JP2002280660A - レーザダイオードモジュールからなる光源 - Google Patents
レーザダイオードモジュールからなる光源Info
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Abstract
い、高い密度で配置された、高光出力の複数個のレーザ
ダイオードモジュールからなる光源を提供する。 【解決手段】各々が、レーザダイオードチップおよび光
学機器を搭載する金属基板、および、金属基板と熱的に
接続されたペルチェ素子を備えた、高い密度で配置され
た高光出力の複数個のレーザダイオードモジュールと、
複数個のレーザダイオードモジュールを搭載する搭載部
と、レーザダイオードモジュールを制御する制御用素子
を搭載する制御基板と、ペルチェ素子および制御用素子
に、吸熱部が熱的に接続される複数個のヒートパイプと
を備えた、レーザダイオードモジュールからなる光源。
Description
に、高い密度で配置された、高光出力の複数個のレーザ
ダイオードモジュールからなる光源に関する。
ールは、光ファイバ通信、特に幹線系・CATVの信号
光源やファイバアンプの励起光源として用いられてい
る。このようなレーザダイオードモジュールは、高出力
および安定動作を実現するために、ペルチェ素子を内蔵
し、そのペルチェ素子上部に搭載された金属基板上にレ
ーザダイオードチップ、フォトダイオードチップ、レン
ズ等の光学部品、サーミスタ素子、インダクタ、抵抗等
の電気部品を配置している。なお、上述したペルチェ素
子は、熱電半導体であり、直流の電流を流すと、p型の
半導体の場合には、電流の流れる方向に熱が運ばれ、n
型半導体の場合には電流と反対方向に熱が運ばれ、熱電
半導体の両側で温度差が生じる。ペルチェ素子を使用し
た冷却システムは、上述した温度差を利用して、低温側
を冷却に、高温側を放熱に使用している。
レーザダイオードチップの近傍に接着されたサーミスタ
素子によってチップの温度を検出している。このように
検出された温度値をフィードバックしてペルチェ素子を
駆動させることにより、レーザダイオードチップが配置
された金属基板全体を冷却して、レーザダイオードチッ
プの温度を一定に保つ構造を備えている。
を示す。図3は、レーザダイオードモジュールの概略断
面図を示す。レーザダイオードモジュールは、図3に示
すように、レーザダイオードチップ111およびヒート
シンク112を搭載したマウント113と、モニター用
フォトダイオードチップ114を搭載したチップキャリ
ア115と、レンズホルダ116と、図示しない抵抗
体、インダクタおよび回路基板等を接着した金属基板1
10aと、ペルチェ素子7とを備えている。ペルチェ素
子は、パッケージ放熱板118上に金属ソルダで固定さ
れている。なお、ペルチェ素子117の上下には、セラ
ミックス板119A、119Bが配置される。
ジュールのA−A'断面図である。図4に示すように、
レーザダイオードモジュールの主要部は、ヒートシンク
112上にレーザダイオードチップ111の他にサーミ
スタ121を搭載し、ペルチェ素子117と金属基板1
10aとを接着する金属ソルダとして、両者の熱膨張差
を緩和するために、ソフトソルダ122を用いている。
上述した金属基板は、通常、銅タングステン(CuW:
銅の重量配分比10〜30%のものが存在)等の単一材
質で形成されている。金属基板とペルチェ素子との接着
は、両者の熱膨張差を緩和するために、インジウム錫
(InSn)などの低温ソフトソルダが用いられてき
た。
ルの高出力化に伴い、レーザダイオードモジュールの冷
却能力と温度環境信頼度(即ち、温度が変化した場合に
おいても正常に機能を継続する能力)に対する要求が厳
しくなっている。まず、冷却能力向上のためには、ペル
チェ素子を大型化したり、上部に搭載する金属基板の高
熱伝導材質化を図る必要があるが、ペルチェ素子の冷却
能力向上に伴う温調タイム(目的の温度に達するまでの
時間)の短縮により、ペルチェ素子上部に搭載した金属
基板への温度ストレスも大きくなる。そのため、ペルチ
