<Desc/Clms Page number 1>
Werkwijze ter vervaardiging van een straling-emitterende halfgeleiderdiode.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een straling-emitterende halfgeleiderdiode waarbij op een eerste zijvlak van een
EMI1.1
halfgeleiderlichaam dat tenminste een straling-emitterende halfgeleiderdiode bevat een offerlaag die een polymeer omvat wordt aangebracht, vervolgens op het eerste zijvlak en op een tweede zijvlak van het halfgeleiderlichaam dat een hoek maakt met het eerste zijvlak en dat een uittreevlak voor door de diode op te wekken straling vormt, een deklaag wordt aangebracht, waarna door middel van etsen van de offerlaag het eerste zijvlak ontdaan wordt van de offerlaag en het daarop liggende deel van de deklaag.
Aldus vervaardigde straling-emitterende halfgeleiderdioden beschikken over een uittreevlak voor straling dat voorzien is van een deklaag zoals een hoog of juist laag reflecterende of een passiverende laag, in het geval van een laserdiode ook wel spiegel coating genaamd. Dergelijke (laser) dioden zijn geschikt voor veel toepassingen, zoals CD (=Compact Disk), DOR (= Digital Optical Recording), streepjes code lezers en systemen voor glasvezel communicatie.
Een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort is bekend uit JP (A) 61-70780 dat gepubliceerd is in Patent Abstracts of Japan, vol. 10, no. 240 op 19 Augustus 1986. Bij de gebruikelijke methoden om een deklaag aan te brengen, zoals sputteren, opdampen en dergelijke is het zo dat ook op andere dan het gewenste vlak van het halfgeleiderlichaam de deklaag wordt aangebracht. Dankzij toepassing van de offerlaag, bij de bekende werkwijze een polyimide hars bevattend, wordt een vlak van het halfgeleiderlichaam waar geen deklaag gewenst is, bijvoorbeeld het bovenvlak, ontdaan van het deel van de deklaag dat op dat vlak terecht gekomen is.
Een nadeel van de bekende werkwijze is dat daarmee vervaardigde laserdioden een startstroom bezitten die hoger dan verwacht is of - in het bijzonder in het geval van hoog vermogen laserdioden - een relatief laag maximaal uitgestraald vermogen hebben.
<Desc/Clms Page number 2>
De onderhavige uitvinding beoogt onder meer een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort te verkrijgen waarmee straling-emitterende halfgeleiderdioden verkregen worden die een lage startstroom bezitten en een hoog maximaal uitgestraald vermogen.
Een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort heeft daartoe volgens de uitvinding het kenmerk dat vóór het aanbrengen van de deklaag een beschermlaag van een anorganisch materiaal op de offerlaag wordt aangebracht. Een offerlaag die een organisch polymeer bevat is enerzijds zeer eenvoudig aan te brengen met een aantrekkelijke relatief grote dikte van bijvoorbeeld een micrometer en is-na het aanbrengen van de deklaag - ook weer gemakkelijk te verwijderen. Het is in de praktijk gebleken dat een dergelijke laag door allerlei externe invloeden gemakkelijk beschadigd wordt. Deze beschadigingen leiden ertoe dat zieh ter plaatse van de offerlaag delen van de deklaag afzetten die bij het daarop volgende "lift-of'proces niet meer verwijderd worden.
Wanneer het eerste zijvlak van het halfgeleiderlichaam gevormd wordt door een metaallaag waarmee de diode gesoldeerd wordt, ontstaan door die niet verwijderde delen van de deklaag bij het solderen gebieden waar de diode niet of slecht gesoldeerd is. Hierdoor wordt in het bijzonder de in een laserdiode opgewekte warmte daar niet of slecht afgevoerd. Met name in geval van een laserdiode die materialen bevat die op zieh zelf reeds vrij slechte warmtegeleiders zijn, leidt dit tot een verhoging van de startstroom. Ook wanneer een laserdiode zelf de warmte relatief goed geleidt, leidt met name een wat slechtere warmte afvoer nabij de spiegel tot een relatief laag maximaal uitgestraald vermogen.
