JP2002374030A - コヒーレント光源及びその製造方法 - Google Patents
コヒーレント光源及びその製造方法Info
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/424—Mounting of the optical light guide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出射角や発光位置が高精度に制御されたコヒ
ーレント光源を実現する。 【解決手段】 波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２とをＳｉサブマウント７
上に実装し、Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１内に
固定してコヒーレント光源とする。パッケージ１１のサ
ブマウント固定面に、Ｓｉサブマウント７を固定する際
の基準マーカーである基準線Ａ、Ｂを形成する。
ーレント光源を実現する。 【解決手段】 波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２とをＳｉサブマウント７
上に実装し、Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１内に
固定してコヒーレント光源とする。パッケージ１１のサ
ブマウント固定面に、Ｓｉサブマウント７を固定する際
の基準マーカーである基準線Ａ、Ｂを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザと光
導波路デバイスとを備え、パッケージ内に固定されるコ
ヒーレント光源に関する。
導波路デバイスとを備え、パッケージ内に固定されるコ
ヒーレント光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】小型の短波長光源として、半導体レーザ
と擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波
路型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス
（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）を用いたコヒー
レント光源が注目されている（山本他、Optics Letters
Vol.16, No.15, 1156 (1991)参照）。
と擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波
路型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス
（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）を用いたコヒー
レント光源が注目されている（山本他、Optics Letters
Vol.16, No.15, 1156 (1991)参照）。
【０００３】図１２に、光導波路型ＱＰＭ―ＳＨＧデバ
イスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成を示す。
イスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成を示す。
【０００４】図１２に示すように、このＳＨＧ青色光源
においては、半導体レーザとして、分布ブラッグ反射器
（以下『ＤＢＲ』と記す）領域を有する波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ５４が用いられている。波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ５４は、０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級Ａｌ
ＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体レーザであり、活性層
領域５６と位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８とを備え
ている。そして、位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８へ
の注入電流を同時に変化させることにより、連続的に発
振波長を変化させることができる。
においては、半導体レーザとして、分布ブラッグ反射器
（以下『ＤＢＲ』と記す）領域を有する波長可変ＤＢＲ
半導体レーザ５４が用いられている。波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ５４は、０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級Ａｌ
ＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体レーザであり、活性層
領域５６と位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８とを備え
ている。そして、位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８へ
の注入電流を同時に変化させることにより、連続的に発
振波長を変化させることができる。
【０００５】波長変換素子である光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス５５は、０．５ｍｍ厚のＸ板ＭｇＯドープ
ＬｉＮｂＯ3 基板５９上に形成された、光導波路６０と
周期的な分極反転領域６１とにより構成されている。光
導波路６０は、ピロリン酸中でプロトン交換することに
よって形成される。また、周期的な分極反転領域６１
は、櫛形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板５
９上に形成し、電界を印加することによって作製され
る。
ＨＧデバイス５５は、０．５ｍｍ厚のＸ板ＭｇＯドープ
ＬｉＮｂＯ3 基板５９上に形成された、光導波路６０と
周期的な分極反転領域６１とにより構成されている。光
導波路６０は、ピロリン酸中でプロトン交換することに
よって形成される。また、周期的な分極反転領域６１
は、櫛形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板５
９上に形成し、電界を印加することによって作製され
る。
【０００６】上記構成のＳＨＧ青色光源においては、１
００ｍＷのレーザ出力に対して６０ｍＷのレーザ光が光
導波路６０に結合するように、波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ５４と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５がＳ
ｉサブマウント６２上に実装される。そして、波長可変
ＤＢＲ半導体レーザ５４の位相調整領域５７及びＤＢＲ
領域５８への注入電流量を制御することにより、発振波
長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス（波長変換デバ
イス）５５の位相整合波長許容度内に固定される。この
ＳＨＧ青色光源を用いれば、波長４２５ｎｍの青色光が
１０ｍＷ程度得られるが、得られる青色光は、横モード
がＴＥ00モードで回折限界の集光特性を有し、ノイズ特
性も相対雑音強度が−１４０ｄＢ／Ｈｚ以下と小さい。
００ｍＷのレーザ出力に対して６０ｍＷのレーザ光が光
導波路６０に結合するように、波長可変ＤＢＲ半導体レ
ーザ５４と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５がＳ
ｉサブマウント６２上に実装される。そして、波長可変
ＤＢＲ半導体レーザ５４の位相調整領域５７及びＤＢＲ
領域５８への注入電流量を制御することにより、発振波
長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス（波長変換デバ
イス）５５の位相整合波長許容度内に固定される。この
ＳＨＧ青色光源を用いれば、波長４２５ｎｍの青色光が
１０ｍＷ程度得られるが、得られる青色光は、横モード
がＴＥ00モードで回折限界の集光特性を有し、ノイズ特
性も相対雑音強度が−１４０ｄＢ／Ｈｚ以下と小さい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般に、半導体レーザ
においては、光ディスク等の外部から反射して戻ってく
る光に対して、強度ノイズが増加する戻り光ノイズが生
じる。しかし、ＳＨＧ青色光源においては、波長変換に
よって得られる青色光が外部に導かれるため、この戻り
光ノイズは生じない。その一方で、基本波である半導体
レーザには、戻り光によってノイズの増大が生じるた
め、半導体レーザへの戻り光を低減する必要がある。す
なわち、光導波路型ＱＰＭ―ＳＨＧデバイスからの戻り
光を低減する必要がある。
においては、光ディスク等の外部から反射して戻ってく
る光に対して、強度ノイズが増加する戻り光ノイズが生
じる。しかし、ＳＨＧ青色光源においては、波長変換に
よって得られる青色光が外部に導かれるため、この戻り
光ノイズは生じない。その一方で、基本波である半導体
レーザには、戻り光によってノイズの増大が生じるた
め、半導体レーザへの戻り光を低減する必要がある。す
なわち、光導波路型ＱＰＭ―ＳＨＧデバイスからの戻り
光を低減する必要がある。
【０００８】光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスからの
戻り光を低減するために、デバイスの出射端面を斜めに
カットする方法が提案されている（特開２０００−１７
１６５３）。出射端面を６゜に斜めカットすることによ
り、戻り光量を数１００分の１程度に低減することがで
き、その結果、安定な出力動作、及びノイズの低減を実
現することができる。
戻り光を低減するために、デバイスの出射端面を斜めに
カットする方法が提案されている（特開２０００−１７
１６５３）。出射端面を６゜に斜めカットすることによ
り、戻り光量を数１００分の１程度に低減することがで
き、その結果、安定な出力動作、及びノイズの低減を実
現することができる。
【０００９】このように斜めカットされた光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイスと半導体レーザとにより構成され
るＳＨＧ青色光源においては、出射端面から得られるビ
ームがスネルの法則によって斜め方向に曲げられる。こ
のＳＨＧ青色光源を光ディスク装置等に用いる場合に
は、パッケージの出射端面、すなわち、出射窓に対して
垂直方向にビームが出射されるように制御する必要があ
る。一般に、出射端面には出射窓（透明ガラスなど）が
取り付けられており、出射窓に対して斜め方向に光が出
射すると、その光を集光したときに非点収差が発生す
る。つまり、出射角や発光位置を高精度に制御する必要
がある。そして、このように出射角や発光位置が高精度
に制御されていると、光の伝達効率を大きくすることも
できる。
ＰＭ−ＳＨＧデバイスと半導体レーザとにより構成され
るＳＨＧ青色光源においては、出射端面から得られるビ
ームがスネルの法則によって斜め方向に曲げられる。こ
のＳＨＧ青色光源を光ディスク装置等に用いる場合に
は、パッケージの出射端面、すなわち、出射窓に対して
垂直方向にビームが出射されるように制御する必要があ
る。一般に、出射端面には出射窓（透明ガラスなど）が
取り付けられており、出射窓に対して斜め方向に光が出
射すると、その光を集光したときに非点収差が発生す
る。つまり、出射角や発光位置を高精度に制御する必要
がある。そして、このように出射角や発光位置が高精度
に制御されていると、光の伝達効率を大きくすることも
できる。
【００１０】本発明は、以上の点に鑑みてなされたもの
であり、出射角や発光位置が高精度に制御されたコヒー
レント光源を提供することを目的とする。
であり、出射角や発光位置が高精度に制御されたコヒー
レント光源を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るコヒーレント光源の第１の構成は、少
なくとも半導体レーザと光導波路デバイスとがサブマウ
ント上に実装され、前記サブマウントがパッケージ内に
固定されて構成されたコヒーレント光源であって、前記
パッケージのサブマウント固定面に、前記サブマウント
を固定する際の基準マーカーが形成されていることを特
徴とする。このコヒーレント光源の第１の構成によれ
ば、基準マーカーを高精度に形成し、パッケージのサブ
マウント固定面に形成された基準マーカーを基準として
サブマウントを固定することにより、出射角や発光位置
が高精度に調整されたコヒーレント光源を実現すること
が可能となる。
め、本発明に係るコヒーレント光源の第１の構成は、少
なくとも半導体レーザと光導波路デバイスとがサブマウ
ント上に実装され、前記サブマウントがパッケージ内に
固定されて構成されたコヒーレント光源であって、前記
パッケージのサブマウント固定面に、前記サブマウント
を固定する際の基準マーカーが形成されていることを特
徴とする。このコヒーレント光源の第１の構成によれ
ば、基準マーカーを高精度に形成し、パッケージのサブ
マウント固定面に形成された基準マーカーを基準として
サブマウントを固定することにより、出射角や発光位置
が高精度に調整されたコヒーレント光源を実現すること
が可能となる。
【００１２】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
１の構成においては、前記光導波路デバイスの出射端面
と、前記基準マーカーによって検出される基準線又は２
個以上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される仮想基
準線とがほぼ平行となるように、前記サブマウントが固
