JP4568133B2 - 半導体レーザ装置および光装置 - Google Patents
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Description
図1は第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置を示す外観斜視図である。
以下、第2の実施の形態に係る半導体レーザ装置および光装置について説明する。第2の実施の形態に係る半導体レーザ装置が、第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置と異なるのは以下の点である。
以下、第3の実施の形態に係る半導体レーザ装置および光装置について説明する。第3の実施の形態に係る半導体レーザ装置が、第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置と異なるのは以下の点である。
以下、第4の実施の形態に係る半導体レーザ装置および光装置について説明する。第4の実施の形態に係る半導体レーザ装置が、第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置と異なるのは以下の点である。
以下、第5の実施の形態に係る半導体レーザ装置および光装置について説明する。
第1〜第5の実施の形態においては、n側電極11c,12c,29cが一方電極または他方電極に相当し、p側パッド電極11b,12b,29bが他方電極または一方電極に相当する。n側電極11c,12c,29cはカソードに相当し、p側パッド電極11b,12b,29bはアノードに相当する。フォトダイオード27のn側電極が一方電極または他方電極に相当し、p側電極27aが他方電極または一方電極に相当する。フォトダイオード27のn側電極はカソードに相当し、p側電極27aがアノードに相当する。
なお、第1〜第5の実施の形態においては、発振開始電圧が発振波長と一定の関係を有する第1の半導体レーザ素子11、第2の半導体レーザ素子12および第3の半導体レーザ素子29について説明したが、これに限定されず、本発明は発振開始電圧が発振波長と一定の関係を有さない半導体レーザ素子にも適用することができる。
12 第2の半導体レーザ素子
11b,12b p側パッド電極
11c,12c n側電極
19 パッケージ本体
501 駆動回路
502 直流電源
Claims (7)
- 一方電極および他方電極を有し、第1の波長の光を出射する第1の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、前記第1の半導体レーザ素子よりも長い第2の波長の光を出射する第2の半導体レーザ素子と、
前記第1および第2の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージと、
前記パッケージから電気的に絶縁された第1の給電ピンと、
絶縁物からなる副基板と、
前記副基板上に、互いに電気的に絶縁されて形成された第1の金属層と第2の金属層と
を備え、
前記第1の半導体レーザ素子及び前記第2の半導体レーザ素子は、それぞれ前記第1の金属層上及び前記第2の金属層上に接着され、
前記第1の半導体レーザ素子の前記一方電極及び前記第2の半導体レーザ素子の前記一方電極は、それぞれ前記第1の金属層及び前記第2の金属層と電気的に接続され、
前記第1の半導体レーザ素子の前記他方電極が前記第1の給電ピンに電気的に接続されると共に、前記第1の半導体レーザ素子の前記一方電極および前記他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第2の半導体レーザ素子の前記他方電極が前記パッケージに電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記第1の半導体レーザ素子の前記他方電極は、前記第2の半導体レーザ素子の前記一方電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 一方電極および他方電極を有し、第1の波長の光を出射する第1の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、前記第1の半導体レーザ素子よりも長い第2の波長の光を出射する第2の半導体レーザ素子と、
前記第1および第2の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージと、
前記パッケージから電気的に絶縁された第1の給電ピンと、
絶縁物からなる副基板と、
前記副基板上に形成された金属層とを備え、
前記第1の半導体レーザ素子及び前記第2の半導体レーザ素子は、前記金属層上に接着され、
前記第1の半導体レーザ素子の前記一方電極及び前記第2の半導体レーザ素子の前記一方電極は、前記金属層と電気的に接続され、
前記第1の半導体レーザ素子の前記他方電極が前記第1の給電ピンに電気的に接続されると共に、前記第1の半導体レーザ素子の前記一方電極および前記他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第2の半導体レーザ素子の前記他方電極が前記パッケージに電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記第1の半導体レーザ素子は、窒化物半導体を含む材料からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1の半導体レーザ素子は、前記第2の半導体レーザ素子よりも前記パッケージの中央部に配置されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1の半導体レーザ素子は、第1の発振開始電圧を有し、
前記第2の半導体レーザ素子は、前記第1の半導体レーザ素子よりも低い第2の発振開始電圧を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 前記パッケージから電気的に絶縁された第2の給電ピンをさらに備え、
前記第1の半導体レーザ素子の前記一方電極は、それぞれ前記第2の給電ピンに電気的に接続されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
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