Het volgens de uitvinding op de offerlaag aanbrengen van een beschermlaag die een anorganisch materiaal bevat blijkt dergelijke beschadigingen van
EMI2.1
de offerlaag zeer effectief te voorkomen. Tengevolge van een een geringere leefbaar- 0 heid van een dergelijke beschermlaag, die in droog proces wordt aangebracht, wordt zowel deze als de daaronder liggende offerlaag minder vlug beschadigd waardoor de
EMI2.2
genoemde problemen bij het aanbrengen van de deklaag niet of althans nagenoeg niet 0 optreden. Op deze wijze worden de voordelen van een een organisch polymeer bevattende offerlaag, die op gebruikelijke wijze door"opspinnen"aangebracht wordt, behouden terwijl de aldus vervaardigde laserdioden een relatief lage startstroom en een relatief groot maximaal uitgestraald vermogen bezitten.
De beschermlaag in een werkwijze volgens de uitvinding mag relatief dun zijn, bijvoorbeeld enkele tientallen
<Desc/Clms Page number 3>
EMI3.1
nanometers dik, en kan materialen bevatten zoals aluminiumoxyde of siliciumoxide. De beschermlaag dient uiteraard bij een lagere temperatuur te worden aangebracht dan die waarbij de offerlaag ontleed. Ook bij andere processen dan het genoemde soldeer proces zullen zieh vergelijkbare problemen voordoen en biedt de werkwijze volgens de uitvinding uitkomst wanneer het eerste zijvlak een halfgeleiderlaag begrenst en wanneer daarop-na het aanbrengen van de deklaag en na het verwijderen van de offerlaag-een epitaxiale laag wordt aangebracht, zal deze ter plaatse van de niet verwijderde delen van de deklaag niet kristallijn zijn of veel defecten bevatten, hetgeen uiteraard meestal ongewenst is.
In een belangrijke uitvoering van een werkwijze volgens de uitvinding wordt als materiaal van de offerlaag een fotolak gekozen en als materiaal van de beschermlaag een voor UV-straling ondoordringbaar materiaal. Een fotolak kan zeer gemakkelijk in de gewenste dikte worden aangebracht, is gemakkelijk te verwijderen en algemeen gangbaar binnen de technologie van straling-emitterende halfgeleiderdioden.
Een voor UV-straling ondoordringbare beschermlaag biedt met name groot voordeel wanneer bij het aanbrengen van de deklaag gebruik wordt gemaakt van sputteren of andere plasma depositie processen. Bij dergelijke processen wordt UV-straling gegenereerd waardoor een voor UV-straling ondoordringbare beschermlaag-verder uitharden en vertakken van de fotolak zou optreden. In dat geval wordt een volledig oplossen van de offerlaag na het aanbrengen van de deklaag bemoeilijkt, hetgeen resulteert in soortgelijke problemen als hiervoor beschreven voor de aanwezigheid van delen van de deklaag op het eerste zijvlak.
Bij voorkeur wordt in een werkwijze volgens de uitvinding voor het materiaal van de beschermlaag een metaal gekozen. Een dergelijke laag biedt een uitstekende bescherming van de offerlaag zowel tegen mechanische beschadigingen als tegen de invloed van UV-straling. gunstige resultaten zijn verkregen met een beschermlaag van aluminium. Een met behulp van magnetron sputteren op de offerlaag aangebrachte aluminium laag met een dikte van ongeveer 70 nm blijkt uitstekend te voldoen.
