JP3781970B2 - レーザーダイオードのパッケージング - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、全体としてレーザーダイオードに関し、詳細には、製造が容易であり、熱抵抗が低く、酸化ベリリウムを必要としないレーザーダイオード用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザーダイオードには多くの利点がある。これらのダイオードは、アクティブ領域の幅が、代表的には1μm以下乃至数μmであり、高さが、通常は1mmの数分の一を越えないという点で小さい。これらのダイオードのアクティブ領域の長さは、代表的には、約1mm以下である。一方向に放射を発生する内部反射面は、レーザーダイオードが製造される基材を開裂することによって形成され、及びかくして高度の機械的安定性を有する。
【0003】
半導体レーザーダイオードで高い効率が可能であり、幾つかのパルストジャンクションレーザーダイオードは、ほぼ50%の量子効率を持つ。半導体レーザーは、使用される半導体合金に応じて約20μm乃至約0.7μmの波長の放射線を発生する。例えば、アルミニウムをドーピングしたガリウム砒素(AlGaAs)でできたレーザーダイオードは、約0.8μm(〜800nm)の放射線を放射する。これは、ネオジムでドープしたイットリウム−アルミニウム・ガーネット(Nd:YAG)及び他の結晶及びガラスで形成した一般的なソリッドステートレーザーロッド及びスラブのほぼ吸収スペクトルである。かくして、半導体レーザーダイオードは、大型のソリッドステートレーザーシステムの光学的ポンピング源として使用できる。
【0004】
半導体レーザーダイオードを一般的に使用することは、熱と関連した問題点によって制限されてきた。これらの問題点は、レーザーダイオードが単位面積当り大量の熱を放散することにより接合部の温度を高め、熱サイクルにより応力を発生することと関連している。レーザーダイオードの効率及びレーザーダイオードの使用寿命は、接合部の作動温度が上昇するに従って低下する。
【0005】
更に、レーザーダイオードの放射波長は、その接合部の温度の関数である。かくして、特定の出力波長が所望である場合には、温度を一定に維持することが重要である。例えば、Nd:YAGロッド又はスラブのポンピングに使用されるAlGaAsレーザーダイオードは、約808nmの放射線を放射しなければならない。これは、この波長でNd:YAGで最適のエネルギ吸収が存在するためである。しかしながら、AlGaAsレーザーダイオードの接合部温度が3.5℃乃至4.0℃変化する毎に波長が1nmシフトする。従って、接合部温度を制御し、及びかくして熱を適正に放散させることが重要である。
【0006】
ソリッドステートレーザーロッド又はスラブをレーザーダイオードによってポンピングする場合、熱の放散は更に大きな問題となる。これは、複数の個々のダイオードを密にパックし、大型のソリッドステートレーザーロッド又はスラブに必要な入力出力量を発生するアレイにする必要が出てくるためである。しかしながら、個々のレーザーダイオードのパック密度が高くなると、個々のレーザーダイオードから熱を除去するのに利用できる空間が減少する。これは、個々のダイオードからなるアレイから熱を除去する上での問題点を更に悪化させる。
【0007】
レーザーダイオードから熱を除去するため、幾つかのレーザーダイオードアレイパッケージは、熱伝導率が比較的高いが電気絶縁性の酸化ベリリウムを使用してきた。酸化ベリリウムを使用することによって熱と関連したこれらの問題点を解決しようとしてきた他の周知の商業的に入手できる一つのパッケージは、ニューヨーク州オーバーンのレーザーダイオードアレイ社が製造している。このパッケージは、全体として、切込み、蝕刻、又は鋸引きによって複数の溝を形成した酸化ベリリウム構造を含む。溝内に置かれたレーザーダイオードを通して電気を伝えるため、メタライズド層が溝から溝まで延びている。
【0008】
