
ダウン実装で固定する。半導体レーザは、一般にｎ型基
板上に活性層を形成し、その上にＰ型のクラッド層を形
成し、さらにｐ側電極を形成する。そのため、ｐ側の表
面から活性層までの高さは、３μｍ程度である。また、
半田材料の厚みが１〜２μｍ程度あるため、結果として
実装後のサブマウントから活性層までの高さは、４〜５
μｍ程度となる。この高さは、実装時の半導体レーザの
加圧量を調整することにより、±0.2μｍ程度に制御で
きる。
【００１０】一方、プレーナ型光導波路デバイスの光導
波部は基板表面に形成されているため、基板からの高さ
は１μｍ程度である。そのため、半導体レーザの活性層
の高さと、光導波路デバイスの光導波部の高さには、３
〜４μｍ程度の差が存在し、半導体レーザを発光させず
に調整する方法（以下、「パッシブアライメント実装」と
記す。）による調整が困難であった。
波部は基板表面に形成されているため、基板からの高さ
は１μｍ程度である。そのため、半導体レーザの活性層
の高さと、光導波路デバイスの光導波部の高さには、３
〜４μｍ程度の差が存在し、半導体レーザを発光させず
に調整する方法（以下、「パッシブアライメント実装」と
記す。）による調整が困難であった。
【００１１】半導体レーザの活性層と、プレーナ型光導
波路デバイスの光導波部の高さを一致させるために、プ
レーナ型光導波路デバイス上に厚膜を形成させる方法が
提案されている。しかしながら、この方法では以下のよ
うな問題があった。 (１）厚膜形成時に基板温度が上昇するため、光導波路
作製条件が変化してしまう。特に、ＱＰＭ方式のSHGデ
バイスでは、光導波路の屈折率の変化に伴い位相整合波
長が変化したり、波長変換特性に劣化を生じる。 (２）厚膜形成後に、膜が収縮するため、基板のそりが
発生し、サブマウントへの実装が困難となる。 (３）膜厚が数μｍ程度あるため、均一な膜厚制御が困
難である。 (４）光導波路デバイスを接着剤で固定する際、接着剤
の厚みが均一でないと、サブマウントからの熱伝導が不
均一となり、特に、ＱＰＭ方式の波長変換デバイスで
は、位相整合波長が変化したり、波長変換特性に劣化を
生じる。
波路デバイスの光導波部の高さを一致させるために、プ
レーナ型光導波路デバイス上に厚膜を形成させる方法が
提案されている。しかしながら、この方法では以下のよ
うな問題があった。 (１）厚膜形成時に基板温度が上昇するため、光導波路
作製条件が変化してしまう。特に、ＱＰＭ方式のSHGデ
バイスでは、光導波路の屈折率の変化に伴い位相整合波
長が変化したり、波長変換特性に劣化を生じる。 (２）厚膜形成後に、膜が収縮するため、基板のそりが
発生し、サブマウントへの実装が困難となる。 (３）膜厚が数μｍ程度あるため、均一な膜厚制御が困
難である。 (４）光導波路デバイスを接着剤で固定する際、接着剤
の厚みが均一でないと、サブマウントからの熱伝導が不
均一となり、特に、ＱＰＭ方式の波長変換デバイスで
は、位相整合波長が変化したり、波長変換特性に劣化を
生じる。
【００１２】一方、半導体レーザとプレーナ型光導波路
デバイス上の横方向の光結合調整において、従来では光
結合調整後に接着剤を塗布し、硬化させ固定していたの
で、接着剤塗布時応力や接着剤の硬化収縮により、調整
後の位置ズレが生じていた。
デバイス上の横方向の光結合調整において、従来では光
結合調整後に接着剤を塗布し、硬化させ固定していたの
で、接着剤塗布時応力や接着剤の硬化収縮により、調整
後の位置ズレが生じていた。
【００１３】第２高調波発生を利用した光導波路型QPM-
SHGデバイスでは、得られる高調波光パワーが結合する
基本波パワーの２乗に比例するため、結合効率の向上お
よびサンプル間バラツキの低減は必要不可欠である。
SHGデバイスでは、得られる高調波光パワーが結合する
基本波パワーの２乗に比例するため、結合効率の向上お
よびサンプル間バラツキの低減は必要不可欠である。
【００１４】そこで、本発明は、上記の課題を解決し、
半導体レーザとプレーナ型光導波路デバイスの高さ方向
の位置精度を高精度に制御し実装した、光導波路デバイ
ス集積モジュールおよびその実装方法を提供することを
目的とする。
半導体レーザとプレーナ型光導波路デバイスの高さ方向
の位置精度を高精度に制御し実装した、光導波路デバイ
ス集積モジュールおよびその実装方法を提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光導波路デバイス集積モジュールは、半導
体レーザと、基板表面に光導波路が形成された光導波路
デバイスをサブマウント上に含み、前記半導体レーザと
前記光導波路デバイスは、前記半導体レーザの活性層形
成面と前記光導波路の形成面がともに前記サブマウント
に対向するように実装され、前記サブマウントと、前記
半導体レーザまたは前記光導波路デバイスとの間に実質
的な等距離を保持できるスぺーサーを介して接着部材に
より一体化されていることを特徴とする。
め、本発明の光導波路デバイス集積モジュールは、半導
体レーザと、基板表面に光導波路が形成された光導波路
デバイスをサブマウント上に含み、前記半導体レーザと
前記光導波路デバイスは、前記半導体レーザの活性層形
成面と前記光導波路の形成面がともに前記サブマウント
に対向するように実装され、前記サブマウントと、前記
半導体レーザまたは前記光導波路デバイスとの間に実質
的な等距離を保持できるスぺーサーを介して接着部材に
より一体化されていることを特徴とする。
【００１６】また本発明の光導波路デバイス集積モジュ
ールの実装方法は、サブマウント上に実装された半導体
レーザと光導波路デバイスとを備え、前記半導体レーザ
の活性層形成面と前記光導波路の形成面がともに前記サ
ブマウントに対向するように実装された光導波路デバイ
ス集積モジュールの製造方法であって、前記サブマウン
トと、前記半導体レーザまたは前記光導波路デバイスと
の間に実質的な等距離を保持できるスぺーサーを用い
て、前記半導体レーザ及び前記光導波路デバイスのうち
少なくとも一方をサブマウントへ接着部材を用いて実装
することを特徴とする。
ールの実装方法は、サブマウント上に実装された半導体
レーザと光導波路デバイスとを備え、前記半導体レーザ
の活性層形成面と前記光導波路の形成面がともに前記サ
ブマウントに対向するように実装された光導波路デバイ
ス集積モジュールの製造方法であって、前記サブマウン
トと、前記半導体レーザまたは前記光導波路デバイスと
の間に実質的な等距離を保持できるスぺーサーを用い
て、前記半導体レーザ及び前記光導波路デバイスのうち
少なくとも一方をサブマウントへ接着部材を用いて実装
することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明においては、実装時に圧力
を加えた際、前記サブマウントと、前記半導体レーザま
たは前記光導波路デバイスとの間に実質的な等距離を保
持できるスぺーサーを用いる。ここで、実質的な等距離
とは、好ましくは約１０％の変動幅に入る距離のもので
ある。球形、円筒形等辺等角形状のスペーサーを好まし
く使用できる。
を加えた際、前記サブマウントと、前記半導体レーザま
たは前記光導波路デバイスとの間に実質的な等距離を保
持できるスぺーサーを用いる。ここで、実質的な等距離
とは、好ましくは約１０％の変動幅に入る距離のもので
ある。球形、円筒形等辺等角形状のスペーサーを好まし
く使用できる。
【００１８】前記半導体レーザからの出射光と前記光導
波路との結合効率が最大となるように、前記サブマウン
ト表面から前記光導波路までの距離が前記球形または円
筒形の大きさにより調整されていることが好ましい。
波路との結合効率が最大となるように、前記サブマウン
ト表面から前記光導波路までの距離が前記球形または円
筒形の大きさにより調整されていることが好ましい。
【００１９】前記球形および円筒形の物体が、前記光導
波路デバイスもしくは前記半導体レーザと前記サブマウ
ントの間に、１層で配置されていることが好ましい。
波路デバイスもしくは前記半導体レーザと前記サブマウ
ントの間に、１層で配置されていることが好ましい。
【００２０】また、前記球形または円筒形の物体が複数
配置されていることが望ましい。
配置されていることが望ましい。
【００２１】また、前記球形または円筒形の物体が前記
半導体レーザの接着部材中に混入されていることが好ま
しい。
半導体レーザの接着部材中に混入されていることが好ま
しい。
【００２２】また、前記接着部材中への前記球形または
円筒形の物体の混入量が体積比で３０％以下であること
が好ましく、さらに好ましくは体積比で０．１％以上２
０％以下の範囲である。
円筒形の物体の混入量が体積比で３０％以下であること
が好ましく、さらに好ましくは体積比で０．１％以上２
０％以下の範囲である。
【００２３】また、前記球形または円筒形の物体の大き
さは実質的に同じであることが好ましい。ここで実質的
とは、多少の大きさは異なってもよいことをいい、具体
的には±１０％の誤差は許容される。
さは実質的に同じであることが好ましい。ここで実質的
とは、多少の大きさは異なってもよいことをいい、具体
的には±１０％の誤差は許容される。
【００２４】また、前記光導波路デバイスが、周期的な
分極反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイス
であることが好ましい。
分極反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイス
であることが好ましい。
【００２５】また、前記球形および円筒形の物体がガラ
ス材料、アクリル樹脂、ポリジビニルベンゼンを含む樹
脂、ホルムアルデヒド縮合物樹脂等の樹脂及びセラミッ
クから選ばれる少なくとも一つの材料で構成されている
ことが好ましい。
ス材料、アクリル樹脂、ポリジビニルベンゼンを含む樹
脂、ホルムアルデヒド縮合物樹脂等の樹脂及びセラミッ
クから選ばれる少なくとも一つの材料で構成されている
ことが好ましい。
【００２６】また、前記光導波路デバイスの接着部材が
紫外線照射により硬化されていることが望ましい。
紫外線照射により硬化されていることが望ましい。
【００２７】また、前記半導体レーザを固定するための
接着部材が半田もしくは導電性接着剤であることが好ま
しい。
接着部材が半田もしくは導電性接着剤であることが好ま
しい。
【００２８】また、前記球形の物体の平均粒子直径は１
０μm以下が好ましく、さらに好ましくは１〜９μmの範
囲である。
０μm以下が好ましく、さらに好ましくは１〜９μmの範
囲である。
【００２９】また、前記円筒形の物体の長さが１０μm
以上１００μm以下であることが望ましい。
以上１００μm以下であることが望ましい。
【００３０】また、前記球形または円筒形の物体は、直
径をｄ1、光導波路デバイス表面から光導波路のレーザ
光導波モードの強度ピークまでの距離をｄ2、半導体レ
ーザの活性層形成側の表面から発振するレーザ光の強度
ピークまでの距離をｄ3、半導体レーザをサブマウント
に実装するための接着部材の厚みをｄ4としたとき、ｄ1
+ｄ2+Δ≒ｄ3+ｄ4（ただし、Δは光導波路のレーザ光導
波モードの強度ピーク位置と、前記半導体レーザからの
出射光と光導波路との光結合効率が最大となる位置との
距離である。）の関係にあることが好ましい。
径をｄ1、光導波路デバイス表面から光導波路のレーザ
光導波モードの強度ピークまでの距離をｄ2、半導体レ
ーザの活性層形成側の表面から発振するレーザ光の強度
ピークまでの距離をｄ3、半導体レーザをサブマウント
に実装するための接着部材の厚みをｄ4としたとき、ｄ1
+ｄ2+Δ≒ｄ3+ｄ4（ただし、Δは光導波路のレーザ光導
波モードの強度ピーク位置と、前記半導体レーザからの
出射光と光導波路との光結合効率が最大となる位置との
距離である。）の関係にあることが好ましい。
【００３１】また、前記光導波路のレーザ光導波モード
が基板の厚み方向に対して対称形の場合Δ≒０、非対称
形の場合Δ＝α（ただし、αは光導波路のレーザ光導波
モードの強度ピーク位置と、前記半導体レーザからの出
射光と光導波路との光結合効率が最大となる位置との距
離である。）であることが好ましい。
が基板の厚み方向に対して対称形の場合Δ≒０、非対称
形の場合Δ＝α（ただし、αは光導波路のレーザ光導波
モードの強度ピーク位置と、前記半導体レーザからの出
射光と光導波路との光結合効率が最大となる位置との距
離である。）であることが好ましい。
【００３２】次に本発明の実装方法においては、前記半
導体レーザを点灯させた状態で前記光導波路デバイスの
光結合調整を行うのが好ましい。
導体レーザを点灯させた状態で前記光導波路デバイスの
光結合調整を行うのが好ましい。
【００３３】また、前記接着部材は、紫外線照射により
硬化する紫外線硬化型樹脂であることが好ましい。紫外
線硬化型樹脂としては、アクリル系モノマー、オリゴマ
ー（分子量1000〜5000程度のポリエステル系、ポリウレ
タン系、エポキシ系アクリル酸エステルなど）、光重合
開始剤（ベンゾフェノン、ベンゾインエチルエーテルな
ど）及び重合禁止剤などを配合したものなどを使用でき
る。
硬化する紫外線硬化型樹脂であることが好ましい。紫外
線硬化型樹脂としては、アクリル系モノマー、オリゴマ
ー（分子量1000〜5000程度のポリエステル系、ポリウレ
タン系、エポキシ系アクリル酸エステルなど）、光重合
開始剤（ベンゾフェノン、ベンゾインエチルエーテルな
ど）及び重合禁止剤などを配合したものなどを使用でき
る。
【００３４】本発明の実装方法においては、前記サブマ
ウントに接着部材を塗布し、前記光導波路デバイスと前
記サブマウントの間に前記接着剤が存在した状態で、前
記半導体レーザと前記光導波路デバイスとの光結合調整
