JPS62293203A - テ−パ状光導波路の作製方法 - Google Patents
テ−パ状光導波路の作製方法Info
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- JPS62293203A JPS62293203A JP61136554A JP13655486A JPS62293203A JP S62293203 A JPS62293203 A JP S62293203A JP 61136554 A JP61136554 A JP 61136554A JP 13655486 A JP13655486 A JP 13655486A JP S62293203 A JPS62293203 A JP S62293203A
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- tapered optical
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明はコヒーレント光を使用する光情報処理２ページ
分野あるいは光通信、光応用計測制御分野に使用される
光導波路とレーザおよび光ファイバとの高効率結合を可
能にするテーパ状光導波路作製方法に関するものである
。
光導波路とレーザおよび光ファイバとの高効率結合を可
能にするテーパ状光導波路作製方法に関するものである
。
従来の技術
プロトン交換法によりＬ Ｉ Ｎｂ Ｏｓ上に光導波路
を形成し、ＴＥ／ＴＭモードスプリッタや波長変換素子
などが作製されていた。上記光導波路への結合効率を向
上させるため光入射部をテーパ状にすることが考えられ
る。
を形成し、ＴＥ／ＴＭモードスプリッタや波長変換素子
などが作製されていた。上記光導波路への結合効率を向
上させるため光入射部をテーパ状にすることが考えられ
る。
従来、テーパ状光導波路の作製方法としてアプライド°
オプティックス（Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ）１
９７９年３月号 Ｖｏｌ １Ｂ、ＡＳ ９００−９０２
頁のジェー・シー・ギヤ／ベル氏（ＬＣ，Ｃａｍｐｂｅ
ｌｌ ）による方法がある。この方法は第３図に示さ
れるように保護マスク７が形成された基板１′を徐々に
硝酸銀６ｂ溶液に浸していくことにより拡散深さを変化
させてテーパ状光導波路を形成するというものである。
オプティックス（Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ）１
９７９年３月号 Ｖｏｌ １Ｂ、ＡＳ ９００−９０２
頁のジェー・シー・ギヤ／ベル氏（ＬＣ，Ｃａｍｐｂｅ
ｌｌ ）による方法がある。この方法は第３図に示さ
れるように保護マスク７が形成された基板１′を徐々に
硝酸銀６ｂ溶液に浸していくことにより拡散深さを変化
させてテーパ状光導波路を形成するというものである。
発明が解決しようとする問題点
３ベー／
このような従来の方法では基板であるＬ ｉＮｂ ０３
基板に安息香酸などの酸を用いてテーパ状光導波路を作
製する場合、溶液の蒸気のため光入射部以外の部分もプ
ロトン交換されてしまうという問題があった。また量産
性、制御性を良くするためには装置自体が大がかりにな
ってしまうという問題もあった。
基板に安息香酸などの酸を用いてテーパ状光導波路を作
製する場合、溶液の蒸気のため光入射部以外の部分もプ
ロトン交換されてしまうという問題があった。また量産
性、制御性を良くするためには装置自体が大がかりにな
ってしまうという問題もあった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は強誘電体基板の表面に酸を塗布し、光入射部と
光導波部の温度に変化を付はテーパ状導波路を作製しよ
うとするものである。
光導波部の温度に変化を付はテーパ状導波路を作製しよ
うとするものである。
作 用
本発明の構成によれば蒸気の影響は受けず簡単に制御性
良く、しかも一度の熱処理によりテーパ状光導波路を作
製することができる。
良く、しかも一度の熱処理によりテーパ状光導波路を作
製することができる。
実施例
第１図は本発明のテーパ状光導波路の作製方法の一実施
例を示す構成図である。同図（ａ）で１はＬｉＮｂＯ３
基板、２はピロ燐酸、３，４は加熱されたＡｌブロック
である。ピロ燐酸２は純度９５チのものを用いスピンナ
で３０ Ｏｒ、ｐ、ｍ、 １０ 秒間塗布を行った。ま
たＡｌ ブロック３は２３０℃，Ａｌブロック４は２６
０°Ｃに加熱されている。このブロック３，４上でＬ
ｚＮｂ Ｏｓ基板１を１０分間熱処理し、プロトン交換
によりテーパ状光導波路を作製した。同図（ｂ）に上記
プロセスにより作製されたテーパ状光導波路の断面図を
示す。光導波部５は厚み０．５μｍ、光入射部６は厚み
１μｍとなった。
例を示す構成図である。同図（ａ）で１はＬｉＮｂＯ３
基板、２はピロ燐酸、３，４は加熱されたＡｌブロック
である。ピロ燐酸２は純度９５チのものを用いスピンナ
で３０ Ｏｒ、ｐ、ｍ、 １０ 秒間塗布を行った。ま
たＡｌ ブロック３は２３０℃，Ａｌブロック４は２６
０°Ｃに加熱されている。このブロック３，４上でＬ
ｚＮｂ Ｏｓ基板１を１０分間熱処理し、プロトン交換
によりテーパ状光導波路を作製した。同図（ｂ）に上記
プロセスにより作製されたテーパ状光導波路の断面図を
示す。光導波部５は厚み０．５μｍ、光入射部６は厚み
１μｍとなった。
次に厚み方向だけでなく横方向にも光が閉じ込められる
三次元導波路作製について第２図を用いて説明する。ま
ずＬ Ｉ Ｎｂ Ｏｓ基板１上に蒸着、フォトプロセス
などによりＴａによる保護マスク７および保護マスク７
に形成されたスリット８を形成する。このＬｉＮｂｏ３
基板１を先の実施例と同様にＡｌブロック４，５を用い
て熱処理しスリット８直下に厚み０．５μｍの光導波部
と厚み１μｍの光入射部が得られた。Ｈｅ−Ｎｅレーザ
とこのテーパ状光導波路との結合効率は光導波部だけの
ときの値３０％に対して１．６倍の４６％が得られた。
三次元導波路作製について第２図を用いて説明する。ま
ずＬ Ｉ Ｎｂ Ｏｓ基板１上に蒸着、フォトプロセス
などによりＴａによる保護マスク７および保護マスク７
に形成されたスリット８を形成する。このＬｉＮｂｏ３
基板１を先の実施例と同様にＡｌブロック４，５を用い
て熱処理しスリット８直下に厚み０．５μｍの光導波部
と厚み１μｍの光入射部が得られた。Ｈｅ−Ｎｅレーザ
とこのテーパ状光導波路との結合効率は光導波部だけの
ときの値３０％に対して１．６倍の４６％が得られた。
光導波部と光入射部との間には温度分布によって良６ヘ
ー。
ー。
好なテーパ部が形成されたと思われる。