定されているのが好ましい。
１の構成においては、前記光導波路デバイスの出射端面
と、前記基準マーカーによって検出される基準線又は２
個以上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される仮想基
準線とがほぼ平行となるように、前記サブマウントが固
定されているのが好ましい。
【００１３】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
１の構成においては、前記光導波路デバイス上に、光導
波路を中心として導波方向に対称な位置に調整用マーカ
ーが形成されているのが好ましい。この好ましい構成に
よれば、両調整用マーカー間の中線を求めることによ
り、光導波路の位置を検出することができる。また、こ
の場合には、前記調整用マーカーが前記光導波路の両側
に平行に形成されたストライプ型マーカーであり、前記
光導波路の位置を前記２つのストライプ型マーカーの中
線とするのが好ましい。この好ましい構成によれば、光
導波路デバイスの出射端面の位置にかかわらず、調整用
マーカーが常に出射端面の両側に存在することとなるの
で、光導波路の位置を高精度に検出することができる。
また、この場合には、前記調整用マーカーによって検出
される前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面
とのなす角をθ（＜９０゜）、前記光導波路の実効屈折
率をｎとしたとき、前記パッケージの出射端面あるいは
出射窓の法線と前記基準線とのなす角θ３が下記（数１
０）〜（数１２）の関係をほぼ満足するのが好ましい。 ［数１０］ θ１＝９０゜−θ ［数１１］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数１２］ θ３＝９０゜−θ２ この好ましい構成によれば、パッケージの出射端面に対
して垂直方向にビームが出射されるように制御すること
ができる。この場合にはさらに、前記光導波路デバイス
が第２高調波発生を利用した波長変換デバイスであり、
前記実効屈折率ｎが前記第２高調波光に対するものであ
るのが好ましい。パッケージから出射される光のうち、
利用される光が高調波光であり、高調波光がパッケージ
の出射端面に対して垂直に出射される必要があるからで
ある。また、この場合には、前記調整用マーカーによっ
て検出される前記光導波路と前記光導波路デバイスの出
射端面とのなす角θが８７゜以下であるのが好ましい。
また、この場合には、前記調整用マーカーによって検出
される前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面
との交点が、前記基準マーカによって検出される基準点
又は２個以上の基準点から意図的に決定される仮想基準
点を通る前記サブマウント固定面のほぼ法線上に位置す
るように、前記サブマウントが固定されているのが好ま
しい。この場合にはさらに、前記基準点が前記パッケー
ジの光の出射方向に対して左右非対称な位置に形成され
ているのが好ましい。左右対称な位置に基準点が形成さ
れている場合には、パッケージの片側のスペースが余っ
てしまい、パッケージの小型化が困難となる。
１の構成においては、前記光導波路デバイス上に、光導
波路を中心として導波方向に対称な位置に調整用マーカ
ーが形成されているのが好ましい。この好ましい構成に
よれば、両調整用マーカー間の中線を求めることによ
り、光導波路の位置を検出することができる。また、こ
の場合には、前記調整用マーカーが前記光導波路の両側
に平行に形成されたストライプ型マーカーであり、前記
光導波路の位置を前記２つのストライプ型マーカーの中
線とするのが好ましい。この好ましい構成によれば、光
導波路デバイスの出射端面の位置にかかわらず、調整用
マーカーが常に出射端面の両側に存在することとなるの
で、光導波路の位置を高精度に検出することができる。
また、この場合には、前記調整用マーカーによって検出
される前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面
とのなす角をθ（＜９０゜）、前記光導波路の実効屈折
率をｎとしたとき、前記パッケージの出射端面あるいは
出射窓の法線と前記基準線とのなす角θ３が下記（数１
０）〜（数１２）の関係をほぼ満足するのが好ましい。 ［数１０］ θ１＝９０゜−θ ［数１１］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数１２］ θ３＝９０゜−θ２ この好ましい構成によれば、パッケージの出射端面に対
して垂直方向にビームが出射されるように制御すること
ができる。この場合にはさらに、前記光導波路デバイス
が第２高調波発生を利用した波長変換デバイスであり、
前記実効屈折率ｎが前記第２高調波光に対するものであ
るのが好ましい。パッケージから出射される光のうち、
利用される光が高調波光であり、高調波光がパッケージ
の出射端面に対して垂直に出射される必要があるからで
ある。また、この場合には、前記調整用マーカーによっ
て検出される前記光導波路と前記光導波路デバイスの出
射端面とのなす角θが８７゜以下であるのが好ましい。
また、この場合には、前記調整用マーカーによって検出
される前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面
との交点が、前記基準マーカによって検出される基準点
又は２個以上の基準点から意図的に決定される仮想基準
点を通る前記サブマウント固定面のほぼ法線上に位置す
るように、前記サブマウントが固定されているのが好ま
しい。この場合にはさらに、前記基準点が前記パッケー
ジの光の出射方向に対して左右非対称な位置に形成され
ているのが好ましい。左右対称な位置に基準点が形成さ
れている場合には、パッケージの片側のスペースが余っ
てしまい、パッケージの小型化が困難となる。
【００１４】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
１の構成においては、前記光導波路デバイスが第２高調
波発生を利用した波長変換デバイスであるのが好まし
い。
１の構成においては、前記光導波路デバイスが第２高調
波発生を利用した波長変換デバイスであるのが好まし
い。
【００１５】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
１の構成においては、前記パッケージが金属、プラスチ
ック及びセラミックからなる群から選ばれる少なくとも
１つからなるのが好ましい。
１の構成においては、前記パッケージが金属、プラスチ
ック及びセラミックからなる群から選ばれる少なくとも
１つからなるのが好ましい。
【００１６】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
１の構成においては、前記基準マーカーが前記パッケー
ジのサブマウント固定面に形成された凹凸であるのが好
ましい。
１の構成においては、前記基準マーカーが前記パッケー
ジのサブマウント固定面に形成された凹凸であるのが好
ましい。
【００１７】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
１の構成においては、前記基準マーカーが前記パッケー
ジのサブマウント固定面に形成された反射体又は光吸収
体であるのが好ましい。パッケージの材料としてプラス
チックやセラミックを用いた場合、凹凸ではコントラス
トが小さく、検出し難いからである。尚、反射体として
は、Ａｕ等の蒸着膜を用いることができる。また、例え
ば、パッケージ全体にＡｕのメタライズを施し、基準マ
ーカー部のみＡｕを蒸着しないことにより、光吸収体と
して機能させることができる。そして、これにより、基
準マーカーを高精度に検出することができる。
１の構成においては、前記基準マーカーが前記パッケー
ジのサブマウント固定面に形成された反射体又は光吸収
体であるのが好ましい。パッケージの材料としてプラス
チックやセラミックを用いた場合、凹凸ではコントラス
トが小さく、検出し難いからである。尚、反射体として
は、Ａｕ等の蒸着膜を用いることができる。また、例え
ば、パッケージ全体にＡｕのメタライズを施し、基準マ
ーカー部のみＡｕを蒸着しないことにより、光吸収体と
して機能させることができる。そして、これにより、基
準マーカーを高精度に検出することができる。
【００１８】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
１の構成においては、前記パッケージの出射端面に光を
取り出すための出射窓が形成されており、前記基準マー
カーが前記出射窓の中心を通る前記出射窓の法線である
のが好ましい。この好ましい構成によれば、パッケージ
に対して発光点位置を高精度に調整することができ、ま
た、パッケージの外側の面を基準面にしても発光点位置
を制御することができるため、コヒーレント光源を用い
た装置に固定する際に利便性が高い。また、この場合に
は、前記基準マーカーが前記出射窓から検出可能である
のが好ましい。光導波路デバイスが固定されたサブマウ
ントをハンドリングすると、上面からの検出を遮る場合
もあるが、この好ましい構成によれば、出射窓から観察
することができるため、ハンドリング方法を考慮する必
要もなく、利便性が高い。
１の構成においては、前記パッケージの出射端面に光を
取り出すための出射窓が形成されており、前記基準マー
カーが前記出射窓の中心を通る前記出射窓の法線である
のが好ましい。この好ましい構成によれば、パッケージ
に対して発光点位置を高精度に調整することができ、ま
た、パッケージの外側の面を基準面にしても発光点位置
を制御することができるため、コヒーレント光源を用い
た装置に固定する際に利便性が高い。また、この場合に
は、前記基準マーカーが前記出射窓から検出可能である
のが好ましい。光導波路デバイスが固定されたサブマウ
ントをハンドリングすると、上面からの検出を遮る場合
もあるが、この好ましい構成によれば、出射窓から観察
することができるため、ハンドリング方法を考慮する必
要もなく、利便性が高い。
【００１９】また、本発明に係るコヒーレント光源の第
２の構成は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイ
スとがサブマウント上に実装され、前記サブマウントが
パッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源
であって、前記パッケージの出射端面に光を取り出すた
めの出射窓が形成されており、前記パッケージの出射端
面上において前記出射窓が左右非対称な位置に形成され
ていることを特徴とする。左右対称な位置に出射窓が形
成されている場合には、パッケージの片側のスペースが
余ってしまい、パッケージの小型化が困難となる。
２の構成は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイ
スとがサブマウント上に実装され、前記サブマウントが
パッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源
であって、前記パッケージの出射端面に光を取り出すた
めの出射窓が形成されており、前記パッケージの出射端
面上において前記出射窓が左右非対称な位置に形成され
ていることを特徴とする。左右対称な位置に出射窓が形
成されている場合には、パッケージの片側のスペースが
余ってしまい、パッケージの小型化が困難となる。
【００２０】また、本発明に係るコヒーレント光源の第
３の構成は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイ
スとがサブマウント上に実装され、前記サブマウントが
パッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源
であって、前記光導波路デバイス上の光導波路と前記パ
ッケージの側面とが略平行状態にあると共に、前記パッ
ケージの出射端面に光を取り出すための出射窓が形成さ
れ、かつ、前記パッケージの側面と前記出射窓とが垂直
関係になく、前記光導波路と前記光導波路デバイスの出
射端面とのなす角をθ（＜９０゜）、前記光導波路の実
効屈折率をｎとしたとき、前記パッケージの前記出射窓
の法線と前記光導波路デバイスの出射端面とのなす角θ
３が下記（数１３）〜（数１５）の関係をほぼ満足する
ことを特徴とする。 ［数１３］ θ１＝９０゜−θ ［数１４］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数１５］ θ３＝９０゜−θ２ このコヒーレント光源の第３の構成によれば、半導体レ
ーザと光導波路デバイスが実装されたサブマウント、す
なわち光導波路とパッケージの側面とが平行となるよう
に、サブマウントをパッケージ内に固定することができ
るので、パッケージの幅を小さくして、コンパクト化を
図ることができる。
３の構成は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイ
スとがサブマウント上に実装され、前記サブマウントが
パッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源
であって、前記光導波路デバイス上の光導波路と前記パ
ッケージの側面とが略平行状態にあると共に、前記パッ
ケージの出射端面に光を取り出すための出射窓が形成さ
れ、かつ、前記パッケージの側面と前記出射窓とが垂直
関係になく、前記光導波路と前記光導波路デバイスの出
射端面とのなす角をθ（＜９０゜）、前記光導波路の実
効屈折率をｎとしたとき、前記パッケージの前記出射窓
の法線と前記光導波路デバイスの出射端面とのなす角θ
３が下記（数１３）〜（数１５）の関係をほぼ満足する
ことを特徴とする。 ［数１３］ θ１＝９０゜−θ ［数１４］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数１５］ θ３＝９０゜−θ２ このコヒーレント光源の第３の構成によれば、半導体レ