を行い、その後前記光導波路デバイスを固定することが
好ましい。
ウントに接着部材を塗布し、前記光導波路デバイスと前
記サブマウントの間に前記接着剤が存在した状態で、前
記半導体レーザと前記光導波路デバイスとの光結合調整
を行い、その後前記光導波路デバイスを固定することが
好ましい。
【００３５】また、前記接着部材が100cps以下の粘度で
あることが好ましい。
あることが好ましい。
【００３６】また、前記光導波路デバイスもしくは前記
半導体レーザを前記サブマウントへ実装する際に加えら
れる荷重の中心位置が、前記球形または円筒形の物体の
配置箇所が１箇所の場合はその中心付近、前記球形また
は円筒形の物体の配置箇所が２箇所の場合は２点を結ぶ
線分内、前記球形または円筒形の物体の配置箇所が３箇
所以上の場合は配置箇所を結んだ領域内、かつ前記光導
波路デバイスもしくは前記半導体レーザ面内であること
が望ましい。
半導体レーザを前記サブマウントへ実装する際に加えら
れる荷重の中心位置が、前記球形または円筒形の物体の
配置箇所が１箇所の場合はその中心付近、前記球形また
は円筒形の物体の配置箇所が２箇所の場合は２点を結ぶ
線分内、前記球形または円筒形の物体の配置箇所が３箇
所以上の場合は配置箇所を結んだ領域内、かつ前記光導
波路デバイスもしくは前記半導体レーザ面内であること
が望ましい。
【００３７】また、前記光導波路デバイスもしくは前記
半導体レーザを前記サブマウントへ実装する際に用いる
治具と、前記光導波路デバイスとの接触面積、もしくは
前記半導体レーザとの接触面積が、前記光導波路デバイ
スもしくは前記半導体レーザの面積よりも小さいことが
好ましい。
半導体レーザを前記サブマウントへ実装する際に用いる
治具と、前記光導波路デバイスとの接触面積、もしくは
前記半導体レーザとの接触面積が、前記光導波路デバイ
スもしくは前記半導体レーザの面積よりも小さいことが
好ましい。
【００３８】また、前記光導波路デバイスまたは前記半
導体レーザの少なくとも一方を荷重を加えながら前記サ
ブマウントへ実装することが好ましい。とくに前記光導
波路デバイスへ加えられる荷重が５００ｇ以下であるこ
とが好ましい。
導体レーザの少なくとも一方を荷重を加えながら前記サ
ブマウントへ実装することが好ましい。とくに前記光導
波路デバイスへ加えられる荷重が５００ｇ以下であるこ
とが好ましい。
【００３９】また、前記接着部材中に前記球形または円
筒形の物体が混入されていることが好ましい。
筒形の物体が混入されていることが好ましい。
【００４０】また、前記接着部材中へ混入する前記球形
または円筒形の物体の割合が体積比で３０％以下である
ことが好ましい。
または円筒形の物体の割合が体積比で３０％以下である
ことが好ましい。
【００４１】また、前記半導体レーザを点灯させた状態
で前記光導波路デバイスの位置調整を行い、前記光導波
路デバイスを前記サブマウントへ実装することが望まし
い。
で前記光導波路デバイスの位置調整を行い、前記光導波
路デバイスを前記サブマウントへ実装することが望まし
い。
【００４２】また、前記球形または円筒形の物体の大き
さは実質的に同じであることが好ましい。ここで実質的
とは、多少の大きさは異なってもよいことをいい、具体
的には±１０％の誤差は許容される。
さは実質的に同じであることが好ましい。ここで実質的
とは、多少の大きさは異なってもよいことをいい、具体
的には±１０％の誤差は許容される。
【００４３】また、前記半導体レーザを固定するための
接着部材が半田もしくは導電性接着剤であることが望ま
しい。
接着部材が半田もしくは導電性接着剤であることが望ま
しい。
【００４４】半導体レーザとプレーナ型光導波路デバイ
スを集積した光導波路デバイス集積モジュールにおいて
は、その結合効率の向上と、サンプル間の結合効率のバ
ラツキ低減が重要となる。特に、半導体レーザと光導波
路型QPM-SHGデバイスから構成される短波長光源におい
ては、得られる高調波光パワーが、結合する基本波パワ
ーの２乗に比例するため、結合効率の向上と、サンプル
間の結合効率のバラツキ低減が特に重要な要素となる。
本発明のモジュール及び実装方法は、これらの重要な要
素を満足させることができる。
スを集積した光導波路デバイス集積モジュールにおいて
は、その結合効率の向上と、サンプル間の結合効率のバ
ラツキ低減が重要となる。特に、半導体レーザと光導波
路型QPM-SHGデバイスから構成される短波長光源におい
ては、得られる高調波光パワーが、結合する基本波パワ
ーの２乗に比例するため、結合効率の向上と、サンプル
間の結合効率のバラツキ低減が特に重要な要素となる。
本発明のモジュール及び実装方法は、これらの重要な要
素を満足させることができる。
【００４５】以下の実施の形態では、半導体レーザとプ
レーナ型光導波路デバイスから構成される光導波路デバ
イス集積モジュールにおいて、光導波路と活性層の厚み
を高精度に制御して、高効率光結合を実現する方法つい
て説明する。
レーナ型光導波路デバイスから構成される光導波路デバ
イス集積モジュールにおいて、光導波路と活性層の厚み
を高精度に制御して、高効率光結合を実現する方法つい
て説明する。
【００４６】（実施の形態１）本実施の形態では、プレ
ーナ型光導波路デバイスとしてMgをドープしたLiNbO3基
板上に作製した光導波路型擬似位相整合方式第２高調波
発生(QPM-SHG)デバイスを、半導体レーザとして波長可
変機能を有する波長可変DBR半導体レーザを用いたSHG青
色光源について説明する。
ーナ型光導波路デバイスとしてMgをドープしたLiNbO3基
板上に作製した光導波路型擬似位相整合方式第２高調波
発生(QPM-SHG)デバイスを、半導体レーザとして波長可
変機能を有する波長可変DBR半導体レーザを用いたSHG青
色光源について説明する。
【００４７】本実施の形態では、プレーナ型光導波路デ
バイスとサブマウントの間に、球形または円筒形の物体
を配置し、プレーナ型光導波路デバイス上の光導波路の
高さを高精度に制御し、高効率光結合を実現する。
バイスとサブマウントの間に、球形または円筒形の物体
を配置し、プレーナ型光導波路デバイス上の光導波路の
高さを高精度に制御し、高効率光結合を実現する。
【００４８】図１に、本実施の形態のSHG青色光源の構
成図を示す。Siサブマウント４上に実装された光導波路
型QPM-SHGデバイス２と、波長可変DBR半導体レーザ３か
ら構成される。光導波路型QPM-SHGデバイス２は、ｘ板M
gをドープしたLiNbO3基板１上に形成されたプロトン交
換光導波路５と周期的な分極反転領域６より構成されて
いる。周期的な分極反転領域６は、LiNbO3基板の＋ｘ面
上に櫛形電極を形成し、電界を印加することにより作製
された。基本波光と第２高調波光の伝搬速度のずれを、
周期的分極反転領域により補償し、擬似的な位相整合条
件を満足している。基本波および高調波は、プロトン交
換光導波路を導波光として伝搬するため、長い相互作用
長が確保でき、高い変換効率が実現できる。
成図を示す。Siサブマウント４上に実装された光導波路
型QPM-SHGデバイス２と、波長可変DBR半導体レーザ３か
ら構成される。光導波路型QPM-SHGデバイス２は、ｘ板M
gをドープしたLiNbO3基板１上に形成されたプロトン交
換光導波路５と周期的な分極反転領域６より構成されて
いる。周期的な分極反転領域６は、LiNbO3基板の＋ｘ面
上に櫛形電極を形成し、電界を印加することにより作製
された。基本波光と第２高調波光の伝搬速度のずれを、
周期的分極反転領域により補償し、擬似的な位相整合条
件を満足している。基本波および高調波は、プロトン交
換光導波路を導波光として伝搬するため、長い相互作用
長が確保でき、高い変換効率が実現できる。
【００４９】プロトン交換光導波路５上には、SiO2保護
膜７(膜厚２００ｎｍ)が形成されている。基本波の導波
モードを図２に示す。厚み方向に対して、半値全幅で３
μｍであり、基板表面から導波モードの強度ピークまで
の距離は２μmであった。
膜７(膜厚２００ｎｍ)が形成されている。基本波の導波
モードを図２に示す。厚み方向に対して、半値全幅で３
μｍであり、基板表面から導波モードの強度ピークまで
の距離は２μmであった。
【００５０】波長可変DBR半導体レーザ３は、AlGaAs系
の半導体レーザであり、発振波長は８２０nmである。活
性領域８と回折格子が形成されたDBR（distributed Bra
gg reflector）領域９から構成されている。DBR領域９
から回折格子の周期に対応した光が活性領域８にフィー
ドバックし、活性領域８の出射端面とDBR領域９との間
で共振し、発振波長はフィードバック波長に固定され
る。DBR領域９には、内部ヒーターが形成されており、
電流注入を行うことでDBR領域の回折格子の屈折率を変
化させることにより、フィードバック波長を可変でき、
発振波長を変化させることができる。波長可変範囲2nm
が実現されている。
の半導体レーザであり、発振波長は８２０nmである。活
性領域８と回折格子が形成されたDBR（distributed Bra
gg reflector）領域９から構成されている。DBR領域９
から回折格子の周期に対応した光が活性領域８にフィー
ドバックし、活性領域８の出射端面とDBR領域９との間
で共振し、発振波長はフィードバック波長に固定され
る。DBR領域９には、内部ヒーターが形成されており、
電流注入を行うことでDBR領域の回折格子の屈折率を変
化させることにより、フィードバック波長を可変でき、
発振波長を変化させることができる。波長可変範囲2nm
が実現されている。
【００５１】ｎ型GaAs基板上にｎ型クラッド層および活
性層を形成し、その上にｐ型クラッド層を形成し、さら
にｐ側電極を形成した。ｐ側の表面（すなわち活性層形
成面）から、発光中心までの高さは３μｍであった。
性層を形成し、その上にｐ型クラッド層を形成し、さら
にｐ側電極を形成した。ｐ側の表面（すなわち活性層形
成面）から、発光中心までの高さは３μｍであった。
【００５２】Siサブマウント上には、Ti/Pt/Auメタライ
ズが成膜されていて、半導体レーザを実装する部分には
Pb/Snの半田１０が蒸着されている。半田材料の厚みは
３μｍである。実装時の波長可変DBR半導体レーザへの
加圧量を調整し、固定後の厚みは２μｍになるように設
定した。結果として、実装後のSiサブマウント４から発
光中心（すわなち、発振するレーザ光の強度ピーク）ま
での高さは、５μｍとなった。
ズが成膜されていて、半導体レーザを実装する部分には
Pb/Snの半田１０が蒸着されている。半田材料の厚みは
３μｍである。実装時の波長可変DBR半導体レーザへの
加圧量を調整し、固定後の厚みは２μｍになるように設
定した。結果として、実装後のSiサブマウント４から発
光中心（すわなち、発振するレーザ光の強度ピーク）ま
での高さは、５μｍとなった。
【００５３】上記に示すように、半導体レーザの発光中
心高さはSiサブマウントから５μｍの位置である。一
方、光導波路型QPM-SHGデバイス２の基板表面から導波
モードの強度ピークまでの距離は２μｍであり、高効率
に光結合するためには、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の高さを調整する必要がある。本実施の形態では、光導
波路型QPM-SHGデバイス２とSiサブマウント４の間に、
球形のガラスビーズ１１を挿入し、厚み調整を行う。ガ
ラスビーズ１１の平均粒径のばらつきは±０．１μm以
下であり、高精度な高さ方向の位置調整が可能となる。
実際には、光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モード
と半導体レーザの発光モードとの光結合効率が最大とな
るように、球形のガラスビーズ１１の大きさを選択し
た。
心高さはSiサブマウントから５μｍの位置である。一
方、光導波路型QPM-SHGデバイス２の基板表面から導波
モードの強度ピークまでの距離は２μｍであり、高効率
に光結合するためには、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の高さを調整する必要がある。本実施の形態では、光導
波路型QPM-SHGデバイス２とSiサブマウント４の間に、
球形のガラスビーズ１１を挿入し、厚み調整を行う。ガ
ラスビーズ１１の平均粒径のばらつきは±０．１μm以
下であり、高精度な高さ方向の位置調整が可能となる。
実際には、光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モード
と半導体レーザの発光モードとの光結合効率が最大とな
るように、球形のガラスビーズ１１の大きさを選択し
た。
【００５４】球形ガラスビーズ１１の大きさの選択方法
を具体的に説明する。球形または円筒形の物体の直径を
ｄ1、光導波路型QPM-SHGデバイス表面から光導波路のレ
ーザ光導波モードの強度ピークまでの距離をｄ2（図
２）、半導体レーザの活性層形成面から活性層位置まで
の距離をｄ3（図１、活性層８の厚み方向の半分の厚
さ）、半導体レーザをサブマウントに実装するための半
田膜の厚みをｄ4（図１）とする。本実施の形態におい
てｄ2＝２μm、ｄ3＝３μm、ｄ4＝２μmである。このと
き、ｄ1+ｄ2≒ｄ3+ｄ4の関係となるようにｄ1＝３μmの
ガラスビーズ１１を用いるだけでは必ずしも光導波路型
QPM-SHGデバイス２の導波モードと半導体レーザの発光
モードとの光結合効率が最大とはならない。図２に示す
ように、本実施例で用いた光導波路型QPM-SHGデバイス
上の光導波路のレーザ光導波モードは強度ピークに対し
て非対称である。このようにレーザ光導波モードが強度
ピークに対して非対称である場合、光導波路のレーザ光