しかしながら、酸化ベリリウムは危険な材料であり、取り扱いに追加の注意を必要とする。これは、酸化ベリリウムを機械的に加工する(例えば切断又は鋸断)場合に特にいえる。このような加工は、空気中に浮遊する酸化ベリリウム粒子を発生する。取り扱い及び輸送に追加の注意を必要とするため(例えばBeO警告ラベルを付ける)、レーザーダイオードアレイパッケージ全体の費用を考えた場合、比較的大きな費用がかかる。更に、ひとたびレーザーダイオードバーを溝内に置くと、アレイの組み立て後にクリーニングを行うためにその反射面に近付くことができない。更に、溝に置く前に個々のレーザーダイオードバーを試験することは困難である。かくして、特定のアレイについて所望の作動上の特性を備えていないレーザーダイオードバーを設置後に溝から取り外さなければならないことが少なくない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
組み立て及び試験が容易であり、好ましくは危険な酸化ベリリウムを含まない、熱効率が優れたレーザーダイオードパッケージが必要とされている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ヒートシンク、レーザーダイオード、及び非導電性(即ち絶縁性)基材を含むレーザーダイオードパッケージを提供することによって上述の問題点を解決する。レーザーダイオードは、放射面及びこの放射面とは反対側の反射面を有する。レーザーダイオードは、放射面と反射面との間に第1及び第2の側面を更に有する。ヒートシンクは上面及び下面を有する。レーザーダイオードの第1側面は、ヒートシンクに、このヒートシンクの上面と隣接して取り付けられる。基材は、ヒートシンクの下面に取り付けられる。
【0011】
好ましくは、ヒートシンクは、銅等の熱伝導性金属で形成されており、基材は、主として、ガリウム砒素でできている。基材は、レーザーダイオードと同様にヒートシンクにはんだ付けされる。一実施例では、ヒートシンクは、レーザーダイオード及び基材と接触する少なくともその表面が、「めっきが予め施された(pretinned)」ように、一層のはんだでコーティングしてある。次いで、ヒートシンクをその表面上に設けられたはんだ層の融点以上に加熱する一方のはんだ付け工程中、レーザーダイオード及び基材をヒートシンクに取り付ける。
【0012】
レーザーダイオードの露呈された第2側面には、好ましくは、二つのパッケージを接合できるように、一層のはんだが設けられる。従って、第1パッケージのヒートシンクを第2の隣接したパッケージのレーザーダイオードバーと接触させた状態に置く。次いで、これらのパッケージをレーザーダイオードに設けられたはんだ層が再流動する温度まで加熱し、第2パッケージのレーザーダイオードを隣接した第1パッケージのヒートシンクと一体化させる。パッケージに存在する全てのはんだが再流動することがないようにするため、レーザーダイオードに設けられたはんだ層は、パッケージの他の残りのはんだよりも融点が低いはんだである。多くの個々のパッケージを一体化してマルチバーレーザーダイオードアレイを形成できる。
【0013】
こうした方法で形成されたレーザーダイオードパッケージ及びレーザーダイオードアレイは、危険なベリリウム酸化物を含まない。更に重要なことには、各個々のパッケージそれ自体が電気的に絶縁されており、最終的なヒートシンクに直接はんだ付けできる。更に、各個々のパッケージは、アレイをなして配置する前にそれ自体を試験でき、このようなアレイについて所望の作動パラメータ(例えば波長及び出力)内で機能することを確かめることができる。基材がGaAs等の開裂性の材料でできている場合には、比較的小さな寸法で製造でき、これによってレーザーダイオードと最終的ヒートシンクとの間の熱抵抗を最小にする。結果的に得られたレーザーダイオードパッケージは、連続波(CW)作動モードで又はパルス作動モードで使用できる。
【0014】
以上の本発明の詳細は、本発明の各実施例、又は全ての特徴を表そうとするものではない。これは、添付図面及び以下の詳細な説明の目的である。
本発明のこの他の目的及び利点は、添付図面を参照した以下の詳細な説明を読むことによって明らかになるであろう。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明には、様々な変形例や別の形態があるけれども、その特定の実施例を添付図面に例として示し、本明細書中に詳細に説明する。しかしながら、これは、本発明を開示の特定の形態に限定しようとするものではないということは理解されるべきである。逆に、本発明は、添付の特許請求の範囲に定義された本発明の精神及び範囲内の全ての変形、等価物、及び変形例を含む。
【0016】