ーザと光導波路デバイスが実装されたサブマウント、す
なわち光導波路とパッケージの側面とが平行となるよう
に、サブマウントをパッケージ内に固定することができ
るので、パッケージの幅を小さくして、コンパクト化を
図ることができる。
【００２１】また、本発明に係るコヒーレント光源の第
４の構成は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイ
スとがサブマウント上に実装され、前記サブマウントが
パッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源
であって、前記パッケージの一部分に、前記サブマウン
トを固定する際の基準面が形成されていることを特徴と
する。このコヒーレント光源の第４の構成によれば、基
準面に光導波路デバイスの出射端面を当接させるという
簡単な操作によって出射角や発光位置が高精度に制御さ
れたコヒーレント光源を実現することが可能となる。
４の構成は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイ
スとがサブマウント上に実装され、前記サブマウントが
パッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源
であって、前記パッケージの一部分に、前記サブマウン
トを固定する際の基準面が形成されていることを特徴と
する。このコヒーレント光源の第４の構成によれば、基
準面に光導波路デバイスの出射端面を当接させるという
簡単な操作によって出射角や発光位置が高精度に制御さ
れたコヒーレント光源を実現することが可能となる。
【００２２】また、前記本発明のコヒーレント光源の第
４の構成においては、前記基準面に前記光導波路デバイ
スの出射端面が当接しているのが好ましい。
４の構成においては、前記基準面に前記光導波路デバイ
スの出射端面が当接しているのが好ましい。
【００２３】また、本発明に係るコヒーレント光源の製
造方法は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイス
とがサブマウント上に実装され、前記サブマウントがパ
ッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源の
製造方法であって、前記パッケージのサブマウント固定
面に形成された基準マーカーもしくは２個以上の基準点
から意図的に決定される仮想基準線又は仮想基準点を基
準として前記サブマウントを固定することを特徴とす
る。
造方法は、少なくとも半導体レーザと光導波路デバイス
とがサブマウント上に実装され、前記サブマウントがパ
ッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光源の
製造方法であって、前記パッケージのサブマウント固定
面に形成された基準マーカーもしくは２個以上の基準点
から意図的に決定される仮想基準線又は仮想基準点を基
準として前記サブマウントを固定することを特徴とす
る。
【００２４】また、前記本発明のコヒーレント光源の製
造方法においては、前記光導波路デバイスの出射端面と
前記基準マーカーによって検出される基準線とがほぼ平
行となるように、前記サブマウントを固定するのが好ま
しい。
造方法においては、前記光導波路デバイスの出射端面と
前記基準マーカーによって検出される基準線とがほぼ平
行となるように、前記サブマウントを固定するのが好ま
しい。
【００２５】また、前記本発明のコヒーレント光源の製
造方法においては、前記光導波路デバイス上の光導波路
を中心として導波方向に対称な位置に調整用マーカーを
形成し、前記調整用マーカーによって検出される前記光
導波路と前記光導波路デバイスの出射端面とのなす角を
θ（＜９０゜）、前記光導波路の実効屈折率をｎとした
とき、前記パッケージの出射端面あるいは出射窓の法線
と前記基準線とのなす角θ３が下記（数１６）〜（数１
８）の関係をほぼ満足するように、前記サブマウントを
固定するのが好ましい。 ［数１６］ θ１＝９０゜−θ ［数１７］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数１８］ θ３＝９０゜−θ２ また、この場合には、前記サブマウント固定面の法線方
向に位置する画像処理装置を用いて、前記光導波路と前
記光導波路デバイスの出射端面とのなす角θを測定した
後、上記（数１６）、（数１７）を用いてθ２を算出
し、前記基準線と前記光導波路デバイスの出射端面との
なす角が所定の値となるように調整するのが好ましい。
この好ましい方法によれば、光導波路デバイスの出射端
面加工時の角度ずれを補正することができる。
造方法においては、前記光導波路デバイス上の光導波路
を中心として導波方向に対称な位置に調整用マーカーを
形成し、前記調整用マーカーによって検出される前記光
導波路と前記光導波路デバイスの出射端面とのなす角を
θ（＜９０゜）、前記光導波路の実効屈折率をｎとした
とき、前記パッケージの出射端面あるいは出射窓の法線
と前記基準線とのなす角θ３が下記（数１６）〜（数１
８）の関係をほぼ満足するように、前記サブマウントを
固定するのが好ましい。 ［数１６］ θ１＝９０゜−θ ［数１７］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数１８］ θ３＝９０゜−θ２ また、この場合には、前記サブマウント固定面の法線方
向に位置する画像処理装置を用いて、前記光導波路と前
記光導波路デバイスの出射端面とのなす角θを測定した
後、上記（数１６）、（数１７）を用いてθ２を算出
し、前記基準線と前記光導波路デバイスの出射端面との
なす角が所定の値となるように調整するのが好ましい。
この好ましい方法によれば、光導波路デバイスの出射端
面加工時の角度ずれを補正することができる。
【００２６】また、この場合には、前記調整用マーカー
によって検出される前記光導波路と前記光導波路デバイ
スの出射端面との交点が前記基準マーカによって検出さ
れる基準点又は２個以上の基準点から意図的に決定され
る仮想基準点を通る前記サブマウント固定面のほぼ法線
上に位置するように、前記サブマウントを固定するのが
好ましい。
によって検出される前記光導波路と前記光導波路デバイ
スの出射端面との交点が前記基準マーカによって検出さ
れる基準点又は２個以上の基準点から意図的に決定され
る仮想基準点を通る前記サブマウント固定面のほぼ法線
上に位置するように、前記サブマウントを固定するのが
好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。
をさらに具体的に説明する。
【００２８】［第１の実施の形態］図１は本発明の第１
の実施の形態におけるコヒーレント光源を示す概略構成
図である。
の実施の形態におけるコヒーレント光源を示す概略構成
図である。
【００２９】図１に示すように、本実施の形態のコヒー
レント光源においては、基本波として用いられる半導体
レーザとして、分布ブラッグ反射器（以下『ＤＢＲ』と
記す）領域８と位相調整領域９と活性領域１０とを有す
る０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ１が用いられている。この波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ１においては、位相調整領域９と
ＤＢＲ領域８への注入電流を同時に変化させることによ
り、連続的に発振波長を変化させることができる。ま
た、光導波路デバイスとしては、擬似位相整合（以下
『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波路型第２高調波発生
（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス（光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス）２が用いられている。この光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、０．５ｍｍ厚のＸ板Ｍ
ｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板３の上面に形成された、光
導波路４とそれに直交する周期的な分極反転領域５とに
より構成されている。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイ
ス２は、大きな非線形光学定数を利用することができ、
また、光導波路型であり、長い相互作用長とすることが
可能であるため、高い変換効率を実現することができ
る。尚、図２に示すように、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイス２上には、光導波路４を中心として導波方向に
対称な位置に調整用マーカー６が形成されている。すな
わち、この調整用マーカー６は、光導波路４の両側に光
導波路４と平行に形成されている。
レント光源においては、基本波として用いられる半導体
レーザとして、分布ブラッグ反射器（以下『ＤＢＲ』と
記す）領域８と位相調整領域９と活性領域１０とを有す
る０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ１が用いられている。この波長可
変ＤＢＲ半導体レーザ１においては、位相調整領域９と
ＤＢＲ領域８への注入電流を同時に変化させることによ
り、連続的に発振波長を変化させることができる。ま
た、光導波路デバイスとしては、擬似位相整合（以下
『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波路型第２高調波発生
（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス（光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス）２が用いられている。この光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、０．５ｍｍ厚のＸ板Ｍ
ｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板３の上面に形成された、光
導波路４とそれに直交する周期的な分極反転領域５とに
より構成されている。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイ
ス２は、大きな非線形光学定数を利用することができ、
また、光導波路型であり、長い相互作用長とすることが
可能であるため、高い変換効率を実現することができ
る。尚、図２に示すように、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧ
デバイス２上には、光導波路４を中心として導波方向に
対称な位置に調整用マーカー６が形成されている。すな
わち、この調整用マーカー６は、光導波路４の両側に光
導波路４と平行に形成されている。
【００３０】以上のように、本実施の形態におけるコヒ
ーレント光源は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導
波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２とにより構成されるＳ
ＨＧ青色光源である。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と
光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、それぞれ活性
層面、光導波路形成面が対向するように、Ｓｉサブマウ
ント７の上面に固定されている。
ーレント光源は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導
波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２とにより構成されるＳ
ＨＧ青色光源である。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と
光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、それぞれ活性
層面、光導波路形成面が対向するように、Ｓｉサブマウ
ント７の上面に固定されている。
【００３１】以下に、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイ
スの作製方法について説明する。
スの作製方法について説明する。
【００３２】上記したように、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨ
Ｇデバイス２は、０．５ｍｍ厚のＸ板ＭｇＯドープＬｉ
ＮｂＯ3 基板３上に形成された、光導波路４とそれに直
交する周期的な分極反転領域５とにより構成されている
（図１、図２参照）。周期的な分極反転領域５は、櫛形
の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板３上に形成
し、電界を印加することによって形成される。光導波路
４は、周期的な分極反転領域５と直交する方向に形成さ
れるが、このとき同時に、調整用マーカー６も形成され
る。すなわち、Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板３上
にＴａ膜を蒸着し、露光工程とドライエッチング工程と
により、光導波路４を形成するための幅５μｍのストラ
イプマスクと調整用マーカー６とが同時に形成される。
そして、ピロリン酸（２００℃、７分）中でプロトン交
換を行い、アニール処理（３３０℃、２００分）を施す
ことにより、光導波路４が形成される。その後、調整用
マーカー６をレジストでマスキングし、ウエットエッチ
ングを施すことにより、Ｔａ膜が除去される。最後に、
ＳｉＯ2 の保護膜を形成することにより、調整用マーカ
ー６が形成された光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２
が作製される。
Ｇデバイス２は、０．５ｍｍ厚のＸ板ＭｇＯドープＬｉ
ＮｂＯ3 基板３上に形成された、光導波路４とそれに直
交する周期的な分極反転領域５とにより構成されている
（図１、図２参照）。周期的な分極反転領域５は、櫛形
の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板３上に形成
し、電界を印加することによって形成される。光導波路
４は、周期的な分極反転領域５と直交する方向に形成さ
れるが、このとき同時に、調整用マーカー６も形成され
る。すなわち、Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板３上
にＴａ膜を蒸着し、露光工程とドライエッチング工程と
により、光導波路４を形成するための幅５μｍのストラ
イプマスクと調整用マーカー６とが同時に形成される。
そして、ピロリン酸（２００℃、７分）中でプロトン交
換を行い、アニール処理（３３０℃、２００分）を施す
ことにより、光導波路４が形成される。その後、調整用
マーカー６をレジストでマスキングし、ウエットエッチ
ングを施すことにより、Ｔａ膜が除去される。最後に、
ＳｉＯ2 の保護膜を形成することにより、調整用マーカ
ー６が形成された光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２
が作製される。
【００３３】図２に示すように、本実施の形態における
光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、出射端面が斜
めにカットされている。光導波路４と光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θは８７゜以
下であるのが望ましく、本実施の形態においてはθ＝８
４゜に設定されている。これにより、波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ１への戻り光量は１０００分の１程度に低減
される。一方、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の
入射端面は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１との高効率
光結合を実現するために、光導波路４に対して垂直に形
成されている。尚、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
２の出射端面には、青色光に対する無反射コートが形成
されている。
光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、出射端面が斜
めにカットされている。光導波路４と光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θは８７゜以
下であるのが望ましく、本実施の形態においてはθ＝８
４゜に設定されている。これにより、波長可変ＤＢＲ半
導体レーザ１への戻り光量は１０００分の１程度に低減
される。一方、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の
入射端面は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１との高効率
光結合を実現するために、光導波路４に対して垂直に形
成されている。尚、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
２の出射端面には、青色光に対する無反射コートが形成
されている。
【００３４】本実施の形態においては、調整用マーカー
６としてストライプ型のマーカーが用いられている。す
なわち、両ストライプ型のマーカーの中線上に光導波路
４が形成されている。ストライプ型のマーカーは、光導
波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面の位置にか
かわらず、常に出射端面の両側に存在するため、光導波
路４の位置を高精度に検出するのに適した形状である。
調整用マーカー６は、光導波路４の形成時にＴａマスク
を残すことによって形成されるので、Ｔａマスクを形成
する際のフォトマスクの作製精度に依存し、高精度に形
成することができる。そのため、調整用マーカー６と光
導波路４とは平行であり、調整用マーカー６と光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角を測
定することにより、光導波路４と光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θを測定すること
ができる。本実施の形態においては、θ＝８４．２゜で
あった。
６としてストライプ型のマーカーが用いられている。す
なわち、両ストライプ型のマーカーの中線上に光導波路
４が形成されている。ストライプ型のマーカーは、光導
波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面の位置にか
かわらず、常に出射端面の両側に存在するため、光導波
路４の位置を高精度に検出するのに適した形状である。
調整用マーカー６は、光導波路４の形成時にＴａマスク
を残すことによって形成されるので、Ｔａマスクを形成
する際のフォトマスクの作製精度に依存し、高精度に形
成することができる。そのため、調整用マーカー６と光
導波路４とは平行であり、調整用マーカー６と光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角を測
定することにより、光導波路４と光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θを測定すること
ができる。本実施の形態においては、θ＝８４．２゜で
あった。
【００３５】測定によって得られた光導波路４と光導波
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θ
より、パッケージへの実装角度が求められ、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイ
ス２が実装されたＳｉサブマウント７がパッケージに固
定される。
路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θ
より、パッケージへの実装角度が求められ、波長可変Ｄ
ＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイ
ス２が実装されたＳｉサブマウント７がパッケージに固
定される。
【００３６】図３に、本実施の形態で用いられるパッケ
ージの断面を示す。
ージの断面を示す。
【００３７】図３に示すように、パッケージ１１のＳｉ
サブマウント固定面には、基準マーカー（基準線Ａ）が
形成されている。基準線Ａは、光導波路４と光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面との設定角θ＝８
４゜に対応したものとなっている。Ｘ板ＭｇＯドープＬ
ｉＮｂＯ3 基板３上のプロトン交換光導波路４におい
て、高調波光（青色光）に対する実効屈折率ｎは２．３
２である。ここで、高調波光（青色光）に対する実効屈
折率が用いられるのは、パッケージ１１から出射される
光のうち、利用される光が高調波光であり、高調波光が
パッケージ１１の出射端面、すなわち、出射窓に対して
垂直に出射される必要があるからである。そのため、図
２において、光導波路４と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデ
バイス２の出射端面とのなす角がθ＝８４゜（＜９０
゜）であるとき、青色光は、下記（数１９）、（数２
０）を満たすθ２の方向に端面から出射する。 ［数１９］ θ１＝９０゜−θ ［数２０］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） また、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面の法線との
なす角θ３は、下記（数２１）によって規定される。
尚、本実施の形態において、パッケージの出射端面と光
を取り出すための出射窓は平行である。 ［数２１］ θ３＝９０゜−θ２ 上記（数１９）〜（数２１）に具体的数値を入れて計算
すると、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面の法線と
のなす角θ３は７５．９７゜となる。
サブマウント固定面には、基準マーカー（基準線Ａ）が
形成されている。基準線Ａは、光導波路４と光導波路型
ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面との設定角θ＝８
４゜に対応したものとなっている。Ｘ板ＭｇＯドープＬ
ｉＮｂＯ3 基板３上のプロトン交換光導波路４におい
て、高調波光（青色光）に対する実効屈折率ｎは２．３
２である。ここで、高調波光（青色光）に対する実効屈
折率が用いられるのは、パッケージ１１から出射される
光のうち、利用される光が高調波光であり、高調波光が
パッケージ１１の出射端面、すなわち、出射窓に対して
垂直に出射される必要があるからである。そのため、図
２において、光導波路４と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデ
バイス２の出射端面とのなす角がθ＝８４゜（＜９０
゜）であるとき、青色光は、下記（数１９）、（数２
０）を満たすθ２の方向に端面から出射する。 ［数１９］ θ１＝９０゜−θ ［数２０］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） また、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面の法線との
なす角θ３は、下記（数２１）によって規定される。
尚、本実施の形態において、パッケージの出射端面と光
を取り出すための出射窓は平行である。 ［数２１］ θ３＝９０゜−θ２ 上記（数１９）〜（数２１）に具体的数値を入れて計算
すると、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面の法線と
のなす角θ３は７５．９７゜となる。
【００３８】図３に示すように、パッケージ１１の出射
端面には、光を取り出すための出射窓１２が設けられて
いる。パッケージ１１のＳｉサブマウント固定面には、
基準マーカー（基準線Ａと基準線Ｂ）が形成されてい
る。ここで、基準線Ｂは、出射窓１２からの法線となっ
ている。
端面には、光を取り出すための出射窓１２が設けられて
いる。パッケージ１１のＳｉサブマウント固定面には、
基準マーカー（基準線Ａと基準線Ｂ）が形成されてい
る。ここで、基準線Ｂは、出射窓１２からの法線となっ
ている。
【００３９】光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、
その出射端面とパッケージ１１の基準線Ａとが平行とな
るように、パッケージ１１のＳＨＧ青色光源実装面の法
線方向に位置する画像処理装置を用いて調整される。さ
らに、ＳＨＧ青色光源の発光点Ｄ（図２参照）が所望の
位置に調整される。図２に示すように、本実施の形態に
おいては、２本のストライプ型のマーカー（調整用マー
カー６）の中線上に光導波路４が位置しているため、そ
の中線と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端
面との交点が発光点Ｄとなる。また、基準線Ａと基準線
Ｂとの交点が、発光点Ｄを調整するための基準点Ｃとな
り、この基準点Ｃはパッケージ１１の光の出射方向に対
して左右非対称な位置に設けられている。発光点Ｄと基
準点Ｃは、両者が一致するように画像処理装置を用いて
調整され、その後、ＳＨＧ青色光源のＳｉサブマウント
７が接着剤を用いてパッケージ１１に固定される。すな
わち、調整用マーカー６によって検出される光導波路４
と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面との
交点（発光点Ｄ）が基準線Ａと基準線Ｂとの交点（基準
点Ｃ）を通るＳｉサブマウント固定面の法線上に位置す
るように、Ｓｉサブマウント７が固定される。
その出射端面とパッケージ１１の基準線Ａとが平行とな
るように、パッケージ１１のＳＨＧ青色光源実装面の法
線方向に位置する画像処理装置を用いて調整される。さ
らに、ＳＨＧ青色光源の発光点Ｄ（図２参照）が所望の
位置に調整される。図２に示すように、本実施の形態に
おいては、２本のストライプ型のマーカー（調整用マー
カー６）の中線上に光導波路４が位置しているため、そ
の中線と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端
面との交点が発光点Ｄとなる。また、基準線Ａと基準線
Ｂとの交点が、発光点Ｄを調整するための基準点Ｃとな
り、この基準点Ｃはパッケージ１１の光の出射方向に対
して左右非対称な位置に設けられている。発光点Ｄと基
準点Ｃは、両者が一致するように画像処理装置を用いて
調整され、その後、ＳＨＧ青色光源のＳｉサブマウント
７が接着剤を用いてパッケージ１１に固定される。すな
わち、調整用マーカー６によって検出される光導波路４
と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面との
交点（発光点Ｄ）が基準線Ａと基準線Ｂとの交点（基準
点Ｃ）を通るＳｉサブマウント固定面の法線上に位置す
るように、Ｓｉサブマウント７が固定される。
【００４０】尚、本実施の形態においては、発光点Ｄを
調整するための基準点Ｃを、基準線Ａと基準線Ｂとの交
点としているが、基準線Ａ及び基準線Ｂを形成せずに、
２個以上の基準マーカー（基準点）を形成した場合に