ェ素子と金属基板の熱膨張率差の影響が大きくなり、両
者を接着するソフトソルダの摺動により亀裂剥離を生じ
させるという問題が生じる。しかも、ソフトソルダ特有
のハンダクリープ現象も顕著になるため、ペルチェ素子
と金属基板とを接着させるソルダには、ビスマス錫(B
iSn)等の低温ハードソルダを用いる必要がある。
10−200208に、2種類の金属材からなる金属基
板を備えた半導体レーザモジュールが開示されている。
図5にその概要を示す。図5(a)に示すように、半導
体レーザモジュールは、LDチップ201やLDチップ
を一定の温度に保つためのサーミスタ211をヒートシ
ンク202およびサブマウント203を介して、光学系
のレンズとともに搭載する金属基板210と、上下の面
にセラミックス基板209A、209Bを備えたペルチ
ェ素子207とをハードソルダ212によって接着して
形成される。
からの熱流がペルチェ素子207へ向かう方向とは垂直
になる方向に、ペルチェ素子207の上面に接着され
る。特に、金属基板210は、LDチップ201の直下
を含む基板中央部に第1の金属部材213を配置し、そ
の側面周囲に第2の金属部材214を配置するように形
成している。更に、図5(b)に示すように、金属基板
210は、第1の金属部材213を熱伝導率の大きい金
属材で形成し、第2の金属部材214を第1の金属部材
213よりも熱膨張率の小さい金属材で形成する。
ことにより、金属基板全体の熱膨張を小さくするととも
に、熱伝導を良くし、冷却性能を向上させると同時に、
ペルチェ素子の信頼度を高めることを期待している。な
お、光励起用光源または光信号光源には、通常、光出力
源であるレーザダイオードモジュールが複数個搭載され
ている。レーザダイオードモジュールは、他の光部品と
組み合わされて、光増幅器に使用されている。
からなる光源では、レーザダイオードモジュール搭載基
板、光学部品収納プレート、レーザダイオードモジュー
ル制御基板がそれぞれ独立して搭載されており、レーザ
ダイオードモジュール搭載基板のみが放熱板に直接接触
して、レーザダイオードモジュールの放熱を行ってい
た。このような構成の光源では、制御用ICなどの制御
基板上の発熱部品はレーザダイオードモジュール搭載基
板とは別にあるため、これら部品から発生する熱は放熱
フィンから放熱されることはない。レーザダイオードモ
ジュール以外の発熱は、ユニット筐体全体からの放熱に
期待するしかなかった。しかしながら、筐体からの放熱
は放熱効率が悪く、基板からの発熱はユニット筐体内部
にこもるという状態であった。
度依存性の高い部品が多く、ユニットの筐体内部が高温
になると、光学特性が劣化する。更に、ユニット筐体内
のレーザダイオードモジュールの周辺温度が上昇するた
め、レーザダイオードモジュールの寿命が短くなってし
まうという問題点があった。更に、制御基板内半導体の
温度が上昇するので、基板の制御能力が低下する。例え
ば、基板上のオペアンプ(OP−amp)の出力が不安
定になり、レーザダイオードモジュールの動作が不安定
になることが考えられる。デジタル部品が動作不能にな
った場合、レーザダイオードモジュールを破壊する可能
性もある。基板温度が上昇すると、レーザダイオードモ
ジュール発光の安定化という点において問題があった。
ると、個々のレーザダイオードモジュールにおける、ペ
ルチェ素子の冷却性能の向上、および、ペルチェ素子の
信頼度を高めることが期待されている。しかしながら、
個々のレーザダイオードモジュールが更に高出力化し、
このように更に高出力化した多数のレーザダイオードモ
ジュールを高い密度で配置して使用すると、チップとペ
ルチェ素子との間に配置される金属基板の熱伝導性を高
めたり、熱膨張率の差を小さくするだけでは、レーザダ
イオードモジュールの高出力化、それらの高い密度の配
置にともなって発生する熱を処理することができず、レ
ーザダイオードモジュールの機能を損傷してしまうとい
う問題点がある。
がサイズが小さい上に高発熱密度体であり、それらを複
数個実装することが求められる光励起用光源または光信