先ず最初に図1及び図2を参照すると、レーザーダイオードパッケージ10は、ヒートシンク12、レーザーダイオードバー14、及び下基材16を含む。レーザーダイオードバー14は、第1はんだ層18でヒートシンク12に取り付けられている。基材16は第2はんだ層20でヒートシンク12に取り付けられている。レーザーダイオードバー14は、ヒートシンク12とは反対側にバーはんだ層22を更に備えているのがよい。このようなバーはんだ層22を付ける方法を図8乃至図11を参照して詳細に説明する。
【0017】
レーザーダイオードバー14は、その上端に放射面24を有し、この放射面24の反対側に反射面26を有する。レーザーダイオードバー14の高さは、放射面24と反射面26との間の距離であると定義される。レーザーダイオードバー14から光子が放射される領域であるレーザーダイオード14の接合部は、代表的には、ヒートシンク12に近い。しかしながら、レーザーダイオードバー14の接合部を、はんだ層22が上側に置かれたレーザーダイオードバー14の露呈端部の近くに置くこともできる。電力は、導電性材料をレーザーダイオードバー14内に放射領域と隣接して設け、導電性の低い材料を放射領域の外側に設けることによって、接合部の所定の領域に案内される。かくしてレーザーダイオードバー14は、電気エネルギが光エネルギに変換される領域と対応する多数の放射点を放射面24上に有する。電力がレーザーダイオードパッケージ10に加えられると、光子が接合部を通して伝播し、反射面26で反射され、及び従って、放射面24だけから垂直方向に放射される。
【0018】
レーザーダイオードパッケージ10のヒートシンク12は、導電性で熱伝導性の銅等の材料でできている。導電性は、電流をレーザーダイオードバー14を通して導き、光エネルギを発生させるために必要である。熱伝導性は、レーザーダイオードバー14から大量の熱を運び出し、レーザーダイオードバー14を適当な作動温度に維持するために必要である。
【0019】
基材16は、導電性ヒートシンク12を、代表的には金属製熱交換器である最終ヒートシンクから電気的に絶縁する機能を果たす。基材16は、電気絶縁性の様々な材料で形成できる。好ましい実施例では、基材16は、半絶縁性の又はアンドープトガリウム砒素(「GaAs」)で形成されている。GaAsは危険な材料でもあるけれども、開裂して基材を形成でき、これにより塵埃粒子を発生する機械的プロセスをなくすことができる。GaAs等の電気絶縁性材料でできた基材16は、その表面をはんだ付けしようとする場合には、メタライゼーション層を備えていなければならない。
【0020】
更に、基材16がGaAsで形成されている場合には、基材は、寸法上の許容差が非常に小さく(例えば±2−3μm)、その幅をヒートシンク12とほぼ同じにできるように、開裂できる。GaAsで形成された基材は、GaAs製のウェーハを所望の厚さまで研磨し、このウェーハを開裂して多数の基材にすることによって製造できる。ウェーハの研磨厚さは、図1に示すように第2はんだ層20の下にある基材16の高さと対応する。基材16をはんだ付けしようとする場合には、研磨後にメタライゼーションを施す。例えば、GaAs基材16は、約0.0762mm乃至約0.1524mm(約0.003インチ乃至約0.006インチ)の範囲の高さを有する。高さが非常に小さいため、ヒートシンク12の最下面と最終ヒートシンク(例えば熱交換器)との間の熱抵抗は非常に小さい。更に、電気絶縁性基材16をこのように薄く形成した場合、パッケージ10の全高を同様に減少できる。
【0021】
基材16は、好ましくは、開裂性のGaAsで形成されているけれども、基材16は、熱伝導率が高い他の電気絶縁性材料、例えばダイヤモンド、窒化硼素、シリコン、又は窒化アルミニウム等で形成できる。更に、基材16は、酸化ベリリウムによって形成できる。更に、基材16をヒートシンク12に接着剤で取り付けることができる。
【0022】
酸化シリコン等の電気絶縁性コーティングをヒートシンク12の最下面に付けることもできる。このようなコーティングによりヒートシンク12及び基材16を一体化すると同時に、適当な電気絶縁性及び最小の熱抵抗を提供する。更に、ヒートシンク14は、レーザーダイオードバー14を通して電流を導くためにはんだコーティング等の金属製領域を上面上に備えた非導電性ベース材料から形成することもできる。
【0023】