は、基準マーカーを結んだ仮想線を基準線Ａ及び基準線
Ｂとして想定して、発光点Ｄを調整するための基準点Ｃ
を求めることができる。この場合、実際に基準点Ｃを形
成してもよい。
調整するための基準点Ｃを、基準線Ａと基準線Ｂとの交
点としているが、基準線Ａ及び基準線Ｂを形成せずに、
２個以上の基準マーカー（基準点）を形成した場合に
は、基準マーカーを結んだ仮想線を基準線Ａ及び基準線
Ｂとして想定して、発光点Ｄを調整するための基準点Ｃ
を求めることができる。この場合、実際に基準点Ｃを形
成してもよい。
【００４１】実際に、２個以上の基準マーカーが形成さ
れ、仮想基準線Ａ’、Ｂ’を求める構成及び方法につい
て、図４を用いて説明する。
れ、仮想基準線Ａ’、Ｂ’を求める構成及び方法につい
て、図４を用いて説明する。
【００４２】図４（ａ）に示すパッケージ１１において
は、２個以上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される
仮想基準線として、２つの基準マーカー（基準点Ｅ及び
基準点Ｆ）から得られる仮想基準線Ａ’と、２つの基準
マーカー（基準点Ｇ及び基準点Ｈ）から得られる仮想基
準線Ｂ’とが用いられている。また、仮想基準線Ａ’及
び仮想基準線Ｂ’から仮想基準点Ｃ’が得られるように
なっている。そして、仮想基準線Ａ’と光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス２（図２参照）の出射端面とが平行
となるように調整し、さらに、発光点Ｄ（図２参照）と
仮想基準点Ｃ’とが一致するように調整することによ
り、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２から出射する
高調波光のパッケージ１１に対する発光点Ｄ及び発光方
向を高精度に調整することができる。
は、２個以上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される
仮想基準線として、２つの基準マーカー（基準点Ｅ及び
基準点Ｆ）から得られる仮想基準線Ａ’と、２つの基準
マーカー（基準点Ｇ及び基準点Ｈ）から得られる仮想基
準線Ｂ’とが用いられている。また、仮想基準線Ａ’及
び仮想基準線Ｂ’から仮想基準点Ｃ’が得られるように
なっている。そして、仮想基準線Ａ’と光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス２（図２参照）の出射端面とが平行
となるように調整し、さらに、発光点Ｄ（図２参照）と
仮想基準点Ｃ’とが一致するように調整することによ
り、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２から出射する
高調波光のパッケージ１１に対する発光点Ｄ及び発光方
向を高精度に調整することができる。
【００４３】図４（ａ）に示す基準マーカーは、パッケ
ージ１１の側面に形成された三角形状の突起となってい
る。この場合、三角の頂点を基準とすることができるた
め、仮想基準線を高精度に得ることができる。また、Ｓ
ＨＧ青色光源のＳｉサブマウント７（図１参照）をパッ
ケージ１１に固定した後においても、仮想基準線Ａ’を
検出することができるため、Ｓｉサブマウント固定後の
検査も容易に実施することができる。
ージ１１の側面に形成された三角形状の突起となってい
る。この場合、三角の頂点を基準とすることができるた
め、仮想基準線を高精度に得ることができる。また、Ｓ
ＨＧ青色光源のＳｉサブマウント７（図１参照）をパッ
ケージ１１に固定した後においても、仮想基準線Ａ’を
検出することができるため、Ｓｉサブマウント固定後の
検査も容易に実施することができる。
【００４４】図４（ｂ）に示すパッケージ１１において
は、２個以上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される
仮想基準線として、２つの基準マーカー（基準点Ｅ及び
基準点Ｆ）から得られる仮想基準線Ａ’が用いられてい
る。また、パッケージ１１のＳｉサブマウント固定面に
形成された基準点Ｉから仮想基準点Ｃ’が得られるよう
になっている。そして、仮想基準線Ａ’と光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２（図２参照）の出射端面とが平
行となるように調整し、さらに、発光点Ｄ（図２参照）
と仮想基準点Ｃ’とが一致するように調整することによ
り、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２から出射する
高調波光のパッケージ１１に対する発光点Ｄ及び発光方
向を高精度に調整することができる。
は、２個以上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される
仮想基準線として、２つの基準マーカー（基準点Ｅ及び
基準点Ｆ）から得られる仮想基準線Ａ’が用いられてい
る。また、パッケージ１１のＳｉサブマウント固定面に
形成された基準点Ｉから仮想基準点Ｃ’が得られるよう
になっている。そして、仮想基準線Ａ’と光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２（図２参照）の出射端面とが平
行となるように調整し、さらに、発光点Ｄ（図２参照）
と仮想基準点Ｃ’とが一致するように調整することによ
り、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２から出射する
高調波光のパッケージ１１に対する発光点Ｄ及び発光方
向を高精度に調整することができる。
【００４５】パッケージ１１の材料としては、金属、プ
ラスチック、セラミック等を用いることができる。
ラスチック、セラミック等を用いることができる。
【００４６】また、基準線Ａ、Ｂ等の基準マーカーは、
例えば、パッケージ１１のＳｉサブマウント固定面を凹
凸加工することによって形成することができる。また、
基準マーカーとしては、反射体や光吸収体を用いること
もできる。パッケージ１１の材料としてプラスチックや
セラミックを用いた場合、凹凸ではコントラストが小さ
く、検出しにくくなるからである。尚、反射体として
は、Ａｕ等の蒸着膜を用いることができる。また、例え
ば、パッケージ全体にＡｕのメタライズを施し、基準マ
ーカー部のみＡｕを蒸着しないことにより、光吸収体と
して機能させることができる。そして、これにより、基
準マーカーを高精度に検出することができる。
例えば、パッケージ１１のＳｉサブマウント固定面を凹
凸加工することによって形成することができる。また、
基準マーカーとしては、反射体や光吸収体を用いること
もできる。パッケージ１１の材料としてプラスチックや
セラミックを用いた場合、凹凸ではコントラストが小さ
く、検出しにくくなるからである。尚、反射体として
は、Ａｕ等の蒸着膜を用いることができる。また、例え
ば、パッケージ全体にＡｕのメタライズを施し、基準マ
ーカー部のみＡｕを蒸着しないことにより、光吸収体と
して機能させることができる。そして、これにより、基
準マーカーを高精度に検出することができる。
【００４７】本実施の形態のように、調整用マーカー６
を、光導波路４の形成時にＴａマスクを残すことによっ
て形成した場合、調整用マーカー６は光導波路４に対し
て高精度に形成されるため、発光点Ｄの位置も高精度に
検出することができる。その結果、出射角だけでなく、
発光点Ｄの位置も高精度に調整して、ＳＨＧ青色光源の
Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１に固定することが
できる。
を、光導波路４の形成時にＴａマスクを残すことによっ
て形成した場合、調整用マーカー６は光導波路４に対し
て高精度に形成されるため、発光点Ｄの位置も高精度に
検出することができる。その結果、出射角だけでなく、
発光点Ｄの位置も高精度に調整して、ＳＨＧ青色光源の
Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１に固定することが
できる。
【００４８】尚、本実施の形態においては、調整用マー
カー６としてストライプ型のマーカーが用いられている
が、角形、丸形、十字形などのマーカーであっても、光
導波路４に対して中心対称に存在すれば同様の効果を得
ることができる。
カー６としてストライプ型のマーカーが用いられている
が、角形、丸形、十字形などのマーカーであっても、光
導波路４に対して中心対称に存在すれば同様の効果を得
ることができる。
【００４９】本実施の形態のように、発光点Ｄと基準点
Ｃ（あるいは仮想基準点Ｃ’）を一致させることによ
り、ＳＨＧ青色光源のパッケージ１１に対する発光点位
置も一定にすることができる。光ディスク装置等への応
用を考えた場合、コリメートレンズ等の光学系の位置調
整を簡素化することができるため、そのメリットは大き
い。
Ｃ（あるいは仮想基準点Ｃ’）を一致させることによ
り、ＳＨＧ青色光源のパッケージ１１に対する発光点位
置も一定にすることができる。光ディスク装置等への応
用を考えた場合、コリメートレンズ等の光学系の位置調
整を簡素化することができるため、そのメリットは大き
い。
【００５０】本実施の形態で用いられた光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス２において、光導波路４と光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θ
は、８４゜の設定に対して８４．２゜であった。そのた
め、出射角θ２は１３．５６゜であった。よって、パッ
ケージ１１の出射窓１２（あるいは出射端面）に対して
０．４７゜の角度をもって青色光が出射した。この値
は、光ディスク装置などで要望される出射方向の許容値
±１゜程度を満足している。
Ｍ−ＳＨＧデバイス２において、光導波路４と光導波路
型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θ
は、８４゜の設定に対して８４．２゜であった。そのた
め、出射角θ２は１３．５６゜であった。よって、パッ
ケージ１１の出射窓１２（あるいは出射端面）に対して
０．４７゜の角度をもって青色光が出射した。この値
は、光ディスク装置などで要望される出射方向の許容値
±１゜程度を満足している。
【００５１】しかし、光導波路４と光導波路型ＱＰＭ−
ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θは、加工方法
によってばらつく場合もある。以下、そのような場合に
対する調整方法及び実装方法について説明する。
ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角θは、加工方法
によってばらつく場合もある。以下、そのような場合に
対する調整方法及び実装方法について説明する。
【００５２】まず、パッケージ１１のＳＨＧ青色光源実
装面の法線方向に位置する画像処理装置を用いて、光導
波路４と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端
面とのなす角θを測定する。次に、上記（数１９）、
（数２０）を用いて出射角θ２を算出する。光導波路４
と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面との
なす角θが８５゜の場合、出射角θ２は１１．６７゜と
なる。よって、基準線Ａと光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデ
バイス２の出射端面とのなす角θ４が２．３６゜となる
ように調整することにより（図５参照）、導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス２の出射端面加工時の角度ずれを補
正することができる。導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
２の出射端面加工時の角度ずれを補正した後、光導波路
４の発光点Ｄとパッケージ１１の基準点Ｃを、両者が一
致するように画像処理装置を用いて調整し、ＳＨＧ青色
光源のＳｉサブマウント７を、接着剤を用いてパッケー
ジ１１に固定した。これにより、出射角θ２のずれを極
限まで小さくすることができた。
装面の法線方向に位置する画像処理装置を用いて、光導
波路４と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端
面とのなす角θを測定する。次に、上記（数１９）、
（数２０）を用いて出射角θ２を算出する。光導波路４
と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面との
なす角θが８５゜の場合、出射角θ２は１１．６７゜と
なる。よって、基準線Ａと光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデ
バイス２の出射端面とのなす角θ４が２．３６゜となる
ように調整することにより（図５参照）、導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス２の出射端面加工時の角度ずれを補
正することができる。導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
２の出射端面加工時の角度ずれを補正した後、光導波路
４の発光点Ｄとパッケージ１１の基準点Ｃを、両者が一
致するように画像処理装置を用いて調整し、ＳＨＧ青色
光源のＳｉサブマウント７を、接着剤を用いてパッケー
ジ１１に固定した。これにより、出射角θ２のずれを極
限まで小さくすることができた。
【００５３】本実施の形態においては、光導波路型ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧデバイス２の光導波路４と出射端面とのなす
角を６゜に設定することにより、戻り光量も５００分の
１に低減することができ、出射端面の無反射（anti-ref
