JPH01297632A - 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置 - Google Patents
青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 97
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 241000834695 Auchenoglanis occidentalis Species 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12166—Manufacturing methods
- G02B2006/12195—Tapering
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コヒーレント光を利用する光情報処理分野、
あるいは光応用計測制御分野に使用する青色レーザ光源
および光情報記録装置に関するものである。
あるいは光応用計測制御分野に使用する青色レーザ光源
および光情報記録装置に関するものである。
従来の技術
第４図に従来の青色レーザ光源の構成図を示す。
従来の青色レーザ光源は半導体レーザ２、光波長変換素
子３、レンズ３Ｌ３１および半波長板３３を基本構成要
素としていた。 （Ｔ、 Ｔａｎ１ｕｃｈｌ ａｎ７年
、参照）。
子３、レンズ３Ｌ３１および半波長板３３を基本構成要
素としていた。 （Ｔ、 Ｔａｎ１ｕｃｈｌ ａｎ７年
、参照）。
光波長変換素子３上に形成された光導波路５の入射面７
に半導体レーザ２からの基本波Ｐ１をレンズ３Ｌ３２を
介して入射させる。この際、レンズ３１．３２の間に挟
まれている半波長板３３は偏光方向を９０度回転させる
曇きがありこれにより光導波路５を基本波Ｐ１が導波す
るように偏光方向を一致させることができる。基本波Ｐ
１の導波モードの実効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折ｌ
Ｎ２が等しくなるような条件が満足されるとき、光導波
路５からＬＩＮｂＯ３基板４内に高調波Ｐ２が効率良く
放射され、青色レーザ光源として動作する。
に半導体レーザ２からの基本波Ｐ１をレンズ３Ｌ３２を
介して入射させる。この際、レンズ３１．３２の間に挟
まれている半波長板３３は偏光方向を９０度回転させる
曇きがありこれにより光導波路５を基本波Ｐ１が導波す
るように偏光方向を一致させることができる。基本波Ｐ
１の導波モードの実効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折ｌ
Ｎ２が等しくなるような条件が満足されるとき、光導波
路５からＬＩＮｂＯ３基板４内に高調波Ｐ２が効率良く
放射され、青色レーザ光源として動作する。
組立はまずレンズ３Ｌ３２、半波長板３３および光波長
変換素子３をマウント３４上に機械的に位置決めして固
定する。次に半導体レーザ２のパッケージ３５をｘ、
ｙ、 ｚの３軸方向に１μｍレベルの精度でアライ
メントを行った後、固定する。
変換素子３をマウント３４上に機械的に位置決めして固
定する。次に半導体レーザ２のパッケージ３５をｘ、
ｙ、 ｚの３軸方向に１μｍレベルの精度でアライ
メントを行った後、固定する。
上記工程により作製される青色レーザ光源は波長０．８
４μｍの半導体レーザ２を用い光波長変換素子３の長さ
を６ｍｍにしたとき全長は３０ｍｍとなる。半導体レー
ザ２の出力Ｐ１を１２０ｍＷにしたとき光波長変換素子
３に６５ｍＷが結合し、１．０５ｍＷの高調波Ｐ２（青
色レーザ光）が得られていた。この場合の光波長変換素
子３での変換効率Ｐｉ／Ｐ２は０． ９％である。また
、結合効率は５４％である。
４μｍの半導体レーザ２を用い光波長変換素子３の長さ
を６ｍｍにしたとき全長は３０ｍｍとなる。半導体レー
ザ２の出力Ｐ１を１２０ｍＷにしたとき光波長変換素子
３に６５ｍＷが結合し、１．０５ｍＷの高調波Ｐ２（青
色レーザ光）が得られていた。この場合の光波長変換素
子３での変換効率Ｐｉ／Ｐ２は０． ９％である。また
、結合効率は５４％である。
発明が解決しようとする課題
上記のようなレンズを用いた青色レーザ光源では、レン
ズおよび光波長変換素子の光軸をそれぞれ合わせなけれ
ばならず、アライメントが困難であること、またレンズ
が大きくそのため青色レーザ光源全体が大きくなること
などの問題点があった。また、光軸ずれが生じ易い部分
が多く温度変化および振動に弱いことさらに、レンズに
よる基本波の損失がありそのため青色レーザ光源の実用
レベルである１ｍＷ以上の高調波を得ることが困難であ
るという問題点があった。
ズおよび光波長変換素子の光軸をそれぞれ合わせなけれ
ばならず、アライメントが困難であること、またレンズ
が大きくそのため青色レーザ光源全体が大きくなること
などの問題点があった。また、光軸ずれが生じ易い部分
が多く温度変化および振動に弱いことさらに、レンズに
よる基本波の損失がありそのため青色レーザ光源の実用