号光源として使用する場合には、レーザダイオードモジ
ュールの熱を放熱することが困難であった。一方、光励
起用光源または光信号光源は、更なる光出力の向上が求
められており、従来の方法では、レーザダイオードモジ
ュールのペルチェ素子による冷却が限界に達して、半導
体素子の性能を100%生かしきれない状態でしか、使
用することができなくなっている。
させても、ペルチェ素子および半導体素子励起による消
費電力を従来以下のままに維持したいという要望があ
り、光源内の放熱特性が非常に重要になってきている。
更に、個々のレーザダイオードモジュールに温度差が生
じたり、レーザダイオードモジュールを制御する制御素
子等の発熱によって、レーザダイオードモジュール周辺
において温度差が生じると、光学部品および該光学部品
周辺の部品の個々の熱膨張率が異なるため光学部品の変
形が生じる。上述した変形によりレーザダイオードモジ
ュールの波長の変化が生起して、光源としての性能が劣
化するという重大な問題が生じる。上述したように、優
れた放熱性能を有するヒートシンクに実装された、コン
パクトで、高光出力の光励起用光源または光信号光源の
出現が待望されている。
を解決して、薄型のコンパクトで、波長の変化等が生じ
ない、高い密度で配置された、高光出力の複数個のレー
ザダイオードモジュールからなる光源を提供することに
ある。
来の問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた。その結果、
従来、作動液という液体を内蔵するために、作動液の漏
れ、湿気による悪影響が連想され、レーザダイオードモ
ジュール等の高度に精密な機器において使用することが
嫌われ、否定されてきた、単結晶ダイヤの約20倍以上
の熱伝導率を有するヒートパイプをペルチェ素子に接続
させることによって、ペルチェ素子の破壊の危険性を著
しく低減して、レーザダイオードモジュールの高出力
化、それらの高密度の配置にも十分対応することができ
ることを知見した。
機器を搭載する金属基板、および、金属基板と熱的に接
続されたペルチェ素子を備えているレーザダイオードモ
ジュールのそれぞれのペルチェ素子に、更に、ヒートパ
イプの吸熱部を熱的に接続すると、例え個々の光出力が
高い、多数のレーザダイオードモジュールを高い密度で
配置しても、個々のレーザダイオードモジュールを従来
とは比較にならない度合いで冷却することができるの
で、信頼性の高い、高光出力の複数個のレーザダイオー
ドモジュールからなる光源を提供することができること
を知見した。
ダイオードモジュールを制御する制御素子を搭載した制
御基板が配置されており、従来のようにレーザダイオー
ドモジュールおよび制御素子にそれぞれの放熱手段を備
えると筐体の厚さが大きく、薄型のコンパクトな光源の
実現が困難であったが、ヒートパイプをレーザダイオー
ドモジュール基板と制御基板との間にサンドイッチ状に
配置して、ヒートパイプの吸熱部をペルチェ素子および
制御素子に熱的に接続させると、薄型のコンパクトな、
且つ、高い密度で配置された高光出力のレーザダイオー
ドモジュールからなる光源を提供することができること
を知見した。
ル間の温度差を無くするように、レーザダイオードモジ
ュール、制御基板およびヒートパイプを配置すると、個
々のレーザダイオードモジュールの温度が均一になり、
更に、レーザダイオードモジュール周辺温度環境が均一
になるので、光源特有の特性、即ち、所望の光波長を一
定に維持することができ、性能の高い光源が得られるこ
とを知見した。
ものであって、この発明のレーザダイオードモジュール
からなる光源の第1の態様は、各々が、レーザダイオー
ドチップおよび光学機器を搭載する金属基板、および、
前記金属基板と熱的に接続されたペルチェ素子を備え
た、高い密度で配置された高光出力の複数個のレーザダ
イオードモジュールと、前記複数個のレーザダイオード
モジュールを搭載する搭載部と、前記レーザダイオード
モジュールを制御する制御用素子を搭載する制御基板
と、前記ペルチェ素子および前記制御用素子に、吸熱部
が熱的に接続される複数個のヒートパイプとを備えた、