lection：ＡＲ）コートの反射率０.５％に対して、戻り
光量を０.００１％まで低減することができた。そのた
め、安定な波長可変特性、及びノイズ光の低減を実現す
ることができた。
Ｍ−ＳＨＧデバイス２の光導波路４と出射端面とのなす
角を６゜に設定することにより、戻り光量も５００分の
１に低減することができ、出射端面の無反射（anti-ref
lection：ＡＲ）コートの反射率０.５％に対して、戻り
光量を０.００１％まで低減することができた。そのた
め、安定な波長可変特性、及びノイズ光の低減を実現す
ることができた。
【００５４】サブマウント上に半導体レーザと光導波路
デバイスとを実装して構成されたコヒーレント光源をパ
ッケージに固定するとき、サブマウントに対して出射方
向が傾く要因として以下の項目を挙げることができる。
デバイスとを実装して構成されたコヒーレント光源をパ
ッケージに固定するとき、サブマウントに対して出射方
向が傾く要因として以下の項目を挙げることができる。
【００５５】（１）半導体レーザの実装角度 （２）光導波路デバイスの入射端面の加工精度 （３）光導波路デバイスの出射端面の斜め角及びその加
工精度 上記（１）及び（２）の要因は、本実施の形態のように
出射端面とパッケージの基準線を調整することによって
解決することができるため、本発明の実用的効果は大き
い。また、上記（３）の要因も、光導波路と出射端面と
のなす角を測定し、基準線に対して補正することによっ
て解決することができるため、本発明の実用的効果は大
きい。
工精度 上記（１）及び（２）の要因は、本実施の形態のように
出射端面とパッケージの基準線を調整することによって
解決することができるため、本発明の実用的効果は大き
い。また、上記（３）の要因も、光導波路と出射端面と
のなす角を測定し、基準線に対して補正することによっ
て解決することができるため、本発明の実用的効果は大
きい。
【００５６】サブマウントを基準にしてパッケージに固
定する場合、上記（１）〜（３）の要因により、発光点
や出射角がパッケージに対してばらついてしまう。本実
施の形態のように、パッケージに基準線や基準点を形成
し、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスにも高精度の調
整用マーカーを形成することにより、パッケージに対す
る発光点や出射角を調整することができる。そして、パ
ッケージに対する発光点や出射角のばらつきを低減する
ことにより、光ディスク装置等に応用した場合の光利用
効率のばらつきも低減することができるため、歩留まり
等を考慮した必要とされる光出力も小さくすることがで
き、その実用的効果は大きい。
定する場合、上記（１）〜（３）の要因により、発光点
や出射角がパッケージに対してばらついてしまう。本実
施の形態のように、パッケージに基準線や基準点を形成
し、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスにも高精度の調
整用マーカーを形成することにより、パッケージに対す
る発光点や出射角を調整することができる。そして、パ
ッケージに対する発光点や出射角のばらつきを低減する
ことにより、光ディスク装置等に応用した場合の光利用
効率のばらつきも低減することができるため、歩留まり
等を考慮した必要とされる光出力も小さくすることがで
き、その実用的効果は大きい。
【００５７】一般に、半導体レーザにおいては、外部か
らの戻り光によってノイズ増大現象を生じる。また、光
ディスク装置等においては、ノイズの小さいコヒーレン
ト光源が要求される。半導体レーザと光導波路デバイス
（波長変換デバイス）とにより構成されるＳＨＧ光源に
おいては、波長変換させた高調波光が用いられるため
に、外部からの戻り光は半導体レーザのノイズ増大には
影響しない。しかし、波長変換デバイスからの戻り光が
あると、同様のノイズ増大現象が生じる。特開２０００
−１７１６５３に開示されているように、光導波路型波
長変換デバイスの出射端面を斜めにカットすることによ
り、波長変換デバイスの出射端面からの戻り光を小さく
することができる。波長変換デバイスの出射端面を斜め
にカットする構成は、特に第２高調波発生（ＳＨＧ）を
利用した波長変換デバイスに有効であり、これにより低
ノイズの短波長光源を実現することができる。本実施の
形態のように、基準線及び基準点が形成されたパッケー
ジに、半導体レーザと出射端面が斜めにカットされた光
導波路型波長変換デバイスとにより構成されるＳＨＧ光
源を実装することにより、パッケージに対する発光点や
出射角のばらつきを低減することができ、その実用的効
果は大きい。
らの戻り光によってノイズ増大現象を生じる。また、光
ディスク装置等においては、ノイズの小さいコヒーレン
ト光源が要求される。半導体レーザと光導波路デバイス
（波長変換デバイス）とにより構成されるＳＨＧ光源に
おいては、波長変換させた高調波光が用いられるため
に、外部からの戻り光は半導体レーザのノイズ増大には
影響しない。しかし、波長変換デバイスからの戻り光が
あると、同様のノイズ増大現象が生じる。特開２０００
−１７１６５３に開示されているように、光導波路型波
長変換デバイスの出射端面を斜めにカットすることによ
り、波長変換デバイスの出射端面からの戻り光を小さく
することができる。波長変換デバイスの出射端面を斜め
にカットする構成は、特に第２高調波発生（ＳＨＧ）を
利用した波長変換デバイスに有効であり、これにより低
ノイズの短波長光源を実現することができる。本実施の
形態のように、基準線及び基準点が形成されたパッケー
ジに、半導体レーザと出射端面が斜めにカットされた光
導波路型波長変換デバイスとにより構成されるＳＨＧ光
源を実装することにより、パッケージに対する発光点や
出射角のばらつきを低減することができ、その実用的効
果は大きい。
【００５８】本実施の形態において、光導波路デバイス
の光導波路と出射端面とのなす角は８４゜であった。こ
れにより、安定な波長変換特性、ノイズの小さい高調波
光の発生が実現されている。現状の技術では、ＡＲコー
トの反射率は０．１％程度が可能である。光導波路と出
射端面とのなす角が８６゜の場合、戻り光の低減効果は
１００分の１程度である。よって、本実施の形態と同様
に、戻り光量を０．００１％まで低減することができる
ため、安定な波長変換特性とノイズの小さい高調波光の
発生を実現することができる。
の光導波路と出射端面とのなす角は８４゜であった。こ
れにより、安定な波長変換特性、ノイズの小さい高調波
光の発生が実現されている。現状の技術では、ＡＲコー
トの反射率は０．１％程度が可能である。光導波路と出
射端面とのなす角が８６゜の場合、戻り光の低減効果は
１００分の１程度である。よって、本実施の形態と同様
に、戻り光量を０．００１％まで低減することができる
ため、安定な波長変換特性とノイズの小さい高調波光の
発生を実現することができる。
【００５９】本実施の形態のパッケージは、出射窓がパ
ッケージの出射端面に対して、中心対称（左右対称）な
位置になく、また、基準線Ｂも中心対称な位置にないこ
と（左右非対称）を特徴としている。図６に示すよう
に、中心対称な位置に基準線Ｂが存在している場合に
は、パッケージ１１の片側（図６では下半分）のスペー
スが余ってしまい、パッケージ１１の小型化が困難とな
る。従って、出射端面が斜めにカットされた光導波路デ
バイスを用いて構成されるＳＨＧ光源用のパッケージと
しては、本実施の形態のように左右非対称構造の出射窓
１２を設けることが実用的に有効な構成である。
ッケージの出射端面に対して、中心対称（左右対称）な
位置になく、また、基準線Ｂも中心対称な位置にないこ
と（左右非対称）を特徴としている。図６に示すよう
に、中心対称な位置に基準線Ｂが存在している場合に
は、パッケージ１１の片側（図６では下半分）のスペー
スが余ってしまい、パッケージ１１の小型化が困難とな
る。従って、出射端面が斜めにカットされた光導波路デ
バイスを用いて構成されるＳＨＧ光源用のパッケージと
しては、本実施の形態のように左右非対称構造の出射窓
１２を設けることが実用的に有効な構成である。
【００６０】コヒーレント光源を光ディスク装置等の光
情報処理装置に応用する場合、光の出射方向がパッケー
ジの出射端面、すなわち、出射窓に垂直であることが必
要とされる。その理由は、発散光の経路中に斜めに透明
板が挿入されると、光を集光する際に非点収差が発生す
るからである。
情報処理装置に応用する場合、光の出射方向がパッケー
ジの出射端面、すなわち、出射窓に垂直であることが必
要とされる。その理由は、発散光の経路中に斜めに透明
板が挿入されると、光を集光する際に非点収差が発生す
るからである。
【００６１】図７に示すコヒーレント光源においては、
出射窓１２がパッケージ１１の側面に対しても垂直であ
り、出射光がパッケージ１１と平行な方向に得られる。
しかし、パッケージ１１の出射端面もしくは出射窓１２
を斜めにすることにより（パッケージ１１の側面とパッ
ケージ１１の出射端面もしくは出射窓１２とが垂直関係
にないように構成することにより）、さらにコンパクト
な構成とすることができる。図８に、その構成を示す。
青色光の出射方向については、図２を用いて説明する。
出射窓１２がパッケージ１１の側面に対しても垂直であ
り、出射光がパッケージ１１と平行な方向に得られる。
しかし、パッケージ１１の出射端面もしくは出射窓１２
を斜めにすることにより（パッケージ１１の側面とパッ
ケージ１１の出射端面もしくは出射窓１２とが垂直関係
にないように構成することにより）、さらにコンパクト
な構成とすることができる。図８に、その構成を示す。
青色光の出射方向については、図２を用いて説明する。
【００６２】図２において、光導波路４と光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角がθ＝８
４゜（＜９０゜）であるとき、青色光は、下記（数２
２）、（数２３）を満たすθ２の方向に端面から出射す
る。 ［数２２］ θ１＝９０゜−θ ［数２３］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） また、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面もしくは出
射窓１２の法線とのなす角θ３は、下記（数２４）によ
って規定される。 ［数２４］ θ３＝９０゜−θ２ 上記（数２２）〜（数２４）に具体的数値を入れて計算
すると、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面の法線と
のなす角θ３は７５．９７゜となる。
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とのなす角がθ＝８
４゜（＜９０゜）であるとき、青色光は、下記（数２
２）、（数２３）を満たすθ２の方向に端面から出射す
る。 ［数２２］ θ１＝９０゜−θ ［数２３］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） また、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面もしくは出
射窓１２の法線とのなす角θ３は、下記（数２４）によ
って規定される。 ［数２４］ θ３＝９０゜−θ２ 上記（数２２）〜（数２４）に具体的数値を入れて計算
すると、基準線Ａとパッケージ１１の出射端面の法線と
のなす角θ３は７５．９７゜となる。
【００６３】図８に示すように、パッケージ１１の出射
端面には、光を取り出すための出射窓１２が設けられて
おり、パッケージ１１の出射端面（出射窓１２）の傾き
角θ５は、下記（数２５）によって規定される。 ［数２５］ θ５＝９０゜−θ３−θ１ 本実施の形態においてはθ１＝６゜であるため、θ３＝
７５．９７゜となり、上記（数２５）より、θ５＝８．
０３゜となる。
端面には、光を取り出すための出射窓１２が設けられて
おり、パッケージ１１の出射端面（出射窓１２）の傾き
角θ５は、下記（数２５）によって規定される。 ［数２５］ θ５＝９０゜−θ３−θ１ 本実施の形態においてはθ１＝６゜であるため、θ３＝
７５．９７゜となり、上記（数２５）より、θ５＝８．
０３゜となる。
【００６４】図８に示すパッケージの構成を用いれば、
波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス２が実装されたＳｉサブマウント７、すな
わち光導波路とパッケージ１１の側面とが平行となるよ
うに、Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１内に固定す
ることができるので、パッケージ１１の幅を小さくし
て、コンパクト化を図ることができる。
波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス２が実装されたＳｉサブマウント７、すな
わち光導波路とパッケージ１１の側面とが平行となるよ
うに、Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１内に固定す
ることができるので、パッケージ１１の幅を小さくし
て、コンパクト化を図ることができる。
【００６５】尚、図８に示す構成においては、パッケー
ジ１１の出射端面と光を取り出すための出射窓１２とが
平行になっているが、パッケージ１１の断面形状を長方
形にしても同様の効果を得ることができる。この場合に
は、基準線Ａと出射窓１２の法線とのなす角がθ３とな
るように設計すればよい。
ジ１１の出射端面と光を取り出すための出射窓１２とが
平行になっているが、パッケージ１１の断面形状を長方
形にしても同様の効果を得ることができる。この場合に
は、基準線Ａと出射窓１２の法線とのなす角がθ３とな
るように設計すればよい。
【００６６】図８に示す構成においても、基準線Ａと光
導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とが平行
になるように調整し、さらに、基準点Ｃと発光点Ｄ（図
２参照）とが一致するように調整することにより、パッ