レーザーダイオードパッケージ10のヒートシンク12は、好ましくは、はんだ層18及び20用の材料を外面に持つ(即ち、「めっきを予め施した(pretinned)」)ように製造されている。先ず最初に、好ましくは銅製のヒートシンク12を、ロジンを基剤とした融剤に浸漬し、これらのヒートシンクの外面をはんだ層でコーティングするための準備を行う。融剤は、好ましくは、ニュージャージー州ジャージーシティのアルファ・メタル社が製造しているアルファ第809融剤等の活性ロジン融剤である。ヒートシンク12を融剤に浸漬した後、これらのヒートシンクを溶融状態のインジウムに浸漬することにより、はんだ層を外面に付ける。次に、ヒートシンク12の端面をホットプレート上に置き、余分のインジウムを外面から空気で吹き飛ばすことができるようにインジウムの融点(157℃)以上の温度に維持する。別の態様では、メッシュ状銅繊維等のはんだ吸収材料によって余分のはんだを除去できる。別の態様では、ヒートシンク12を溶融インジウムから取り出した後、インジウムの融点以上の温度の空気源に当てる。これにより、ホットプレートの必要をなくす。これらの変形例の加工工程は、厚さが比較的均等なインジウムはんだ層を提供することが目的である。好ましくは、各ヒートシンク12の外面上のはんだ層の厚さは、約0.0254mm乃至0.127mm(約1ミル乃至約5ミル(約0.001インチ乃至約0.005インチ))である。
【0024】
余分のインジウムを除去し、所望のインジウム厚さを得た後、ヒートシンク12をアセトンに浸漬し、外面に存在する余分の融剤を除去する。次いで、ヒートシンク12を、インジウムの酸化を防止する環境内に収容する。このような環境の一例はヘキサン浴であり、この浴中にヒートシンク12を浸漬する。別の態様では、ヒートシンク12を融剤クリーニング溶液に浸漬した後、酸化防止剤溶液に浸漬する。これらの溶液は、両方とも、イリノイ州デス・プレインのケスター・ソルダー社が製造している。
【0025】
従って、第1及び第2のはんだ層18及び20は、ヒートシンク12全体に設けられた単一のはんだ層によって形成できる。これにより、レーザーダイオードバー14及び基材16の界面をなすように個々のはんだ層を正確に配置する必要をなくすが、このような方法もまた所望の機能を果たす。添付図面は、ヒートシンク12の周囲の一定のはんだ層を例示するのでなく、はんだ結合が存在する領域にこのようなはんだ層が存在するということを明らかにするに過ぎないということに着目しなければならない。
【0026】
組み立てプロセス中、レーザーダイオードパッケージ10を組み立てる者は、レーザーダイオードバー14の放射面24がヒートシンク12の上面を越えて大きく延び過ぎているか或いはヒートシンク12の上面の余りにも手前にあるのかのいずれかを確認できる。放射面24がヒートシンク12の上方に大きく離れたところに配置されている場合には、放射面24と隣接したレーザーダイオードバー14の上部分上で発生した熱を導く場所がなくなってしまう。熱を導く場所を提供するのがヒートシンク12の主な目的である。このような場合には、レーザーダイオードバー14は、極端な温度条件のため、破滅的に破損してしまう。他方、レーザーダイオードバー14の放射面24がヒートシンク12の上面の余りにも手前に位置決めされている場合には、レーザーダイオードバー14に面したヒートシンク12の側面が放射エネルギを吸収したり望ましからに態様で反射することにより、レーザーダイオードバー14の出力エネルギが低下してしまう。従って、放射面24をヒートシンク12の上面と実質的に面一に(即ち実質的に同一平面内に)位置決めするのが好ましい。好ましい実施例では、放射面24は、ヒートシンク12の上面の約0.0254mm(約1ミル(即ち±0.001インチ))内に位置決めされる。
【0027】
次に図3を参照すると、4つのレーザーダイオードパッケージ10a、10b、10c、及び10dを含むレーザーダイオードアレイ30が示してある。これらのレーザーダイオードパッケージ10は、図1及び図2に関して示したように形成されている。レーザーダイオードアレイ30は、レーザーダイオードパッケージ10dのレーザーダイオードバー14に当接する端部ヒートシンク32を更に含む。端部ヒートシンク32は、レーザーダイオードバーがパッケージされていないことを除くと、図1及び図2に示すヒートシンク12と変わるところがない。
【0028】