導波モードと半導体レーザの発光モードとの光結合効率
が最大となる位置の光導波路型QPM-SHGデバイス表面か
らの距離はｄ2＋Δとなる。
を具体的に説明する。球形または円筒形の物体の直径を
ｄ1、光導波路型QPM-SHGデバイス表面から光導波路のレ
ーザ光導波モードの強度ピークまでの距離をｄ2（図
２）、半導体レーザの活性層形成面から活性層位置まで
の距離をｄ3（図１、活性層８の厚み方向の半分の厚
さ）、半導体レーザをサブマウントに実装するための半
田膜の厚みをｄ4（図１）とする。本実施の形態におい
てｄ2＝２μm、ｄ3＝３μm、ｄ4＝２μmである。このと
き、ｄ1+ｄ2≒ｄ3+ｄ4の関係となるようにｄ1＝３μmの
ガラスビーズ１１を用いるだけでは必ずしも光導波路型
QPM-SHGデバイス２の導波モードと半導体レーザの発光
モードとの光結合効率が最大とはならない。図２に示す
ように、本実施例で用いた光導波路型QPM-SHGデバイス
上の光導波路のレーザ光導波モードは強度ピークに対し
て非対称である。このようにレーザ光導波モードが強度
ピークに対して非対称である場合、光導波路のレーザ光
導波モードと半導体レーザの発光モードとの光結合効率
が最大となる位置の光導波路型QPM-SHGデバイス表面か
らの距離はｄ2＋Δとなる。
【００５５】図３にガラスビーズ１１の直径ｄ1を変え
た場合の光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モード
と、半導体レーザの発光モードとの最大光結合効率の変
化を示す。図３に示すようにガラスビーズ１１の直径ｄ
1＝２．７μmのとき、光結合効率は最大となった。前述
の結果より、ｄ1＝２．７μｍ、ｄ2＝２μｍ、ｄ3＝３
μｍ、ｄ4＝２μｍ、であるのでｄ1+ｄ2+Δ≒ｄ3+ｄ4の
関係にある場合Δ≒０．３μｍとなる。このとき、最大
光結合効率を得ることが可能となる。
た場合の光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モード
と、半導体レーザの発光モードとの最大光結合効率の変
化を示す。図３に示すようにガラスビーズ１１の直径ｄ
1＝２．７μmのとき、光結合効率は最大となった。前述
の結果より、ｄ1＝２．７μｍ、ｄ2＝２μｍ、ｄ3＝３
μｍ、ｄ4＝２μｍ、であるのでｄ1+ｄ2+Δ≒ｄ3+ｄ4の
関係にある場合Δ≒０．３μｍとなる。このとき、最大
光結合効率を得ることが可能となる。
【００５６】本実施の形態では、光導波路のレーザ光導
波モードが強度ピークに対して非対称である光導波路デ
バイスを用いたが、光導波路のレーザ光導波モードが強
度ピークに対して対称となる場合はΔ≒０となる。例え
ば、図４に示すようなリッジ型QPM-SHGデバイス３５を
作製することで、光導波路３６のレーザ光導波モードは
強度ピークに対して対称となる。
波モードが強度ピークに対して非対称である光導波路デ
バイスを用いたが、光導波路のレーザ光導波モードが強
度ピークに対して対称となる場合はΔ≒０となる。例え
ば、図４に示すようなリッジ型QPM-SHGデバイス３５を
作製することで、光導波路３６のレーザ光導波モードは
強度ピークに対して対称となる。
【００５７】また、本実施の形態においては球形物体と
してガラスビーズを用いたが、球形物体の材料としてガ
ラス材料以外にアクリル樹脂、ポリジビニルベンゼンを
含む樹脂材料、ホルムアルデヒド縮合物樹脂、またはセ
ラミックを用いても同様な粒径精度を持つ球形物体を実
現することができ、高精度な高さ方向の位置制御が可能
である。ただし、球形物体の粒径が１０μｍ以上となる
と球形物体の作製が困難となり、球形物体の粒径精度が
悪くなってしまう場合がある。高精度な高さ方向の位置
制御を行うには、粒径が１０μｍ以下の球形物体を用い
るほうがよい。
してガラスビーズを用いたが、球形物体の材料としてガ
ラス材料以外にアクリル樹脂、ポリジビニルベンゼンを
含む樹脂材料、ホルムアルデヒド縮合物樹脂、またはセ
ラミックを用いても同様な粒径精度を持つ球形物体を実
現することができ、高精度な高さ方向の位置制御が可能
である。ただし、球形物体の粒径が１０μｍ以上となる
と球形物体の作製が困難となり、球形物体の粒径精度が
悪くなってしまう場合がある。高精度な高さ方向の位置
制御を行うには、粒径が１０μｍ以下の球形物体を用い
るほうがよい。
【００５８】図５Ａ〜Ｄを用いて、本発明の実装方法に
ついて説明する。まず、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の光導波路形成面に平均粒子直径（φ）２．７μｍのガ
ラスビーズ１１を複数個塗布した。塗布方法としては、
ガラスビーズ１１を複数個アセトンに混入し、よく攪拌
させ、微量を光導波路形成面に塗布した。アセトンが蒸
発することで、光導波路形成面に散乱したガラスビーズ
１１の層を形成することができた。このような方法を用
いることで、１層のガラスビーズ１１を形成でき、より
高精度に高さ調整が行える。本実施の形態では、光導波
路型QPM-SHGデバイス２にガラスビーズ１１を塗布した
が、Siサブマウント４上でも問題はなかった。
ついて説明する。まず、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の光導波路形成面に平均粒子直径（φ）２．７μｍのガ
ラスビーズ１１を複数個塗布した。塗布方法としては、
ガラスビーズ１１を複数個アセトンに混入し、よく攪拌
させ、微量を光導波路形成面に塗布した。アセトンが蒸
発することで、光導波路形成面に散乱したガラスビーズ
１１の層を形成することができた。このような方法を用
いることで、１層のガラスビーズ１１を形成でき、より
高精度に高さ調整が行える。本実施の形態では、光導波
路型QPM-SHGデバイス２にガラスビーズ１１を塗布した
が、Siサブマウント４上でも問題はなかった。
【００５９】次に図５Ｂに示すように、半導体レーザを
発光させながら光結合調整を行った。波長可変DBR半導
体レーザ３が実装されたSiサブマウント４上に光導波路
型QPM-SHGデバイス２をのせた。SHG素子は、真空ピンセ
ットにより固定し、調整のための移動を行った。本実施
の形態では、ガラスビーズ１１により高さ方向は自動的
に調整されているため、光軸方向Ｘと横方向Ｙの調整を
行った。半導体レーザとSHGデバイスの端面間距離を３
μｍに設定し、双方を相対的に横方向移動させながら、
光導波路の出射端面から得られるレーザ光の出力がピー
クになるように調整した。これにより、光軸方向Ｘと横
方向Ｙの位置調整を完了した。
発光させながら光結合調整を行った。波長可変DBR半導
体レーザ３が実装されたSiサブマウント４上に光導波路
型QPM-SHGデバイス２をのせた。SHG素子は、真空ピンセ
ットにより固定し、調整のための移動を行った。本実施
の形態では、ガラスビーズ１１により高さ方向は自動的
に調整されているため、光軸方向Ｘと横方向Ｙの調整を
行った。半導体レーザとSHGデバイスの端面間距離を３
μｍに設定し、双方を相対的に横方向移動させながら、
光導波路の出射端面から得られるレーザ光の出力がピー
クになるように調整した。これにより、光軸方向Ｘと横
方向Ｙの位置調整を完了した。
【００６０】光導波路型QPM-SHGデバイス２を固定する
ため、光導波路型QPM-SHGデバイス２をSiサブマウント
４に対して垂直方向に上昇させた。そこで、波長可変DB
R半導体レーザ３が実装されたSiサブマウント４上に紫
外線硬化剤１２を塗布した（図５Ｃ）。本実施の形態で
は、カチオン重合法により得られたエポキシ系接着剤を
用い、粘度としては1000cps程度のものを用いた。再
び、光導波路型QPM-SHGデバイス２をSiサブマウント４
に対して垂直方向に下降させ、半導体レーザを発光さ
せ、ピーク出力の位置に置いて、光導波路型QPM-SHGデ
バイス２へ荷重を加えながら紫外線を３０秒程度照射
し、固定した（図５Ｄ）。ガラスビーズ１１を１層で配
列させるために光導波路型QPM-SHGデバイス２へ荷重を
加える必要があるが、荷重を５００ｇ以上にして実装を
行うと、光導波路型QPM-SHGデバイス２が破損する場合
があるため光導波路型QPM-SHGデバイス２への荷重は５
００ｇ以下であることが望ましい。
ため、光導波路型QPM-SHGデバイス２をSiサブマウント
４に対して垂直方向に上昇させた。そこで、波長可変DB
R半導体レーザ３が実装されたSiサブマウント４上に紫
外線硬化剤１２を塗布した（図５Ｃ）。本実施の形態で
は、カチオン重合法により得られたエポキシ系接着剤を
用い、粘度としては1000cps程度のものを用いた。再
び、光導波路型QPM-SHGデバイス２をSiサブマウント４
に対して垂直方向に下降させ、半導体レーザを発光さ
せ、ピーク出力の位置に置いて、光導波路型QPM-SHGデ
バイス２へ荷重を加えながら紫外線を３０秒程度照射
し、固定した（図５Ｄ）。ガラスビーズ１１を１層で配
列させるために光導波路型QPM-SHGデバイス２へ荷重を
加える必要があるが、荷重を５００ｇ以上にして実装を
行うと、光導波路型QPM-SHGデバイス２が破損する場合
があるため光導波路型QPM-SHGデバイス２への荷重は５
００ｇ以下であることが望ましい。
【００６１】また、光導波路型QPM-SHGデバイス２とSi
サブマウント４とのギャップを高精度に制御するために
は荷重を加える位置についても注意が必要である。光導
波路型QPM-SHGデバイス２とSiサブマウント４とのギャ
ップを高精度に制御するためには図６Ａの様に光導波路
型QPM-SHGデバイス２の面内かつガラスビーズ１１の配
置位置の中心付近へ荷重を加える必要がある。図６Ａの
様にガラスビーズ１１が１箇所に固まって配置されてい
る場合は、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面内かつガ
ラスビーズ配置領域内である図中Ｘ点付近へ荷重を加え
ると良い。Ｙ点やＺ点に荷重中心があると光導波路型QP
M-SHGデバイス２がSiサブマウント４に対して水平に実
装されず、光導波路型QPM-SHGデバイス２とSiサブマウ
ント４とのギャップは高精度に制御されなくなる。ま
た、図６Ｂの様にガラスビーズ１１が数カ所に（図６Ｂ
中では４点）分けて配置されている場合は、ガラスビー
ズ配置領域を図中の破線のように定める。この場合も光
導波路型QPM-SHGデバイス２の面内かつガラスビーズ１
１の配置領域内の中心付近であるＸ'点付近へ荷重を加
える必要がある。
サブマウント４とのギャップを高精度に制御するために
は荷重を加える位置についても注意が必要である。光導
波路型QPM-SHGデバイス２とSiサブマウント４とのギャ
ップを高精度に制御するためには図６Ａの様に光導波路
型QPM-SHGデバイス２の面内かつガラスビーズ１１の配
置位置の中心付近へ荷重を加える必要がある。図６Ａの
様にガラスビーズ１１が１箇所に固まって配置されてい
る場合は、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面内かつガ
ラスビーズ配置領域内である図中Ｘ点付近へ荷重を加え
ると良い。Ｙ点やＺ点に荷重中心があると光導波路型QP
M-SHGデバイス２がSiサブマウント４に対して水平に実
装されず、光導波路型QPM-SHGデバイス２とSiサブマウ
ント４とのギャップは高精度に制御されなくなる。ま
た、図６Ｂの様にガラスビーズ１１が数カ所に（図６Ｂ
中では４点）分けて配置されている場合は、ガラスビー
ズ配置領域を図中の破線のように定める。この場合も光
導波路型QPM-SHGデバイス２の面内かつガラスビーズ１
１の配置領域内の中心付近であるＸ'点付近へ荷重を加
える必要がある。
【００６２】さらに、光導波路型QPM-SHGデバイス２へ
荷重を加える治具の大きさにも注意が必要である。本実
施の形態においては真空ピンセットを用いて光導波路型
QPM-SHGデバイス２へ荷重を加えた。図６Ｃのように荷
重を加える治具３８の光導波路型QPM-SHGデバイス２と
の接触部面積が、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面積
よりも小さい場合には、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の面内かつガラスビーズ配置領域内である図６Ａ中のＸ
点や図６ＢのＸ'点へ荷重を加えるのが容易となる。荷
重を加える治具３８の光導波路型QPM-SHGデバイス２と
の接触部面積が、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面積
よりも大きい場合には、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の面内かつガラスビーズ配置領域内である図６Ａ中のＸ
点や図６ＢのＸ'点へ荷重を加えるのが困難となる場合
があるだけでなく、紫外線硬化剤１２へ照射される紫外
光を遮ってしまうことになるため、Siサブマウント４へ
の光導波路型QPM-SHGデバイス２の固定が不完全なもの
となる。上記の理由から光導波路型QPM-SHGデバイス２
へ荷重を加える治具の光導波路型QPM-SHGデバイス２と
の接触部面積は、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面積
よりも小さい方が良い。
荷重を加える治具の大きさにも注意が必要である。本実
施の形態においては真空ピンセットを用いて光導波路型
QPM-SHGデバイス２へ荷重を加えた。図６Ｃのように荷
重を加える治具３８の光導波路型QPM-SHGデバイス２と
の接触部面積が、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面積