In een voorkeursuitvoering van een werkwijze volgens de uitvinding wordt op een halfgeleidersubstraat een voor de vorming van de straling-emitterende halfgeleiderdiode benodigde halfgeleiderlagenstructuur aangebracht wordt, wordt hierna een
<Desc/Clms Page number 4>
EMI4.1
metaallaag aangebracht op het ondervlak van het substraat of op het bovenvlak van de halfgeleiderlagenstructuur welke metaallaag het eerste zijvlak van het te vormen halfgeleiderlichaam vormt, vervolgens wordt op de metaallaag de een polymeer bevattende offerlaag en de beschermlaag aangebracht, waarna uit de aldus verkregen structuur, bij voorkeur door middel van klieven, het halfgeleiderlichaam gevormd wordt dat strookvormig is, een aantal naast elkaar liggende dioden omvat en waarvan een zijvlak het tweede zijvlak van het halfgeleiderlichaam vormt.
Na het aanbrengen van de deklaag en het verwijderen van de offerlaag, de beschermlaag en het daarop gelegen deel van de deklaag, worden de afzonderlijke dioden verkregen door separatie uit het strookvormige halfgeleiderlichaam. De aldus vervaardigde dioden bezitten een metaallaag die uitstekend soldeerbaar is en een uittreevlak dat voorzien is van de gewenste deklaag. Dankzij het gebruik van stroken die een diode breed zijn en in de lengte richting een groot aantal dioden bevatten kunnen veel diodes tegelijk van de deklaag voorzien worden. Dankzij het aanbrengen van de offerlaag en de beschermlaag op een plaatvormig substraat voordat het halfgeleiderlichaam gevormd wordt, is de werkwijze volgens de voorkeursuitvoering optimaal en efficiënt uitvoerbaar.
In een gunstige variant van de hierboven genoemde voorkeursuitvoering wordt de deklaag met behulp van sputteren aangebracht waarbij het strookvormige halfgeleiderlichaam tijdens het sputteren zo geplaatst wordt dat het eerste zijvlak ongeveer loodrecht staat op de sputter richting staat en waarbij tijdens het sputteren ook een derde, aan het tweede evenwijdige, zijvlak van het halfgeleiderlichaam bedekt wordt met de deklaag. Aangezien bij een sputter proces ook ongeveer evenwijdig aan de sputter richting lopende vlakken voldoende goed bedekt worden met de te sputteren laag, kunnen door middel van deze variant, twee zijvlakken, bijvoorbeeld de twee spiegelvlakken van een laserdiode, tegelijkertijd van de deklaag voorzien worden. Bij deze variant is het voordeel van een voor UV-ondoordringbare beschermlaag maximaal.
Op de eerste plaats omdat bij sputteren UV-straling en op de tweede plaats omdat bij deze werkwijze de offerlaag zonder een voor UV ondoordringbare beschermlaag maximaal bloot gesteld zou zijn aan deze UV-straling. mechanische aspect van de bescherming is hierbij wat geringer omdat althans tijdens het aanbrengen van de deklaag de strookvormige halfgeleiderlichamen geen onderling contact (mogen) maken.
0
<Desc/Clms Page number 5>
De bescherming tegen mechanische schade tengevolge van verkleven tijdens het vervaardigen en het daaropvolgende manipuleren van de stroken blijft aanwezig.
In een andere, eveneens zeer gunstige, variant van de hierboven genoemde voorkeursuitvoering worden een aantal van de verkregen strookvormige halfgeleiderlichamen naast elkaar, bij voorkeur door middel van een scheidingslichaam van elkaar gescheiden, geplaatst zodanig dat het eerste zijvlak ongeveer evenwijdig en het tweede zijvlak ongeveer loodrecht loopt ten opzichte van een depositie richting, waarna de deklaag vanuit die richting wordt aangebracht. De deklaag kan bijvoorbeeld met sputteren of opdampen worden aangebracht op het tweede zijvlak dat dan als uittreevlak voor straling dient.
De beschermende werking van de beschermlaag berust hier vooral, doch niet uitsluitend, op het voorkomen van beschadigingen van de offerlaag bij het vormen van de strookvormige halfgeleiderlichamen, bij het vervolgens manipuleren daarvan en bij het tegen elkaar of tegen de scheidingslichamen plaatsen daarvan. Een gunstige verdere uitvoeringsvorm van een werkwijze volgens de uitvinding heeft het kenmerk dat als straling-emitterende halfgeleiderdiode een laserdiode gekozen wordt waarbij het tweede zijvlak van het halfgeleiderlichaam een spiegelvlak van de laserdiode vormt en als deklaag een als spiegel coating fungerende laag gekozen wordt. Een dergelijke coating kan bijvoorbeeld aluminiumoxyde bevatten dat bijvoorbeeld door middel van sputteren wordt aangebracht.
