KR20210121651A - 다이렉트 액티브 쿨링 구조체 및 이를 포함하는 레이저 소스 - Google Patents

다이렉트 액티브 쿨링 구조체 및 이를 포함하는 레이저 소스 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 레이저 다이오드 바, 상기 레이저 다이오드 바에 접촉되며, 상기 레이저 다이오드 바를 지지하고, 일측으로 연장되는 다이오드 마운트, 상기 레이저 다이오드 바와, 상기 다이오드 마운트 표면에 마련되는 도전층, 상기 연장된 다이오드 마운트를 고정 지지하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 일측에 접촉되어 마련되고 내측에 냉각 유체가 흐를 수 있는 히트 싱크 하우징, 상기 연장된 다이오드 마운트의 적어도 일부는 상기 히트 싱크 하우징 내측에 마련되는 상기 냉각 유체에 접촉될 수 있는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체 및 이를 포함하는 레이저 소스에 관한 것이다.

Description

다이렉트 액티브 쿨링 구조체 및 이를 포함하는 레이저 소스{DIRECT ACTIVE COOLING STRUCTURE AND LASER SOURCE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 열전도 효율성을 높인 다이렉트 액티브 쿨링 구조체 및 이를 포함하는 레이저 소스에 관한 것이다.
본 발명은 다이렉트 액티브 쿨링 구조체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다이오드 마운트를 핀 형태로 연장하여 히트 싱크 하우징 내부의 냉각 유체에 직접 접촉하여 열 방출을 효율적으로 방출시킬 수 있으며, 단위 면적당 균일한 광효율을 위하여 상기 레이저 다이오드 바 개별 유닛을 개별 제어 하는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체 및 이를 포함하는 레이저 소스에 관한 것이다.
일반적으로, 레이저 다이오드는 레이저 솔더링 접합, 열처리, 클리닝, 디스플레이, 의료용 등 다양한 분야에 사용되고 있다. 이러한 다양한 분야에서 요구되는 고출력 레이저 다이오드의 경우, 일정 이상의 온도 상승이 발생되어, 레이저 다이오드의 정렬이 틀어지거나 동작의 품질을 저하시키는 등의 문제점이 발생할 수 있다.
그러나, 실제 레이저 다이오드 바는 온도에 매우 민감한 소자이므로 동작시 발생되는 열을 효율적으로 방출시켜야 안정적인 동작을 할 수 있다. 즉, 레이저 다이오드 바의 온도가 적정한 수준 이하로 유지되는 것이 요구된다.
그러므로, 기존에는 레이저 다이오드 칩에 열전 쿨러(Thermoelectric Cooler)와 온도 센서를 부착하고 별도의 전원 제어기를 이용하여 레이저 다이오드를 일정한 온도로 냉각시켜 안정적인 동작을 얻어왔다.
본 발명은 다이렉트 액티브 쿨링 구조체에 관한 것으로, 레이저 다이오드 바의 고온 동작시, 다이오드 마운트를 핀 형태로 연장시키고, 히트 싱크 하우징 내부의 냉각 유체에 직접 접촉시켜, 효율적인 열 방출을 제공하여, 레이저 다이오드 바의 온도를 적정한 수준 이하로 유지되게 하여, 레이저 다이오드 바의 안정적인 동작을 달성하는데 그 목적이 있다.
또한, 대면적 레이저 다이오드 바 어레이 패키지에서의 개별 레이저 다이오드 바의 전력 레벨을 개별적으로 조절하여, 대면적 레이저 다이오드 바 어레이 패키지에 있어서의 고대비와 고효율의 전력 절감을 얻을 수 있는, 균일한 발광효율을 달성하기 위한 레이저 소스를 제공하는 것에 그 목적이 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재들로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적은, 다이렉트 액티브 쿨링 구조체에 있어서, 레이저 다이오드 바; 상기 레이저 다이오드 바에 접촉되며, 상기 레이저 다이오드 바를 지지하고, 일측으로 연장되는 다이오드 마운트; 상기 레이저 다이오드 바와, 상기 다이오드 마운트 표면에 마련되는 도전층; 상기 연장된 다이오드 마운트를 고정 지지하는 베이스 기판; 상기 베이스 기판 일측에 접촉되어 마련되고 내측에 냉각 유체가 흐를 수 있는 유로를 포함하는 히트 싱크 하우징과, 상기 연장된 다이오드 마운트의 적어도 일부는 상기 유로 내부에 위치되는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체에 있어서 달성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 레이저 다이오드 바 구조체의 열 방출에 있어서, 일측으로 연장되어 냉각 유체에 직접 접촉하는 다이오드 마운트로 인해 레이저 다이오드 바의 열방출 효율이 증가하여, 고온 동작에서의 레이저 다이오드 바 구조체의 안정적인 동작이 가능할 수 있다.
