JPH0529892B2 - - Google Patents
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- JPH0529892B2 JPH0529892B2 JP12891488A JP12891488A JPH0529892B2 JP H0529892 B2 JPH0529892 B2 JP H0529892B2 JP 12891488 A JP12891488 A JP 12891488A JP 12891488 A JP12891488 A JP 12891488A JP H0529892 B2 JPH0529892 B2 JP H0529892B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B2006/12195—Tapering
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/26—Optical coupling means
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4234—Passive alignment along the optical axis and active alignment perpendicular to the optical axis
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コヒーレント光を利用する光情報処
理分野、あるいは光応用計測制御分野に使用する
青色レーザ装置および光情報記録装置に関するも
のである。
理分野、あるいは光応用計測制御分野に使用する
青色レーザ装置および光情報記録装置に関するも
のである。
従来の技術
第４図に従来の青色レーザ装置の構成図を示
す。従来の青色レーザ装置は半導体レーザ２、光
波長変換素子３、レンス３１，３１および半波長
板３３を基本構成要素としていた。（T.Taniuchi
and K.Yamamoto、“Miniaturized light
source of coherent blue radiation”、シーエル
イーオー87（CLEO'87）、WP6、1987年、参照）。
す。従来の青色レーザ装置は半導体レーザ２、光
波長変換素子３、レンス３１，３１および半波長
板３３を基本構成要素としていた。（T.Taniuchi
and K.Yamamoto、“Miniaturized light
source of coherent blue radiation”、シーエル
イーオー87（CLEO'87）、WP6、1987年、参照）。
光波長変換素子３上に形成された光導波路５の
入射面７に半導体レーザ２からの基本波Ｐ１をレ
ンズ３１，３２を介して入射させる。この際、レ
ンズ３１，３２の間に狭まれている半波長板３３
は偏光方向を90度回転させる働きがありこれによ
り光導波路５を基本波Ｐ１が導波するように偏光
方向を一致させることができる。基本波Ｐ１の導
波モードの実効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折率
Ｎ２が等しくなるような条件が満足されるとき、
光導波路５からLiNbO3基板４内に高調波Ｐ２が
効率良く放射され、青色レーザ装置として動作す
る。
入射面７に半導体レーザ２からの基本波Ｐ１をレ
ンズ３１，３２を介して入射させる。この際、レ
ンズ３１，３２の間に狭まれている半波長板３３
は偏光方向を90度回転させる働きがありこれによ
り光導波路５を基本波Ｐ１が導波するように偏光
方向を一致させることができる。基本波Ｐ１の導
波モードの実効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折率
Ｎ２が等しくなるような条件が満足されるとき、
光導波路５からLiNbO3基板４内に高調波Ｐ２が
効率良く放射され、青色レーザ装置として動作す
る。
組立はまずレンズ３１，３２、半波長板３３お
よび光波長変換素子３をマウント３４上に機械的
に位置決めして固定する。次に半導体レーザ２の
パツケージ３５をＸ、Ｙ、Ｚの３軸方向に1μｍ
レベルの精度でアライメントを行つた後、固定す