よりも小さい場合には、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の面内かつガラスビーズ配置領域内である図６Ａ中のＸ
点や図６ＢのＸ'点へ荷重を加えるのが容易となる。荷
重を加える治具３８の光導波路型QPM-SHGデバイス２と
の接触部面積が、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面積
よりも大きい場合には、光導波路型QPM-SHGデバイス２
の面内かつガラスビーズ配置領域内である図６Ａ中のＸ
点や図６ＢのＸ'点へ荷重を加えるのが困難となる場合
があるだけでなく、紫外線硬化剤１２へ照射される紫外
光を遮ってしまうことになるため、Siサブマウント４へ
の光導波路型QPM-SHGデバイス２の固定が不完全なもの
となる。上記の理由から光導波路型QPM-SHGデバイス２
へ荷重を加える治具の光導波路型QPM-SHGデバイス２と
の接触部面積は、光導波路型QPM-SHGデバイス２の面積
よりも小さい方が良い。
【００６３】半導体レーザ出力50mWに対して、25mWのレ
ーザ光を光導波路に結合することができ、波長可変DBR
半導体レーザ３の波長を光導波路型QPM-SHGデバイスの
位相整合波長に一致させることにより、波長410nmで3mW
青色光が得られた。
ーザ光を光導波路に結合することができ、波長可変DBR
半導体レーザ３の波長を光導波路型QPM-SHGデバイスの
位相整合波長に一致させることにより、波長410nmで3mW
青色光が得られた。
【００６４】一般に、接着剤は硬化収縮するため、光結
合調整後硬化すると、光結合効率が調整時と固定後では
異なってしまう。本実施の形態では、光導波路型QPM-SH
GデバイスとSiサブマウントの間にガラスビーズが存在
するため、硬化収縮しても高さ方向の位置ズレは生じな
い。そのため、本実施の形態の構成は実用的効果が大き
い。
合調整後硬化すると、光結合効率が調整時と固定後では
異なってしまう。本実施の形態では、光導波路型QPM-SH
GデバイスとSiサブマウントの間にガラスビーズが存在
するため、硬化収縮しても高さ方向の位置ズレは生じな
い。そのため、本実施の形態の構成は実用的効果が大き
い。
【００６５】紫外線硬化剤は、紫外線を照射することで
硬化することができるため、光結合調整を行った後、紫
外線を照射し短時間で素子を固定することができ、安定
な固定が実現される。熱硬化性の接着剤などでは、加熱
時に光結合調整などがずれてしまう。そのため、本実施
の形態のような半導体レーザを発光させながら光結合調
整を行う方法（以下、「アクティブアライメント実装」
と記す。）においては、紫外線硬化剤は好ましい接着剤
である。また、MgをドープしたLiNbO3基板のように青色
光発生を目的とした波長変換デバイス用基板は、300nm
程度の波長領域まで透明であるため、紫外線硬化剤はよ
り好ましい接着剤である。
硬化することができるため、光結合調整を行った後、紫
外線を照射し短時間で素子を固定することができ、安定
な固定が実現される。熱硬化性の接着剤などでは、加熱
時に光結合調整などがずれてしまう。そのため、本実施
の形態のような半導体レーザを発光させながら光結合調
整を行う方法（以下、「アクティブアライメント実装」
と記す。）においては、紫外線硬化剤は好ましい接着剤
である。また、MgをドープしたLiNbO3基板のように青色
光発生を目的とした波長変換デバイス用基板は、300nm
程度の波長領域まで透明であるため、紫外線硬化剤はよ
り好ましい接着剤である。
【００６６】本実施の形態では球形のガラスビーズが用
いられたが、ファイバ状（円筒状）の物体を用いても同
様の効果が得られ、より高精度に径を調整できるため好
ましい。ここで、円筒形物体の長さが１００μｍ以上の
ものを用いると円筒形物体が長すぎるため、図７Ａのよ
うに円筒形物体３４同士が重なりやすくなり、１層で配
置することが困難となる。また、円筒形物体の長さが１
０μｍ以下になると図７Ｂのように円筒形物体が立って
しまいSiサブマウント４と光導波路型QPM-SHGデバイス
２とのギャップ精度が悪化してしまう。上記の理由か
ら、円筒形物体長さは１０μm以上１００μm以下である
ことが望ましい。
いられたが、ファイバ状（円筒状）の物体を用いても同
様の効果が得られ、より高精度に径を調整できるため好
ましい。ここで、円筒形物体の長さが１００μｍ以上の
ものを用いると円筒形物体が長すぎるため、図７Ａのよ
うに円筒形物体３４同士が重なりやすくなり、１層で配
置することが困難となる。また、円筒形物体の長さが１
０μｍ以下になると図７Ｂのように円筒形物体が立って
しまいSiサブマウント４と光導波路型QPM-SHGデバイス
２とのギャップ精度が悪化してしまう。上記の理由か
ら、円筒形物体長さは１０μm以上１００μm以下である
ことが望ましい。
【００６７】本実施の形態では、高さ調整のためガラス
ビーズが用いられた。ガラスは熱伝導性が悪い。光導波
路型QPM-SHGデバイスでは、周期的な分極反転により位
相整合を満足しているため素子の温度均一性は重要であ
る。半導体レーザでの発熱がSiサブマウントを伝達し、
光導波路型QPM-SHGデバイスの温度不均一性をもたら
す。本実施の形態のように熱伝導性の低いガラスビーズ
を介することで、光導波路型QPM-SHGデバイスの温度均
一性を保持できるため、高効率波長変換を実現できその
効果は大きい。
ビーズが用いられた。ガラスは熱伝導性が悪い。光導波
路型QPM-SHGデバイスでは、周期的な分極反転により位
相整合を満足しているため素子の温度均一性は重要であ
る。半導体レーザでの発熱がSiサブマウントを伝達し、
光導波路型QPM-SHGデバイスの温度不均一性をもたら
す。本実施の形態のように熱伝導性の低いガラスビーズ
を介することで、光導波路型QPM-SHGデバイスの温度均
一性を保持できるため、高効率波長変換を実現できその
効果は大きい。
【００６８】本実施の形態では、プレーナ型光導波路デ
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。また、球形または円筒形の物
体により光導波路型QPM-SHGデバイスとSiサブマウント
が接していないため、半導体レーザの発熱の影響が極端
に小さく、光導波路型QPM-SHGデバイスでは素子の温度
均一性が保持され、その実用的効果は大きい。
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。また、球形または円筒形の物
体により光導波路型QPM-SHGデバイスとSiサブマウント
が接していないため、半導体レーザの発熱の影響が極端
に小さく、光導波路型QPM-SHGデバイスでは素子の温度
均一性が保持され、その実用的効果は大きい。
【００６９】（実施の形態２）本実施の形態では、プレ
ーナ型光導波路デバイスを球形または円筒形の物体を混
入した接着剤を用いてサブマウントに固定し、プレーナ
型光導波路デバイス上の光導波路の高さを高精度に制御
し、高効率光結合を実現する。本実施の形態において
も、プレーナ型光導波路デバイスとしてMgドープLiNbO3
基板上に作製した光導波路型擬似位相整合方式第２高調
波発生(QPM-SHG)デバイスを、半導体レーザとして波長
可変機能を有する波長可変DBR半導体レーザを用いた、S
HG青色光源について説明する。
ーナ型光導波路デバイスを球形または円筒形の物体を混
入した接着剤を用いてサブマウントに固定し、プレーナ
型光導波路デバイス上の光導波路の高さを高精度に制御
し、高効率光結合を実現する。本実施の形態において
も、プレーナ型光導波路デバイスとしてMgドープLiNbO3
基板上に作製した光導波路型擬似位相整合方式第２高調
波発生(QPM-SHG)デバイスを、半導体レーザとして波長
可変機能を有する波長可変DBR半導体レーザを用いた、S
HG青色光源について説明する。
【００７０】実施の形態１に説明したように、半導体レ
ーザの発光中心高さはSiサブマウントから５μｍであ
る。また、光導波路型QPM-SHGデバイスの基本波の導波
モードは厚み方向に対して、半値全幅で３μｍであり、
基板表面から横モードの強度ピークまでの距離は２μm
であった。高効率に光結合するためには、光導波路型QP
M-SHGデバイスの高さを調整する必要がある。実施の形
態１と同様に、光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モ
ードと半導体レーザの発光モードとの光結合効率が最大
となるように、球形のガラスビーズ１１の大きさを選択
した。
ーザの発光中心高さはSiサブマウントから５μｍであ
る。また、光導波路型QPM-SHGデバイスの基本波の導波
モードは厚み方向に対して、半値全幅で３μｍであり、
基板表面から横モードの強度ピークまでの距離は２μm
であった。高効率に光結合するためには、光導波路型QP
M-SHGデバイスの高さを調整する必要がある。実施の形
態１と同様に、光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モ
ードと半導体レーザの発光モードとの光結合効率が最大
となるように、球形のガラスビーズ１１の大きさを選択
した。
【００７１】図８Ａ〜図８Ｄを用いて、実装方法につい
て説明する。
て説明する。
【００７２】実施の形態１では、ガラスビーズをアセト
ンに混入し、よく攪拌させ、微量を光導波路型QPM-SHG
デバイスの光導波路形成面に塗布することで、光導波路
形成面に散乱したガラスビーズの層を形成した。その
後、紫外線硬化剤をSiサブマウントに塗布し、光導波路
型QPM-SHGデバイスの高さを調整し、Siサブマウント上
に固定した。本実施の形態では、さらに簡便に実装する
方法として、紫外線硬化剤１３中に平均粒子直径（φ）
２．７μｍのガラスビーズ１４を複数個混入した接着剤
を用いて、光導波路型QPM-SHGデバイス１６の高さを調
整し、Siサブマウント１５上に固定した。
ンに混入し、よく攪拌させ、微量を光導波路型QPM-SHG
デバイスの光導波路形成面に塗布することで、光導波路
形成面に散乱したガラスビーズの層を形成した。その
後、紫外線硬化剤をSiサブマウントに塗布し、光導波路
型QPM-SHGデバイスの高さを調整し、Siサブマウント上
に固定した。本実施の形態では、さらに簡便に実装する
方法として、紫外線硬化剤１３中に平均粒子直径（φ）
２．７μｍのガラスビーズ１４を複数個混入した接着剤
を用いて、光導波路型QPM-SHGデバイス１６の高さを調
整し、Siサブマウント１５上に固定した。
【００７３】本実施の形態では紫外線硬化剤として、エ
ポキシ系のカチオン重合するものを用いた。微量のガラ
スビーズ１４を混入し、よく攪拌した。波長可変DBR半
導体レーザ１７が実装されたSiサブマウント１５上にガ
ラスビーズ１４が混入された紫外線硬化剤１３を塗布し
た。本実施の形態では紫外線硬化剤１３中に１０体積％
程度ガラスビーズ１４を混入して用いた。紫外線硬化剤
１３中のガラスビーズ１４の割合を大きくしすぎるとガ
ラスビーズ１４を均一に攪拌することが困難となり、ガ
ラスビーズ１４同士が固まった状態でサブマウント１５
上へ塗布され、ガラスビーズ１４を１層で配置すること
が困難となる場合があるため、紫外線硬化剤１３中のガ
ラスビーズ１４の割合は体積比で３０％以下が望まし
い。
ポキシ系のカチオン重合するものを用いた。微量のガラ
スビーズ１４を混入し、よく攪拌した。波長可変DBR半
導体レーザ１７が実装されたSiサブマウント１５上にガ
ラスビーズ１４が混入された紫外線硬化剤１３を塗布し
た。本実施の形態では紫外線硬化剤１３中に１０体積％
程度ガラスビーズ１４を混入して用いた。紫外線硬化剤
１３中のガラスビーズ１４の割合を大きくしすぎるとガ
ラスビーズ１４を均一に攪拌することが困難となり、ガ
ラスビーズ１４同士が固まった状態でサブマウント１５
上へ塗布され、ガラスビーズ１４を１層で配置すること
が困難となる場合があるため、紫外線硬化剤１３中のガ
ラスビーズ１４の割合は体積比で３０％以下が望まし
い。
【００７４】実施の形態１では、半導体レーザを発光さ
せながら光結合効率が最大になるように光導波路型QPM-
SHGデバイス１６の位置調整を行った。本実施の形態で
は、Siサブマウント１５および光導波路型QPM-SHGデバ
イス上１６に形成されたマーカーＭ１、Ｍ２を用いて、
画像処理により位置調整を行い、パッシブアライメント
実装を行った。波長可変DBR半導体レーザ１７上にもマ
ーカーＭ３が形成されており、高精度にSiサブマウント
１５上に固定された。画像処理による位置精度は、±
０．２μｍ以下であった。
せながら光結合効率が最大になるように光導波路型QPM-
SHGデバイス１６の位置調整を行った。本実施の形態で
は、Siサブマウント１５および光導波路型QPM-SHGデバ
イス上１６に形成されたマーカーＭ１、Ｍ２を用いて、
画像処理により位置調整を行い、パッシブアライメント
実装を行った。波長可変DBR半導体レーザ１７上にもマ
ーカーＭ３が形成されており、高精度にSiサブマウント
１５上に固定された。画像処理による位置精度は、±
０．２μｍ以下であった。
【００７５】図８Ａは、波長可変DBR半導体レーザ１７
の調整および実装方法について説明している。波長可変
DBR半導体レーザ１７上の２つのマーカーＭ３を検出
し、中線を求めた。次に、Siサブマウント１５上の２つ
のマーカーＭ１を検出し、中線を求めた。それぞれの中
線が一致するように、位置調整を行い、Siサブマウント
１５上の半田１８を溶融し、固定した。
の調整および実装方法について説明している。波長可変
