JPS607403A - 薄膜光導波路の作成方法 - Google Patents
薄膜光導波路の作成方法Info
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- JPS607403A JPS607403A JP58115212A JP11521283A JPS607403A JP S607403 A JPS607403 A JP S607403A JP 58115212 A JP58115212 A JP 58115212A JP 11521283 A JP11521283 A JP 11521283A JP S607403 A JPS607403 A JP S607403A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1345—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion exchange
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の枝術分野１
本発明は、薄膜先導波路の作成方法に閣す７る。
［従来技＃ｉ］
現在、光偏向器、光変調器を集積光学楢遺体で実現オゐ
場合、光導波路基板として、圧電性、光高臂効果、電気
光学効果に浸れ、口、つ、光伝播損グ゛が少ないニオブ
酸リチウム（以１’ ＬｉＮｔｌｏｌと記す）結晶基板
及びタンタル酸リチウム（以下ＬｉＴａＯ３と記す）結
晶基板が広く用いられている。
場合、光導波路基板として、圧電性、光高臂効果、電気
光学効果に浸れ、口、つ、光伝播損グ゛が少ないニオブ
酸リチウム（以１’ ＬｉＮｔｌｏｌと記す）結晶基板
及びタンタル酸リチウム（以下ＬｉＴａＯ３と記す）結
晶基板が広く用いられている。
前記結晶ノ□（板を用いて、Ｍ ＩＩり光導波路を作Ｉ
Ｊｋする代表的な方法として、チタン（Ｔｉ）金属を前
記結晶基板の表面に高温で熟拡ＩＩｋすることにより、
該結晶基板の表面に該結晶基板の屈折率よりわずかに大
きな屈折率を有する光導波層を形成する方υ、が知られ
ている。しかし５、この種の方法により作成された薄膜
光導波路は、光学損傷を受け易イ、非常に小さいパワー
の光しか該導波路に導入できないという欠点がある。こ
こで光学損傷とは。
Ｊｋする代表的な方法として、チタン（Ｔｉ）金属を前
記結晶基板の表面に高温で熟拡ＩＩｋすることにより、
該結晶基板の表面に該結晶基板の屈折率よりわずかに大
きな屈折率を有する光導波層を形成する方υ、が知られ
ている。しかし５、この種の方法により作成された薄膜
光導波路は、光学損傷を受け易イ、非常に小さいパワー
の光しか該導波路に導入できないという欠点がある。こ
こで光学損傷とは。
「光導波路に入力する光強；ｆｌを増大１．ていったと
きに、該先導波路内を伝播し外部に取り出される光の強
度が、散乱によつ−Ｃ１ｉｉｉ記人力光強度に比例して
は増大しな？なる現象」を１↑うつこのような光学損傷
が生じるＪｆｆ因は、ＬｉＮｂ０゜結晶基板内で、チタ
ン（１’ｉ）を熱転ｎ（させてニオブ（Ｎｂ）の空格子
に入れる際の、チタンイオン（Ｔｉ”）とニオブイオン
（Ｎｂ” ）の電荷の不一致にあると考えられる。
きに、該先導波路内を伝播し外部に取り出される光の強
度が、散乱によつ−Ｃ１ｉｉｉ記人力光強度に比例して
は増大しな？なる現象」を１↑うつこのような光学損傷
が生じるＪｆｆ因は、ＬｉＮｂ０゜結晶基板内で、チタ
ン（１’ｉ）を熱転ｎ（させてニオブ（Ｎｂ）の空格子
に入れる際の、チタンイオン（Ｔｉ”）とニオブイオン
（Ｎｂ” ）の電荷の不一致にあると考えられる。
一方１．に記光学損傷を数片する薄ｎり光力波路の作成
方法として、イオン交換法が知られている。
方法として、イオン交換法が知られている。
この方法は、硝酸クリウム（以下ＴｌＮ０．と記す）又
は硝酸銀（以下ＡｇＮ０．と記１゛）の溶融塩中でＬｉ
Ｎｂ０ｒ又はＬｉＴａ０． ｃｙ）結晶ノ、（板を低ｆ
Ｊ４熱処理することにより、該結晶基板の表面から深ざ
方向に対して１−３ ｐ−ｍ程１ηの範囲で、該結晶基
板内のり手つムイオン（Ｌｉ＋）を、溶液塩中のタリウ
ム（Ｔ１）又は銀（八ｇ）のイオン種と交模し、大きな
屈折４を差（Δｎ〜０．１２）をもつ光導波路層を形成
させるものである。この方法で作成された＃Ａ膜導披路