Een met een dergelijke spiegel coating uitgeruste laserdiode is bij uitstek geschikt voor hoog vermogen toepassingen.
Van de uitvinding zal thans een nadere toelichting volgen aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld en de daarbij behorende tekening, waarin fig. 1 t/m 7 schematisch twee uitvoeringsvormen van een werkwijze volgens de uitvinding voor het vervaardigen van een straling-emitterende halfgeleiderdiode tonen aan de hand van een zijaanzicht, een bovenaanzicht en een vijftal verdere zijaanzichten, en in opeenvolgende stadia van de vervaardiging.
De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend. Met name zijn ter wille van de duidelijkheid een deel van de afmetingen in de dikte richting overdreven zijn weergegeven. Overeenkomstige delen zijn als regel in de verschillende figuren met hetzelfde verwijzingscijfer aangeduid.
<Desc/Clms Page number 6>
Figuur 1 t/m 5 tonen schematisch een eerste uitvoeringsvorm van een werkwijze volgens de uitvinding voor het vervaardigen van een straling-emitterende halfgeleiderdiode aan de hand van een zijaanzicht, een bovenaanzicht en een drietal verdere zijaanzichten en in opeenvolgende stadia van de vervaardiging. Op een halfgeleidersubstraat 4, hier van GaAs, wordt (zie figuur 1) allereerst bijvoorbeeld met behulp van OMVPE (= Organo Metallic Vapour Phase Epitaxy) een, voor een stralingemitterende halfgeleiderdiode, hier een InGaP/InAlGaP laserdiode, benodigde halfgeleiderlagenstructuur 5 aangebracht die bestaat uit een tussen twee opsluitlagen gelegen actieve laag en een op de bovenste opsluitlaag gelegen contactlaag, welke lagen in de figuren niet afzonderlijk zijn weergegeven.
Tevens bevat de halfgeleiderlagenstructuur een nabij de actieve laag gelegen pn-overgang en algemeen gebruikelijke middelen waarmee een strookvormig actief gebied 6 gevormd wordt waarvan de lengte richting evenwijdig aan het vlak van tekening loopt. De pn-overgang en de genoemde middelen zijn eveneens niet in de figuren weergegeven. Vervolgens wordt het ondervlak van het substraat 4 of het bovenvlak van de halfgeleiderlagenstructuur 5, hier beide vlakken, voorzien van een metaallaag 7, 8. De metaallaag 7 vormt een eerste zijvlak 11 van een te vormen halfgeleiderlichaam 20.
Daarna wordt op het eerste zijvlak 11 een offerlaag 1 aangebracht die een organisch polymeer, hier een fotolak van Waycoat met het nummer 204, bevat, een dikte heeft van ongeveer 1, 2 m en die gedurende twee minuten bij 90 C uitgebakken wordt.
Vervolgens wordt volgens de uitvinding op de offerlaag 1 een beschermlaag 3 aangebracht die een anorganisch materiaal, hier een metaal en in dit voorbeeld aluminium, bevat en die een dikte heeft van ongeveer 70 nm. De beschermlaag 3 wordt hier met behulp van DC (=Differential Current) magnetron sputteren aangebracht.
Hierna wordt (zie figuur 2), hier door middel van klieven, uit de aldus verkregen structuur het halfgeleiderlichaam 20 gevormd in de vorm van een strook 20 die een aantal naast elkaar liggende laserdioden 10 omvat. Een zijvlak 12 van elk strook 20 vormt het tweede zijvlak 12 van het halfgeleiderlichaam, dat een, hier loodrechte, hoek
EMI6.1
maakt met het eerste zijvlak 11, een uittreevlak voor binnen een strookvormig actief i gebied 6 van de diode 10 op te wekken straling en dat met een deklaag, bijvoorbeeld een spiegel coating, voorzien moet worden. In dit uitvoeringsvoorbeeld worden een groot aantal halfgeleiderlichamen 20 gevormd waardoor de werkwijze efficient is.