なお実施例では良質の基板が入手し易いＬ １ＮｂＯｓ
基板を用いたがＬ ｚ Ｔ ａ ０３基板などの強誘電
体にも有効である。また酸として室温で液状であるピロ
燐酸を用いたが塗布できるものであればこれに限ること
はない。
基板を用いたがＬ ｚ Ｔ ａ ０３基板などの強誘電
体にも有効である。また酸として室温で液状であるピロ
燐酸を用いたが塗布できるものであればこれに限ること
はない。
壕だＬｉＮめ。は＋Ｚ板または−Ｚ板を用いると、他の
ｘ、ｙ板等に比べ化学損傷を受けずに良好な光導波路が
形成できる。
ｘ、ｙ板等に比べ化学損傷を受けずに良好な光導波路が
形成できる。
発明の効果
以上のように本発明のテーパ状光導波路作製方法によれ
ば、光入射部、テーパ部、光導波部の三部分が同時に作
製でき大幅にプロセスを簡略化することができる。また
光入射部形成の際に光導波部も同時に形成されるため酸
の蒸気による作製ムラを生じることもなく、制御性の点
でも優れている。まだ上記のように簡単に制御性良くテ
ーパ状光導波路が作製でき量産性に対しても有利となる
。
ば、光入射部、テーパ部、光導波部の三部分が同時に作
製でき大幅にプロセスを簡略化することができる。また
光入射部形成の際に光導波部も同時に形成されるため酸
の蒸気による作製ムラを生じることもなく、制御性の点
でも優れている。まだ上記のように簡単に制御性良くテ
ーパ状光導波路が作製でき量産性に対しても有利となる
。
第１図は本発明の第一実施例におけるテーパ状６ベージ
光導波路の作製方法を示す断面図、第２図は同第二の実
施例を示す斜視図、第３図は従来のテーパ状光導波路の
作製方法を示す構成−である。 １・・・・・Ｌ ｚ Ｎｂ Ｏｓ基板、２・・・・・ピ
ロ燐酸、６・・・・・・光導波部、６・・・・・・光入
射部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図
施例を示す斜視図、第３図は従来のテーパ状光導波路の
作製方法を示す構成−である。 １・・・・・Ｌ ｚ Ｎｂ Ｏｓ基板、２・・・・・ピ
ロ燐酸、６・・・・・・光導波部、６・・・・・・光入
射部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図
Claims (3)
- （１）ＬｉＮｂ＿ｘＴａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｏ＿３（
０≦ｘ≦１）基板の表面に融点が９０℃以下である液状
の酸を塗布する工程と、前記ＬｉＮｂ＿ｘＴａ＿（＿１
＿−＿ｘ＿）Ｏ＿３（０≦ｘ≦１）基板の光入射部が形
成される部分の温度Ｔ＿１が光導波部が形成される部分
の温度Ｔ＿２よりも高くなるような熱処理を行う工程と
を含んでなるテーパ状光導波路の作製方法。 - （２）ＬｉＮｂ＿ｘＴａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ｏ＿３（
０≦ｘ≦１）基板が＋Ｚ板または−Ｚ板である特許請求
の範囲第（１）項記載のテーパ状光導波路の作製方法。 - （３）ピロ燐酸（Ｈ＿４Ｐ＿２Ｏ＿７）を主成分とする
酸を用いた特許請求の範囲第（１）項記載のテーパ状光
導波路の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136554A JPH0715528B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | テ−パ状光導波路の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136554A JPH0715528B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | テ−パ状光導波路の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293203A true JPS62293203A (ja) | 1987-12-19 |
| JPH0715528B2 JPH0715528B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15177935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61136554A Expired - Fee Related JPH0715528B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | テ−パ状光導波路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715528B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607403A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Canon Inc | 薄膜光導波路の作成方法 |
| JPS60133405A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-16 | Canon Inc | パタ−ン形成法 |
| JPS6170541A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Canon Inc | 薄膜型光学素子およびその作製方法 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP61136554A patent/JPH0715528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607403A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Canon Inc | 薄膜光導波路の作成方法 |
| JPS60133405A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-16 | Canon Inc | パタ−ン形成法 |
| JPS6170541A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Canon Inc | 薄膜型光学素子およびその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715528B2 (ja) | 1995-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |