JP7039458B2 - 自己組立てられ且つ縦方向に整列されるマルチチップモジュール - Google Patents
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Description
分野
本開示は、一般に、マルチチップモジュール(MCM)およびMCMを製造する方法に関する。より具体的には、本開示は、スペーサを用いて縦方向に整列され、親水性層および疎水性層を用いて自己組立てられた2つの基板を含むMCMに関する。
シリコンフォトニクス技術に基づく光相互接続は、帯域幅、構成要素の密度、エネルギー効率、反応時間および物理範囲の点で、電気相互接続よりも優れている。したがって、光相互接続は、高性能コンピューティングシステムにおけるチップ間通信およびチップ内通信のボトルネックを軽減するための有望な解決策である。
本開示の一実施形態は、マルチチップモジュール(MCM)を提供する。このMCMは、第1表面を有する第1基板を備え、第1基板は、第1表面に対して第1高さで第1基板上に配置された第1光導波路を含む。また、このMCMは、第2表面を有する第2基板を備え、第2基板は、第2表面に対して第2高さで第2基板上に配置された第2光導波路と、厚さを有し、第2表面上に配置されたスペーサとを含む。さらに、このMCMは、第3表面を有し、第1表面およびスペーサに機械的に連結された第3基板を備え、スペーサの厚さは、第1光導波路および第2光導波路を整列させる。
なお、第1基板は、シリコン以外の半導体に規定される半導体光増幅器を含んでもよい。また、第2基板は、フォトニックチップを含んでもよい。このフォトニックチップは、第2基板と、第2基板上に配置された埋込酸化物層と、埋込酸化物層上に配置された半導体層とを含んでもよい。第2光導波路は、半導体層内に規定される。いくつかの実施形態において、第2基板、埋込酸化物層および半導体層は、シリコンオンインシュレータ技術を構成する。
別の実施形態は、MCMを製造する方法を提供する。この方法において、第1親水性材料を用いて、第1基板の第1表面上に第1領域を規定する。第1基板は、第1表面に対して第1高さで第1基板上に配置された第1光導波路を含む。その後、第2基板の第2表面上に、厚さを有するスペーサを配置する。第2基板は、第2表面に対して第2高さで第2基板上に配置された第2光導波路を含む。さらに、第2親水性材料を用いて、第2表面上に第2領域を規定する。次に、第3親水性材料を用いて、第3基板の第3表面上に第3領域を規定し、疎水性材料を用いて、第3基板の第3表面上に1つ以上の領域を規定する。その後、第3表面上に液体を分配し、第1面が第3表面と対向し且つ第2表面が第3表面と対向するように、第1基板および第2基板を液体上に載置する。第1基板と第2基板とが第3基板に対して自己整列した後、第1面を第3表面に機械的に連結し、スペーサの上面を第3表面に機械的に連結する。
マルチチップモジュール(MCM)、MCMを含むシステム、およびMCMを製造する方法の実施形態を説明する。このMCMは、2つの基板を含む。この2つの基板は、基板の対向面上の親水性材料および疎水性材料並びに液体の表面張力を復元力として使用して、別の基板上で受動的な自己組立を行う。詳しくは、2つの基板上の親水性材料からなる領域は、別の基板上の親水性材料からなる領域と重なる。別の基板上の親水性材料からなる領域は、疎水性材料からなる領域により囲まれてもよい。また、2つの基板のうち、一方の基板の表面上のスペーサは、2つの基板上に配置された光導波路を同一平面に整列させることができる。この製造方法は、2つの基板をエッジ結合することによって、低損失ハイブリッド光源を製造することができる。例えば、2つの基板の第1基板は、(能動光学利得媒体を有する)III/V族化合物半導体であってもよく、2つの基板の第2基板は、シリコンオンインシュレータフォトニックチップであってもよい。
Claims (14)
- マルチチップモジュール(MCM)であって、
第1表面を有する第1基板を備え、前記第1基板は、前記第1表面に対して第1高さで前記第1基板上に配置された第1光導波路を含み、
第2表面を有する第2基板を備え、
前記第2基板は、