は、リチウムイオン（Ｌｉ”）が等しい価数のタリウム
イオン（ＴＩ” ）又は銀ｒオン（Ａｇ“）でどき換え
られる為、電荷の不一・致が生ぜず、前記光学損傷のし
きい値が向」ニするものである。
は硝酸銀（以下ＡｇＮ０．と記１゛）の溶融塩中でＬｉ
Ｎｂ０ｒ又はＬｉＴａ０． ｃｙ）結晶ノ、（板を低ｆ
Ｊ４熱処理することにより、該結晶基板の表面から深ざ
方向に対して１−３ ｐ−ｍ程１ηの範囲で、該結晶基
板内のり手つムイオン（Ｌｉ＋）を、溶液塩中のタリウ
ム（Ｔ１）又は銀（八ｇ）のイオン種と交模し、大きな
屈折４を差（Δｎ〜０．１２）をもつ光導波路層を形成
させるものである。この方法で作成された＃Ａ膜導披路
は、リチウムイオン（Ｌｉ”）が等しい価数のタリウム
イオン（ＴＩ” ）又は銀ｒオン（Ａｇ“）でどき換え
られる為、電荷の不一・致が生ぜず、前記光学損傷のし
きい値が向」ニするものである。
しかし、溶融塩としてＴＩＩＪＯ，を用いる上記方法に
よって作成した薄膜光導波路は、イオン交換処理のため
結晶基板の表面が荒れ、光伝播損失が増大する。また、
タリウｉ、（ＴＩ）は人体に有害であり、作成の際に作
業性が悪い等の問題があった。
よって作成した薄膜光導波路は、イオン交換処理のため
結晶基板の表面が荒れ、光伝播損失が増大する。また、
タリウｉ、（ＴＩ）は人体に有害であり、作成の際に作
業性が悪い等の問題があった。
また、溶融塩としてＡ ｇ Ｉｆ Ｏｘを用いる場合、
イオン交換処理中にＡ３Ｎ０．が分解し、析出した金属
銀か結晶基板表面に付着し、処理後の洗浄によってもと
れず、作成した薄膜先導波路の光伝播損失が大きいとい
う問題点があった。
イオン交換処理中にＡ３Ｎ０．が分解し、析出した金属
銀か結晶基板表面に付着し、処理後の洗浄によってもと
れず、作成した薄膜先導波路の光伝播損失が大きいとい
う問題点があった。
［発明の目的］
本発明の目的は、前記従来例の問題点を解決することに
ある。すなわち、本発明の第１の目的を愛しきい値の十
分高い薄膜光導波路を作成できる光導波路の作成方法を
提供することである。本発明の第２の目的は作業性のよ
い先導波路の作成方法を提供することである。本発明の
第３の目的は！伝播損失の低い薄膜導波路の作成方法を
提供することである。本発明の第４ （７） １１的は
人体に害をＬＴ。
ある。すなわち、本発明の第１の目的を愛しきい値の十
分高い薄膜光導波路を作成できる光導波路の作成方法を
提供することである。本発明の第２の目的は作業性のよ
い先導波路の作成方法を提供することである。本発明の
第３の目的は！伝播損失の低い薄膜導波路の作成方法を
提供することである。本発明の第４ （７） １１的は
人体に害をＬＴ。
えることのない先導岐路の作成方法を提供することであ
る。
る。
かかる目的は、Ｘ板若しくはＸ板のニウプ酸リチウム（
ＬｉＮｂＯｔ ）結晶ノ＾板又はタンタル酸リチウム（
ＬｉＴａＯｔ ）結晶基板を、カルボン酸中で加熱し、
該結晶基板の表面に高屈折率層を形成する１方膜光導波
路の作成方法によって達成される７［発明の実施例］ Ｊ：Ｊ、ドに未発明の実施例を図面に基づいて説明する
。
ＬｉＮｂＯｔ ）結晶ノ＾板又はタンタル酸リチウム（
ＬｉＴａＯｔ ）結晶基板を、カルボン酸中で加熱し、
該結晶基板の表面に高屈折率層を形成する１方膜光導波
路の作成方法によって達成される７［発明の実施例］ Ｊ：Ｊ、ドに未発明の実施例を図面に基づいて説明する
。
実施例１
まず、Ｘカーｙ ｌ−ノＬｉＮｂＯ３結晶基板１（ｘ方
向に２１１１１１１！Ｘ、Ｚ方向及びｙ方向に大々１イ
ンチ）の−面（例えばＸ面）をニュートンリング数本以
内のｆ節度に研磨した後、夫々、アセトン、純水による
通常の超ａ波ａ詐を行ない、窒素ガスを吹きつけて乾燥
させた。なお、ここでｘ、ｙ、ｚ方向とは夫々結晶＠（
２，１，θ）若しくは（２，１，０）；（０，１，０）
。
向に２１１１１１１！Ｘ、Ｚ方向及びｙ方向に大々１イ
ンチ）の−面（例えばＸ面）をニュートンリング数本以
内のｆ節度に研磨した後、夫々、アセトン、純水による
通常の超ａ波ａ詐を行ない、窒素ガスを吹きつけて乾燥
させた。なお、ここでｘ、ｙ、ｚ方向とは夫々結晶＠（
２，１，θ）若しくは（２，１，０）；（０，１，０）
。
（０，０，１）をいう。次にｆｏｒｃｅの石英製ビーカ
ー中に、サリチル酸（０−ＩＯＣ：、 Ｈ４Ｃ００Ｈ）
を８０ｃｃ入れ、Ｊ−２洗ｆｌ・・乾燥したＬｉＮｂＯ