또한, 또한, 대면적 레이저 다이오드 바 어레이 패키지에서의 개별 레이저 다이오드 바의 전력 레벨을 개별적으로 조절하여, 대면적 레이저 다이오드 바 어레이 패키지에 있어서의 고대비와 고효율의 전력 절감을 얻을 수 있으며, 균일한 발광효율을 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 1열 어레이 패키지 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태의 제 1 실시예에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태의 제 2 실시예에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 다이오드 마운트의 개별 유닛 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태의 제 1 실시예에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 2열 어레이 레이저 소스의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태의 제 2 실시예에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 2열 어레이 패키지 사시도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)의 1열 어레이 패키지 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)는, 레이저 다이오드 바(132)와, 다이오드 마운트(131)와, 전도층(134)과, 베이스 기판(120)과, 히트 싱크 하우징(110)을 포함할 수 있다.
상기 레이저 다이오드 바(132)는, 전기적 신호를 공급받아, 레이저광을 생성하는 모든 수단을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 레이저 다이오드 바(132)는 점광원, 선광원, 면광원을 포함할 수 있다.
상기 다이오드 마운트(131)는 상기 레이저 다이오드 바(132)의 양 측에서 상기 레이저 다이오드 바(132)를 지지하고, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 일측으로 연장되어 접촉될 수 있다. 상기 다이오드 마운트(131)는, 상기 레이저 다이오드 바(132)로부터 상기 히트 싱크 하우징(110)으로 열을 효율적으로 전달하기 위해 열전도도가 높은 재료를 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 다이오드 마운트(131)에는 베릴륨옥사이드(BeO)를 적어도 일부 포함될 수 있다.
상기 레이저 다이오드 바(132)와, 상기 다이오드 마운트(131)의 상부 표면에는 전도층(134)이 마련될 수 있다. 상기 전도층(134)은 솔더링 공정으로 형성될 수 있다. 상기 솔더링 공정은 고온솔더링을 포함할 수 있으며, 상기 고온솔더링 공정은, 적어도 일부는 다이렉트 본디드 카파(Direct Bonded Copper)를 적용하는 공정을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 고온솔더링 공정으로 형성될 수 있는 상기 전도층(134)은 통전의 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 고온솔더링 공정으로, 상기 레이저 다이오드 바(132)와 상기 다이오드 마운트(131)의 접촉력을 향상시킬 수도 있다. 따라서, 상기 전도층(134)은 음극 및 양극과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전도층(134)의 전기적 연결로 인해, 상기 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)는 외부로부터 전기적 신호를 공급받을 수 있다. 상기 공급 받은 전기적 신호로, 상기 레이저 다이오드 바(132)에서 레이저광이 생성될 수 있다.
상기 접촉된 레이저 다이오드 바(132)와 다이오드 마운트(131) 일측에는 베이스 기판(120)이 마련될 수 있다. 상기 베이스 기판(120)은 세라믹으로 구성될 수 있다. 상기 세라믹으로 구성된 베이스 기판(120)은 상기 레이저 다이오드 바(132)의 효율적인 열 방출을 위해 열전도도가 높은 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 기판(120)은 베릴륨옥사이드(BeO)를 적어도 일부 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(120)과 상기 일측으로 연장된 다이오드 마운트(131)는 접합 공정으로 인해 접착될 수 있다. 상기 접합 공정은 종류에 따라 제한되지 않으며, 저온솔더링 공정을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 연장된 다이오드 마운트(131)는 상기 접합 공정에 의해 상기 베이스 기판(120)에 고정되어 지지될 수 있다.
상기 베이스 기판(120) 일측에는 상기 히트 싱크 하우징(110)이 접촉되어 마련될 수 있다. 상기 히트 싱크 하우징(110)은 구리 혹은 철-니켈-크롬 합금강(Kovar) 중 적어도 하나를 적어도 일부 포함할 수 있다.
따라서, 상기 일측으로 연장된 다이오드 마운트(131)는 상기 베이스 기판(120)에 접촉하면서 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련된 냉각 유체(111)에 직접 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 다이오드 마운트(131)는 상기 냉각 유체(111)와의 직접적인 열교환으로 인해 냉각될 수 있고, 상기 다이오드 마운트(131)와 접촉되어 지지될 수 있는 상기 레이저 다이오드 바(132)는, 상기 냉각된 다이오드 마운트(131)와의 열교환으로 인해 냉각될 수 있다. 즉, 상기와 같이 레이저 다이오드 바(132) 동작시 발생하는 열을 상기 다이오드 마운트(131)를 통해 상기 냉각 유체(111)에 전달하여 외부로 방출할 수 있게 되는 것이다. 연속된 냉각 작용으로 인해, 상기 레이저 다이오드 바(132)로부터의 열 방출이 연속적으로 가능할 수 있고, 따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 안정적인 연속 동작이 가능할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태의 제 1 실시예에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)의 측단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)는 상기 레이저 다이오드 바(132)와 상기 레이저 다이오드 바 마운트 유닛(130)을 적어도 한 개 이상 포함할 수 있다. 상기 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)이 복수 개 마련될 경우, 상기 유닛(130)은 각각 기 결정된 거리로 상기 베이스 기판(120)을 따라 마련될 수 있다.
상기 기 결정된 거리란, 상기 개별 레이저 다이오드 바 마운트 유닛(130)의 기능에 영향을 주지 않는 범위 내에서 통상의 지식이 있는 당업자의 입장에서 결정될 수 있다.
외부로부터 공급받은 전기적 신호로 인해, 상기 레이저 다이오드 바(132)에서 레이저광이 생성될 때, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 온도가 상승할 수 있다. 상기 내부 온도가 일정 이상으로 상승하게 될 경우, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 정렬이 틀어지거나, 동작의 품질이 저하되는 등 상기 레이저 다이오드 바(132)의 동작은 안정적이지 않을 수 있다. 따라서, 효과적인 열 방출로 인한 상기 레이저 다이오드 바(132)의 안정적인 동작을 위해, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 동작 시, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 냉각 작용이 요구될 수 있다.
상기 레이저 다이오드 바(132)의 일측에 접촉되어 마련될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131)는, 타측으로 연장되어 베이스 기판(120)과 접촉될 수 있고, 접촉될 수 있는 상기 베이스 기판(120)을 통과하여 히트 싱크 하우징(110) 내부로 연장될 수 있다. 또한, 상기 연장될 수 있는 다이오드 마운트(131)는, 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련되는 냉각 유체(111)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 동작으로 인해 발생된 열이 상기 레이저 다이오드 바(132)에 접촉될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131)로 전달되어, 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련되는 냉각 유체(111)로 직접 전달될 수 있다. 이로 인해, 상기 다이오드 마운트(131)는 냉각될 수 있고, 상기 다이오드 마운트(131)의 일측에 접촉될 수 있는 상기 레이저 다이오드 바(132) 또한 냉각될 수 있다. 상기 냉각 작용은 상기 레이저 다이오드 바(132)의 동작시, 연속적으로 일어날 수 있다. 따라서, 상기 연속적인 열 방출로, 레이저 다이오드 바(132)의 동작시, 다양한 온도 범위 내에서의 안정적인 동작이 가능할 수 있다.
여기서, 상기 베이스 기판(120)은 열전도도가 높은 세라믹을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 세라믹은, 베릴륨옥사이드(BeO)를 적어도 일부 포함할 수 있다. 상기 베이스 기판(120)에 적어도 일부 포함될 수 있는 상기 베릴륨옥사이드(BeO)는 따라서, 상기 베이스 기판(120)의 열전도를 향상시킬 수 있고, 상기 냉각 유체(110)와 상기 다이오드 마운트(131), 상기 레이저 다이오드 바(132) 사이의 열교환을 효율적으로 유도할 수 있다.
이 때, 상기 베이스 기판(120)은 기 결정된 두께로 마련될 수 있다. 상기 기 결정된 두께란, 상기 레이저 다이오드 바(132)와, 다이오드 마운트(131) 및 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 위치할 수 있는 상기 냉각 유체(111) 사이의 열교환에 방해되지 않으며, 상기 주변 구조물과의 간섭이 일어나지 않는 범위 내에서 통상의 지식이 있는 당업자의 입장에서 결정될 수 있다.
상기 베이스 기판(120) 일측에 접촉되어 마련될 수 있는 히트 싱크 하우징(110)은 구리 혹은 철-니켈-크롬 합금강(Kovar) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 베이스 기판(120) 내측에는 냉각 유체(111)가 마련될 수 있고, 상기 냉각 유체(111)에는 냉매가 포함될 수 있다. 상기 냉매가 포함될 수 있는 상기 냉각 유체(111)와, 상기 냉각 유체(111)에 직접 접촉될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131) 사이의 열교환으로 인해 상기 다이오드 마운트(131)는 냉각될 수 있다. 또한, 상기 다이오드 마운트(131)와 접촉되어 마련될 수 있는 상기 레이저 다이오드 바(132)도 냉각될 수 있다.
상기 히트 싱크 하우징(110)은 유입부(112) 및 유출부(113) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유입부(112)는 외부로부터 연결될 수 있는 유로를 포함할 수 있다. 상기 냉각 유체(111)는 상기 유입부(112)를 통해 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측으로 유입될 수 있다. 상기 유출부(113)는 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 흐르는 냉각 유체(111)가 외부로 배출될 수 있게 외부와 연결되는 유로를 포함할 수 있다. 상기 냉각 유체(111)는 상기 유출부(113)를 통해 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측으로부터 외부로 유출될 수 있다. 이 때, 상기 유입부(112) 및 유출부(113)는 동시에 마련될 수도 있고 혹은, 분리되어 각각 마련되는 것 또한 무방하다.
한편, 상기 히트 싱크 하우징(110)에 적어도 하나 포함될 수 있는 상기 유입부(112) 및 유출부(113)는 상기 레이저 다이오드 바(132) 동작시, 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련될 수 있는 상기 냉각 유체(111)를 연속적으로 수용하고 배출할 수 있다. 즉, 레이저 다이오드 바(132)와, 상기 다이오드 마운트(131)와, 상기 냉각 유체(111)사이의 열교환 또한 연속적으로 가능할 수 있다. 따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 연속 구동이 안정적으로 유도될 수 있다.
제 1 접합부(133)는 접합 공정을 통해 상기 다이오드 마운트(131)와 상기 베이스 기판(120)이 접촉되는 부분에 마련될 수 있다. 상기 다이오드 마운트(131)는 상기 베이스 기판(120)을 통과하여 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 접합부(133)에 사용될 수 있는 접합 공정은 종류에 따라 제한되지 않으며, 저온솔더링 공정이 적어도 일부 포함될 수 있다.
제 2 접합부(121) 또한 접합 공정을 통해 상기 베이스 기판(120)과 상기 히트 싱크 하우징(110)이 접촉되는 부분에 마련될 수 있다. 상기 제 2 접합부(121)로 인해 상기 베이스 기판(120)과 상기 히트 싱크 하우징(110)은 접촉되어 마련될 수 있다. 상기 제 2 접합부(121)에 사용될 수 있는 접합 공정은 종류에 따라 제한되지 않으며, 브레이징 공정이 적어도 일부 포함될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태의 제 2 실시예에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)의 측단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시형태의 제 2 실시예의 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)는, 복수 개의 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)이 베이스 기판(120)의 길이 방향을 따라 서로 접촉되어 마련될 수 있다. 상기 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)의 개수는 제한되지 않으며, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 기능에 영향을 주지 않는 범위에 한해서 통상의 지식을 가진 당업자의 입장에서 결정될 수 있다.
상기 접촉된 복수 개의 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)의 상부 표면에는 전도층(134)이 마련될 수 있다. 상기 전도층(134)은, 외부의 전극과 전기적으로 연결되어 통전의 기능을 수행할 수 있다. 상기 전도층(134)을 형성하기 위한 공정은 제한되지 않으나, 솔더링 공정을 포함할 수 있고, 상기 솔더링 공정은 다이렉트 본디드 카파(Direct Bonded Copper)를 적용하는 공정이 포함될 수 있다.
상기 레이저 다이오드 바(132) 양 측부에 접촉되어 마련될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131)는, 일측으로 연장되어 베이스 기판(120)과 접촉될 수 있고, 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련되는 냉각 유체(111)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 상기 레이저 다이오드 바(132) 양 측부에 접촉될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131)는 일 측부에 접촉되어 마련될 수 있고, 상기 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)은 한 개의 레이저 다이오드 바(132)와, 한 개의 다이오드 마운트(131)를 포함할 수 있는 구조체로 변형할 수도 있다.