ケージ１１に対する光の発光点Ｄ及び発光角を高精度に
調整することが可能となる。従って、光ディスク装置等
の光情報処理装置に搭載する場合において、光利用効率
のばらつきをも低減することができるので、歩留まり等
を考慮した必要とされる光出力をも小さくすることがで
き、その実用的効果は大きい。
導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面とが平行
になるように調整し、さらに、基準点Ｃと発光点Ｄ（図
２参照）とが一致するように調整することにより、パッ
ケージ１１に対する光の発光点Ｄ及び発光角を高精度に
調整することが可能となる。従って、光ディスク装置等
の光情報処理装置に搭載する場合において、光利用効率
のばらつきをも低減することができるので、歩留まり等
を考慮した必要とされる光出力をも小さくすることがで
き、その実用的効果は大きい。
【００６７】また、図８に示すコヒーレント光源におい
ては、パッケージ１１の内部に形成された基準点を結ぶ
仮想基準線Ａ’及び仮想基準線Ｂ’を求め、それを基準
にして、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２が実装されたＳｉサブマウント
７を調整し、固定することもできる。この場合、２個以
上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される仮想基準線
として、ある基準点を基準にして検出画像内で得られる
基準線を仮想基準線として設定しても、高精度に出射角
や出射位置を制御することができる。
ては、パッケージ１１の内部に形成された基準点を結ぶ
仮想基準線Ａ’及び仮想基準線Ｂ’を求め、それを基準
にして、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２が実装されたＳｉサブマウント
７を調整し、固定することもできる。この場合、２個以
上の基準点を結ぶ線から意図的に決定される仮想基準線
として、ある基準点を基準にして検出画像内で得られる
基準線を仮想基準線として設定しても、高精度に出射角
や出射位置を制御することができる。
【００６８】図９（ａ）に、パッケージの側面に基準点
が形成されたパッケージの概略構成を示す。図９（ａ）
に示すように、基準点Ｊ及び基準点Ｋから仮想基準線
Ｂ’が得られる。図９（ｂ）に、画像検出された像を示
す。図９（ｂ）に示すように、画像上には予め基準線
Ａ、基準線Ｂ、基準点Ｌが形成されている（基準線Ａと
基準線Ｂの交点を基準点Ｍとする）。
が形成されたパッケージの概略構成を示す。図９（ａ）
に示すように、基準点Ｊ及び基準点Ｋから仮想基準線
Ｂ’が得られる。図９（ｂ）に、画像検出された像を示
す。図９（ｂ）に示すように、画像上には予め基準線
Ａ、基準線Ｂ、基準点Ｌが形成されている（基準線Ａと
基準線Ｂの交点を基準点Ｍとする）。
【００６９】検出画像上では基準線Ａと基準線Ｂが予め
ある角度θ３をもって形成されているので、仮想基準線
Ｂ’と基準線Ｂ、基準点Ｊと基準点Ｍがそれぞれ一致す
るようにパッケージ１１を調整すれば、意図的に仮想基
準線Ａ’を決定することができる。光導波路型ＱＰＭ−
ＳＨＧデバイスの出射端面と基準線Ａとが一致し、さら
には発光点Ｄ（図２参照）と基準点Ｃとが一致するよう
に、Ｓｉサブマウントを調整すれば、パッケージ１１の
出射窓１２（出射端面）に対して、発光点Ｄや発光角を
制御することができる。
ある角度θ３をもって形成されているので、仮想基準線
Ｂ’と基準線Ｂ、基準点Ｊと基準点Ｍがそれぞれ一致す
るようにパッケージ１１を調整すれば、意図的に仮想基
準線Ａ’を決定することができる。光導波路型ＱＰＭ−
ＳＨＧデバイスの出射端面と基準線Ａとが一致し、さら
には発光点Ｄ（図２参照）と基準点Ｃとが一致するよう
に、Ｓｉサブマウントを調整すれば、パッケージ１１の
出射窓１２（出射端面）に対して、発光点Ｄや発光角を
制御することができる。
【００７０】この場合においても、図８に示す構成の場
合と同様に、光ディスク装置等の光情報処理装置に搭載
する場合において、光利用効率のばらつきをも低減する
ことができるので、歩留まり等を考慮した、必要とされ
る光出力をも小さくすることができ、その実用的効果は
大きい。
合と同様に、光ディスク装置等の光情報処理装置に搭載
する場合において、光利用効率のばらつきをも低減する
ことができるので、歩留まり等を考慮した、必要とされ
る光出力をも小さくすることができ、その実用的効果は
大きい。
【００７１】［第２の実施の形態］図１０は本発明の第
２の実施の形態におけるコヒーレント光源を示す概略構
成図である。
２の実施の形態におけるコヒーレント光源を示す概略構
成図である。
【００７２】図１０に示すように、本実施の形態におけ
るコヒーレント光源も、上記第１の実施の形態と同様
に、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス２とにより構成されるＳＨＧ青色光源
であり、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、それぞれ活性層面、光導波
路形成面が対向するように、Ｓｉサブマウント７の上面
に固定されている。また、上記第１の実施の形態と同様
に、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面が
斜めにカットされている。
るコヒーレント光源も、上記第１の実施の形態と同様
に、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ
−ＳＨＧデバイス２とにより構成されるＳＨＧ青色光源
であり、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型Ｑ
ＰＭ−ＳＨＧデバイス２は、それぞれ活性層面、光導波
路形成面が対向するように、Ｓｉサブマウント７の上面
に固定されている。また、上記第１の実施の形態と同様
に、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の出射端面が
斜めにカットされている。
【００７３】パッケージ１１には、Ｓｉサブマウント固
定面１３と垂直な内側端面をパッケージ１１の長手方向
に対して斜めに形成することにより、基準面１４が設け
られている。この基準面１４は、上記第１の実施の形態
における基準線Ａと平行に設けられている。そして、波
長可変ＤＢＲ半導体レーザ１及び光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス２が実装されたＳｉサブマウント７をパッ
ケージ１１内のＳｉサブマウント固定面１３に固定する
際に、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の斜めにカ
ットされた出射端面を基準面１４に当接させることによ
り、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２をパッケージ
１１内の所望の位置に固定することができる。
定面１３と垂直な内側端面をパッケージ１１の長手方向
に対して斜めに形成することにより、基準面１４が設け
られている。この基準面１４は、上記第１の実施の形態
における基準線Ａと平行に設けられている。そして、波
長可変ＤＢＲ半導体レーザ１及び光導波路型ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧデバイス２が実装されたＳｉサブマウント７をパッ
ケージ１１内のＳｉサブマウント固定面１３に固定する
際に、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の斜めにカ
ットされた出射端面を基準面１４に当接させることによ
り、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２をパッケージ
１１内の所望の位置に固定することができる。
【００７４】本実施の形態によれば、画像調整すること
なく、基準面１４に光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
２の出射端面を当接させるという簡単な操作によって位
置決めを行うため、実装に要する時間を低減することが
できる。
なく、基準面１４に光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
２の出射端面を当接させるという簡単な操作によって位
置決めを行うため、実装に要する時間を低減することが
できる。
【００７５】尚、基準線Ｂ等の他の構成は上記第１の実
施の形態と同様であるため、その説明は省略する。
施の形態と同様であるため、その説明は省略する。
【００７６】［第３の実施の形態］図１１は本発明の第
３の実施の形態におけるコヒーレント光源のパッケージ
を示す概略構成図（（ａ）は断面図、（ｂ）は端面図）
である。
３の実施の形態におけるコヒーレント光源のパッケージ
を示す概略構成図（（ａ）は断面図、（ｂ）は端面図）
である。
【００７７】図１１に示すように、本実施の形態におけ
るコヒーレント光源のパッケージ１１には、その出射端
面の左右非対称な位置に光を取り出すための出射窓１２
が設けられている。また、パッケージ１１のＳｉサブマ
ウント固定面には、凹溝を形成することによって基準マ
ーカー（基準線Ｂ）が設けられており、この基準線Ｂは
出射窓１２の中心を通る出射窓１２の法線となってい
る。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスが固定されたＳ
ｉサブマウントをハンドリングすると、上面からの検出
を遮る場合もあるが、基準線Ｂを上記のような形で設け
たことにより、基準線Ｂを出射窓１２から観察すること
ができるため、ハンドリング方法を考慮する必要もな
く、利便性が高い。
るコヒーレント光源のパッケージ１１には、その出射端
面の左右非対称な位置に光を取り出すための出射窓１２
が設けられている。また、パッケージ１１のＳｉサブマ
ウント固定面には、凹溝を形成することによって基準マ
ーカー（基準線Ｂ）が設けられており、この基準線Ｂは
出射窓１２の中心を通る出射窓１２の法線となってい
る。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスが固定されたＳ
ｉサブマウントをハンドリングすると、上面からの検出
を遮る場合もあるが、基準線Ｂを上記のような形で設け
たことにより、基準線Ｂを出射窓１２から観察すること
ができるため、ハンドリング方法を考慮する必要もな
く、利便性が高い。
【００７８】尚、基準線Ａ等の他の構成は上記第１の実
施の形態と同様であるため、その説明は省略する。
施の形態と同様であるため、その説明は省略する。
【００７９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
出射角や発光位置が高精度に制御されたコヒーレント光
源を実現することができる。
出射角や発光位置が高精度に制御されたコヒーレント光
源を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるコヒーレン
ト光源（パッケージなし）を示す概略構成図
ト光源（パッケージなし）を示す概略構成図
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるコヒーレン
ト光源を構成する光導波路デバイスを示す平面図
ト光源を構成する光導波路デバイスを示す平面図
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるパッケージ
を示す断面図
を示す断面図
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるパッケージ
の他の例を示す断面図
の他の例を示す断面図
【図５】本発明の第１の実施の形態における光導波路の
出射端面加工時の角度ずれの補正方法を示す概略構成図
出射端面加工時の角度ずれの補正方法を示す概略構成図
【図６】本発明の第１の実施の形態におけるパッケージ
の左右対称な位置に出射窓が設けられている状態を示す
概略構成図
の左右対称な位置に出射窓が設けられている状態を示す
概略構成図
【図７】本発明の第１の実施の形態におけるパッケージ
に固定された状態のコヒーレント光源を示す概略構成図
に固定された状態のコヒーレント光源を示す概略構成図
【図８】（ａ）は本発明の第１の実施の形態におけるパ
ッケージに固定された状態のコヒーレント光源の他の例
を示す断面図、（ｂ）はそのパッケージを示す断面図
ッケージに固定された状態のコヒーレント光源の他の例
を示す断面図、（ｂ）はそのパッケージを示す断面図
【図９】（ａ）は本発明の第１の実施の形態におけるパ
ッケージのさらに他の例を示す断面図、（ｂ）は画像検
出された像を示す模式図
ッケージのさらに他の例を示す断面図、（ｂ）は画像検
出された像を示す模式図
【図１０】本発明の第２の実施の形態におけるコヒーレ
ント光源を示す概略構成図
ント光源を示す概略構成図
【図１１】本発明の第３の実施の形態におけるコヒーレ
ント光源のパッケージを示す概略構成図（（ａ）は断面
図、（ｂ）は端面図）
ント光源のパッケージを示す概略構成図（（ａ）は断面
図、（ｂ）は端面図）
【図１２】光導波路型ＱＰＭ―ＳＨＧデバイスを用いた
ＳＨＧ青色光源の概略構成
ＳＨＧ青色光源の概略構成
１ 波長可変ＤＢＲ半導体レーザ ２ 光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス ４ 光導波路 ６ 調整用マーカー ７ Ｓｉサブマウント １１ パッケージ １２ 出射窓 Ａ、Ｂ 基準線（基準マーカー） Ｃ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ 基準点 Ｄ 発光点 Ａ’、Ｂ’ 仮想基準線 Ｃ’ 仮想基準点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 和久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 瀧川 信一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA03 MA07 NA02 PA05 PA12 PA24 QA03 RA08 TA11 2K002 AB12 BA01 CA03 DA06 EA25 FA26 FA27 5F073 AA65 AB23 AB25 BA06 CA07 EA26 FA13 FA23 FA30