３結晶基板を、高屈折＝１＜層を形成する１−記研磨し
た方の面を１−にしてこのビーカー中に置く。ついで、
ＬｉＮｂ０ｚ結晶基板の入ったビーカーを、ビーカーご
と熱炉に入れて、２９０°Ｃの温度で１０時間保持し、
イオン交換を行なった。このイオン交換処理によって、
前記結晶基板の表面近くのリチウムイオン（Ｌｉ＋）が
外部に放出されて、この空格子に水素イオン（Ｈ＋）が
；４人され、重連のような高屈折＝ｔ＜ｒが１杉成され
る。
ー中に、サリチル酸（０−ＩＯＣ：、 Ｈ４Ｃ００Ｈ）
を８０ｃｃ入れ、Ｊ−２洗ｆｌ・・乾燥したＬｉＮｂＯ
３結晶基板を、高屈折＝１＜層を形成する１−記研磨し
た方の面を１−にしてこのビーカー中に置く。ついで、
ＬｉＮｂ０ｚ結晶基板の入ったビーカーを、ビーカーご
と熱炉に入れて、２９０°Ｃの温度で１０時間保持し、
イオン交換を行なった。このイオン交換処理によって、
前記結晶基板の表面近くのリチウムイオン（Ｌｉ＋）が
外部に放出されて、この空格子に水素イオン（Ｈ＋）が
；４人され、重連のような高屈折＝ｔ＜ｒが１杉成され
る。
前記イオン交換処理の後、熱炉への電力供給をｙ）す、
炉内の温度が室１１．４に戻るまで自然放置した。
炉内の温度が室１１．４に戻るまで自然放置した。
このようにして作成した先導波路をｔ５１図に示す。結
晶基板ｌ内のリチウムイオン（Ｌｉ＋）が。
晶基板ｌ内のリチウムイオン（Ｌｉ＋）が。
水素イオン（Ｈ＋）に交換されることによって高屈折率
層２が形成されている。ブリズトτのも一合器を介・し
て高屈折率層２に導入された光は、該層と結晶基板１と
の屈折率の差によって、高屈折率層２中に閉じ込められ
、該層中を伝播する。
層２が形成されている。ブリズトτのも一合器を介・し
て高屈折率層２に導入された光は、該層と結晶基板１と
の屈折率の差によって、高屈折率層２中に閉じ込められ
、該層中を伝播する。
この方法で作成した薄膜光ど）活路は、従来のＡｇＮ０
．等を用いて作成されたものと異なり、結晶ノふ板表面
の着色現象、表面の荒れ１表面への（ｌ 、’ｆｊ物等
は全く見られなかった、 ｌ二記の方法で作成したプラナ−型薄膜先導波路の特性
を調べる為、ルチルプリブトを用いて、 Ｊｌυｊ：
６３２８ Ａ （７） ＴＥモードのＨｅ−Ｎｅ光をｙ
方向へ導入し、尤伝播損失の測定を行なった。この結果
、光伝播損失は０６ｄＢ／ｃｍと非常に小さいことがわ
かった。また人力光のビーム（革を２間とし、人力光と
出力光との比を、人力光の強度をガ化させて測定したと
ころ、光学旧傷のしきいイ１１はＴｅモートの）ｌｅ−
Ｎｅ光でｌｏｍＷ／ｃｍの値を得た。これは、チタン（
Ｔｉ）を拡ｌｌｋすることによって作成された従来の薄
膜先導波路が、１ｍＷ／ｃｍの人力光で１秒以内に光学
損傷が生じるのに比へ、本実施例に係る薄膜先導波路は
非常に高い光学損傷のしきい値を有することを示してい
る。
．等を用いて作成されたものと異なり、結晶ノふ板表面
の着色現象、表面の荒れ１表面への（ｌ 、’ｆｊ物等
は全く見られなかった、 ｌ二記の方法で作成したプラナ−型薄膜先導波路の特性
を調べる為、ルチルプリブトを用いて、 Ｊｌυｊ：
６３２８ Ａ （７） ＴＥモードのＨｅ−Ｎｅ光をｙ
方向へ導入し、尤伝播損失の測定を行なった。この結果
、光伝播損失は０６ｄＢ／ｃｍと非常に小さいことがわ
かった。また人力光のビーム（革を２間とし、人力光と
出力光との比を、人力光の強度をガ化させて測定したと
ころ、光学旧傷のしきいイ１１はＴｅモートの）ｌｅ−
Ｎｅ光でｌｏｍＷ／ｃｍの値を得た。これは、チタン（
Ｔｉ）を拡ｌｌｋすることによって作成された従来の薄
膜先導波路が、１ｍＷ／ｃｍの人力光で１秒以内に光学
損傷が生じるのに比へ、本実施例に係る薄膜先導波路は
非常に高い光学損傷のしきい値を有することを示してい
る。
一力、前述の人力光のモードをＴ１１モードに変換して
、前記実施例の薄膜先導波路への入射実験を試みたが
７Ｍモード光の導波は確Ｊｚできなかった。これは、水
素イオン（Ｐ ）が、結晶基板のリチウムイオン（Ｌｉ
中）の空路ｒ−に、特定の結合方向で導入される為、未
実施４ｆｎで形成された高ｆｉ＋’、折率層は、異常屈
折率のみが増加している為である。
、前記実施例の薄膜先導波路への入射実験を試みたが
７Ｍモード光の導波は確Ｊｚできなかった。これは、水
素イオン（Ｐ ）が、結晶基板のリチウムイオン（Ｌｉ
中）の空路ｒ−に、特定の結合方向で導入される為、未