DBR半導体レーザ１７上の２つのマーカーＭ３を検出
し、中線を求めた。次に、Siサブマウント１５上の２つ
のマーカーＭ１を検出し、中線を求めた。それぞれの中
線が一致するように、位置調整を行い、Siサブマウント
１５上の半田１８を溶融し、固定した。
【００７６】図８Ｂに示すように、波長可変DBR半導体
レーザ１７が実装されたSiサブマウント１５上にガラス
ビーズ１４が混入された紫外線硬化剤１３を塗布した。
レーザ１７が実装されたSiサブマウント１５上にガラス
ビーズ１４が混入された紫外線硬化剤１３を塗布した。
【００７７】図８Ｃは、光導波路型QPM-SHGデバイス１
６の調整および実装方法について説明している。SHG素
子は、真空ピンセットにより固定され、調整のための移
動が行われる。波長可変DBR半導体レーザ１７と光導波
路型QPM-SHGデバイス１６の端面を検出し、その距離を
３μｍに調整する。次に、光導波路型QPM-SHGデバイス
１６上の２つのストライプマーカーＭ２を検出し、中線
を求めた。同時に、Siサブマウント１５上の２つのマー
カーＭ１を検出し、中線を求めた。それぞれの中線が一
致するように、横方向の位置調整を行い、光導波路型QP
M-SHGデバイス１６へ荷重を加えながら紫外線を３０秒
照射し、固定した（図８Ｄ）。ガラスビーズ１４を１層
で配列させるために光導波路型QPM-SHGデバイス１６へ
荷重を加える必要があるが、荷重を５００ｇ以上にして
実装を行うと、光導波路型QPM-SHGデバイス１６が破損
する場合があるため光導波路型QPM-SHGデバイス１６へ
の荷重は５００ｇ以下であることが望ましい。
６の調整および実装方法について説明している。SHG素
子は、真空ピンセットにより固定され、調整のための移
動が行われる。波長可変DBR半導体レーザ１７と光導波
路型QPM-SHGデバイス１６の端面を検出し、その距離を
３μｍに調整する。次に、光導波路型QPM-SHGデバイス
１６上の２つのストライプマーカーＭ２を検出し、中線
を求めた。同時に、Siサブマウント１５上の２つのマー
カーＭ１を検出し、中線を求めた。それぞれの中線が一
致するように、横方向の位置調整を行い、光導波路型QP
M-SHGデバイス１６へ荷重を加えながら紫外線を３０秒
照射し、固定した（図８Ｄ）。ガラスビーズ１４を１層
で配列させるために光導波路型QPM-SHGデバイス１６へ
荷重を加える必要があるが、荷重を５００ｇ以上にして
実装を行うと、光導波路型QPM-SHGデバイス１６が破損
する場合があるため光導波路型QPM-SHGデバイス１６へ
の荷重は５００ｇ以下であることが望ましい。
【００７８】また、光導波路型QPM-SHGデバイス１６とS
iサブマウント１５とのギャップを高精度に制御するた
めには荷重を加える位置についても注意が必要である。
光導波路型QPM-SHGデバイス１６とSiサブマウント１５
とのギャップを高精度に制御するためには実施の形態１
で述べた理由から光導波路型QPM-SHGデバイス１６の面
内かつガラスビーズ１４の配置位置の中心付近へ荷重を
加える必要がある。
iサブマウント１５とのギャップを高精度に制御するた
めには荷重を加える位置についても注意が必要である。
光導波路型QPM-SHGデバイス１６とSiサブマウント１５
とのギャップを高精度に制御するためには実施の形態１
で述べた理由から光導波路型QPM-SHGデバイス１６の面
内かつガラスビーズ１４の配置位置の中心付近へ荷重を
加える必要がある。
【００７９】さらに、実施の形態１で述べた理由から、
光導波路型QPM-SHGデバイス１６へ荷重を加える治具の
光導波路型QPM-SHGデバイス１６との接触部面積は、光
導波路型QPM-SHGデバイス１６の面積よりも小さい方が
良い。
光導波路型QPM-SHGデバイス１６へ荷重を加える治具の
光導波路型QPM-SHGデバイス１６との接触部面積は、光
導波路型QPM-SHGデバイス１６の面積よりも小さい方が
良い。
【００８０】本実施の形態では、ガラスビーズにより高
さ方向は自動的に一致している。また光軸方向は端面間
距離、横方向のマーカー検出を行い画像処理により位置
調整を行った。半導体レーザ出力５０mWに対して、２５
mWのレーザ光を光導波路に結合することができ、波長可
変DBR半導体レーザの波長を光導波路型QPM-SHGデバイス
の位相整合波長に一致させることにより、波長４１０nm
で３mWの青色光が得られた。アクティブアライメント実
装と同じ精度で実装することができた。本実施の形態の
構成は、パッシブアライメント実装においても、その実
用的効果が大きい。
さ方向は自動的に一致している。また光軸方向は端面間
距離、横方向のマーカー検出を行い画像処理により位置
調整を行った。半導体レーザ出力５０mWに対して、２５
mWのレーザ光を光導波路に結合することができ、波長可
変DBR半導体レーザの波長を光導波路型QPM-SHGデバイス
の位相整合波長に一致させることにより、波長４１０nm
で３mWの青色光が得られた。アクティブアライメント実
装と同じ精度で実装することができた。本実施の形態の
構成は、パッシブアライメント実装においても、その実
用的効果が大きい。
【００８１】一般に、接着剤は硬化収縮するため、光結
合調整後硬化すると、光結合効率が調整時と固定後では
異なってしまう。本実施の形態では、光導波路型QPM-SH
GデバイスとSiサブマウントの間にガラスビーズが存在
するため、硬化収縮しても高さ方向の位置ズレは生じな
い。そのため、本実施の形態の構成は実用的効果が大き
い。
合調整後硬化すると、光結合効率が調整時と固定後では
異なってしまう。本実施の形態では、光導波路型QPM-SH
GデバイスとSiサブマウントの間にガラスビーズが存在
するため、硬化収縮しても高さ方向の位置ズレは生じな
い。そのため、本実施の形態の構成は実用的効果が大き
い。
【００８２】紫外線硬化剤は、紫外線を照射することで
硬化することができるため、光結合調整を行った後、紫
外線を照射し短時間で素子を固定することができ、安定
な固定が実現される。熱硬化性の接着剤などでは、加熱
時に光結合調整などがずれてしまう。また、MgドープLi
NbO3基板のように青色光発生を目的とした波長変換デバ
イス用基板は、300nm程度の波長領域まで透明であるた
め、紫外線硬化剤はより好ましい接着剤である。
硬化することができるため、光結合調整を行った後、紫
外線を照射し短時間で素子を固定することができ、安定
な固定が実現される。熱硬化性の接着剤などでは、加熱
時に光結合調整などがずれてしまう。また、MgドープLi
NbO3基板のように青色光発生を目的とした波長変換デバ
イス用基板は、300nm程度の波長領域まで透明であるた
め、紫外線硬化剤はより好ましい接着剤である。
【００８３】本実施の形態では球形のガラスビーズが用
いられたが、ファイバ状（円筒状）の物体でも同様の効
果が得られ、より高精度に径を調整できるため好まし
い。実施の形態１で述べた理由から円筒形物体長さは１
０μm以上１００μm以下であることが望ましい。
いられたが、ファイバ状（円筒状）の物体でも同様の効
果が得られ、より高精度に径を調整できるため好まし
い。実施の形態１で述べた理由から円筒形物体長さは１
０μm以上１００μm以下であることが望ましい。
【００８４】本実施の形態では、高さ調整のためガラス
ビーズが用いられた。ガラスは熱伝導性が悪い。光導波
路型QPM-SHGデバイスでは、周期的な分極反転により位
相整合を満足しているため素子の温度均一性は重要であ
る。半導体レーザでの発熱がSiサブマウントを伝達し、
光導波路型QPM-SHGデバイスの温度不均一性をもたら
す。本実施の形態のように熱伝導性の悪いガラスビーズ
を介することで、光導波路型QPM-SHGデバイスの温度均
一性を保持できるため、高効率波長変換を実現できその
効果は大きい。
ビーズが用いられた。ガラスは熱伝導性が悪い。光導波
路型QPM-SHGデバイスでは、周期的な分極反転により位
相整合を満足しているため素子の温度均一性は重要であ
る。半導体レーザでの発熱がSiサブマウントを伝達し、
光導波路型QPM-SHGデバイスの温度不均一性をもたら
す。本実施の形態のように熱伝導性の悪いガラスビーズ
を介することで、光導波路型QPM-SHGデバイスの温度均
一性を保持できるため、高効率波長変換を実現できその
効果は大きい。
【００８５】本実施の形態では、プレーナ型光導波路デ
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。また、球形または円筒形の物
体により光導波路型QPM-SHGデバイスとSiサブマウント
が接していないため、半導体レーザの発熱の影響が極端
に小さく、光導波路型QPM-SHGデバイスでは素子の温度
均一性が保持され、その実用的効果は大きい。
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。また、球形または円筒形の物
体により光導波路型QPM-SHGデバイスとSiサブマウント
が接していないため、半導体レーザの発熱の影響が極端
に小さく、光導波路型QPM-SHGデバイスでは素子の温度
均一性が保持され、その実用的効果は大きい。
【００８６】（実施の形態３）本実施の形態では、半導
体レーザと、基板表面に光導波路が形成された光導波路
デバイスをサブマウント上に含み、前記半導体レーザと
前記光導波路デバイスは、活性層と前記光導波路の形成
面がともに前記サブマウントに対向するように実装さ
れ、前記半導体レーザを前記サブマウント上に固定した
後、前記サブマウントに接着部材を塗布し、前記光導波
路と前記サブマウントの間に前記接着部材が存在した状
態で、前記半導体レーザと前記光導波路デバイスとの光
結合調整を行い、その後、前記光導波路デバイスを固定
する光導波路デバイス集積モジュールの実装方法につい
て説明する。すなわち、あらかじめSiサブマウント上に
接着剤を塗布した状態で、光結合調整を行う方法につい
て説明する。実施の形態１では、まず光結合調整を行
い、一度SHGデバイスを垂直方向に上昇させた後、接着
剤を塗布し、再びSHGデバイスを垂直方向に降下して、
実装を行った。この工程では、２度SHGデバイスをSiサ
ブマウント上に降下する必要があるため、実装時間が長
くなってしまう。図９Ａ〜Ｃを用いて、本発明の実装方
法について説明する。
体レーザと、基板表面に光導波路が形成された光導波路
デバイスをサブマウント上に含み、前記半導体レーザと
前記光導波路デバイスは、活性層と前記光導波路の形成
面がともに前記サブマウントに対向するように実装さ
れ、前記半導体レーザを前記サブマウント上に固定した
後、前記サブマウントに接着部材を塗布し、前記光導波
路と前記サブマウントの間に前記接着部材が存在した状
態で、前記半導体レーザと前記光導波路デバイスとの光
結合調整を行い、その後、前記光導波路デバイスを固定
する光導波路デバイス集積モジュールの実装方法につい
て説明する。すなわち、あらかじめSiサブマウント上に
接着剤を塗布した状態で、光結合調整を行う方法につい
て説明する。実施の形態１では、まず光結合調整を行
い、一度SHGデバイスを垂直方向に上昇させた後、接着
剤を塗布し、再びSHGデバイスを垂直方向に降下して、
実装を行った。この工程では、２度SHGデバイスをSiサ
ブマウント上に降下する必要があるため、実装時間が長
くなってしまう。図９Ａ〜Ｃを用いて、本発明の実装方
法について説明する。
【００８７】実施の形態１に説明したように、半導体レ
ーザの発光中心高さはSiサブマウントから５μｍであ
る。また、光導波路型QPM-SHGデバイスの基本波の導波
モードは厚み方向に対して、半値全幅で３μｍであり、
基板表面から横モードの強度ピークまでの距離は２μm
であった。高効率に光結合するためには、光導波路型QP
M-SHGデバイスの高さを調整する必要がある。実施の形
態１と同様に、光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モ
ードと半導体レーザの発光モードとの光結合効率が最大
となるように、球形のガラスビーズ２２の大きさを選択
した。
ーザの発光中心高さはSiサブマウントから５μｍであ
る。また、光導波路型QPM-SHGデバイスの基本波の導波
モードは厚み方向に対して、半値全幅で３μｍであり、
基板表面から横モードの強度ピークまでの距離は２μm
であった。高効率に光結合するためには、光導波路型QP
M-SHGデバイスの高さを調整する必要がある。実施の形
態１と同様に、光導波路型QPM-SHGデバイス２の導波モ
ードと半導体レーザの発光モードとの光結合効率が最大
となるように、球形のガラスビーズ２２の大きさを選択
した。
【００８８】実施の形態２と同様、紫外線硬化剤中にあ
らかじめ２．７μｍの球形ガラスビーズを混入した物を
用いた。本実施の形態では紫外線硬化剤２１中に１０体
積％程度ガラスビーズ２２を混入して用いた。紫外線硬
化剤２１中のガラスビーズ２２の割合を大きくしすぎる
とガラスビーズ２２を均一に攪拌することが困難とな
り、ガラスビーズ２２同士が固まった状態でサブマウン
ト２３上へ塗布され、ガラスビーズ２２を１層で配置す
ることが困難となる場合があるため、紫外線硬化剤２１
中のガラスビーズ２２の割合は体積比で３０％以下が望
ましい。
らかじめ２．７μｍの球形ガラスビーズを混入した物を
用いた。本実施の形態では紫外線硬化剤２１中に１０体
積％程度ガラスビーズ２２を混入して用いた。紫外線硬
化剤２１中のガラスビーズ２２の割合を大きくしすぎる
とガラスビーズ２２を均一に攪拌することが困難とな
り、ガラスビーズ２２同士が固まった状態でサブマウン
ト２３上へ塗布され、ガラスビーズ２２を１層で配置す
ることが困難となる場合があるため、紫外線硬化剤２１