<Desc/Clms Page number 7>
Tevens worden met de werkwijze van dit voorbeeld voorkomen dat het met een deklaag te voorziene tweede zijvlak 12 besmet wordt met delen van de offerlaag 1 of de beschermlaag 3 aangezien het tweede zijvlak 12 pas gevormd wordt na het aanbrengen van de offerlaag 1 en de beschermlaag 3.
Vervolgens wordt (zie figuur 3) het halfgeleiderlichaam 20, hier een groter aantal halfgeleiderlichamen 20 waarvan er twee in de figuur zijn weergegeven, op een drager 30 geplaatst in een inrichting voor het aanbrengen van de deklaag, hier een sputter inrichting. Dit gebeurt zodanig dat het eerste zijvlak 11 ongeveer loodrecht staat op de sputter richting 60 en dat de afstand tussen twee strookvormige halfgeleiderlichamen 20 tenminste ongeveer 500 hum bedraagt.
Dan wordt (zie figuur 4) door middel van een sputter proces op het tweede zijvlak 12, en hier tevens op een daaraan evenwijdig derde zijvlak 13, van het strookvormige halfgeleiderlichaam 20 de deklaag 2 aangebracht die in dit voorbeeld een ongeveer 0, 2 m dikke spiegel coating van aluminium oxide bevat. Dankzij het feit dat bij een sputter proces ook de vlakken die evenwijdig aan de sputter richting 60 lopen bedekt worden, kunnen de twee spiegelvlakken 12 en 13 van de laserdioden 10 in één sputter proces bedekt worden met de deklaag 2. Dit is een groot voordeel. Op het op de drager 30 rustende zijvlak 14 treedt daarbij geen depositie van de deklaag 2 op. De deklaag 2 wordt uiteraard ook op de op het eerste zijvlak 11 van het halfgeleiderlichaam 20 liggende beschermlaag 3 aangebracht.
Dankzij het feit dat gebruik gemaakt wordt van een anorganische beschermlaag 3 wordt, bijvoorbeeld tijdens het manipuleren van de halfgeleiderlichamen 20, de offerlaag 1 beschermt tegen mechanische beschadigingen. Dankzij afwezigheid van dergelijke beschadigingen, komt er in het eerste zijvlak 11 nergens-en zeker niet op het nabij het zijvlak 12 liggende deel daarvan-een deel van de deklaag 2 op de metaallaag 7 terecht. De beschermlaag 3 die hier van aluminium is, is bovendien ondoordringbaar voor UV-straling waardoor de offerlaag 1, die hier een fotolak bevat, (grotendeels) beschermd wordt tegen verder vertakken of uitharden onder invloed van uit het sputter plasma vrijkomende UV-straling.
Nadat het strookvormige halfgeleiderlichaam uit de sputter inrichting is genomen wordt (zie figuur 5) de offerlaag 1 met behulp van een gebruikelijk oplosmiddel, hier met aceton, verwijderd. Daarbij wordt tevens de op de offerlaag 1 liggende beschermlaag 3 en het daarop liggende deel van de deklaag 2 verwijderd. Dankzij de
<Desc/Clms Page number 8>
EMI8.1
werkwijze volgens de uitvinding wordt niet alleen voorkomen dat er bij het depositie proces van de deklaag 2 delen daarvan rechtstreeks op de metaallaag 7 terecht komen waar zij niet meer verwijderd zouden kunnen worden, maar ook wordt voorkomen dat er bij het verwijderen van de offerlaag 1 delen daarvan op de metaallaag 7 achterblijven. Daardoor is de metaallaag 7 uitstekend soldeerbaar en bezitten de zogenaamd"epidown" 10 een hoge levensduur en een relatief hoog maximaal uitgestraald vermogen 40.