る。
よび光波長変換素子３をマウント３４上に機械的
に位置決めして固定する。次に半導体レーザ２の
パツケージ３５をＸ、Ｙ、Ｚの３軸方向に1μｍ
レベルの精度でアライメントを行つた後、固定す
る。
上記工程により作製される青色レーザ光源は波
長0.84μｍの半導体レーザ２を用い光波長変換素
子３の長さを６mmにしたとき全長は30mmとなる。
半導体レーザ２の出力Ｐ１を120ｍＷにしたとき
光波長変換素子３に65ｍＷが結合し、1.05ｍＷの
高調波２（青色レーザ光）が得られていた。この
場合の光波長変換素子３での変換効率Ｐ１／Ｐ２
は0.9％である。また、結合効率は54％である。
長0.84μｍの半導体レーザ２を用い光波長変換素
子３の長さを６mmにしたとき全長は30mmとなる。
半導体レーザ２の出力Ｐ１を120ｍＷにしたとき
光波長変換素子３に65ｍＷが結合し、1.05ｍＷの
高調波２（青色レーザ光）が得られていた。この
場合の光波長変換素子３での変換効率Ｐ１／Ｐ２
は0.9％である。また、結合効率は54％である。
発明が解決しようとする課題
上記のようなレンズを用いた青色レーザ装置で
は、レンズおよび光波長変換素子の光軸をそれぞ
れ合わせなければならず、アライメントが困難で
あること、またレンズが大きくそのため青色レー
ザ装置全体が大きくなることなどの問題点があつ
た。また、光軸ずれが生じ易い部分が多く温度変
化および振動に弱いことさらに、レンズによる基
本波の損失がありそのため青色レーザ装置の実用
レベルである１ｍＷ以上の高調波を得ることが困
難であるという問題点があつた。
は、レンズおよび光波長変換素子の光軸をそれぞ
れ合わせなければならず、アライメントが困難で
あること、またレンズが大きくそのため青色レー
ザ装置全体が大きくなることなどの問題点があつ
た。また、光軸ずれが生じ易い部分が多く温度変
化および振動に弱いことさらに、レンズによる基
本波の損失がありそのため青色レーザ装置の実用
レベルである１ｍＷ以上の高調波を得ることが困
難であるという問題点があつた。
そこで本発明は半導体レーザと光波長変換素子
とを直接結合し、高効率で、なおかつ安定に動作
する青色レーザ装置、およびその組立方法、なら
びに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置を提
供することを目的とする。
とを直接結合し、高効率で、なおかつ安定に動作
する青色レーザ装置、およびその組立方法、なら
びに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、上記目的を達成するため、半導体レ
ーザと光波長変換素子とを基本とした青色レーザ
装置の構造に新たな工夫を加えることにより大幅
な出射パワーの向上を可能とするものである。
ーザと光波長変換素子とを基本とした青色レーザ
装置の構造に新たな工夫を加えることにより大幅
な出射パワーの向上を可能とするものである。
つまり、サブマウントに突起を形成した青色レ
ーザ装置の構成として、一主面に突起が形成され
たサブマウントと、前記突起の一端面に出射端を
接触して設置した活性層を有する半導体レーザ
と、前記突起の他端面に入射端を接触して設置し
た光導波路を有する光波長変換素子とを備え、前
記半導体レーザの活性層に近い方の表面および光
波長変換素子の光導波路に近い方の表面がそれぞ
れ前記サブマウントの一主面上に設置され、かつ
前記半導体レーザの基本波が前記光導波路に直接
結合するように前記光導波路上に保護膜を形成し
た構成とする。
ーザ装置の構成として、一主面に突起が形成され
たサブマウントと、前記突起の一端面に出射端を
接触して設置した活性層を有する半導体レーザ
と、前記突起の他端面に入射端を接触して設置し
た光導波路を有する光波長変換素子とを備え、前
記半導体レーザの活性層に近い方の表面および光
波長変換素子の光導波路に近い方の表面がそれぞ
れ前記サブマウントの一主面上に設置され、かつ
前記半導体レーザの基本波が前記光導波路に直接
結合するように前記光導波路上に保護膜を形成し
た構成とする。
また、サブマウントに突起を形成せず、光波長
変換素子の入射面の角度をサブマウントに対して
90度より小さくする青色レーザ装置として、 サブマウント上に、活性層を有する半導体レー