中のガラスビーズ２２の割合は体積比で３０％以下が望
ましい。
【００８９】図９Ａに示すように、波長可変DBR半導体
レーザ２０が実装されたSiサブマウント２３上に２．７
μｍの球形ガラスビーズ２２を混入した紫外線硬化剤２
１を塗布した。次に、半導体レーザを発光させながら光
結合調整を行う。図９Ｂのように、波長可変DBR半導体
レーザ２０が実装されたSiサブマウント２３上に光導波
路型QPM-SHGデバイス１９をのせる。SHG素子は、真空ピ
ンセットにより固定され、調整のための移動が行われ
る。本実施の形態では、ガラスビーズ２２により高さ方
向は自動的に一致しているため、光軸方向と横方向の調
整を行う。半導体レーザとSHGデバイスの端面間距離を3
μｍに設定し、横方向移動させながら、光導波路の出射
端面から得られるレーザ光の出力がピークになるように
調整し、光導波路型QPM-SHGデバイス１９に荷重を加え
ながら紫外線を３０秒程度照射し、固定した（図９
Ｃ）。ガラスビーズ２２を１層で配列させるために光導
波路型QPM-SHGデバイス１９へ荷重を加える必要がある
が、荷重を５００ｇ以上にして実装を行うと、光導波路
型QPM-SHGデバイス１９が破損する場合があるため光導
波路型QPM-SHGデバイス１９への荷重は５００ｇ以下で
あることが望ましい。
レーザ２０が実装されたSiサブマウント２３上に２．７
μｍの球形ガラスビーズ２２を混入した紫外線硬化剤２
１を塗布した。次に、半導体レーザを発光させながら光
結合調整を行う。図９Ｂのように、波長可変DBR半導体
レーザ２０が実装されたSiサブマウント２３上に光導波
路型QPM-SHGデバイス１９をのせる。SHG素子は、真空ピ
ンセットにより固定され、調整のための移動が行われ
る。本実施の形態では、ガラスビーズ２２により高さ方
向は自動的に一致しているため、光軸方向と横方向の調
整を行う。半導体レーザとSHGデバイスの端面間距離を3
μｍに設定し、横方向移動させながら、光導波路の出射
端面から得られるレーザ光の出力がピークになるように
調整し、光導波路型QPM-SHGデバイス１９に荷重を加え
ながら紫外線を３０秒程度照射し、固定した（図９
Ｃ）。ガラスビーズ２２を１層で配列させるために光導
波路型QPM-SHGデバイス１９へ荷重を加える必要がある
が、荷重を５００ｇ以上にして実装を行うと、光導波路
型QPM-SHGデバイス１９が破損する場合があるため光導
波路型QPM-SHGデバイス１９への荷重は５００ｇ以下で
あることが望ましい。
【００９０】また、光導波路型QPM-SHGデバイス１９とS
iサブマウント２３とのギャップを高精度に制御するた
めには荷重を加える位置についても注意が必要である。
光導波路型QPM-SHGデバイス１９とSiサブマウント２３
とのギャップを高精度に制御するためには実施の形態１
で述べた理由から光導波路型QPM-SHGデバイス１９の面
内かつガラスビーズ２２の配置位置の中心付近へ荷重を
加える必要がある。
iサブマウント２３とのギャップを高精度に制御するた
めには荷重を加える位置についても注意が必要である。
光導波路型QPM-SHGデバイス１９とSiサブマウント２３
とのギャップを高精度に制御するためには実施の形態１
で述べた理由から光導波路型QPM-SHGデバイス１９の面
内かつガラスビーズ２２の配置位置の中心付近へ荷重を
加える必要がある。
【００９１】さらに、実施の形態１で述べた理由から、
光導波路型QPM-SHGデバイス１９へ荷重を加える治具の
光導波路型QPM-SHGデバイス１９との接触部面積は、光
導波路型QPM-SHGデバイス１９の面積よりも小さい方が
良い。
光導波路型QPM-SHGデバイス１９へ荷重を加える治具の
光導波路型QPM-SHGデバイス１９との接触部面積は、光
導波路型QPM-SHGデバイス１９の面積よりも小さい方が
良い。
【００９２】半導体レーザ出力５０mWに対して、２５mW
のレーザ光を光導波路に結合することができ、波長可変
DBR半導体レーザの波長を光導波路型QPM-SHGデバイスの
位相整合波長に一致させることにより、波長４１０nmで
３mW青色光が得られた。
のレーザ光を光導波路に結合することができ、波長可変
DBR半導体レーザの波長を光導波路型QPM-SHGデバイスの
位相整合波長に一致させることにより、波長４１０nmで
３mW青色光が得られた。
【００９３】以上のように、本発明の光導波路デバイス
集積モジュールの実装方法では、光結合調整が簡素化さ
れるため、実装時間が大幅に短縮され、その実用的効果
は大きい。
集積モジュールの実装方法では、光結合調整が簡素化さ
れるため、実装時間が大幅に短縮され、その実用的効果
は大きい。
【００９４】本実施の形態では、２０cpsの粘度の紫外
線硬化剤を用いた。SHG素子は、真空ピンセットに固定
し、調整のための移動を行った。真空ピンセットの吸着
力が、接着剤の粘性による引っ張り力よりも小さいと、
素子を移動することは不可能である。図１０は、素子と
サブマウントの間に接着剤を塗布し、素子を真空ピンセ
ットで吸着して、素子を移動させたときの結果である。
横軸は接着剤の粘度、縦軸は素子を１mm移動させたとき
の移動誤差量を示す。粘度が１００cps以下では、移動
誤差量は１μｍ以下であった。１０００cps程度になる
と、数１００μｍ程度の移動誤差量が発生した。以上の
結果、本実施の形態のように接着剤を塗布した後、素子
の調整を行うためには、１００cps以下の粘度が実用上
好ましい。しかしながら、接着剤の粘度は素子と固定治
具（本実施の形態では真空ピンセット）の吸着力に依存
するため、吸着面積を大きくしたり、吸着力を大きくし
たり、真空ピンセットを使用せず、真空チャックなどに
より素子を強固に固定することで、使用可能な接着剤の
粘度は大きくすることができる。
線硬化剤を用いた。SHG素子は、真空ピンセットに固定
し、調整のための移動を行った。真空ピンセットの吸着
力が、接着剤の粘性による引っ張り力よりも小さいと、
素子を移動することは不可能である。図１０は、素子と
サブマウントの間に接着剤を塗布し、素子を真空ピンセ
ットで吸着して、素子を移動させたときの結果である。
横軸は接着剤の粘度、縦軸は素子を１mm移動させたとき
の移動誤差量を示す。粘度が１００cps以下では、移動
誤差量は１μｍ以下であった。１０００cps程度になる
と、数１００μｍ程度の移動誤差量が発生した。以上の
結果、本実施の形態のように接着剤を塗布した後、素子
の調整を行うためには、１００cps以下の粘度が実用上
好ましい。しかしながら、接着剤の粘度は素子と固定治
具（本実施の形態では真空ピンセット）の吸着力に依存
するため、吸着面積を大きくしたり、吸着力を大きくし
たり、真空ピンセットを使用せず、真空チャックなどに
より素子を強固に固定することで、使用可能な接着剤の
粘度は大きくすることができる。
【００９５】一般に、接着剤は硬化収縮するため、光結
合調整後硬化すると、光結合効率が調整時と固定後では
異なってしまう。本実施の形態では、光導波路型QPM-SH
GデバイスとSiサブマウントの間にガラスビーズが存在
するため、硬化収縮しても高さ方向の位置ズレは生じな
い。そのため、本実施の形態の構成は実用的効果が大き
い。
合調整後硬化すると、光結合効率が調整時と固定後では
異なってしまう。本実施の形態では、光導波路型QPM-SH
GデバイスとSiサブマウントの間にガラスビーズが存在
するため、硬化収縮しても高さ方向の位置ズレは生じな
い。そのため、本実施の形態の構成は実用的効果が大き
い。
【００９６】紫外線硬化剤は、紫外線を照射することで
硬化することができるため、光結合調整を行った後、紫
外線を照射し短時間で素子を固定することができ、安定
な固定が実現される。熱硬化性の接着剤などでは、加熱
時に光結合調整などがずれてしまう。また、MgドープLi
NbO3基板のように青色光発生を目的とした波長変換デバ
イス用基板は、３００nm程度の波長領域まで透明である
ため、紫外線硬化剤はより好ましい接着剤である。
硬化することができるため、光結合調整を行った後、紫
外線を照射し短時間で素子を固定することができ、安定
な固定が実現される。熱硬化性の接着剤などでは、加熱
時に光結合調整などがずれてしまう。また、MgドープLi
NbO3基板のように青色光発生を目的とした波長変換デバ
イス用基板は、３００nm程度の波長領域まで透明である
ため、紫外線硬化剤はより好ましい接着剤である。
【００９７】本実施の形態では球形のガラスビーズを用
いたが、ファイバ状（円筒状）の物体でも同様の効果が
得られ、より高精度に径を調整できるため好ましい。実
施の形態１で述べた理由から円筒形物体長さは１０μm
以上１００μm以下であることが望ましい。
いたが、ファイバ状（円筒状）の物体でも同様の効果が
得られ、より高精度に径を調整できるため好ましい。実
施の形態１で述べた理由から円筒形物体長さは１０μm
以上１００μm以下であることが望ましい。
【００９８】本実施の形態では、ガラスビーズを用いて
高さ調整もできた。ガラスは熱伝導性が悪い。光導波路
型QPM-SHGデバイスでは、周期的な分極反転により位相
整合を満足しているため素子の温度均一性は重要であ
る。半導体レーザでの発熱がSiサブマウントを伝達し、
光導波路型QPM-SHGデバイスの温度不均一性をもたら
す。本実施の形態のように熱伝導性の悪いガラスビーズ
を介することで、光導波路型QPM-SHGデバイスの温度均
一性を保持できるため、高効率波長変換を実現できその
効果は大きい。
高さ調整もできた。ガラスは熱伝導性が悪い。光導波路
型QPM-SHGデバイスでは、周期的な分極反転により位相
整合を満足しているため素子の温度均一性は重要であ
る。半導体レーザでの発熱がSiサブマウントを伝達し、
光導波路型QPM-SHGデバイスの温度不均一性をもたら
す。本実施の形態のように熱伝導性の悪いガラスビーズ
を介することで、光導波路型QPM-SHGデバイスの温度均
一性を保持できるため、高効率波長変換を実現できその
効果は大きい。
【００９９】本実施の形態では、プレーナ型光導波路デ
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。また、球形または円筒形の物
体により光導波路型QPM-SHGデバイスとSiサブマウント
が接していないため、半導体レーザの発熱の影響が極端
に小さく、光導波路型QPM-SHGデバイスでは素子の温度
均一性が保持され、その実用的効果は大きい。
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。また、球形または円筒形の物
体により光導波路型QPM-SHGデバイスとSiサブマウント
が接していないため、半導体レーザの発熱の影響が極端
に小さく、光導波路型QPM-SHGデバイスでは素子の温度
均一性が保持され、その実用的効果は大きい。
【０１００】本実施の形態では、ガラスビーズを介する
ことで、高さ方向のスペースを自動的に調整でき、光軸
方向と横方向の光結合調整を行った。しかしながら、接
着剤の粘性による引っ張り力を小さいものとすること
で、素子を平面内だけではなく、上下方向（厚み方向）
にも移動することが可能となる。したがって、接着剤の
粘性を適正なものとすることにより、ガラスビーズを使
用しなくても、光軸方向、横方向、厚み方向に高精度な
光結合調整が可能となり、高効率光結合が実現できる。
ことで、高さ方向のスペースを自動的に調整でき、光軸
方向と横方向の光結合調整を行った。しかしながら、接
着剤の粘性による引っ張り力を小さいものとすること
で、素子を平面内だけではなく、上下方向（厚み方向）
にも移動することが可能となる。したがって、接着剤の
粘性を適正なものとすることにより、ガラスビーズを使
用しなくても、光軸方向、横方向、厚み方向に高精度な
光結合調整が可能となり、高効率光結合が実現できる。
【０１０１】（実施の形態４）本実施の形態では、半導
体レーザの活性層位置を高精度に制御する方法について
説明する。上述の実施の形態では球形または円筒形の物
体を用いて、光導波路型QPM-SHGデバイスの高さ方向位
置精度の向上を図った。本実施の形態では、半導体レー
ザとサブマウントの間に、球形または円筒形の物体を配
置し、サブマウント表面から半導体レーザの活性層の厚
みの半分に相当する位置までの距離を高精度に制御し、
高効率な光結合を実現する。
体レーザの活性層位置を高精度に制御する方法について
説明する。上述の実施の形態では球形または円筒形の物
体を用いて、光導波路型QPM-SHGデバイスの高さ方向位
置精度の向上を図った。本実施の形態では、半導体レー
ザとサブマウントの間に、球形または円筒形の物体を配
置し、サブマウント表面から半導体レーザの活性層の厚
みの半分に相当する位置までの距離を高精度に制御し、
高効率な光結合を実現する。
【０１０２】図１１に本実施の形態により作製されるSH
G青色光源を示す。本実施の形態で用いる半導体レーザ
としては上述の実施の形態と同じ波長可変DBR半導体レ
ーザ３を使用している。Siサブマウント４上には、Ti/P
t/Auメタライズが成膜されていて、半導体レーザを実装
する部分にはPb/Snの半田１０が蒸着されている。半田
材料の厚みは３μｍである。
G青色光源を示す。本実施の形態で用いる半導体レーザ
としては上述の実施の形態と同じ波長可変DBR半導体レ
ーザ３を使用している。Siサブマウント４上には、Ti/P
t/Auメタライズが成膜されていて、半導体レーザを実装
する部分にはPb/Snの半田１０が蒸着されている。半田
材料の厚みは３μｍである。
【０１０３】従来、波長可変DBR半導体レーザ３の高さ
方向の位置制御は、実装時の波長可変DBR半導体レーザ
３への加圧量を調整することにより行われていた。波長