レーザダイオードモジュールからなる光源である。
らなる光源の第2の態様は、前記レーザダイオードモジ
ュールと前記制御用素子が前記ヒートパイプを挟むよう
に配置されていることを特徴とするレーザダイオードモ
ジュールからなる光源である。
らなる光源の第3の態様は、前記レーザダイオードモジ
ュールのそれぞれの温度が均一になるように、前記複数
個のレーザダイオードモジュールおよび前記複数個のヒ
ートパイプが配置された、レーザダイオードモジュール
からなる光源である。
らなる光源の第4の態様は、前記複数個のレーザダイオ
ードモジュールの各々が、前記搭載部の近端部から等距
離に位置し、前記ヒートパイプの大きさおよび長さが同
一であり、もって、前記レーザダイオードモジュールの
それぞれの温度が均一であることを特徴とする、レーザ
ダイオードモジュールからなる光源である。
らなる光源の第5の態様は、前記レーザダイオードモジ
ュールのそれぞれに前記ヒートパイプが熱的に接続され
ている、レーザダイオードモジュールからなる光源であ
る。
らなる光源の第6の態様は、前記複数個のレーザダイオ
ードモジュールが搭載される前記搭載部に、前記ヒート
パイプの吸熱部を収容する孔部が、前記レーザダイオー
ドモジュールの長手方向に沿って設けられており、前記
孔部に収容されたヒートパイプが前記レーザダイオード
モジュールおよび前記制御用素子とそれぞれ熱的に接続
されている、レーザダイオードモジュールからなる光源
である。
らなる光源の第7の態様は、前記ヒートパイプは、丸型
ヒートパイプからなっており、前記丸型ヒートパイプの
放熱部には放熱フィンが設けられている、レーザダイオ
ードモジュールからなる光源である。
らなる光源のその他の態様は、前記レーザダイオードモ
ジュールの底面部が湾曲面部を備えており、前記丸型ヒ
ートパイプが前記湾曲面部に密接に接続している、レー
ザダイオードモジュールからなる光源である。
らなる光源のその他の態様は、前記光源が光伝送システ
ムにおける光励起用光源である、レーザダイオードモジ
ュールからなる光源である。
らなる光源のその他の態様は、前記光源が光伝送システ
ムにおける光信号用光源である、レーザダイオードモジ
ュールからなる光源である。
前記レーザダイオードモジュールからなる光源を用いる
ラマン増幅器である。
ュールからなる光源の態様について図面を参照しながら
詳細に説明する。図1は、この発明の光源を構成する個
々のレーザダイオードモジュールの一例の概要を示す図
である。図1に示すように、レーザダイオードモジュー
ル10は、半導体レーザ11、第1レンズ12、第2レ
ンズ13、コア拡大ファイバ14および気密ケース20
を備えている。半導体レーザ11は、第1レンズ12と
の間に所定の間隔をおいて、ベース21上にチップキャ
リア22を介して設けられている。ベース21は、気密
ケース20内に設けた温度制御用のペルチェ素子23の
上方に配置されている。ベース21は、主要部分が銅製
で、第1レンズ12を設置する部分がステンレス製の複
合材である。ベース部材21は、チップキャリア22を
挟んで第1レンズ12と対向する側にキャリア24が固
定され、キャリア22の半導体レーザ11と対向する位
置にモニタ用のフォトダイオード24aが設けられてい
る。
コリメータレンズ12bが保持されている。レンズホル
ダ12aは、ベース21に溶接固定されている。コリメ
ータレンズ12bは、高結合効率を得るために非球面レ
ンズが使用されている。第2レンズ13は、レンズホル
ダ13aに上下部分を削り出した球レンズ13bが保持
されている。レンズホルダ13aは、光軸に垂直な面内
で位置調整して気密ケース20の後述する挿着円筒20
aに固定されている。
た先端側が光軸に対して6°傾斜させて斜めに研磨され
るとともに研磨面に反射防止コーティングが施され、先
端側が金属筒15内に接着されて保護されている。金属
筒15は、調整部材16の最適位置に溶接固定されてい
る。金属筒15は、調整部材16内でコア拡大ファイバ
14の光軸方向に沿って前後方向にスライドさせたり、