ザと、光導波路を有する光波長変換素子とを備
え、前記半導体レーザの活性層に近い方の表面お
よび光波長変換素子の光導波路表面に形成した保
護膜がそれぞれ前記サブマウントの一主面上に設
置され、かつ前記半導体レーザの出射面と、前記
光波長変換素子の入射面が直接接触して配置され
ており、前記光波長変換素子の入射面がサブマウ
ントに対して90度より小さい角度となるように形
成されている構成とする。
変換素子の入射面の角度をサブマウントに対して
90度より小さくする青色レーザ装置として、 サブマウント上に、活性層を有する半導体レー
ザと、光導波路を有する光波長変換素子とを備
え、前記半導体レーザの活性層に近い方の表面お
よび光波長変換素子の光導波路表面に形成した保
護膜がそれぞれ前記サブマウントの一主面上に設
置され、かつ前記半導体レーザの出射面と、前記
光波長変換素子の入射面が直接接触して配置され
ており、前記光波長変換素子の入射面がサブマウ
ントに対して90度より小さい角度となるように形
成されている構成とする。
作 用
半導体レーザの活性層に近い方の表面をサブマ
ウント上に設置し、サブマウントから活性層まで
の距離を、光波長変換素子の光導波路上に形成し
た保護膜の厚みで調整することができるので、活
性層からの出射光を光波長変換素子の光導波路に
直接結合することができる。またサブマウントに
突起を形成してあり、その突起の一端面に半導体
レーザの出射端、他端に光波長変換素子の入射端
を接触して設置するからアライメントが非常に容
易になる。
ウント上に設置し、サブマウントから活性層まで
の距離を、光波長変換素子の光導波路上に形成し
た保護膜の厚みで調整することができるので、活
性層からの出射光を光波長変換素子の光導波路に
直接結合することができる。またサブマウントに
突起を形成してあり、その突起の一端面に半導体
レーザの出射端、他端に光波長変換素子の入射端
を接触して設置するからアライメントが非常に容
易になる。
また、光波長変換素子の入射面の角度がサブマ
ウウントに対して90度より小さい角度にしておけ
ば、サブマウントに突起を形成しておかなくても
半導体レーザと光波長変換素子とを近接させてア
ライメントできる。
ウウントに対して90度より小さい角度にしておけ
ば、サブマウントに突起を形成しておかなくても
半導体レーザと光波長変換素子とを近接させてア
ライメントできる。
この青色レーザ装置を光情報記録装置に用いれ
ば、記録密度を向上させることができる。
ば、記録密度を向上させることができる。
実施例
本発明の青色レーザ装置の第１の実施例の構造
図を第１図に示す。この実施例では青色レーザ装
置として0.8μｍ帯の半導体レーザおよび光波長変
換素子を用いたもので、第１図は青色レーザ装置
の断面図である。第１図で１はSiのサブマウン
ト、２は半導体レーザ、３は光波長変換素子であ
る。ここで用いた半導体レーザ２は波長0.84μｍ、
出力100ｍＷのものである。また、光波長変換素
子はLiNbO3基板４に燐酸中でのプロトン交換を
行い光導波路５を形成したものである。ここで用
いたプロトン交換光導波路は閉じ込めが良く高調
波への交換効率が高いという特徴がある。９は突
起である。
図を第１図に示す。この実施例では青色レーザ装
置として0.8μｍ帯の半導体レーザおよび光波長変
換素子を用いたもので、第１図は青色レーザ装置
の断面図である。第１図で１はSiのサブマウン
ト、２は半導体レーザ、３は光波長変換素子であ
る。ここで用いた半導体レーザ２は波長0.84μｍ、
出力100ｍＷのものである。また、光波長変換素
子はLiNbO3基板４に燐酸中でのプロトン交換を
行い光導波路５を形成したものである。ここで用
いたプロトン交換光導波路は閉じ込めが良く高調
波への交換効率が高いという特徴がある。９は突
起である。
第１図は半導体レーザ２を駆動して基本波Ｐ１
として活性層８から出射された半導体レーザ光
（波長0.84μｍ）を光波長変換素子の入射面７より
光導波路５に直接結合させると基本波Ｐ１はシン
グルモード伝搬し、光導波路５内で波長0.42μｍ
の高調波Ｐ２に変換され青色レーザ光が出射部１
２より基板外部に取り出される。
として活性層８から出射された半導体レーザ光