可変DBR半導体レーザ３固定後の半田１０の厚みは２μ
ｍになるように設定した。実際の半田１０の膜厚精度は
±０．２μm程度であった。
方向の位置制御は、実装時の波長可変DBR半導体レーザ
３への加圧量を調整することにより行われていた。波長
可変DBR半導体レーザ３固定後の半田１０の厚みは２μ
ｍになるように設定した。実際の半田１０の膜厚精度は
±０．２μm程度であった。
【０１０４】より高精度で確実な波長可変DBR半導体レ
ーザ３の高さ方向の位置制御を行う方法として、光導波
路型QPM-SHGデバイスの高さ方向位置制御と同様に同じ
直径をもつ球形または円筒形の物体を用いることが挙げ
られる。本実施の形態においては球形のガラスビーズを
用いた。ガラスビーズ３３の平均粒径は２μmとした。
実施の形態１で述べた理由から、球形物体の粒径は１０
μm以下であることが望ましい。
ーザ３の高さ方向の位置制御を行う方法として、光導波
路型QPM-SHGデバイスの高さ方向位置制御と同様に同じ
直径をもつ球形または円筒形の物体を用いることが挙げ
られる。本実施の形態においては球形のガラスビーズを
用いた。ガラスビーズ３３の平均粒径は２μmとした。
実施の形態１で述べた理由から、球形物体の粒径は１０
μm以下であることが望ましい。
【０１０５】波長可変DBR半導体レーザ３とサブマウン
ト４との間にあらかじめガラスビーズ３３を配置し、波
長可変DBR半導体レーザ３へ荷重を加えながら半田１０
を溶融させ波長可変DBR半導体レーザ３をサブマウント
４へ固定した。ガラスビーズ３３がストッパーの役目を
果たすため、半田１０の膜厚を高精度に制御することが
可能となる。波長可変DBR半導体レーザ３とSiサブマウ
ント４とのギャップを高精度に制御するためには荷重を
加える位置についても注意が必要である。波長可変DBR
半導体レーザ３とSiサブマウント４とのギャップを高精
度に制御するためには、実施の形態１で述べた理由か
ら、波長可変DBR半導体レーザ３の面内かつガラスビー
ズ３３の配置位置の中心付近へ荷重を加える必要があ
る。
ト４との間にあらかじめガラスビーズ３３を配置し、波
長可変DBR半導体レーザ３へ荷重を加えながら半田１０
を溶融させ波長可変DBR半導体レーザ３をサブマウント
４へ固定した。ガラスビーズ３３がストッパーの役目を
果たすため、半田１０の膜厚を高精度に制御することが
可能となる。波長可変DBR半導体レーザ３とSiサブマウ
ント４とのギャップを高精度に制御するためには荷重を
加える位置についても注意が必要である。波長可変DBR
半導体レーザ３とSiサブマウント４とのギャップを高精
度に制御するためには、実施の形態１で述べた理由か
ら、波長可変DBR半導体レーザ３の面内かつガラスビー
ズ３３の配置位置の中心付近へ荷重を加える必要があ
る。
【０１０６】さらに、実施の形態１で述べた理由から、
波長可変DBR半導体レーザ３へ荷重を加える治具の波長
可変DBR半導体レーザ３との接触部面積は、波長可変DBR
半導体レーザ３の面積よりも小さい方が良い。
波長可変DBR半導体レーザ３へ荷重を加える治具の波長
可変DBR半導体レーザ３との接触部面積は、波長可変DBR
半導体レーザ３の面積よりも小さい方が良い。
【０１０７】その結果として、波長可変DBR半導体レー
ザ３の活性層８のサブマウント４からの距離も高精度に
確実に制御される。ガラスビーズの平均粒径のばらつき
は±０．１μmであるため、半田１０の膜厚は高精度に
制御され、半田１０の膜厚精度は従来の±０．２μmか
ら±０．１μｍへ改善された。光導波路型QPM-SHGデバ
イスも先の実施の形態と同様にガラスビーズ１１を用い
て高さ方向の位置制御を行いサブマウント４へ実装し
た。
ザ３の活性層８のサブマウント４からの距離も高精度に
確実に制御される。ガラスビーズの平均粒径のばらつき
は±０．１μmであるため、半田１０の膜厚は高精度に
制御され、半田１０の膜厚精度は従来の±０．２μmか
ら±０．１μｍへ改善された。光導波路型QPM-SHGデバ
イスも先の実施の形態と同様にガラスビーズ１１を用い
て高さ方向の位置制御を行いサブマウント４へ実装し
た。
【０１０８】半導体レーザ出力５０mWに対して、２５mW
以上のレーザ光を光導波路に結合することができ、波長
可変DBR半導体レーザの波長を光導波路型QPM-SHGデバイ
スの位相整合波長に一致させることにより、波長４１０
nmで３mW青色光が得られた。半田１０の膜厚が従来より
も高精度に制御されたことで、高効率な光結合がより安
定して実現され、歩留まりの向上を確認した。
以上のレーザ光を光導波路に結合することができ、波長
可変DBR半導体レーザの波長を光導波路型QPM-SHGデバイ
スの位相整合波長に一致させることにより、波長４１０
nmで３mW青色光が得られた。半田１０の膜厚が従来より
も高精度に制御されたことで、高効率な光結合がより安
定して実現され、歩留まりの向上を確認した。
【０１０９】なお、ガラスビーズ３３をあらかじめ半田
１０中に混入しておいても同様な結果を得ることが可能
である。半田１０中に含まれるガラスビーズ３３の割合
を大きくしすぎるとガラスビーズ３３を均一に分布させ
ることが困難となり、ガラスビーズ３３同士が固まった
状態でサブマウント１６上へ配置され、ガラスビーズ３
３を１層で配置することが困難となる場合があるため、
半田１０中のガラスビーズ３３の割合は体積比で３０％
以下が望ましい。
１０中に混入しておいても同様な結果を得ることが可能
である。半田１０中に含まれるガラスビーズ３３の割合
を大きくしすぎるとガラスビーズ３３を均一に分布させ
ることが困難となり、ガラスビーズ３３同士が固まった
状態でサブマウント１６上へ配置され、ガラスビーズ３
３を１層で配置することが困難となる場合があるため、
半田１０中のガラスビーズ３３の割合は体積比で３０％
以下が望ましい。
【０１１０】本実施の形態では、波長可変DBR半導体レ
ーザ３の接着部材として半田を用いたが、導電性接着剤
を用いてもよい。導電性接着剤には鉛が含まれず、環境
に与える影響が少ない。
ーザ３の接着部材として半田を用いたが、導電性接着剤
を用いてもよい。導電性接着剤には鉛が含まれず、環境
に与える影響が少ない。
【０１１１】本実施の形態では球形のガラスビーズが用
いられたが、ファイバ状（円筒状）の物体でも同様の効
果が得られ、より高精度に径を調整できるため好まし
い。実施の形態１で述べた理由から円筒形物体長さは１
０μm以上１００μm以下であることが望ましい。
いられたが、ファイバ状（円筒状）の物体でも同様の効
果が得られ、より高精度に径を調整できるため好まし
い。実施の形態１で述べた理由から円筒形物体長さは１
０μm以上１００μm以下であることが望ましい。
【０１１２】本実施の形態では、プレーナ型光導波路デ
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。
バイスとしてMgドープLiNbO3基板上に作製した光導波路
型擬似位相整合方式第２高調波発生(QPM-SHG)デバイス
を用いたが、このような青色光源では得られる青色光パ
ワーが、結合する基本波パワーの２乗に比例するため、
光結合効率の向上は特に重要であり、高く安定な光結合
特性を実現できる本実施の形態の構成は実用的な手段で
あり、その効果は大きい。
【０１１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体レ
ーザの活性層と光導波路デバイスの光導波路高さを自動
的に一致させることができる。また、接着剤の硬化収縮
に対しても、球形または円筒形の物体が高さの位置決め
を行うため、結合効率の低下への影響は少ない。
ーザの活性層と光導波路デバイスの光導波路高さを自動
的に一致させることができる。また、接着剤の硬化収縮
に対しても、球形または円筒形の物体が高さの位置決め
を行うため、結合効率の低下への影響は少ない。
【０１１４】また、光導波路デバイスが、周期的な分極
反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイスであ
る場合には、サブマウントと光導波路デバイスが直接接
しないため、半導体レーザからの熱伝導を遮断でき光導
波路デバイスの温度均一性が保持される。
反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイスであ
る場合には、サブマウントと光導波路デバイスが直接接
しないため、半導体レーザからの熱伝導を遮断でき光導
波路デバイスの温度均一性が保持される。
【０１１５】また、球形および円筒形の物体がガラス材
料から構成されている場合には、ガラス材料が熱伝導性
の低い材料であり、半導体レーザからサブマウントへの
熱伝導を遮断でき、光導波路デバイスの温度均一性が保
持される。
料から構成されている場合には、ガラス材料が熱伝導性
の低い材料であり、半導体レーザからサブマウントへの
熱伝導を遮断でき、光導波路デバイスの温度均一性が保
持される。
【０１１６】また、接着剤が紫外線照射により硬化する
場合には、硬化時の発熱などの回避でき、安定な実装が
実現できる。
場合には、硬化時の発熱などの回避でき、安定な実装が
実現できる。
【０１１７】また、球形および円筒形の物体が、前記光
導波路デバイスと前記サブマウントの間に、１層で構成
されている場合には、高さ方向の位置精度が向上し、安
定な実装が実現できる。
導波路デバイスと前記サブマウントの間に、１層で構成
されている場合には、高さ方向の位置精度が向上し、安
定な実装が実現できる。
【０１１８】さらに、本発明によれば、半導体レーザの
活性層と光導波路デバイスの光導波路高さを自動的に一
致させることができる。また、接着剤の硬化収縮に対し
ても、球形または円筒形の物体が高さの位置決めを行う
ため、結合効率の低下への影響は少ない。
活性層と光導波路デバイスの光導波路高さを自動的に一
致させることができる。また、接着剤の硬化収縮に対し
ても、球形または円筒形の物体が高さの位置決めを行う
ため、結合効率の低下への影響は少ない。
【０１１９】また、光導波路デバイスが、周期的な分極
反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイスであ
る場合には、サブマウントと光導波路デバイスが直接接
しないため、半導体レーザからの熱伝導を遮断でき光導
波路デバイスの温度均一性が保持される。
反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイスであ
る場合には、サブマウントと光導波路デバイスが直接接
しないため、半導体レーザからの熱伝導を遮断でき光導
波路デバイスの温度均一性が保持される。
【０１２０】また、球形および円筒形の物体がガラス材
料から構成されている場合には、ガラス材料が熱伝導性
の低い材料であり、半導体レーザからサブマウントへの
熱伝導を遮断でき、光導波路デバイスの温度均一性が保
持される。
料から構成されている場合には、ガラス材料が熱伝導性
の低い材料であり、半導体レーザからサブマウントへの
熱伝導を遮断でき、光導波路デバイスの温度均一性が保
持される。
【０１２１】また、接着剤が紫外線照射により硬化する
場合には、硬化時の発熱などの回避でき、安定な実装が
実現できる。
場合には、硬化時の発熱などの回避でき、安定な実装が
実現できる。
【０１２２】また、球形および円筒形の物体が、前記光
導波路デバイスと前記サブマウントの間に、１層で構成
されている場合には、高さ方向の位置精度が向上し、安
定な実装が実現できる。
導波路デバイスと前記サブマウントの間に、１層で構成
されている場合には、高さ方向の位置精度が向上し、安
定な実装が実現できる。
【０１２３】さらに、本発明の実装方法によれば、実装
時間の短縮が図れる。また、接着剤中に球形および円筒
形の物体が混入されている場合には、半導体レーザの活
性層と光導波路デバイスの光導波路高さを自動的に一致
させることができ、また接着剤の硬化収縮に対しても、
球形または円筒形の物体が高さの位置決めを行うため、
結合効率の低下への影響は少ない。
時間の短縮が図れる。また、接着剤中に球形および円筒
形の物体が混入されている場合には、半導体レーザの活
性層と光導波路デバイスの光導波路高さを自動的に一致
させることができ、また接着剤の硬化収縮に対しても、
球形または円筒形の物体が高さの位置決めを行うため、
結合効率の低下への影響は少ない。
【０１２４】また、光導波路デバイスが、周期的な分極
反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイスであ
る場合には、球形または円筒形の物体により、サブマウ
ントと光導波路デバイスが直接接しないため、半導体レ
ーザからの熱伝導を遮断でき光導波路デバイスの温度均
一性が保持される。
反転領域を有する擬似位相整合型波長変換デバイスであ
る場合には、球形または円筒形の物体により、サブマウ
ントと光導波路デバイスが直接接しないため、半導体レ
ーザからの熱伝導を遮断でき光導波路デバイスの温度均
一性が保持される。
【０１２５】また、球形および円筒形の物体がガラス材
料から構成されている場合には、ガラス材料が熱伝導性
の低い材料であり、半導体レーザからサブマウントへの
熱伝導を遮断でき、光導波路デバイスの温度均一性が保
持される。
料から構成されている場合には、ガラス材料が熱伝導性
の低い材料であり、半導体レーザからサブマウントへの
熱伝導を遮断でき、光導波路デバイスの温度均一性が保
持される。
【０１２６】また、接着剤が紫外線照射により硬化する
場合には、硬化時の発熱などの回避でき、安定な実装が
実現される。
場合には、硬化時の発熱などの回避でき、安定な実装が
実現される。