Claims (24)
- 【請求項１】 少なくとも半導体レーザと光導波路デバ
イスとがサブマウント上に実装され、前記サブマウント
がパッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント光
源であって、前記パッケージのサブマウント固定面に、
前記サブマウントを固定する際の基準マーカーが形成さ
れていることを特徴とするコヒーレント光源。 - 【請求項２】 前記光導波路デバイスの出射端面と、前
記基準マーカーによって検出される基準線又は２個以上
の基準点を結ぶ線から意図的に決定される仮想基準線と
がほぼ平行となるように、前記サブマウントが固定され
ている請求項１に記載のコヒーレント光源。 - 【請求項３】 前記光導波路デバイス上に、光導波路を
中心として導波方向に対称な位置に調整用マーカーが形
成された請求項１又は２に記載のコヒーレント光源。 - 【請求項４】 前記調整用マーカーが前記光導波路の両
側に平行に形成されたストライプ型マーカーであり、前
記光導波路の位置を前記２つのストライプ型マーカーの
中線とする請求項３に記載のコヒーレント光源。 - 【請求項５】 前記調整用マーカーによって検出される
前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面とのな
す角をθ（＜９０゜）、前記光導波路の実効屈折率をｎ
としたとき、前記パッケージの出射端面あるいは出射窓
の法線と前記基準線とのなす角θ３が下記（数１）〜
（数３）の関係をほぼ満足する請求項３又は４に記載の
コヒーレント光源。 ［数１］ θ１＝９０゜−θ ［数２］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数３］ θ３＝９０゜−θ２ - 【請求項６】 前記調整用マーカーによって検出される
前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面とのな
す角θが８７゜以下である請求項３又は４に記載のコヒ
ーレント光源。 - 【請求項７】 前記調整用マーカーによって検出される
前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面との交
点が、前記基準マーカによって検出される基準点又は２
個以上の基準点から意図的に決定される仮想基準点を通
る前記サブマウント固定面のほぼ法線上に位置するよう
に、前記サブマウントが固定されている請求項３〜６の
いずれかに記載のコヒーレント光源。 - 【請求項８】 前記基準点が前記パッケージの光の出射
方向に対して左右非対称な位置に形成されている請求項
７に記載のコヒーレント光源。 - 【請求項９】 前記光導波路デバイスが第２高調波発生
を利用した波長変換デバイスである請求項１〜８のいず
れかに記載のコヒーレント光源。 - 【請求項１０】 前記光導波路デバイスが第２高調波発
生を利用した波長変換デバイスであり、前記実効屈折率
ｎが前記第２高調波光に対するものである請求項５に記
載のコヒーレント光源。 - 【請求項１１】 前記パッケージが金属、プラスチック
及びセラミックからなる群から選ばれる少なくとも１つ
からなる請求項１〜１０のいずれかに記載のコヒーレン
ト光源。 - 【請求項１２】 前記基準マーカーが前記パッケージの
サブマウント固定面に形成された凹凸である請求項１〜
１１のいずれかに記載のコヒーレント光源。 - 【請求項１３】 前記基準マーカーが前記パッケージの
サブマウント固定面に形成された反射体又は光吸収体で
ある請求項１〜１２のいずれかに記載のコヒーレント光
源。 - 【請求項１４】 前記パッケージの出射端面に光を取り
出すための出射窓が形成されており、前記基準マーカー
が前記出射窓の中心を通る前記出射窓の法線である請求
項１に記載のコヒーレント光源。 - 【請求項１５】 前記基準マーカーが前記出射窓から検
出可能である請求項１４に記載のコヒーレント光源。 - 【請求項１６】 少なくとも半導体レーザと光導波路デ
バイスとがサブマウント上に実装され、前記サブマウン
トがパッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント
光源であって、前記パッケージの出射端面に光を取り出
すための出射窓が形成されており、前記パッケージの出
射端面上において前記出射窓が左右非対称な位置に形成
されていることを特徴とするコヒーレント光源。 - 【請求項１７】 少なくとも半導体レーザと光導波路デ
バイスとがサブマウント上に実装され、前記サブマウン
トがパッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント
光源であって、前記光導波路デバイス上の光導波路と前
記パッケージの側面とが略平行状態にあると共に、前記
パッケージの出射端面に光を取り出すための出射窓が形
成され、かつ、前記パッケージの側面と前記出射窓とが
垂直関係になく、前記光導波路と前記光導波路デバイス
の出射端面とのなす角をθ（＜９０゜）、前記光導波路
の実効屈折率をｎとしたとき、前記パッケージの前記出
射窓の法線と前記光導波路デバイスの出射端面とのなす
角θ３が下記（数４）〜（数６）の関係をほぼ満足する
ことを特徴とするコヒーレント光源。 ［数４］ θ１＝９０゜−θ ［数５］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数６］ θ３＝９０゜−θ２ - 【請求項１８】 少なくとも半導体レーザと光導波路デ
バイスとがサブマウント上に実装され、前記サブマウン
トがパッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント
光源であって、前記パッケージの一部分に、前記サブマ
ウントを固定する際の基準面が形成されていることを特
徴とするコヒーレント光源。 - 【請求項１９】 前記基準面に前記光導波路デバイスの
出射端面が当接している請求項１８に記載のコヒーレン
ト光源。 - 【請求項２０】 少なくとも半導体レーザと光導波路デ
バイスとがサブマウント上に実装され、前記サブマウン
トがパッケージ内に固定されて構成されたコヒーレント
光源の製造方法であって、前記パッケージのサブマウン
ト固定面に形成された基準マーカーもしくは２個以上の
基準点から意図的に決定される仮想基準線又は仮想基準
点を基準として前記サブマウントを固定することを特徴
とするコヒーレント光源の製造方法。 - 【請求項２１】 前記光導波路デバイスの出射端面と前
記基準マーカーによって検出される基準線とがほぼ平行
となるように、前記サブマウントを固定する請求項２０
に記載のコヒーレント光源の製造方法。 - 【請求項２２】 前記光導波路デバイス上の光導波路を
中心として導波方向に対称な位置に調整用マーカーを形
成し、前記調整用マーカーによって検出される前記光導
波路と前記光導波路デバイスの出射端面とのなす角をθ
（＜９０゜）、前記光導波路の実効屈折率をｎとしたと
き、前記パッケージの出射端面あるいは出射窓の法線と
前記基準線とのなす角θ３が下記（数７）〜（数９）の
関係をほぼ満足するように、前記サブマウントを固定す
る請求項２０に記載のコヒーレント光源の製造方法。 ［数７］ θ１＝９０゜−θ ［数８］ θ２＝ｓｉｎ-1（ｎ×ｓｉｎθ１） ［数９］ θ３＝９０゜−θ２ - 【請求項２３】 前記サブマウント固定面の法線方向に
位置する画像処理装置を用いて、前記光導波路と前記光
導波路デバイスの出射端面とのなす角θを測定した後、
上記（数７）、（数８）を用いてθ２を算出し、前記基
準線と前記光導波路デバイスの出射端面とのなす角が所
定の値となるように調整する請求項２２に記載のコヒー
レント光源の製造方法。 - 【請求項２４】 前記調整用マーカーによって検出され
る前記光導波路と前記光導波路デバイスの出射端面との
交点が前記基準マーカによって検出される基準点又は２
個以上の基準点から意図的に決定される仮想基準点を通
る前記サブマウント固定面のほぼ法線上に位置するよう
に、前記サブマウントを固定する請求項２２又は２３に
記載のコヒーレント光源。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001229067A JP2002374030A (ja) | 2001-04-09 | 2001-07-30 | コヒーレント光源及びその製造方法 |
| US10/381,405 US20030189960A1 (en) | 2001-07-30 | 2002-07-29 | Coherent light source and production method thereof |
| CNA2005100590851A CN1681175A (zh) | 2001-07-30 | 2002-07-29 | 相干光源及其制造方法 |
| PCT/JP2002/007705 WO2003012943A1 (fr) | 2001-07-30 | 2002-07-29 | Source de lumiere coherente et son procede de production |
| CNA028030702A CN1476657A (zh) | 2001-07-30 | 2002-07-29 | 相干光源及其制造方法 |
| CNB2005100590866A CN100394297C (zh) | 2001-07-30 | 2002-07-29 | 相干光源 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001109991 | 2001-04-09 | ||
| JP2001-109991 | 2001-04-09 | ||
| JP2001229067A JP2002374030A (ja) | 2001-04-09 | 2001-07-30 | コヒーレント光源及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002374030A true JP2002374030A (ja) | 2002-12-26 |
Family
ID=26613295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001229067A Withdrawn JP2002374030A (ja) | 2001-04-09 | 2001-07-30 | コヒーレント光源及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002374030A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011085746A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Citizen Holdings Co Ltd | レーザ光源 |
| WO2017177300A1 (en) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Teledyne Dalsa, Inc. | Alignment of multiple image dice in package |
| US10578277B2 (en) | 2016-02-09 | 2020-03-03 | Nichia Corporation | Light source device |
| JP2021157012A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | Tdk株式会社 | 集積光学装置及び集積光モジュール |
-
2001
- 2001-07-30 JP JP2001229067A patent/JP2002374030A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011085746A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Citizen Holdings Co Ltd | レーザ光源 |
| US8451530B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-05-28 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Laser source |
| US10578277B2 (en) | 2016-02-09 | 2020-03-03 | Nichia Corporation | Light source device |
| WO2017177300A1 (en) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Teledyne Dalsa, Inc. | Alignment of multiple image dice in package |
| US11205670B2 (en) | 2016-04-15 | 2021-12-21 | Teledyne Digital Imaging, Inc. | Alignment of multiple image dice in package |
| JP2021157012A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | Tdk株式会社 | 集積光学装置及び集積光モジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081007 |