（波長0.84μｍ）を光波長変換素子の入射面７より
光導波路５に直接結合させると基本波Ｐ１はシン
グルモード伝搬し、光導波路５内で波長0.42μｍ
の高調波Ｐ２に変換され青色レーザ光が出射部１
２より基板外部に取り出される。
次にこの青色レーザ装置の製造方法について図
を使つて説明する。第２図に本発明の青色レーザ
装置の製造工程断面図を示す。
を使つて説明する。第２図に本発明の青色レーザ
装置の製造工程断面図を示す。
まず、第２図ａにおいてSiのサブマウント１を
通常のフオトエツチングプロセスにより幅2μｍ、
高さ5μｍの突起９を形成した。この突起９は高
精度に形成てきる。次に、第２図ｂにおいて半導
体レーザ２を活性層８の形成面１０をサブマウン
ト１側に向けてボンデイングを行う。この際、出
力側を突起９側にし、突起９に押し当ててボンデ
イングを行つた。次に第２図ｃにおいて半導体レ
ーザ２に電流を流し基本波Ｐ１を出射させた後、
光導波路５の形成面１４をサブマウント１側に向
けて光波長変換素子３を突起の半導体レーザ２と
は反動側から押し当て固定を行つた。この際、光
波長変換素子３の入射面７はサブマウント１に対
して90度以下の角度となつており、半導体レーザ
２の出射面１１と接触することはない。また、入
射面７での反射による活性層８への戻り光も少な
くできる。次に、高調波出力Ｐ２が最大になるよ
うにアライメントを行つた。従来の青色レーザ装
置ではＸ、Ｙ、Ｚの３軸のアライメントが必要で
あるが、この構成によればＸ方向のみのアライメ
ントで良い。これは、Ｚ方向は突起９による2μ
ｍの距離に接近されており、またＹ方向は半導体
レーザ２の活性層８と光波長変換素子３の光導波
路５の高さが一致しているためアライメントが必
要ないことによる。
通常のフオトエツチングプロセスにより幅2μｍ、
高さ5μｍの突起９を形成した。この突起９は高
精度に形成てきる。次に、第２図ｂにおいて半導
体レーザ２を活性層８の形成面１０をサブマウン
ト１側に向けてボンデイングを行う。この際、出
力側を突起９側にし、突起９に押し当ててボンデ
イングを行つた。次に第２図ｃにおいて半導体レ
ーザ２に電流を流し基本波Ｐ１を出射させた後、
光導波路５の形成面１４をサブマウント１側に向
けて光波長変換素子３を突起の半導体レーザ２と
は反動側から押し当て固定を行つた。この際、光
波長変換素子３の入射面７はサブマウント１に対
して90度以下の角度となつており、半導体レーザ
２の出射面１１と接触することはない。また、入
射面７での反射による活性層８への戻り光も少な
くできる。次に、高調波出力Ｐ２が最大になるよ
うにアライメントを行つた。従来の青色レーザ装
置ではＸ、Ｙ、Ｚの３軸のアライメントが必要で
あるが、この構成によればＸ方向のみのアライメ
ントで良い。これは、Ｚ方向は突起９による2μ
ｍの距離に接近されており、またＹ方向は半導体
レーザ２の活性層８と光波長変換素子３の光導波
路５の高さが一致しているためアライメントが必
要ないことによる。
半導体レーザと光波長変換素子３３の距離は大
きくなると結合効果が低下するので20μｍ以下が
良い。光導波路５にSiO2保護膜１３を付加しこ
れにより高さを活性層８と合わせた。サブマウン
ト１からの高さは6.5μｍとなつている。また、光
導波路５の端部を部分加熱し光導波路５に比べて
厚み大となるテーパ光導波路６が形成されてお
り、基本波との結合効率が増大する。また、高さ
合わせも容易になる。
きくなると結合効果が低下するので20μｍ以下が
良い。光導波路５にSiO2保護膜１３を付加しこ
れにより高さを活性層８と合わせた。サブマウン
ト１からの高さは6.5μｍとなつている。また、光
導波路５の端部を部分加熱し光導波路５に比べて
厚み大となるテーパ光導波路６が形成されてお
り、基本波との結合効率が増大する。また、高さ
合わせも容易になる。
以上のように作製した青色レーザ装置において
半導体レーザ２を100ｍＷで駆動し２ｍＷの高調
波Ｐ２（波長0.42μｍ）を得た。この場合の変換
効率は２％である。出力は従来のレンズを用いた
青色レーザ装置に比べて大幅に向上した。これは
従来に比べ結合効率が1.5倍となり76％が光波長
変換素子３に入射したためである。第１図におい
て７は光波長変換素子３の入射面でありSiO2が