【０１２７】また、接着剤の粘度が100cps以下である場
合には、調整時の光導波路デバイスの位置精度の向上が
図れる。
合には、調整時の光導波路デバイスの位置精度の向上が
図れる。
【０１２８】また、球形および円筒形の物体が、前記光
導波路デバイスと前記サブマウントの間に、１層から構
成されている場合には、高さ方向の位置精度が向上し、
安定な実装が実現される。
導波路デバイスと前記サブマウントの間に、１層から構
成されている場合には、高さ方向の位置精度が向上し、
安定な実装が実現される。
【図１】本発明の実施形態１のSHG青色光源の構成図
【図２】本発明の実施形態１の光導波路型QPM-SHGデバ
イスの基本波に対する導波モードを表す図
イスの基本波に対する導波モードを表す図
【図３】本発明の実施形態１のガラスビーズの直径を変
えた場合の光導波路型QPM-SHGデバイスの導波モードと
半導体レーザの発光モードとの最大光結合効率の変化を
示す図
えた場合の光導波路型QPM-SHGデバイスの導波モードと
半導体レーザの発光モードとの最大光結合効率の変化を
示す図
【図４】本発明の実施形態１のリッジ型QPM-SHGデバイ
スの説明図
スの説明図
【図５】Ａ〜Ｄは本発明の実施形態１のSHG青色光源の
組み立て図
組み立て図
【図６】Ａ〜Ｃは本発明の実施形態１の荷重位置の説明
図
図
【図７】Ａ〜Ｂは本発明の実施形態１の円筒形物体を用
いた実装方法の説明図
いた実装方法の説明図
【図８】Ａ〜Ｄは本発明の実施形態２のSHG青色光源の
組み立て図
組み立て図
【図９】Ａ〜Ｃは本発明の実施形態３のSHG青色光源の
組み立て図
組み立て図
【図１０】本発明の実施形態３の紫外線硬化剤の粘性
と、移動精度を表す図
と、移動精度を表す図
【図１１】本発明の実施形態４のSHG青色光源の構成図
【図１２】従来例である直接結合による表面実装型光モ
ジュールの構成図
ジュールの構成図
【図１３】従来例である直接結合型SHG青色光源の構成
図
図
１ MgドープLiNbO3基板 ２ 光導波路型QPM-SHGデバイス ３ 波長可変DBR半導体レーザ ４ Siサブマウント ５ プロトン交換光導波路 ６ 分極反転領域 ７ SiO2保護膜 ８ 活性領域 ９ DBR領域 １０ 半田 １１ ガラスビーズ １２ 紫外線硬化剤 １３ 紫外線硬化剤 １４ ガラスビーズ １５ Siサブマウント １６ 光導波路型QPM-SHGデバイス １７ 波長可変DBR半導体レーザ １８ 半田 Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３ マーカー １９ 光導波路型QPM-SHGデバイス ２０ 波長可変DBR半導体レーザ ２１ 金属膜 ２２ ガラスビーズ ２３ Siサブマウント ２４ Si基板 ２５ 半導体レーザ ２６ アライメントキー ２７ Ｖ溝 ２８ 光ファイバ ２９ 波長可変DBR半導体レーザ ３０ 光導波路型QPM-SHGデバイス ３１ 保護膜 ３２ サブマウント ３３ ガラスビーズ ３４ 円筒形物体 ３５ リッジ型QPM-SHGデバイス ３６ 光導波路 ３７ 分極反転領域 ３８ 荷重を加える治具
フロントページの続き (72)発明者 山本 和久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 井上 一生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H037 BA02 CA34 DA02 DA03 DA11 DA17 2H047 KA04 MA07 NA01 PA13 QA03 RA00 2K002 AA02 AB12 CA03 DA06 EA04 EA07 EA22 FA26 FA27 HA20 5F073 AA65 AB15 AB23 CA05 EA29 FA06 FA13 FA22 FA23
Claims (34)
- 【請求項１】半導体レーザと、基板表面に光導波路が形
成された光導波路デバイスをサブマウント上に含み、前
記半導体レーザと前記光導波路デバイスは、前記半導体
レーザの活性層形成面と前記光導波路の形成面がともに
前記サブマウントに対向するように実装され、 前記サブマウントと、前記半導体レーザまたは前記光導
波路デバイスとの間に実質的な等距離を保持できるスぺ
ーサーを介して接着部材により一体化されていることを
特徴とする光導波路デバイス集積モジュール。 - 【請求項２】スぺーサーが、球形または円筒形の物体で
ある請求項１に記載の光導波路デバイス集積モジュー
ル。 - 【請求項３】前記半導体レーザからの出射光が前記光導
波路に結合する光結合効率が最大となるように、前記ス
ぺーサーの大きさが調整されている請求項１に記載の光
導波路デバイス集積モジュール。 - 【請求項４】前記スぺーサーが複数配置されている請求
項１に記載の光導波路デバイス集積モジュール。 - 【請求項５】前記スぺーサーが、前記光導波路デバイス
もしくは前記半導体レーザと前記サブマウントの間に、
１層で複数個配置されている請求項４に記載の光導波路
デバイス集積モジュール。 - 【請求項６】前記スぺーサーが、前記接着部材中に混入
されている請求項１に記載の光導波路デバイス集積モジ
ュール。 - 【請求項７】前記接着部材中への前記スぺーサーの混入
量が体積比で３０％以下である請求項４に記載の光導波
路デバイス集積モジュール。 - 【請求項８】前記球形または円筒形の物体が、直径をｄ
1、光導波路デバイス表面から光導波路のレーザ光導波
モードの強度ピークまでの距離をｄ2、半導体レーザの
活性層形成側の表面から発振するレーザ光の強度ピーク
までの距離をｄ 3、半導体レーザをサブマウントに実装
するための接着部材の厚みをｄ4としたとき、ｄ1+ｄ2+
Δ≒ｄ3+ｄ4（ただし、Δは光導波路のレーザ光導波モ
ードの強度ピーク位置と、前記半導体レーザからの出射
光と光導波路との光結合効率が最大となる位置との距離
である。）の関係にある請求項２に記載の光導波路デバ
イス集積モジュール。 - 【請求項９】前記光導波路のレーザ光導波モードが基板
の厚み方向に対して対称形の場合Δ≒０、非対称形の場
合Δ＝α（ただし、αは光導波路のレーザ光導波モード
の強度ピーク位置と、前記半導体レーザからの出射光と
光導波路との光結合効率が最大となる位置との距離であ
る。）である請求項８に記載の光導波路デバイス集積モ
ジュール。 - 【請求項１０】前記球形または円筒形の物体の大きさが
実質的に同じである請求項４に記載の光導波路デバイス
集積モジュール。 - 【請求項１１】前記光導波路デバイスが、周期的な分極
反転領域を有する擬似位相整合型第２高調波発生デバイ
スである請求項１に記載の光導波路デバイス集積モジュ
ール。 - 【請求項１２】前記スぺーサーが、ガラス、樹脂及びセ
ラミックから選ばれる少なくとも一つの材料から構成さ
れている請求項１に記載の光導波路デバイス集積モジュ
ール。 - 【請求項１３】前記光導波路デバイスの接着部材が紫外
線照射により硬化されている請求項１に記載の光導波路
デバイス集積モジュール。 - 【請求項１４】前記半導体レーザを固定するための接着
部材が半田もしくは導電性接着剤である請求項１に記載
の光導波路デバイス集積モジュール。 - 【請求項１５】前記球形の物体の平均粒径が１０μm以
下である請求項２に記載の光導波路デバイス集積モジュ
ール。 - 【請求項１６】前記円筒形の物体の平均長さが１０μm
以上１００μm以下である請求項２に記載の光導波路デ
バイス集積モジュール。 - 【請求項１７】サブマウント上に実装された半導体レー
ザと光導波路デバイスとを備え、前記半導体レーザの活
性層形成面と前記光導波路の形成面がともに前記サブマ
ウントに対向するように実装された光導波路デバイス集
積モジュールの製造方法であって、 前記サブマウントと、前記半導体レーザまたは前記光導
波路デバイスとの間に実質的な等距離を保持できるスぺ
ーサーを用いて、前記半導体レーザ及び前記光導波路デ
バイスのうち少なくとも一方をサブマウントへ接着部材
を用いて実装することを含む光導波路デバイス集積モジ
ュールの実装方法。 - 【請求項１８】スぺーサーが、球形または円筒形の物体
である請求項１７に記載の光導波路デバイス集積モジュ
ールの実装方法。 - 【請求項１９】前記光導波路デバイスまたは前記半導体
レーザの少なくとも一方を荷重を加えながら前記サブマ
ウントへ実装する請求項１７に記載の光導波路デバイス
集積モジュールの実装方法。 - 【請求項２０】前記半導体レーザからの出射光と前記光
導波路デバイスに形成された光導波路との光結合効率が
最大となるように、前記スぺーサーの大きさを選択する
請求項１７に記載の光導波路デバイス集積モジュールの
実装方法。 - 【請求項２１】前記スペーサーを、前記光導波路デバイ
スまたは前記半導体レーザと前記サブマウントの間に、
複数個かつ１層で配置する請求項１７に記載の光導波路
デバイス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項２２】荷重の中心位置が、前記スペーサーの配
置箇所が１箇所の場合はその中心付近、前記スペーサー
の配置箇所が２箇所の場合は２点を結ぶ線分内、前記ス
ペーサーの配置箇所が３箇所以上の場合は配置箇所を結
んだ領域内、かつ前記光導波路デバイスもしくは前記半
導体レーザ面内である請求項１９に記載の光導波路デバ
イス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項２３】前記光導波路デバイスもしくは前記半導
体レーザを前記サブマウントへ実装する際に用いる治具
と、前記光導波路デバイスとの接触面積、もしくは前記
半導体レーザとの接触部面積が、前記光導波路デバイス
もしくは前記半導体レーザの面積よりも小さい請求項１
７に記載の光導波路デバイス集積モジュールの実装方
法。 - 【請求項２４】前記光導波路デバイスへ加えられる荷重
が５００ｇ以下である請求項１９に記載の光導波路デバ
イス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項２５】前記スペーサーを前記接着部材中に混入
する請求項１７に記載の光導波路デバイス集積モジュー
ルの実装方法。 - 【請求項２６】前記接着部材中へ混入する前記スペーサ
ーの割合を体積比で３０％以下とする請求項２５に記載
の光導波路デバイス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項２７】前記半導体レーザを点灯させた状態で前
記光導波路デバイスの位置調整を行い、前記光導波路デ
バイスを前記サブマウントへ実装する請求項１７に記載
の光導波路デバイス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項２８】前記光導波路デバイスが、周期的な分極
反転領域を有する擬似位相整合型第２高調波発生デバイ
スである請求項１７に記載の光導波路デバイス集積モジ
ュール。 - 【請求項２９】前記球形または円筒形の物体の大きさが
実質的に同じである請求項１８に記載の光導波路デバイ
ス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項３０】前記球形または円筒形の物体が、ガラ
ス、樹脂及びセラミックから選ばれる少なくとも一つの
材料から構成されている請求項１８に記載の光導波路デ
バイス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項３１】接着部材が紫外線硬化剤である請求項１
７に記載の光導波路デバイス集積モジュールの実装方
法。 - 【請求項３２】前記球形物体の大きさが平均粒径１０μ
ｍ以下である請求項１８に記載の光導波路デバイスの実
装方法。 - 【請求項３３】前記円筒形の物体の長さが平均１０μｍ
以上１００μｍ以下である請求項１８に記載の光導波路
デバイス集積モジュールの実装方法。 - 【請求項３４】前記サブマウントに接着部材を塗布し、
前記光導波路デバイスと前記サブマウントの間に前記接
着部材が存在した状態で、前記半導体レーザと前記光導
波路デバイスとの光結合調整を行い、その後前記光導波
路デバイスを固定する請求項１７に記載の光導波路デバ
イス集積モジュールの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062302A JP2001337253A (ja) | 2000-03-22 | 2001-03-06 | 光導波路デバイス集積モジュールおよびその実装方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-80888 | 2000-03-22 | ||
| JP2000080888 | 2000-03-22 | ||
| JP2001062302A JP2001337253A (ja) | 2000-03-22 | 2001-03-06 | 光導波路デバイス集積モジュールおよびその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001337253A true JP2001337253A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=26588100
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001062302A Pending JP2001337253A (ja) | 2000-03-22 | 2001-03-06 | 光導波路デバイス集積モジュールおよびその実装方法 |
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