レベルである１ｍＷ以上の高調波を得ることが困難であ
るという問題点があった。
課題を解決するための手段
本発明は、半導体レーザと光波長変換素子を基本とした
青色レーザ光源の構造に新たな工夫を加えることにより
大幅な出射パワーの向上を可能とするものである。つま
り、本発明は半導体レーザと光波長変換素子を直接結合
し高出力でなおかつ安定に動作する青色レーザ光源を得
ることを目的とする。
青色レーザ光源の構造に新たな工夫を加えることにより
大幅な出射パワーの向上を可能とするものである。つま
り、本発明は半導体レーザと光波長変換素子を直接結合
し高出力でなおかつ安定に動作する青色レーザ光源を得
ることを目的とする。
作用
上記目的を達成するため、本発明の青色レーザ光源はサ
ブマウント上に半導体レーザおよび光波長変換素子を備
え、前記半導体レーザの活性層の形成面および光波長変
換素子の光導波路形成面がサブマウントに向き合いなお
かつ半導体レーザの基本波が光導波路に直接結合する構
成を用いるものである。そして、本発明はこうした光源
を用いた光情報記録装置を提供するものである。
ブマウント上に半導体レーザおよび光波長変換素子を備
え、前記半導体レーザの活性層の形成面および光波長変
換素子の光導波路形成面がサブマウントに向き合いなお
かつ半導体レーザの基本波が光導波路に直接結合する構
成を用いるものである。そして、本発明はこうした光源
を用いた光情報記録装置を提供するものである。
実施例
本発明の青色レーザ光源の第１の実施例の構造図を第１
図に示す。この実施例では青色レーザ光源として０．８
μｍ帯の半導体レーザおよび光波長変換素子を用いたも
ので、第１図は青色レーザ光源の断面図である。第１図
で１はＳｉのサブマウント、２は半導体レーザ、３は光
波長変換素子である。ここで用いた半導体レーザ２は波
長０゜８４μｍ、出力１００ｍＷのものである。また、
光波長変換素子はＬｉＮｂＯ３基板４に燐酸中でのプロ
トン交換を行い光導波路５を形成したものである。ここ
で用いたプロトン交換光導波路は閉じ込めが良く高調波
への変換効率が高いという特徴がある。９は突起である
。
図に示す。この実施例では青色レーザ光源として０．８
μｍ帯の半導体レーザおよび光波長変換素子を用いたも
ので、第１図は青色レーザ光源の断面図である。第１図
で１はＳｉのサブマウント、２は半導体レーザ、３は光
波長変換素子である。ここで用いた半導体レーザ２は波
長０゜８４μｍ、出力１００ｍＷのものである。また、
光波長変換素子はＬｉＮｂＯ３基板４に燐酸中でのプロ
トン交換を行い光導波路５を形成したものである。ここ
で用いたプロトン交換光導波路は閉じ込めが良く高調波
への変換効率が高いという特徴がある。９は突起である
。
第１図で半導体レーザ２を駆動し基本波Ｐ１として活性
層８から出射された半導体レーザ光（波長０．８４μｍ
）を光波長変換素子の入射面７より光導波路５に直接結
合させると基本？１１．ｐｉはシングルモード伝搬し、
光導波路Ｓ内で波長０． ４２μｍの高調波Ｐ２に変換
され青色レーザ光が出射部１２より基板外部に取り出さ
れる。
層８から出射された半導体レーザ光（波長０．８４μｍ
）を光波長変換素子の入射面７より光導波路５に直接結
合させると基本？１１．ｐｉはシングルモード伝搬し、
光導波路Ｓ内で波長０． ４２μｍの高調波Ｐ２に変換
され青色レーザ光が出射部１２より基板外部に取り出さ
れる。
次にこの青色レーザ光源の製造方法について図を使って
説明する。第２図に本発明の青色レーザ光源の製造工程
断面図を示す。
説明する。第２図に本発明の青色レーザ光源の製造工程
断面図を示す。
まず、第２図（ａ）においてＳｉのサブマウント１を通
常のフォトエツチングプロセスにより幅２μｍ、高さ５
μｍの突起９を形成した。この突起９は高精度に形成て
きる。次に、第２図（ｂ）において半導体レーザ２を活
性層８の形成前１０をサブマウント１側に向けてボンデ
ィングを行う。
常のフォトエツチングプロセスにより幅２μｍ、高さ５
μｍの突起９を形成した。この突起９は高精度に形成て
きる。次に、第２図（ｂ）において半導体レーザ２を活
性層８の形成前１０をサブマウント１側に向けてボンデ
ィングを行う。
この際、出力側を突起θ側にし、突起９に押し当ててボ
ンディングを行った。次に第２図（Ｃ）において半導体
レーザ２に電流を流し基本波Ｐ１を出射させた後、光導
波路５の形成前１４をサブマウント１側に向けて光波長
変換素子３を突起の半導体レーザ２とは反対側から押し
当て固定を行うた。この際、光波長変換素子３の入射面
７はサブマウント１に対して９０度以下の角度となって
おり、半導体・レーザ２の出射面１１と接触することは
ない。また、入射面７での反射による活性層８への戻り
光も少なくできる。次に、高調波出力Ｐ２が最大になる
ようにアライメントを行った。従来の青色レーザ光源で
はｘ、 ｙ、 ｚの３軸のアライメントが必要であ
るが、この構成によればＸ方向のみのアライメントで良
い。これは、Ｚ方向は突起９により２μｍの距離に接近
されており、またＹ方向は半導体レーザ２の活性層８と