反射防止膜として入射面７上に形成されている。
これにより基本波Ｐ１の光導波路５への結合効率
は15％上昇する。また、この反射防止膜により半
導体レーザへの戻り光による半導体レーザの不安
定動作が防止できる。
半導体レーザ２を100ｍＷで駆動し２ｍＷの高調
波Ｐ２（波長0.42μｍ）を得た。この場合の変換
効率は２％である。出力は従来のレンズを用いた
青色レーザ装置に比べて大幅に向上した。これは
従来に比べ結合効率が1.5倍となり76％が光波長
変換素子３に入射したためである。第１図におい
て７は光波長変換素子３の入射面でありSiO2が
反射防止膜として入射面７上に形成されている。
これにより基本波Ｐ１の光導波路５への結合効率
は15％上昇する。また、この反射防止膜により半
導体レーザへの戻り光による半導体レーザの不安
定動作が防止できる。
本実施例の青色レーザ装置の大きさは４×４×
10mmと従来に比べ小型になつている。また、光軸
ずれを起こす部分が少なく極めて温度変化および
振動に強い構造となつている。
10mmと従来に比べ小型になつている。また、光軸
ずれを起こす部分が少なく極めて温度変化および
振動に強い構造となつている。
なお出射面１２が高調波Ｐ２に対して垂直とな
るように研磨されている。これにより周囲の温度
変化に対して高調波Ｐ２の出射角の変化が最小に
抑えられる。
るように研磨されている。これにより周囲の温度
変化に対して高調波Ｐ２の出射角の変化が最小に
抑えられる。
なおサブマウントとして加工性が良く、熱伝導
に優れたSiを用いたがこれに限ることはない。ま
たMgOがドーピングされている基板を用いると
短波長の光に対して光損傷は防止でき高調波の出
力変動がない。
に優れたSiを用いたがこれに限ることはない。ま
たMgOがドーピングされている基板を用いると
短波長の光に対して光損傷は防止でき高調波の出
力変動がない。
なお、0.65〜1.3μｍの波長の半導体レーザを用
いて本青色レーザ装置による高調波発生（0.32〜
0.65μｍ）を確認した。
いて本青色レーザ装置による高調波発生（0.32〜
0.65μｍ）を確認した。
次に第２の実施例として本発明の青色レーザ装
置を光情報記録装置に組み込み光デイスクの読み
取りに応用した例について説明する。第３図にそ
の構成を示す。本実施例では光情報記録装置は青
色レーザ光源、レンズ、偏向ビームスプリツタお
よび受光器により構成されている。青色レーザ装
置２１内で半導体レーザ２から出た基本波Ｐ１は
光波長変換素子３で高調波Ｐ２に変換され青色レ
ーザ光として外部に放射される。この青色レーザ
光Ｐ２を整形レンズ２２によりビーム整形を行
い、両側とも平行光とする。この平行光にされた
高調波Ｐ２は偏向ビームスプリツタ２３を通過
後、フオーカシングレンズ２４で集光され光デイ
スク２５上に0.6μｍのスポツトを結ぶ。この反射
信号は再び偏光ビームスプリツタ２３を通過後、
受光器２６に入射する。これにより青色レーザ装
置２１にて２ｍＷの青色レーザ光Ｐ２が放射さ
れ、これが光デイスクの読み取りに使用された。
置を光情報記録装置に組み込み光デイスクの読み
取りに応用した例について説明する。第３図にそ
の構成を示す。本実施例では光情報記録装置は青
色レーザ光源、レンズ、偏向ビームスプリツタお
よび受光器により構成されている。青色レーザ装
置２１内で半導体レーザ２から出た基本波Ｐ１は
光波長変換素子３で高調波Ｐ２に変換され青色レ
ーザ光として外部に放射される。この青色レーザ
光Ｐ２を整形レンズ２２によりビーム整形を行
い、両側とも平行光とする。この平行光にされた
高調波Ｐ２は偏向ビームスプリツタ２３を通過
後、フオーカシングレンズ２４で集光され光デイ
スク２５上に0.6μｍのスポツトを結ぶ。この反射
信号は再び偏光ビームスプリツタ２３を通過後、
受光器２６に入射する。これにより青色レーザ装
置２１にて２ｍＷの青色レーザ光Ｐ２が放射さ
れ、これが光デイスクの読み取りに使用された。
青色レーザ光源は振動、温度変化に強く安定に
動作した。
動作した。
このように本発明の青色レーザ装置を用いるこ
とで従来使用していた0.8μｍ帯の半導体レーザを
用いた光情報記録装置の読み取り系に比べて半分
のスポツトに絞ることができ光情報記録装置の記
