JPS61189686A - レ−ザ装置 - Google Patents

レ−ザ装置

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JPS61189686A
JPS61189686A JP60030962A JP3096285A JPS61189686A JP S61189686 A JPS61189686 A JP S61189686A JP 60030962 A JP60030962 A JP 60030962A JP 3096285 A JP3096285 A JP 3096285A JP S61189686 A JPS61189686 A JP S61189686A
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JP
Japan
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optical waveguide
semiconductor laser
end surface
laser
laser device
Prior art date
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Pending
Application number
JP60030962A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Taniuchi
哲夫 谷内
Kazuhisa Yamamoto
和久 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60030962A priority Critical patent/JPS61189686A/ja
Publication of JPS61189686A publication Critical patent/JPS61189686A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H01S5/1085—Oblique facets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0092—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity

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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光メモリ装置やレーザプリンタ等の光情報処理
分野に光源として利用されるレーザ装置に関する。
従来の技術 従来の実用化されている青色発振レーザはアルゴンガス
レーザに見るごとく、大型で高価であり、また水冷を要
し消費電力も大きく、全固体で小型軽量な青色レーザ光
源の実現が待たれている。そこで、非線形光学効果を応
用して赤外半導体レーザの波長を％に変換して波長０．
３５〜０．５μｍの青色レーザ光を得る方法が有効と考
えられる。
第５図は、Ｌ　Ｉ　Ｎ　ｂＯ３稀晶基板１内に安息香酸
を用いるイオン交換法により形成した光導波路２に半導
体レーザ３の赤外光を導入することにより青色の高調波
を取り出す構成である（特願昭５９−１３９８８９号）
。
発明が解決しようとする問題点 しかしながらこの構成では、半導体レーザ３と光導波路
２のアライメントの微妙な変化により特性が大きく変動
し、機械的振動や周囲温度変化に弱いという問題点があ
った。
問題点を解決するための手段 本発明は、このような問題点を解決するため分布帰還型
半導体レーザと、ＬｉＮｂＯ３単結晶の内部にイオン交
換法により形成された（Ｌｉ１−エＨ工）ＮｂＯ３（但
し０（ｘ（０，５）光導波路とを組み合わせ、半導体レ
ーザ光を前記光導波路に導入し、前記Ｌ　ｉ　ＮｂＯｓ
単結晶内に放射する第２高調波である青色レーザ光を取
り出すものである。
作　　　　用 本発明は、上記構成により分布帰還形半導体レーザを共
振ミラーとして使用することなく、光導波路と端面同志
を接着でき、斜め結合により端面反射の影響を除き特性
の安定化を図ることができる。
実施例 第１図に示すように半導体レーザに分布帰還型半導体レ
ーザ５を用い、その光出射端と光導波路６の入射端の結
合部を半導体レーザ５の活性層７に対し傾斜させて透明
物質１４を介して接着結合することにより、半導体レー
ザ５と光導波路６の結合部の安定化を図ったものである
。ファブＩＪ−ペロー形半導体レーザと異なり、分布帰
還形半導体レーザ６は端面を共振ミラーとして利用しな
いため、光導波路６と端面向しを接着することができる
点に着目したものであり、さらにそれらを斜め結合する
ことにより端面反射の影響を除き特性の安定化を図る。
さらに、光導波路らの半導体レーザ側の端部のサイズを
部分的に増大させ、半導体レーザとの結合効率を向上さ
せている。光導波路６は第２図に示すようにＬｉＮｂＯ
３単結晶８を部分的にイオン交換することにより表面近
傍の屈折率を増加させ、さらに屈折率の小さいＳｉｏ２
．Ｔａ２０６．Ａｌ２Ｏ２等の表面保護膜９を付けたも
のである。
動作原理を次に説明する。分布帰還形半導体レーザ５の
赤外光は上記光導波路６に入射し、ＬｉＮｂｏ３の非線
形光学効果により高調波１１をＬｉ勤０３単結晶基板８
中に放射する。放射した高調波は斜めに切断研磨された
Ｌ　ｉ　Ｎｂ　Ｏ３の端面から平行ビームとなり空気中
に取り出すことができる。
本発明は、分布帰還形半導体レーザ５とイオン交換法に
より形成しだＬ　ｉ　Ｎｂ　Ｏ３光導波路６の組み合せ
に大きな特長を有するものであり、光導波路の構成は第
２図に示した表面保護膜９を有するもの以外に、第３図
のようなリッジ形光導波路１２、あるいは第４図のよう
な装荷形光導波路１３であっても有効に動作する。
発明の効果 以上のように、本発明によれば分布帰還形半導体レーザ
とイオン交換したＬ　ｉＮｂ　Ｏ３光導波路を接着一体
化することにより、機械的振動や温度変動に対して安定
な信頼性高い青色レーザ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のレーザ装置の一実施例を示す図、第２
図、第３図、第４図は本発明のレーザ装置に使用する光
導波路の構造を示す図、第５図は従来のレーザ装置の構
造を示す図である。 ８・・・・・・ＬｉＮｂｏ３雫結晶基板、６・・・・・
・光導波路、６・・・・・・分布帰還形半導体レーザ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名５・
・・会面帰１ｖ彩半導停し−サ°“第　１　図　　　　
　　　　　　　　６・・・Ａオン文硬光欅ン皮罫８・・
・ｌｉＮ乙の車袷品 第２図　　　　　　　９．、、　Ａ面々復扱１°　　　
　　　　／２−’／−／つよ襲、ああ第４　図１３・・
・餉瀉光堺液芥 ！、？

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）分布帰還型半導体レーザと、ＬｉＮｂＯ＿３単結
    晶の内部にイオン交換法により形成された（Ｌｉ＿１＿
    −＿ｘＨ＿ｘ）ＮｂＯ＿３（但し０＜ｘ＜０．５）光導
    波路とを組み合わせ、半導体レーザ光を前記光導波路に
    導入し、前記ＬｉＮｂＯ＿３単結晶内に放射する第２高
    調波である青色レーザ光を取り出すことを特徴とするレ
    ーザ装置。
  2. （２）イオン交換法によって形成された光導波路の断面
    構造が、一部に凸状をなすリッジ型光導波路であること
    を特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載のレーザ
    装置。
  3. （３）イオン交換法によって形成された光導波路の構造
    が、装荷型光導波路であることを特徴とする特許請求の
    範囲第（１）項に記載のレーザ装置。
  4. （４）第２高調波を取り出す側のＬｉＮｂＯ＿３単結晶
    の端面を、光導波路に垂直な面に対し傾斜させることに
    より、光導波路方向に第２高調波を発生させることを特
    徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載のレーザ装置
    。
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