De afzonderlijke laserdioden 10 worden tenslotte verkregen uit het strookvormige halfgeleiderlichaam 20 door bijvoorbeeld hakken (het zogenaamde"chip-choppen").
Figuur 1, 2, 6, 7 en 5 tonen schematisch een tweede uitvoeringsvorm van een werkwijze volgens de uitvinding voor het vervaardigen van een straling-emitterende i halfgeleiderdiode aan de hand van een zijaanzicht, een bovenaanzicht en een drietal verdere zijaanzichten en in opeenvolgende stadia van de vervaardiging. De eerste proces 0 stappen van de werkwijze van dit voorbeeld zijn gelijk aan die in het hiervoor behandelde eerste uitvoeringsvoorbeeld. Voor een bespreking daarvan wordt hier volstaan met een verwijzing naar de figuurbeschrijving van de figuren 1 en 2.
Nadat het strookvormige halfgeleiderlichaam 20 gevormd is, wordt (zie figuur 6) het halfgeleiderlichaam 20, hier een groter aantal halfgeleiderlichamen 20 waarvan er twee in de figuur zijn weergegeven, op een drager 30 geplaatst in een inrichting voor het aanbrengen van de deklaag 2, hier eveneens een sputter inrichting.
Dit gebeurt zodanig dat het eerste zijvlak 11, en hier ook een aan het eerste zijvlak 11 evenwijdig lopend derde zijvlak 14, ongeveer evenwijdig en het tweede zijvlak 12 ongeveer loodrecht staan ten opzichte van een richting 60 van waaruit de deklaag 2 zal worden aangebracht. De strookvormige halfgeleiderlichamen 20 zijn van elkaar gescheiden door middel van een strookvormig scheidingslichaam 50 dat GaAs bevat en 300 m breed is.
Dan wordt (zie figuur 7) door middel van sputteren op het tweede zijvlak 12 van het strookvormige halfgeleiderlichaam 20 de deklaag 2 aangebracht die in dit voorbeeld een ongeveer 0, m aluminiumoxide spiegel coat laag omvat. Doordat - hierboven reeds werd opgemerkt-bij een sputter proces ook vlakken die ongeveer evenwijdig aan de sputter richting 60 lopen bedekt worden, worden hier ook delen van het eerste zijvlak 11 en een daaraan evenwijdig lopend derde zijvlak 14 i
<Desc/Clms Page number 9>
bedekt met de deklaag 2. Het op de drager 30 rustende zijvlak 13 van het halfgeleiderlichaam 20 wordt in dit voorbeeld niet met de deklaag 2 bedekt.
Dankzij het feit dat, voor wat betreft het eerste zijvlak 11, gebruik gemaakt wordt van offerlaag 1 en een daarop liggende anorganische beschermlaag 3 wordt de offerlaag 3 beschermt tegen mechanische beschadigingen die met name kunnen ontstaan bij het manipuleren van het strookvormige halfgeleiderlichaam 20. Dankzij afwezigheid van dergelijke beschadigingen, komt er nergens, en zeker niet nabij het zijvlak 12, op het eerste zijvlak 11 een deel van de deklaag 2 rechtstreeks op de metaallaag 7. De anorganische beschermlaag 3, hier evenals in het eerste voorbeeld van aluminium, is niet gemakkelijk te beschadigen.
Bovendien wordt doordat de beschermlaag 3 in dit voorbeeld ondoordringbaar is voor UV-straling, de offerlaag 1, die hier een fotolak bevat, ook in dit voorbeeld enigszins beschermd tegen verder vertakken of uitharden onder invloed van de bij het sputter proces ontstane UV-straling. Na dit eerste sputter proces worden de strookvormige halfgeleiderlichamen 20 op de drager 30 omgekeerd zodat het zijvlak 13 in figuur 6 de plaats inneemt van het zijvlak 12. Vervolgens wordt in een tweede sputter proces op soortgelijke wijze bijvoorbeeld een-niet in figuur 6 weergegeven - reflecterende coating 2 op het zijvlak 13 aangebracht. Deze reflecterende coating 2 bevat eveneens aluminiumoxide en bezit een voor de reflecterende werking gewenste dikte.