前記第2表面に対して第2高さで前記第2基板上に配置された第2光導波路と、
厚さを有し、前記第2表面上に配置されたスペーサとを含み、
第3表面を有し、前記第1表面および前記スペーサに機械的に連結された第3基板を備え、前記スペーサの前記厚さを、前記第1表面からの前記第1光導波路の高さと、前記第2表面からの前記第2光導波路の高さの差に等しくすることで、前記第1光導波路および前記第2光導波路を整列させ、
前記第1基板の前記第1表面と反対側に位置する第1基板の裏面と、前記第2基板の前記第2表面と反対側に位置する第2基板の裏面とは、親水性材料を含み、
前記第1表面および前記第3表面間に、親水性材料からなる対向領域を含み、
前記第3表面は、前記第1表面と前記第3表面との間の重なり領域の外側に配置され、疎水性材料からなる領域を含む、MCM。 - 前記第1基板は、シリコン以外の半導体内に規定された半導体光増幅器を含む、請求項1に記載のMCM。
- 前記第2基板は、フォトニックチップを含む、請求項1または2に記載のMCM。
- 前記フォトニックチップは、前記第2基板と、前記第2基板上に配置された埋込酸化物層と、前記埋込酸化物層上に配置された半導体層とを含み、
前記第2光導波路は、前記半導体層内に規定される、請求項3に記載のMCM。 - 前記第2基板、前記埋込酸化物層および前記半導体層は、シリコンオンインシュレータ技術を構成する、請求項4に記載のMCM。
- 前記疎水性材料は、フルオロポリマーおよびパリレンのうちの1つを含む、請求項1に記載のMCM。
- 前記第2表面および前記第3表面は、親水性材料からなる対向領域を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載のMCM。
- 前記第3表面は、前記スペーサの上面と前記第3表面との間の重なり領域の外側に配置され、疎水性材料からなる領域を含む、請求項7に記載のMCM。
- 前記疎水性材料は、フルオロポリマーおよびパリレンのうちの1つを含む、請求項8に記載のMCM。
- 前記MCMは、前記第1表面と前記第3表面との間の重なり領域と、前記第2表面と前記第3表面との間の重なり領域とに配置されたエポキシ層をさらに含む、請求項1~9のいずれか1項に記載のMCM。
- 前記スペーサは、金属、ポリマーおよび樹脂のうちの1つを含む、請求項1~10のいずれか1項に記載のMCM。
- 前記第1高さは、前記第2高さと前記スペーサの前記厚さとの和に等しい、請求項1~11のいずれか1項に記載のMCM。
- システムであって、
プロセッサと、
前記プロセッサによって実行されるように構成されたプログラムモジュールを記憶するメモリと、
請求項1~12のいずれか1項に記載のMCMとを含む、システム。 - MCMを製造する方法であって、
第1親水性材料を用いて、第1基板の第1表面上に第1領域を規定するステップを含み、前記第1基板は、前記第1表面に対して第1高さで前記第1基板上に配置された第1光導波路を含み、
第2基板の第2表面上に、厚さを有するスペーサを配置するステップを含み、前記第2基板は、前記第2表面に対して第2高さで前記第2基板上に配置された第2光導波路を含み、
第2親水性材料を用いて、前記第2表面上に第2領域を規定するステップと、
第3親水性材料を用いて、第3基板の第3表面上に第3領域を規定するステップと、
前記第1親水性材料および前記第2親水性材料の外側に配置された疎水性材料を用いて、前記第3基板の前記第3表面上に1つ以上の領域を規定するステップと、
前記第3表面上に液体を分配するステップと、
前記第1表面が前記第3表面と対向し、前記第2表面が前記第3表面と対向するように、前記第1基板および前記第2基板を前記液体上に載置するステップと、
前記第1基板と前記第2基板とが前記第3基板に対して自己整列した後、前記第1表面を前記第3表面に機械的に連結し、前記スペーサの上面を前記第3表面に機械的に連結するステップとを含み、前記スペーサの前記厚さを、前記第1表面からの前記第1光導波路の高さと、前記第2表面からの前記第2光導波路の高さの差に等しくすることで、前記第1光導波路および前記第2光導波路を整列させる、方法。
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