光軸廻りに回転させることにって調整部材16の最適位
置に調整される。
らなる光源は、各々が、レーザダイオードチップおよび
光学機器を搭載する金属基板、および、前記金属基板と
熱的に接続されたペルチェ素子を備えた、高い密度で配
置された高光出力の複数個のレーザダイオードモジュー
ルと、前記複数個のレーザダイオードモジュールを搭載
する搭載部と、前記レーザダイオードモジュールを制御
する制御用素子を搭載する制御基板と、前記ペルチェ素
子および前記制御用素子に、吸熱部が熱的に接続される
複数個のヒートパイプとを備えた、レーザダイオードモ
ジュールからなる光源である。この発明のレーザダイオ
ードモジュールからなる光源においては、レーザダイオ
ードモジュールと制御用素子がヒートパイプをサンドイ
ッチ状に挟むように配置されている。更に、上述した複
数個のレーザダイオードモジュールの各々が、搭載部の
近端部から等距離に位置し、ヒートパイプの大きさおよ
び長さが同一であり、その結果、レーザダイオードモジ
ュールのそれぞれの温度が均一である。
ジュールからなる光源の1つの態様を示す断面図であ
る。図2に示すように、この態様においては、レーザダ
イオードモジュールは、レーザダイオードモジュール搭
載基板上に置かれ、レーザダイオードモジュール搭載基
板とともに放熱板に固定されている。レーザダイオード
モジュール搭載基板の反対側の面にはレーザダイオード
モジュール制御基板があり、同様に、放熱板に固定され
ている。光学部品は、レーザダイオードモジュール制御
基板とレーザダイオードモジュール搭載基板の両方に分
割されて搭載されている。
ザダイオードモジュール基板31を介して、複数個のレ
ーザダイオードモジュール10が配置され、各レーザダ
イオードモジュール10には、丸型ヒートパイプ32、
33の吸熱部が熱的に接続され、そして、丸型ヒートパ
イプ32、33の放熱部には、放熱フィン34、35が
取り付けられている。更に、搭載部(放熱板)30の、
レーザダイオードモジュールと反対側には、レーザダイ
オードモジュールを制御する制御素子37を搭載した制
御基板38が配置され、各制御素子には、丸型ヒートパ
イプ32、33の吸熱部が熱的に接続され、そして、丸
型ヒートパイプ32、33の放熱部には、放熱フィン3
4、35が取り付けられている。
と、レーザダイオードモジュールから発生する熱は放熱
板に伝たわる。このとき、レーザダイオードモジュール
面と、制御基板面は分離されているので、レーザダイオ
ードモジュールからの発熱は、制御基板面に影響を及ぼ
さない。一方、制御基板を駆動させると、制御基板から
発生する熱は、放熱板に伝たわる。同様に、制御基板か
らの発熱は、レーザダイオードモジュールには影響を及
ぼさない。放熱板に伝わった熱は、ヒートパイプに伝わ
り、更にヒートパイプに圧入されている放熱フィンから
所定の位置または外部に放出される。
と制御用素子がヒートパイプをサンドイッチ状に挟むよ
うに配置することによって、レーザダイオードモジュー
ルの放熱手段と制御用素子の放熱手段を、同一のヒート
パイプによって機能させることができるので、従来必要
であった制御用素子の放熱手段を収容するスペースがな
くなり、レーザダイオードモジュールからなる光源の筐
体の厚さを著しく薄くすることができる。更に、レーザ
ダイオードモジュールの周辺に配置されて熱を発生して
いた制御用素子の熱を効率的に放熱することができるの
で、レーザダイオードモジュールの周辺の温度環境を容
易に均一にすることができる。
ドモジュールのそれぞれの温度が均一になるように、複
数個のレーザダイオードモジュールおよび複数個のヒー
トパイプが配置することが好ましい。即ち、例えば、8
個のレーザダイオードモジュールを搭載する際に、4個
のレーザダイオードモジュールからなる2組のレーザダ
イオードモジュール群の1つの組を形成する個々のレー
ザダイオードモジュール10を、一方の端部から同一距
離aに位置している。レーザダイオードモジュール10
には、同一大きさ(直径、長さ)の同一材質のヒートパ
イプ32の吸熱部が熱的に接続され、ヒートパイプ32