レーザーダイオードパッケージ10の各ヒートシンクを隣接したレーザーダイオードパッケージ10のダイオードバーに取り付けるため、レーザーダイオードアレイ30のレーザーダイオードバー14には、ロジンで活性化した融剤(「RA融剤」)が加えてある。このRA融剤は、隣接したヒートシンクへのはんだ層22の付着を補助する。次いで、バーはんだ層22(図1及び図2参照)が液化する温度(例えば、純粋インジウムを使用した場合には〜157℃)までパッケージを加熱する。この目的のため、バーはんだ層22は、好ましくは、第1はんだ層18及び第2はんだ層20よりも融点が低く形成されており、そのため、バーはんだ層22を液化させる加熱プロセスが、第1及び第2のはんだ層18及び20を液化させることはない。これは、上文中に説明したようにヒートシンク12全体を純粋インジウム等のはんだ層でコーティングした場合に特に必要である。例えば、はんだ層22は、融点が143℃のインジウム合金はんだであるのがよい。はんだ層22を再流動化させる熱をひとたび除去すると、はんだ層22は再び凝固し、図3に示す一つの一体のユニットを形成する。ヒートシンク12の外面にインジウムめっきが予め施してある場合には、レーザーダイオードバー14のはんだ層22は、ヒートシンク12に設けられた純粋インジウムに付着する。次いで、加熱したアセトン浴に浸漬することによりレーザーダイオードアレイ30のクリーニングを行い、その後、レーザーダイオードアレイ30を低湿度環境(例えばデシカントキャビネット又は乾燥ボックス)内に収納する。別の態様では、レーザーダイオードアレイ30にアセトンを強力にスプレーしてもよい。パッケージ10のレーザーダイオードバー14の反射面26が隣接したヒートシンク12間に露呈されているため、全てのレーザーダイオードバー14の反射面26及び勿論放射面22をこのクリーニング工程できれいにすることができる。更に、マルチバーアレイ30を説明したけれども、単一のパッケージ10を自由ヒートシンク(即ちヒートシンク32等)と一体化して一つのバーアレイを提供できる。
【0029】
図4は、図3のレーザーダイオードアレイ30の平面図であり、ヒートシンク12及びダイオードバー14の相対的な寸法を示す。各ヒートシンク12は、幅が約5.08mm(約0.2インチ)以下であり、好ましくは約3.048mm(約0.12インチ)であり、長さが約10.16mm(約0.4インチ)である。はんだ層18及び20を形成する溶融はんだに浸漬される前の各ヒートシンク12の高さは、図3に示すように、約1.143mm(約45ミル(0.045インチ))である。浸漬後の高さは約1.27mm(約50ミル(0.050インチ))である。GaAsを使用した場合、基材16の高さが約0.0762mm乃至約0.1524mm(約3ミル乃至約6ミル)に過ぎないということを考えると、パッケージ10の全高は、約1.28mm乃至1.524mm(約60ミル乃至60ミル(0.050インチ乃至0.060インチ))である。レーザーダイオードバー14は、約(約5ミル(0.005インチ))の幅を有し、レーザーダイオードバー14の高さは、通常は、約0.508mm乃至0.635mm(約20ミル乃至25ミル(0.020インチ乃至0.025インチ))である。更に、アレイ30をパルスモードで作動しようとする場合には、ヒートシンク12の幅を減少させることができる。これは、発生する廃熱が平均して少ないためである。例えば、ヒートシンク12の幅は、パルスモードアレイについては、約0.127mm乃至0.508mm(約0.005インチ乃至約0.02インチ)に過ぎない。
【0030】
図5は、レーザーダイオードアレイ30及び熱拡散器構造34を持つレーザーダイオードアレイアッセンブリ33を示す。熱拡散器構造34は、一般的には、アッセンブリ全体をその下に位置決めされた熱交換器に取り付ける複数のファスナ36を含む。熱拡散器34は、代表的には、高度に熱伝導性の銅等の材料でできている。
【0031】
レーザーダイオードアレイ30を熱拡散器34に取り付けるため、基材はんだ層38を各パッケージ10の基材16と熱拡散器34との間に配置する。各レーザーダイオードパッケージ10のはんだ層18、20、及び22が取り付け中に液化しないようにするため、基材はんだ層38は、好ましくは、レーザーダイオードパッケージ10に設けられた他のはんだ層よりも低温のはんだで形成されている。別の態様では、レーザーダイオードアレイ30を熱拡散器34に取り付けると同時にレーザーダイオードアレイ30をレーザーダイオードパッケージ10から組み立てる場合には、アッセンブリ全体を加熱することにより二つのはんだ層22及び38を液化し、冷却後に一体のユニットを形成するように、バーはんだ層22及び基材はんだ層38を同じ材料から形成できる。図5でわかるように、アレイ30の個々の基材16の各々は、その側面が隣接した基材16と接触しないように、隣接した基材16から離間されている。