録密度を従来の４倍に向上することができる。な
お光情報記録装置の構成は本実施例のみに限らず
青色レーザ装置を使用したものであれば、適用可
能である。
とで従来使用していた0.8μｍ帯の半導体レーザを
用いた光情報記録装置の読み取り系に比べて半分
のスポツトに絞ることができ光情報記録装置の記
録密度を従来の４倍に向上することができる。な
お光情報記録装置の構成は本実施例のみに限らず
青色レーザ装置を使用したものであれば、適用可
能である。
発明の効果
以上説明したように本発明の青色レーザ装置に
よれば半導体レーザと光波長変換素子をレンズを
介さず直接結合させることで大幅な結合効率の向
上が図れ、青色レーザ装置の出力が大幅に向上す
る。さらに、アライメントが大幅に簡略化され量
産化が可能となり、高情報記録装置への適用にも
すぐれて、この工業的価値は極めて大きい。
よれば半導体レーザと光波長変換素子をレンズを
介さず直接結合させることで大幅な結合効率の向
上が図れ、青色レーザ装置の出力が大幅に向上す
る。さらに、アライメントが大幅に簡略化され量
産化が可能となり、高情報記録装置への適用にも
すぐれて、この工業的価値は極めて大きい。
第１図は本発明の青色レーザ装置の構成断面
図、第２図は本発明の青色レーザ装置の製造工程
断面図、第３図は本発明の光情報記録装置の構成
図、第４図は従来の青色レーザ装置の構成断面図
である。 １……サブマウント、２……半導体レーザ、３
……光波長変換素子。
図、第２図は本発明の青色レーザ装置の製造工程
断面図、第３図は本発明の光情報記録装置の構成
図、第４図は従来の青色レーザ装置の構成断面図
である。 １……サブマウント、２……半導体レーザ、３
……光波長変換素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一主面に突起が形成されたサブマウントと、
前記突起の一端面に出射端を接触して設置した活
性層を有する半導体レーザと、 前記突起の他端面に入射端を接触して設置した
光導波路を有する光波長変換素子とを備え、 前記半導体レーザの活性層に近い方の表面およ
び光波長変換素子の光導波路に近い方の表面がそ
れぞれ前記サブマウントの一主面上に設置され、 かつ前記半導体レーザの基本波が前記光導波路
に直接結合するように前記光導波路上に保護膜を
形成したことを特徴とする青色レーザ装置。 ２ 請求項１記載の青色レーザ装置と、 前記レーザ装置から出射する出射光をデイスク
に集光する集光光学系と、 前記デイスクで回折する回折光を受光する受光
装置とを備えたことを特徴とする光情報記録装
置。 ３ サブマウントがSiであることを特徴とする請
求項１記載の青色レーザ装置。 ４ サブマウントがSiであることを特徴とする請
求項２記載の光情報記録装置。 ５ 光波長変換素子にLiNbXTa1-XO3（０≦Ｘ≦
１）基板を用いたことを特徴とする請求項１記載
の青色レーザ装置。 ６ 光波長変換素子にLiNbXTa1-XO3（０≦Ｘ≦
１）基板を用いたことを特徴とする請求項２記載
の青色光情報記録装置。 ７ 光導波路にプロトン交換光導波路を用いたこ
とを特徴とする請求項１記載の青色レーザ装置。 ８ 光導波路にプロトン交換光導波路を用いたこ
とを特徴とする請求項２記載の光情報記録装置。 ９ 光波長変換素子の入射部にテーパ光導波路が
形成されていることを特徴とする請求項１記載の
青色レーザ装置。 １０ 光波長変換素子の入射部にテーパ光導波路
が形成されていることを特徴とする請求項２記載
の光情報記録装置。 １１ 光波長変換素子の基本波の入射面に反射防
止膜が形成されていることを特徴とする請求項１
記載の青色レーザ装置。 １２ 光波長変換素子の基本波の入射面に反射防
止膜が形成されていることを特徴とする請求項２
記載の光情報記録装置。 １３ サブマウント上に、 活性層を有する半導体レーザと、 光導波路を有する光波長変換素子とを備え、 前記半導体レーザの活性層に近い方の表面およ
び光波長変換素子の光導波路表面に形成した保護
膜がそれぞれ前記サブマウントの一主面上に設置
され、 かつ前記半導体レーザの出射面と、前記光波長
変換素子の入射面が直接接触して配置されてお
り、前記光波長変換素子の入射面がサブマウント
に対して90度よりも小さい角度となるように形成