光波長変換素子３の光導波路５の高さが一致しているた
めアライメントが必要ないことによる。
ンディングを行った。次に第２図（Ｃ）において半導体
レーザ２に電流を流し基本波Ｐ１を出射させた後、光導
波路５の形成前１４をサブマウント１側に向けて光波長
変換素子３を突起の半導体レーザ２とは反対側から押し
当て固定を行うた。この際、光波長変換素子３の入射面
７はサブマウント１に対して９０度以下の角度となって
おり、半導体・レーザ２の出射面１１と接触することは
ない。また、入射面７での反射による活性層８への戻り
光も少なくできる。次に、高調波出力Ｐ２が最大になる
ようにアライメントを行った。従来の青色レーザ光源で
はｘ、 ｙ、 ｚの３軸のアライメントが必要であ
るが、この構成によればＸ方向のみのアライメントで良
い。これは、Ｚ方向は突起９により２μｍの距離に接近
されており、またＹ方向は半導体レーザ２の活性層８と
光波長変換素子３の光導波路５の高さが一致しているた
めアライメントが必要ないことによる。
半導体レーザと光波長変換素子３３の距離は大きくなる
と結合効果が低下するので２０μｍ以下が良い。光導波
路５にＳ ｉ ０２保護膜１３を付加しこれにより高さ
を活性層８と合わせた。サブマウント１からの高さは６
．５μｍとなっている。また、光導波路５の端部を部分
加熱し光導波路５に比べて厚み大となるテーパ光導波路
６が形成されており、基本波との結合効率が増大する。
と結合効果が低下するので２０μｍ以下が良い。光導波
路５にＳ ｉ ０２保護膜１３を付加しこれにより高さ
を活性層８と合わせた。サブマウント１からの高さは６
．５μｍとなっている。また、光導波路５の端部を部分
加熱し光導波路５に比べて厚み大となるテーパ光導波路
６が形成されており、基本波との結合効率が増大する。
また、高さ合わせも容易になる。
以上のように作製した青色レーザ光源において半導体レ
ーザ２を１００ｍＷで駆動し２ｍＷの高調波Ｐ２（波長
０．４２μｍ）、を得た。この場合の変換効率は２％で
ある。出力は従来のレンズを用いた青色レーザ光源に比
べて大幅に向上した。
ーザ２を１００ｍＷで駆動し２ｍＷの高調波Ｐ２（波長
０．４２μｍ）、を得た。この場合の変換効率は２％で
ある。出力は従来のレンズを用いた青色レーザ光源に比
べて大幅に向上した。
これは従来に比べ結合効率が１．５倍となり７６％が光
波長変換素子３に入射したためである。第１図において
７は光波長変換素子３の入射面でありＳｉＯ２が反射防
止膜として入射面７上に形成されている。これにより基
本波Ｐ１の光導波路５への結合効率は１５％上昇する。
波長変換素子３に入射したためである。第１図において
７は光波長変換素子３の入射面でありＳｉＯ２が反射防
止膜として入射面７上に形成されている。これにより基
本波Ｐ１の光導波路５への結合効率は１５％上昇する。
また、この反射防止膜により半導体レーザへの戻り光に
よる半導体レーザの不安定動作が防止できる。
よる半導体レーザの不安定動作が防止できる。
本実施例の青色レーザ光源の大きさは４×４×１０ｍｍ
と従来に比べ小型になっている。また、光軸ずれを起こ
す部分が少なく極めて温度変化および振動に強い構造と
なっている。
と従来に比べ小型になっている。また、光軸ずれを起こ
す部分が少なく極めて温度変化および振動に強い構造と
なっている。
なお出射面１２が高調波Ｐ２に対して垂直となるように
研磨されている。これにより周囲の温度変化に対して高
調波Ｐ２の出射角の変化が最小に抑えられる。
研磨されている。これにより周囲の温度変化に対して高
調波Ｐ２の出射角の変化が最小に抑えられる。
なおサブマウントとして加工性が良く、熱伝導に優れた
Ｓｉを用いたがこれに限ることはない。
Ｓｉを用いたがこれに限ることはない。
またＭｇＯがドーピングされている基板を用いると短波
長の光に対して光損傷が防止でき高調波の出力変動がな
い。
長の光に対して光損傷が防止でき高調波の出力変動がな
い。
なお、０．８５〜１．３μｍの波長の半導体レーザを用
いて本青色レーザ光源による高調波発生（０，３２〜０
． ８５ μｍ）を確認した。
いて本青色レーザ光源による高調波発生（０，３２〜０
． ８５ μｍ）を確認した。
次に第２の実施例として本発明の青色レーザ光源を光情
報記録装置に組み込み光ディスクの読み取りに応用した
例について説明する。第３図にその構成を示す。本実施
例では光情報記録装置は青色レーザ光源、レンズ、偏光
ビームスプリッタおよび受光器により構成されている。
報記録装置に組み込み光ディスクの読み取りに応用した
例について説明する。第３図にその構成を示す。本実施
例では光情報記録装置は青色レーザ光源、レンズ、偏光
ビームスプリッタおよび受光器により構成されている。
青色レーザ光源２１内で半導体レーザ２から出た基本波
Ｐ１は光波長変換素子３で高調波Ｐ２に変換され青色レ
ーザ光として外部に放射される。この青色レーザ光Ｐ２
を整形レンズ２２によりビーム整形を行い、両側ともに
平行光とする。この平行光にされた高調波Ｐ２は偏光ビ
ームスプリッタ２３を通過後、フォーカシングレンズ２