【0032】
光学的エネルギを発生するため、レーザーダイオードアレイ30の各レーザーダイオードバー14を通して電流を導かなければならない。レーザーダイオードアレイ30を図3又は図5の右方から左方に見た場合、電流は第1パッケージ10aのヒートシンクに流入し、隣接したレーザーダイオードに流入し、自由ヒートシンク32を通って出るまで各パッケージ10を連続的に通過する。基材16のため、各レーザーダイオードパッケージ10の下に電路はない。レーザーダイオードアッセンブリ10から光学的エネルギを発生するのは、レーザーダイオード12を通るこの電流である。
【0033】
レーザーダイオードバー14は、その製造プロセスのため、その長さに沿って在る程度の湾曲を固有に備えているということに着目しなければならない。この固有の湾曲のため、レーザーダイオードバー14の外面から隣接したヒートシンク12の表面までの距離は、レーザーダイオードバー14の長さの関数として変化する。これにより、レーザーダイオードバー14とヒートシンクとの間に大きさに応じて変化する隙間が形成され、この隙間は、レーザーダイオードバー14がその全長に沿ってヒートシンクと接触するように、適当な厚さのはんだで充填される。換言すると、レーザーダイオードアレイ30の組み立てプロセスは、通常ははんだとの接触部に空所を形成してしまう固有の湾曲をレーザーダイオードバー14が備えている場合でも、レーザーダイオードバー14の全長に沿って一定の電気的接触を提供する傾向がある。更に、組み立てプロセスの後にレーザーダイオードバー14と隣接して空所が現れた場合でも、追加のはんだを加えてこれらの空所を充填し、レーザーダイオードバー14の全長に沿って適当な電気的及び熱的接触を維持することができるということに着目しなければならない。
【0034】
図6及び図7は、レーザーダイオードアレイ30が熱交換器41に直接取り付けられたレーザーダイオードアレイアッセンブリ40を示す。この形態は、レーザーダイオードアレイ30が最終ヒートシンクリザーバ即ち熱交換器41に直接はんだ付けされているために熱拡散器34が設けられていないという点で図5に示すアッセンブリと異なる。熱交換器41は取り付け区分42を含み、これらの取り付け区分の各々には、ファスナを通すためのボア43が設けられている。熱交換器41の内部フィン(図示せず)は、熱交換器41の本体44内に配置されている。流体が入口46を通って本体44に流入し、本体44から出口48を通って排出される。本体44の側部は、必須の電気入力エネルギを受け入れるための接点50を含む。接点50は、第1レーザーダイオードパッケージ10aのヒートシンク12を上接点50に接続し、ヒートシンク32の自由端を下接点50に接続するための二つのリード52を含む。これらの接点52の各々は、電流がレーザーダイオードアレイ30だけに流入するように、熱交換器40の本体44と接触する表面が電気的に絶縁されている。
【0035】
図8乃至図11は、バーはんだ層22をレーザーダイオードバー14に付ける二つの工程を示す。図8及び図9では、はんだ付着物22aをレーザーダイオードバー14の一部に配置する。この時点で、レーザーダイオードパッケージ10全体をはんだ付着物22aのはんだ融点以上の温度まで加熱できる。はんだ付着物22aをレーザーダイオードバー14に置いた後、最終的にははんだ付着物22aをレーザーダイオードバー14の全長に沿って均等に拡げ、薄いはんだ層を形成する。レーザーダイオードパッケージ10に第1及び第2のはんだ層18及び20が存在するため、はんだ付着物22a用のはんだは、第1及び第2のはんだ層18及び20よりも融点が低いように選択される。
【0036】
図10及び図11に示すように、簡単には銅箔であるのがよいウェッティング構造54をはんだ付着物22aと係合する位置に置く。毛管作用により、はんだ付着物22aは、レーザーダイオードバー14全体を覆うようにウェッティング構造54の長さに沿って移動を開始する。このウェッティング構造54がその機能を実行しているとき、熱をレーザーダイオードパッケージ10に加え、はんだ付着物22aを液体形態に維持する。アッセンブリ全体を加熱する一つの方法は、基材16の下面を加熱プレートに当てて置くことである。はんだ層22が液体形態にあるうちにウェッティング構造54をレーザーダイオードバー14から遠ざかるように移動する。
【0037】