の放熱部の同一位置に、同一材質、同一大きさの放熱フ
ィン34が接続される。
の1つの組を形成する個々のレーザダイオードモジュー
ル10は、他方の端部から同一距離aに位置している。
レーザダイオードモジュール10には、同一大きさ(直
径、長さ)の同一材質のヒートパイプ33が熱的に接続
され、ヒートパイプ33の放熱部の同一位置に、同一材
質、同一大きさの放熱フィン35が接続される。ヒート
パイプ32、33は、同一大きさ(直径、長さ)の同一
材質であることが好ましい。更に、放熱フィン34、3
5は、同一材質、同一大きさであることが好ましい。
ール、制御用素子、ヒートパイプおよび放熱フィンを配
置することによって、複数個のレーザダイオードモジュ
ールの個々の温度差を無くし、制御用素子の発生する熱
を効率的に放熱して、レーザダイオードモジュールを取
り巻く周辺の温度環境を均一にすることができ、その結
果、一定の波長を維持することができる。
は、物理的に配置可能な限り密度を高めることができ
る。即ち、水平面だけでなく、垂直方向にも配置するこ
とが可能である。
効果を高めるためには、熱の移動距離を短くすることが
好ましく、各レーザダイオードモジュールはそれぞれの
端部にできるだけ近く位置することが好ましい。その結
果、ヒートパイプを短くすることができる。更に、ヒー
トパイプの径を細くすることができる。従って、搭載部
(即ち、放熱板ベースプレートの厚さを薄くすることが
できるので、光源の厚さを薄くコンパクトにすることが
できる。
部を有するコンテナを備えており、空洞部に収容された
作動液の相変態および移動によって熱の輸送が行われ
る。熱の一部は、ヒートパイプを構成するコンテナの材
質中を直接伝わって運ばれるが、大部分の熱は、作動液
による相変態と移動によって移動される。冷却部品が取
り付けられるヒートパイプの吸熱側において、ヒートパ
イプを構成するコンテナの材質中を伝わってきた熱によ
り、作動液が蒸発し、その蒸気がヒートパイプの放熱側
に移動する。放熱側では、作動液の蒸気は冷却され再び
液相状態に戻る。液相に戻った作動液は再び吸熱側に移
動する。このような作動液の相変態や移動によって、熱
の移動がなされる。
らなっていてもよい。即ち、レーザダイオードモジュー
ルの各々が、図1に示すように、レーザダイオードチッ
プ11および光学機器12を搭載する金属基板21、お
よび、金属基板21と熱的に接続されたペルチェ素子2
3を備えており、ペルチェ素子23には、更に、ヒート
パイプ31の吸熱部が熱的に接続されている。
らなる光源においては、上述したように、レーザダイオ
ードモジュール10のそれぞれにヒートパイプ32、3
3が熱的に接続されている。この発明のレーザダイオー
ドモジュールからなる光源においては、上述した複数個
のレーザダイオードモジュール10が搭載される搭載部
30にヒートパイプの吸熱部を収容する孔部36が、レ
ーザダイオードモジュールの長手方向に沿って設けられ
ており、孔部に収容されたヒートパイプ32、33とレ
ーザダイオードモジュール10とが熱的に接続され、更
に、レーザダイオードモジュール制御用の制御素子が熱
的に接続されている。
工が施され、孔部の内面は、錫または金等のハンダとの
濡れ性が良好な金属によってメッキ処理される。孔部に
挿入されるヒートパイプの表面は、ハンダ接合に良好な
上述したと同一の金属によって、予めメッキ処理が施こ
される。このようにメッキ処理が施されたヒートパイプ
32、33を孔部に挿入して、ハンダ接合する。その結
果、熱抵抗を増加させる空気層を完全に除去することが
でき、熱抵抗を小さくすることができる。なお、ヒート
パイプと孔部との間に空気層がわずかでも残留すると、
局部的に断熱層を形成し、熱抵抗が大きくなり、ヒート
パイプの熱輸送性能が著しく低下する。
ールからなる光源において、レーザダイオードモジュー
ルの底面部が湾曲面部を備えており、丸型ヒートパイプ
が前記湾曲面部に密接に接続している。図示しないが、
レーザダイオードモジュール10の底部が搭載部30の
内部に入り込むように加工され、更に、底面部が湾曲面