実施４ｆｎで形成された高ｆｉ＋’、折率層は、異常屈
折率のみが増加している為である。
実施例２
木実施例においては、結晶基板としてＬｉＴａ０゜を用
いる。その他の点ｊＵ嶋例１と同様でｔする。
いる。その他の点ｊＵ嶋例１と同様でｔする。
木実施例においても、従来のＡｇＮ０．等を用いて作成
されたものと異なり、結晶５（（板、Ｊ（面の着色す、
１゜象１表面の荒れ、表面への付着物等は全＜’ ｌ、
Ｉ、ら、１シなかった。
されたものと異なり、結晶５（（板、Ｊ（面の着色す、
１゜象１表面の荒れ、表面への付着物等は全＜’ ｌ、
Ｉ、ら、１シなかった。
また、実施例１ｋｐｊＪ材に光伝播損失の測定を行なっ
たところ実施例１と同様の結果が得られた。
たところ実施例１と同様の結果が得られた。
実施例３
本実施例では、イオン９倹川の＃清として第１表に示す
サリチル酸以外のカルボン酸を用いた。
サリチル酸以外のカルボン酸を用いた。
他の点は実施例■と同様である。
実施例１と同様の結果が得られた。
［９，明の効果１
本発明は以トのように構成したので、次の効里が得られ
る。すなわち しきい値のヒ分高いｔｔす収光導波路を
作成できる。作業性よく先導波路２作成することができ
る。光体Ｉ富ＩＪ３失の低いｉη膜導波路を作成するこ
とがせきる。人体に害をり°えることなく尤心波路を作
成することができる。
る。すなわち しきい値のヒ分高いｔｔす収光導波路を
作成できる。作業性よく先導波路２作成することができ
る。光体Ｉ富ＩＪ３失の低いｉη膜導波路を作成するこ
とがせきる。人体に害をり°えることなく尤心波路を作
成することができる。
第１図及 び第２図は本発明の一実施例に係る作成方法
で作成した薄＋１Ａ光イｙ波路を小しており、第１図は
斜視図であり第２図は断面図である。 １・・結晶基板、２・・高屈折率層。 −１′ マ １／ イ ン 酸 ＨＯＯＣＣＨ＝Ｃ）（ＣＯＯＨ
７７ＪＬ／ Ｌｖ ＨＯＯＣＣＨ＝ ＣＨＣＯＯＨ安
、ｅ、香 酸 Ｃ６Ｈ５Ｃ００Ｈ Ｏ−） タル酸 ０−Ｃ６Ｈ４（ＣＯＯＨ）０−サリチ
ル酸 ０−ＨＯＣ，Ｈ４Ｃ０ＯＨアントラニル桂醇 ０
−Ｈ７ＮＣ，Ｈ４Ｃ０ＯＨ桂 皮 酎 Ｃ，Ｈ，ＣＨ＝
ＣＨＣ０ＯＨ１４− （ｃｌｓ） １３３ （ｔｒａｎｓ） ２７８ １２２ ２４９ ２０６〜２０Ｂ １５８ ２５６ ４７ ＋３３ ３００ 第１ 図Ａ ４ 第１図８５ Ｔ”−ｆｒ売ネ市１そ７！−２（方式）％式％ 事件の表示 特願昭５８−１１５’２１、 発明の名称 薄膜光導波路の作成方法 補正をする者 事件との１男係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル昭和５８年９ Ｊｌ ２７ 日 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の憫及び図面の簡単な説明の
欄７ 補正の内容 （１）明細書ｆ！Ｓ６頁８行口の「光導波路を第１図に
」を「光導波路の斜視図及び断面図をそれぞれ第１１′
１４Ａ及び第１図Ｂに」と訂１１−する。 （２）明ｍ害第９頁５〜８行「１を次の様に訂正する。 「第１１：ｌＡ及びｆ５１図Ｂはそれぞれ本発明の一実
施例に係る作成方法で作成した薄膜光導波路の斜視図及
び断面図を示す。」記 手続補正指令書において適正な第２図の提出をめられた
が、１−記の如く明細書の記載を訂正したので第２図は
不要となった。
で作成した薄＋１Ａ光イｙ波路を小しており、第１図は
斜視図であり第２図は断面図である。 １・・結晶基板、２・・高屈折率層。 −１′ マ １／ イ ン 酸 ＨＯＯＣＣＨ＝Ｃ）（ＣＯＯＨ
７７ＪＬ／ Ｌｖ ＨＯＯＣＣＨ＝ ＣＨＣＯＯＨ安
、ｅ、香 酸 Ｃ６Ｈ５Ｃ００Ｈ Ｏ−） タル酸 ０−Ｃ６Ｈ４（ＣＯＯＨ）０−サリチ
ル酸 ０−ＨＯＣ，Ｈ４Ｃ０ＯＨアントラニル桂醇 ０
−Ｈ７ＮＣ，Ｈ４Ｃ０ＯＨ桂 皮 酎 Ｃ，Ｈ，ＣＨ＝
ＣＨＣ０ＯＨ１４− （ｃｌｓ） １３３ （ｔｒａｎｓ） ２７８ １２２ ２４９ ２０６〜２０Ｂ １５８ ２５６ ４７ ＋３３ ３００ 第１ 図Ａ ４ 第１図８５ Ｔ”−ｆｒ売ネ市１そ７！−２（方式）％式％ 事件の表示 特願昭５８−１１５’２１、 発明の名称 薄膜光導波路の作成方法 補正をする者 事件との１男係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル昭和５８年９ Ｊｌ ２７ 日 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の憫及び図面の簡単な説明の