されていることを特徴とする青色レーザ装置。 １４ 請求項１３記載の青色レーザ装置と、 前記レーザ装置から出射する出射光をデイスク
に集光する集光光学系と、 前記デイスクで回折する回折光を受光する受光
装置とを備えたことを特徴とする光情報記録装
置。 １５ サブマウントの一主面に所定の高さの突起
を形成する工程と、 半導体レーザの活性層に近い方の表面を前記サ
ブマウントの一主面上に設置して、前記半導体レ
ーザの出射端を前記突起の一端面に接触させて設
置する工程と、 光波長変換素子の光導波路に近い方の表面上に
形成した保護膜を前記サブマウントの一主面上に
設置して、前記光波長変換素子の入射端を前記突
起を他端面に接触させ、前記半導体レーザの基本
波が前記光導波路に直接結合するように設置する
工程とを有することを特徴とする青色レーザ装置
の組立方法。 １６ 半導体レーザを活性層に近い方の表面を前
記サブマウントの一主面上に設置する工程と、 光波長変換素子の光導波路に近い方の表面上に
形成した保護膜を前記サブマウントの一主面上に
設置して、 サブマウントに対して90度以下の角度となるよ
うに形成された前記光波長変換素子の入射面と、
前記半導体レーザの出射面とが接触するように設
置し、 前記半導体レーザの基本波が前記光導波路に直
接結合するように設置する工程とを有することを
特徴とする青色レーザ装置の組立方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12891488A JPH01297632A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置 |
| US07/354,324 US4951293A (en) | 1988-05-26 | 1989-05-19 | Frequency doubled laser apparatus |
| DE68917785T DE68917785T2 (de) | 1988-05-26 | 1989-05-23 | Laserlichtquelle für den sichtbaren Bereich. |
| EP89109241A EP0343591B1 (en) | 1988-05-26 | 1989-05-23 | Visible laser source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12891488A JPH01297632A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01297632A JPH01297632A (ja) | 1989-11-30 |
| JPH0529892B2 true JPH0529892B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=14996490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12891488A Granted JPH01297632A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01297632A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2855913C (en) * | 2011-11-16 | 2016-11-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser excitation solid-state laser |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12891488A patent/JPH01297632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01297632A (ja) | 1989-11-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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