４で集光され光デイスク２５上に０． ８μｍのスポッ
トを結ぶ。この反射信号は再び偏光ビームスプリッタ２
３を通過後、受光器２６に入射する。これにより青色レ
ーザ光源２１にて２ｍＷの青色レーザ光Ｐ２が放射され
、これが光ディスクの読み取りに使用された。
Ｐ１は光波長変換素子３で高調波Ｐ２に変換され青色レ
ーザ光として外部に放射される。この青色レーザ光Ｐ２
を整形レンズ２２によりビーム整形を行い、両側ともに
平行光とする。この平行光にされた高調波Ｐ２は偏光ビ
ームスプリッタ２３を通過後、フォーカシングレンズ２
４で集光され光デイスク２５上に０． ８μｍのスポッ
トを結ぶ。この反射信号は再び偏光ビームスプリッタ２
３を通過後、受光器２６に入射する。これにより青色レ
ーザ光源２１にて２ｍＷの青色レーザ光Ｐ２が放射され
、これが光ディスクの読み取りに使用された。
青色レーザ光源は振動、温度変化に強（安定に動作した
。
。
このように本発明の青色レーザ光源を用いることで従来
使用していた０、８μｍ帯の半導体レーザを用いた光情
報記録装置の読み取り系に比べて半分のスポットに絞る
ことができ光情報記録装置の記録密度を従来の４倍に向
上することができる。
使用していた０、８μｍ帯の半導体レーザを用いた光情
報記録装置の読み取り系に比べて半分のスポットに絞る
ことができ光情報記録装置の記録密度を従来の４倍に向
上することができる。
なお光情報記録装置の構成は本実施例のみに限らず青色
レーザ光源を使用したものであれば、適用可能である。
レーザ光源を使用したものであれば、適用可能である。
発明の詳細
な説明したように本発明の青色レーザ光源によれば半導
体レーザと光波長変換素子をレンズを介さず直接結合さ
せることで大幅な結合効率の向上が図れ、青色レーザ光
源の出力が大幅に向上する。さらに、アライメントが大
幅に簡略化され量産化が可能となり、光情報記録装置へ
の適用にもすぐれて、その工業的価値は極めて大きい。
体レーザと光波長変換素子をレンズを介さず直接結合さ
せることで大幅な結合効率の向上が図れ、青色レーザ光
源の出力が大幅に向上する。さらに、アライメントが大
幅に簡略化され量産化が可能となり、光情報記録装置へ
の適用にもすぐれて、その工業的価値は極めて大きい。
第１図は本発明の青色レーザ光源の構成断面図、第２図
は本発明の青色レーザ光源の製造工程断面図、第３図は
本発明の光情報記録装置の構成図、第４図は従来の青色
レーザ光源の構成断面図である。 １・・・サブマウント、２・・・半導体レーザ、３・・
・光波長変換素子。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／−−μ５
ｃ−１７ブマウント ４ど −ｍ−千導イ寧シーブ” ３− 光λ長り′ｆ！！ｆ子 ５− 光導１区 ８−−一活社１ 第１図 ／−Σｔブブマシント 第２ 図 δ−沼枕眉２Ｉ−−−青
邑シープ°尤λ ？？−−−翌ジ吟レしス′
は本発明の青色レーザ光源の製造工程断面図、第３図は
本発明の光情報記録装置の構成図、第４図は従来の青色
レーザ光源の構成断面図である。 １・・・サブマウント、２・・・半導体レーザ、３・・
・光波長変換素子。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／−−μ５
ｃ−１７ブマウント ４ど −ｍ−千導イ寧シーブ” ３− 光λ長り′ｆ！！ｆ子 ５− 光導１区 ８−−一活社１ 第１図 ／−Σｔブブマシント 第２ 図 δ−沼枕眉２Ｉ−−−青
邑シープ°尤λ ？？−−−翌ジ吟レしス′
Claims (12)
- （１）サブマウント上に半導体レーザおよび光波長変換
素子を備え、前記半導体レーザの活性層の形成面および
光波長変換素子の光導波路形成面が前記サブマウントに
向き合いなおかつ前記半導体レーザの基本波が前記光導
波路に直接結合することを特徴とする青色レーザ光源。 - （２）サブマウント上に半導体レーザおよび光波長変換
素子を備え、前記半導体レーザの活性層の形成面および
光波長変換素子の光導波路形成面が前記サブマウントに
向き合いなおかつ前記半導体レーザの基本波が前記光導
波路に直接結合する青色レーザ光源を用いたことを特徴
とする光情報記録装置。 - （３）サブマウント上に突起が形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の青色レーザ光源又
は第２項記載の光情報記録置。 - （４）サブマウントがＳｉであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の青色レーザ光源又は第２項記載
の光情報記録装置。 - （５）光波長変換素子にＭｇＯがドーピングされたＬｉ
Ｎｂ＿ｘＴａ＿１＿−＿ｘＯ＿３（０≦Ｘ≦１）基板を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の青
色レーザ光源又は第２項記載の光情報記録装置。 - （６）光導波路にプロトン交換光導波路を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の青色レーザ光源