따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)에서 발생된 열이 상기 레이저 다이오드 바(132)에 접촉될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131)로 전달되어, 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련되는 냉각 유체(111)로 열이 직접 전달될 수 있다. 상기 히트 싱크 하우징(110)에 포함될 수 있는 유입부(112)로부터 상기 냉각 유체(111)는 연속적으로 유입될 수 있고, 상기 히트 싱크 하우징(110)에 포함될 수 있는 유출부(113)로부터 상기 냉각 유체(111)는 연속적으로 외부로 유출될 수 있다. 따라서, 상기 다이오드 마운트(131)는 연속적으로 냉각될 수 있고, 상기 다이오드 마운트(131)의 일측에 접촉된 상기 레이저 다이오드 바(132) 또한 연속적으로 냉각될 수 있다.
여기서, 상기 베이스 기판(120)은 열전도도가 높은 세라믹을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 세라믹은, 베릴륨옥사이드(BeO)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 베이스 기판(120)의 열전도도를 향상시킬 수 있고, 상기 냉각 유체(110)와 상기 다이오드 마운트(131), 상기 레이저 다이오드 바(132) 사이의 열교환을 효율적으로 유도할 수 있다.
이 때, 상기 베이스 기판(120)은 기 결정된 두께로 마련될 수 있다. 상기 기 결정된 두께란, 상기 레이저 다이오드 바(132)와, 다이오드 마운트(131) 및 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 위치할 수 있는 상기 냉각 유체(111) 사이의 열교환에 방해되지 않으며, 상기 주변 구조물과의 간섭이 일어나지 않는 범위 내에서 통상의 지식이 있는 당업자의 입장에서 결정될 수 있다.
상기 베이스 기판(120) 일측에 접촉되어 마련될 수 있는 히트 싱크 하우징(110)은 구리 혹은 철-니켈-크롬 합금강(Kovar) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 베이스 기판(120) 내측에는 냉각 유체(111)가 마련될 수 있고, 상기 냉각 유체(111)에는 냉매가 포함될 수 있다. 상기 냉매가 포함될 수 있는 상기 냉각 유체(111)와, 상기 냉각 유체(111)에 직접 접촉될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131) 사이의 열교환으로 인해 상기 다이오드 마운트(131)는 냉각될 수 있다. 또한, 상기 다이오드 마운트(131)와 접촉되어 마련될 수 있는 상기 레이저 다이오드 바(132)도 냉각될 수 있다.
상기 히트 싱크 하우징(110)은 유입부(112) 및 유출부(113) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유입부(112)는 외부로부터 연결될 수 있는 유로를 포함할 수 있다. 상기 냉각 유체(111)는 상기 유입부(112)를 통해 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측으로 유입될 수 있다. 상기 유출부(113)는 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 흐르는 냉각 유체(111)가 외부로 배출될 수 있게 외부와 연결되는 유로를 포함할 수 있다. 상기 냉각 유체(111)는 상기 유출부(113)를 통해 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측으로부터 외부로 유출될 수 있다. 이 때, 상기 유입부(112) 및 유출부(113)는 동시에 마련될 수도 있고 혹은, 분리되어 각각 마련되는 것 또한 무방하다.
한편, 상기 히트 싱크 하우징(110)에 적어도 하나 포함될 수 있는 상기 유입부(112) 및 유출부(113)는 상기 레이저 다이오드 바(132) 동작시, 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련될 수 있는 상기 냉각 유체(111)를 연속적으로 수용하고 배출할 수 있다. 즉, 레이저 다이오드 바(132)와, 상기 다이오드 마운트(131)와, 상기 냉각 유체(111)사이의 열교환 또한 연속적으로 가능할 수 있다. 따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 연속 구동이 안정적으로 유도될 수 있다.
제 1 접합부(133)는 접합 공정을 통해 상기 다이오드 마운트(131)와 상기 베이스 기판(120)이 접촉되는 부분에 마련될 수 있다. 상기 다이오드 마운트(131)는 상기 베이스 기판(120)을 통과하여 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측으로 연장될 수 있다. 상기 제 1 접합부(133)에 사용될 수 있는 접합 공정은 종류에 따라 제한되지 않으며, 저온솔더링 공정이 적어도 일부 포함될 수 있다.