Nadat vervolgens het strookvormige halfgeleiderlichaam 20 uit de sputter inrichting is genomen wordt (zie figuur 5) de offerlaag 1 met behulp van een gebruikelijk oplosmiddel, hier met aceton, verwijderd. Daarbij wordt tevens de op de offerlaag 1
EMI9.1
liggende beschermlaag 3 en het daarop liggende deel van de deklaag 2 verwijderd. im Dankzij de werkwijze volgens de uitvinding wordt niet alleen voorkomen dat er bij het depositie proces van de deklaag 2 delen daarvan rechtstreeks op de metaallaag 7 aangebracht worden waar zij niet meer verwijderd zouden kunnen worden, maar ook wordt voorkomen dat er delen van de offerlaag op de metaallaag 7 achterblijven bij het verwijderen van die offerlaag 1. Daardoor worden problemen bijvoorbeeld bij het solderen van de metaallaag 7 voorkomen.
Dankzij een goede soldeerbaarheid van de metaallaag 7 bezitten de-"epi-down"afgemonteerde-laserdioden van dit voorbeeld over een hoge levensduur ook wanneer de uittredende straling 40 een relatief hoog vermogen bezit. Dat er op een deel van het zijvlak 14, namelijk het nabij het spiegelvlak 12 gelegen deel, en dus op een deel van de metaallaag 8 een deel van de deklaag 2
<Desc/Clms Page number 10>
terecht komt is hier geen bezwaar. Immers, ook de laserdioden 10 die met de werkwijze van dit voorbeeld vervaardigd worden, zijn bedoeld voor zogenaamde"epi-down" afmontage op het eerste zijvlak 11. Een dergelijke afmontage is bijzonder gewenst voor hoog vermogen toepassingen daar in dat geval een goede warmte afvoer essentieel is.
Ook het gebruik van een reflecterende coating 2 op een van de twee spiegelvlakken 12, 13 van de laser 10, hier op vlak 13, is op hoog vermogen toepassingen gericht. Op het derde zijvlak 14 behoeft in dat geval slechts een draadverbinding gelegd te worden, waarvoor de delen van de deklaag 2 nabij de randen van het zijvlak 14 geen enkel bezwaar vormen.
De uitvinding is niet beperkt tot de gegeven uitvoeringsvoorbeelden, daar voor de vakman binnen het kader van de uitvinding vele modificaties en variaties mogelijk zijn. Zo kunnen behalve laserdioden ook zogenaamde LED's (= Light Emitting Diodes) vervaardigd worden. Het materiaalsysteem waarin de stralingemitterende halfgeleiderdiode vervaardigd wordt kan behalve InGaP/InAlGaP ook GaAs/AlGaAs of InGaAsP/InP of andere materiaal systemen zoals het H-VI materiaal systeem bevatten.
EMI10.1
Opgemerkt wordt dat in plaats van het eerste zijvlak ook een daaraan i evenwijdig zijvlak van het halfgeleiderlichaam bedekt kan worden met een van een beschermlaag voorziene offerlaag. Dit bijvoorbeeld met het oog op een afmontage waarbij een diode aan de substraatzijde gesoldeerd wordt. Uiteraard kunnen desgewenst ook twee evenwijdige zijvlakken, bijvoorbeeld het bovenvlak en het ondervlak van het halfgeleiderlichaam bedekt worden met een offerlaag en een beschermlaag.
Verder wordt opgemerkt dat voor het aanbrengen van de deklaag behalve sputteren ook andere technieken zoals opdampen of CVD (= Chemical Vapour Deposition) gebruikt kunnen worden voor het aanbrengen van de deklaag. De deklaag kan behalve isolatoren ook halfgeleidende of geleidende materialen bevatten.