又は第２項記載の光情報記録装置。 - （７）光波長変換素子の光導波路上に保護膜が形成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の青
色レーザ光源又は第２項記載の光情報記録装置。 - （８）光波長変換素子の入射部にテーパ光導波路が形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の青色レーザ光源又は第２項記載の光情報記録装置。 - （９）光波長変換素子の高調波の出射部がプロトン交換
光導波路より出射される高調波に対して垂直な出射面を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の青
色レーザ光源又は第２項記載の光情報記録装置。 - （１０）光波長変換素子の基本波の入射面に反射防止膜
が形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の青色レーザ光源又は第２項記載の光情報記録装
置。 - （１１）光波長変換素子の入射面がサブマウントに対し
て９０度以下の角度となるように形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の青色レーザ光源
又は第２項記載の光情報記録装置。 - （１２）半導体レーザと光波長変換素子の距離が３０μ
ｍ以内であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の青色レーザ光源又は第２項記載の光情報記録装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12891488A JPH01297632A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置 |
| US07/354,324 US4951293A (en) | 1988-05-26 | 1989-05-19 | Frequency doubled laser apparatus |
| EP89109241A EP0343591B1 (en) | 1988-05-26 | 1989-05-23 | Visible laser source |
| DE68917785T DE68917785T2 (de) | 1988-05-26 | 1989-05-23 | Laserlichtquelle für den sichtbaren Bereich. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12891488A JPH01297632A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01297632A true JPH01297632A (ja) | 1989-11-30 |
| JPH0529892B2 JPH0529892B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=14996490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12891488A Granted JPH01297632A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 青色レーザ装置およびその組立方法ならびに青色レーザ装置を用いた光情報記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01297632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013073024A1 (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ励起固体レーザ |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP12891488A patent/JPH01297632A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013073024A1 (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ励起固体レーザ |
| US9008146B2 (en) | 2011-11-16 | 2015-04-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser excitation solid-state laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529892B2 (ja) | 1993-05-06 |
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