部を備えているので、レーザダイオードモジュール10
の底部が、搭載部30に挿入されたヒートパイプ32、
33の表面に直接接触するような状態で密接に接続され
る。
い。ヒートパイプは、銅製の丸型ヒートパイプが好まし
く、作動液として、水を使用することができる。ヒート
パイプ内には、作動液の還流を容易にするために、ウイ
ックを配置してもよい。丸型ヒートパイプの形状は、円
形、楕円形、偏平形等であってもよい。この際には、使
用するヒートパイプの最大熱輸送量と、レーザダイオー
ドモジュールの発熱量、レーザダイオードモジュール制
御基板等の発熱量とを考慮して、ヒートパイプを選定す
ることによって、効率的な放熱を行い、高い密度で配置
された高光出力のレーザダイオードモジュールの機能を
十分に発揮することができる。
らなる光源は、光伝送システムにおける光励起用光源と
して使用される。更に、この発明のレーザダイオードモ
ジュールからなる光源は、光伝送システムにおける光信
号用光源として使用される。更に、この発明のラマン増
幅器は、この発明のレーザダイオードモジュールからな
る光源を用いるラマン増幅器である。
なる光源を実施例によって、説明する。図2に示すよう
に、アルミニウム製の縦130mm×横190mm×厚
さ20mmの搭載部を調製した。次いで、搭載部の横方
向に沿って、搭載部の両側に、搭載部の中心部に所定の
間隔でヒートパイプが収容される4つの孔部をそれぞれ
形成した。孔部の内表面には、錫によってメッキ処理が
施された。孔部に挿入されるヒートパイプの表面は、ハ
ンダ接合に良好な上述したと同一の金属によって、予め
メッキ処理が施こされる。外形6.35mmの銅製の丸
型ヒートパイプを調製し、孔部に挿入されるヒートパイ
プの表面は、錫によってメッキ処理が施された。次い
で、ヒートパイプの放熱部を孔部に挿入して、ヒートパ
イプと搭載部とをハンダ接合した。
モジュールが配置される部分には、レーザダイオードモ
ジュールの底部が収容される凹部が形成された。レーザ
ダイオードモジュールの底部には、湾曲面が形成され、
レーザダイオードモジュールの底部は、伝熱グリスを介
して、ヒートパイプの外表面と直接的に密着された。一
方、搭載部の上面の、レーザダイオードモジュールが配
置された側と反対側には、発熱部品としての制御素子3
7が搭載された制御基板が配置され、上述したヒートパ
イプの他の側の外表面と密着させた。
よび制御基板が配置された搭載部の両側から、搭載部の
横方向に並行に延伸したそれぞれ4本の丸型ヒートパイ
プの放熱部には、図2に示すような、縦180mm×横
40mm×厚さ0.3mmの板型放熱フィンが取りつけ
られた。
2mmの位置に4個の合計8個のレーザダイオードモジ
ュールが配置された。個々のレーザダイオードモジュー
ルの光出力は100mW以上であった。ヒートパイプ内
には、作動液として水が封入され、ワイヤ状のウイック
が配置されている。
ザダイオードモジュールからなる光源を作動させたとこ
ろ、300mWの高い光出力を得ることができ、レーザ
ダイオードモジュールを24.9〜25.1℃の範囲内
の温度に維持することができた。上述したように、丸型
ヒートパイプが直接レーザダイオードモジュールの底部
に接触するように、丸型ヒートパイプと搭載部が金属接
合されているので、高い放熱特性が得られる。従って、
コンパクトで、且つ、高い光出力が保持された光励起用
光源または光信号光源が低消費電力のままで可能にな
る。
ぞれの端部から同一距離に配置され、同一大きさ、材質
のヒートパイプならびに放熱フィンが密に接続されてい
るので、個々のレーザダイオードモジュールの間に温度
差が生じることなく、一定の波長が維持され、性能の高
い光源が得られた。
板の両面にレーザダイオードモジュールおよび制御基板
の発熱部品を配置することによって、両方の部品からの
放熱を効率よく行うことができる。その結果、レーザダ
イオードモジュール本体だけでなく、ユニット筐体内部
全体の温度も低下するので、光学部品が高温になること
による光学特性の劣化を防ぐことができる。更に、レー