欄７ 補正の内容 （１）明細書ｆ！Ｓ６頁８行口の「光導波路を第１図に
」を「光導波路の斜視図及び断面図をそれぞれ第１１′
１４Ａ及び第１図Ｂに」と訂１１−する。 （２）明ｍ害第９頁５〜８行「１を次の様に訂正する。 「第１１：ｌＡ及びｆ５１図Ｂはそれぞれ本発明の一実
施例に係る作成方法で作成した薄膜光導波路の斜視図及
び断面図を示す。」記 手続補正指令書において適正な第２図の提出をめられた
が、１−記の如く明細書の記載を訂正したので第２図は
不要となった。
Claims (1)
- ｌｘ板若しくはＺ＆のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯｌ
）結晶基板又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０：＋
）結晶基板を、カルボン酸中で加熱し、該結晶基板の
表面に高屈折半音を形成する薄ｌｌ／、ｉ光導波路の作
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115212A JPS607403A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 薄膜光導波路の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115212A JPS607403A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 薄膜光導波路の作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607403A true JPS607403A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14657136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115212A Pending JPS607403A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 薄膜光導波路の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607403A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189686A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ装置 |
| JPS61275806A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光素子形成方法 |
| JPS62293203A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テ−パ状光導波路の作製方法 |
| JPS62293206A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光素子の形成方法 |
| JPS62293208A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光素子の形成方法 |
| JPS62293202A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テ−パ状光導波路の作製方法 |
| JPS63158506A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光素子の製造方法 |
| JPH05142438A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光素子形成方法 |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP58115212A patent/JPS607403A/ja active Pending
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