図12乃至図14は、レンズを取り付けるための構造を含む変形例のレーザーダイオードパッケージ60を示す。レーザーダイオードパッケージ60は、図1及び図2に示す形体と全く同様に、ヒートシンク62、レーザーダイオードバー64、及び基材66を含む。レーザーダイオードバー64及び基材66は、図1及び図2を参照して説明したのと同様の方法でヒートシンク62にはんだ付けされる。レーザーダイオードバー64は、好ましくは、露呈された側部に図8乃至図11を参照して説明した方法で取り付けられたバーはんだ層72を有する。
【0038】
ヒートシンク62の各端には、基材66から遠ざかる方向に上方に延びるレンズマウント74が設けられている。レンズマウント74は、紫外線(「UV」)活性接着剤を受け入れる二つの平らな表面76を更に含む。レンズをその最終整合位置に置いたとき、パッケージ60に紫外線を当てて紫外線接着剤を活性化させ、レンズをその最終位置に保持する。
【0039】
図15は、複数のレンズ82を含むレーザーダイオードアレイ80を示す。レーザーダイオードアレイ80は、図12乃至図14を参照して説明したように、4つのレーザーダイオードパッケージ60a、60b、60c、及び60dを含む。レーザーダイオードパッケージ60dと隣接して、自由ヒートシンク84が設けられる。この自由ヒートシンクは、レーザーダイオードパッケージ60dのレーザーダイオードバーにはんだ付けされる。自由ヒートシンク84もまた、図12乃至図14を参照して説明した、レンズマウント構造を含む。各レンズ82は、その中心点がほぼレーザーダイオードバーの放射点上にあるように、二つの隣接したヒートシンク62を橋渡しする(図12乃至図14参照)。かくして、レーザーダイオードアレイ80は、使用されたレンズ82の種類に応じて様々なレーザービーム出力を発生できる。紫外線活性接着剤を活性化してレンズ82のアレイをそれらの最終状態に固定するため、紫外線を各パッケージ60の代わりにレーザーダイオードアレイ80全体に加えるのがよいということに着目すべきである。
【0040】
図16は、レーザーダイオードアレイ30が上文中に図5を参照して説明したように熱拡散器34に取り付けられており、全周に亘って注封材料が置かれた、変形例のレーザーダイオードアッセンブリ90の断面図を示す。第1注封材料92は、レーザーダイオードアレイ30の側部に沿って、及びレーザーダイオードアレイ30の前面及び後面(即ち紙面内)に設けられている。注封材料92は、パッケージの隣接したヒートシンク間にも設けられている。レーザーダイオードアレイ30から放射された光学的エネルギに対して透明な第2注封材料94は、レーザーダイオードアレイ30の頂部に設けられている。注封材料92及び94は、例えばRTVを含む様々な材料で形成できる。
【0041】
2本のリード96が外側のヒートシンクから注封材料92を通って延びている。かくして、環境に対して露呈されるレーザーダイオードアレイアッセンブリ90の唯一の部分は、2本のリード96及び熱拡散器34の底部である。このレーザーダイオードアレイアッセンブリ90は、通常はレーザーダイオードアレイ30を汚染してしまう様々な雰囲気内で使用できる。更に、電流を通すヒートシンク12の周囲に注封材料92を配置することにより、ヒートシンク12とその下に位置決めされた熱拡散器34との間で電弧が生じないようにする。電弧が生じないようにすることは、多数のレーザーダイオードを含み、所望の光学的出力を発生させるために比較的高い電圧を必要とするアレイでは特に重要である。
【0042】
これらの実施例の各々及びその明らかな変形例は、特許請求の範囲に記載された本発明の精神及び範囲内に含まれるものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のレーザーダイオードパッケージの端面図である。
【図2】 本発明のレーザーダイオードパッケージの斜視図である。
【図3】 図1及び図2のレーザーダイオードパッケージを含むレーザーダイオードアレイの斜視図である。
【図4】 図3のレーザーダイオードアレイの平面図である。
【図5】 レーザーダイオードアレイを取り付けるための熱拡散器を含む、図3のレーザーダイオードアレイの端面図である。
【図6】 熱交換器に取り付けられたレーザーダイオードアレイの斜視図である。
【図7】 図6の端面図である。
【図8】 組み立て中の図1のレーザーダイオードパッケージの斜視図である。
【図9】 図8の端面図である。