ザダイオードモジュールの長寿命化や、制御基板の安定
動作によるレーザダイオードモジュール発光の安定化を
図ることができる。更に、放熱板に直接接触させること
ができる面積が、従来の基板片側設置のユニットと比較
して、2倍になるため、基板面積を少なくすることがで
きる。その結果、筐体全体をコンパクトにすることが可
能である。更に、筐体本体に放熱フィンを設けないの
で、筐体の高さ方向も小さくすることができる。
長の変化等が生じない、高い密度で配置された、高光出
力の複数個のレーザダイオードモジュールからなる光源
を提供することができ、薄型コンパクトで、且つ、高い
光出力が保持された光励起用光源または光信号光源を低
消費電力のままで提供することができ、産業上利用価値
が高い。
オードモジュールの一例の概要を示す図である。
ールからなる光源の1つの態様を示す断面図である。
示す概略図である。
ールのA−A'断面図である。
えた従来の半導体レーザモジュールを示す図である。
Claims (7)
- 【請求項1】各々が、レーザダイオードチップおよび光
学機器を搭載する金属基板、および、前記金属基板と熱
的に接続されたペルチェ素子を備えた、高い密度で配置
された高光出力の複数個のレーザダイオードモジュール
と、前記複数個のレーザダイオードモジュールを搭載す
る搭載部と、前記レーザダイオードモジュールを制御す
る制御用素子を搭載する制御基板と、前記ペルチェ素子
および前記制御用素子に、吸熱部が熱的に接続される複
数個のヒートパイプとを備えた、レーザダイオードモジ
ュールからなる光源。 - 【請求項2】前記レーザダイオードモジュールと前記制
御用素子が前記ヒートパイプを挟むように配置されてい
ることを特徴とする請求項1に記載のレーザダイオード
モジュールからなる光源。 - 【請求項3】前記レーザダイオードモジュールのそれぞ
れの温度が均一になるように、前記複数個のレーザダイ
オードモジュールおよび前記複数個のヒートパイプが配
置された、請求項1または2に記載のレーザダイオード
モジュールからなる光源。 - 【請求項4】前記複数個のレーザダイオードモジュール
の各々が、前記搭載部の近端部から等距離に位置し、前
記ヒートパイプの大きさおよび長さが同一であり、もっ
て、前記レーザダイオードモジュールのそれぞれの温度
が均一であることを特徴とする、請求項3に記載のレー
ザダイオードモジュールからなる光源。 - 【請求項5】前記レーザダイオードモジュールのそれぞ
れに前記ヒートパイプが熱的に接続されている、請求項
4に記載のレーザダイオードモジュールからなる光源。 - 【請求項6】前記複数個のレーザダイオードモジュール
が搭載される前記搭載部に、前記ヒートパイプの吸熱部
を収容する孔部が、前記レーザダイオードモジュールの
長手方向に沿って設けられており、前記孔部に収容され
たヒートパイプが前記レーザダイオードモジュールおよ
び前記制御用素子とそれぞれ熱的に接続されている、請
求項5に記載のレーザダイオードモジュールからなる光
源。 - 【請求項7】前記ヒートパイプは、丸型ヒートパイプか
らなっており、前記丸型ヒートパイプの放熱部には放熱
フィンが設けられている、請求項6に記載のレーザダイ
オードモジュールからなる光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001075391A JP2002280660A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
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JP2001075391A JP2002280660A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
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ID=18932480
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