【図10】 組み立て中の図1のレーザーダイオードパッケージの斜視図である。
【図11】 図10の端面図である。
【図12】 コリメーティングレンズとともに使用するための変形例のレーザーダイオードパッケージの斜視図である。
【図13】 図12の端面図である。
【図14】 図12の側面図である。
【図15】 複数のコリメーティングレンズが取り付けられたレーザーダイオードアレイアッセンブリの斜視図である。
【図16】 注封材料が周囲に設けられたレーザーダイオードアレイの断面図である。
【符号の説明】
10 レーザーダイオードパッケージ
12 ヒートシンク
14 レーザーダイオードバー
16 下基材
18 第1はんだ層
20 第2はんだ層
22 バーはんだ層
24 放射面
26 反射面
Claims (14)
- レーザーダイオードパッケージにおいて、
上面を有する上部分及び下面を有する下部分を持つ導電性ヒートシンク、
前記ヒートシンクの前記上部分に前記上面と前記下面との間の側面に沿って取り付けられ、前記ヒートシンクから導かれた電力を受けて光を放射するレーザーダイオード、及び
前記ヒートシンクの前記下部分にはんだ付けされており、前記ヒートシンクとほぼ同じ幅を持つ電気絶縁性基材を含む、レーザーダイオードパッケージ。 - 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記基材及び前記レーザーダイオードは、同じ基本材料から形成されている、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記基材は、開裂性材料から形成されている、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記レーザーダイオードは、前記下部分と前記上部分との間に画成された前記ヒートシンクの高さ寸法に対してほぼ垂直な放射面を有する、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記電気絶縁性基材は、前記下面に取り付けられている、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記レーザーダイオードは前記ヒートシンクの前記上面と実質的に面一である、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記電気絶縁性基材は、前記ヒートシンクに取り付けられた上面、熱伝導性構造に取り付けるための下面、及び前記上面と前記下面との間の、全体にいずれの構造とも接触していない側面を有する、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記ヒートシンクは、前記基材及び前記レーザーダイオードとはんだ結合部を形成するための材料層を持つ外面を有する、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項8のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記材料層はインジウムを含む、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項1のレーザーダイオードパッケージにおいて、前記ヒートシンクの幅は約5.08mm(約0.2インチ)以下である、レーザーダイオードパッケージ。
- 請求項2乃至10のいずれか一つのレーザーダイオードパッケージにおいて、前記基本材料はガリウム砒素である、レーザーダイオードパッケージ。
- 平行して配置された請求項1乃至11のいずれか一つの前記レーザーダイオードパッケージを複数含む、レーザーダイオードアレイ。
- レーザーダイオードアレイで使用されるべき個々のレーザーダイオードパッケージの製造方法において、
レーザーダイオードバーを提供する工程、
上部分及び下部分を持つヒートシンクを提供する工程、
電気絶縁性基材を提供する工程、
前記レーザーダイオードを前記ヒートシンクの前記上部分にはんだ付けし、前記レーザーダイオードの前記ヒートシンクとは反対側の表面を露呈されたままにする工程、及び
前記絶縁性基材を前記ヒートシンクの前記下部分にはんだ付けする工程を含む、方法。 - 請求項13の方法において、前記はんだ付け工程は、実質的に同時に行われる、方法。
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