제 2 접합부(121) 또한 접합 공정을 통해 상기 베이스 기판(120)과 상기 히트 싱크 하우징(110)이 접촉되는 부분에 마련될 수 있다. 상기 제 2 접합부(121)로 인해 상기 베이스 기판(120)과 상기 히트 싱크 하우징(110)은 접촉되어 마련될 수 있다. 상기 제 2 접합부(121)에 사용될 수 있는 접합 공정은 종류에 따라 제한되지 않으며, 브레이징 공정이 적어도 일부 포함될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 레이저 다이오드 마운트 바의 개별 유닛(130) 평면도이다.
상기 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)은 레이저 다이오드 바(132)와, 양 측부에 접촉하며 마련되며, 상기 레이저 다이오드 바(132)를 지지하는 다이오드 마운트(131)로 구성될 수 있다. 상기 레이저 다이오드 바(132)와, 상기 다이오드 마운트(131) 접촉부는 접합공정을 통해 접합될 수도 있다. 상기 접합공정은 종류에 따라 제한되지 않으며, 솔더링 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)은 레이저 다이오드 바(132)와, 일측에 접촉하며 마련되어 상기 레이저 다이오드 바(132)를 지지하는 단일의 다이오드 마운트(131) 구조체로 변형되는 것 또한 무방하다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태의 제 1 실시예에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체의 2열 어레이 레이저 소스의 평면도이다.
고집적 레이저 조사가 필요한 경우, 대면적의 광원이 요구될 수 있다. 상기 광원의 면적이 커질수록, 동일한 파장대의 레이저 다이오드 바(132)를 사용하는 경우에도 각각의 레이저 다이오드 바(132)의 레이저광의 세기가 다를 수 있다. 상기 레이저 다이오드 바(132)의 대면적화가 요구될 경우, 상기 레이저 다이오드 바(132)는 복수 개 구비될 수 있고, 상기 복수 개 구비 된 레이저 다이오드 바(132)는 면광원을 형성할 수 있다. 필요할 경우, 상기 면광원 일측에는 미도시된 광학 렌즈가 마련될 수도 있다. 상기 면광원 형성시, 광원의 면적이 커질수록 상기 개별 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)의 파장은 불균일할 수 있다. 상기 면광원의 균일도를 향상시키기 위해, 상기 개별 레이저 다이오드 마운트 바 유닛(130)을 개별적으로 전기적 제어를 하여, 균일한 파장의 면광원을 형성할 수 있다. 상기 레이저 다이오드 바(132)의 양 측에 마련될 수 있는 상기 다이오드 마운트(131) 중 적어도 하나는 음극(135)에 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지 중 하나는 양극(136)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 음극(135) 및 양극(136)의 위치가 교환되어 마련될 수 있음은 물론이다. 상기 전기적 제어는, 음극(135)을 고정하고 양극(136)을 개별 제어 하거나 혹은, 상기 양극(135)을 고정하고, 음극(134)을 개별 제어하여 달성될 수 있다. 따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 전력 레벨을 개별적으로 조절 할 수 있다. 또한, 외부에 미도시된 제어부를 포함할 수 있고, 상기 제어부에서 주소 지정하여 개별 전력 레벨 조절을 가능하게 할 수 있다. 상기 전력 레벨의 개별적 조절로, 상기 면광원에 마련될 수 있는 복수의 상기 레이저 다이오드 바(132)의 각각의 레이저광의 세기를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)가 대면적의 면광원으로 마련될 경우, 발광효율을 균일하게 보정할 수 있어, 면광원의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)의 2열 어레이 패키지 사시도이다.
도 6을 참조하면, 상기 도 1의 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)의 1열 어레이를 2열로 구비한 실시예이다. 상기 열의 갯수는 제한되지 않으며, 기능에 영향을 주지 않는 범위에 한해서 통상의 지식이 있는 당업자의 입장에서 결정될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 도 1의 설명에서와 같이, 레이저 다이오드 바(132)와, 다이오드 마운트(131)와, 전도층(134)과, 베이스 기판(120)과, 히트 싱크 하우징(110)을 포함할 수 있다.
상기 레이저 다이오드 바(132)는, 전기적 신호를 공급받아, 레이저광을 생성하는 모든 수단을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 레이저 다이오드 바(132)는 점광원, 선광원, 면광원을 포함할 수 있다.
상기 다이오드 마운트(131)는 상기 레이저 다이오드 바(132)의 양 측에서 상기 레이저 다이오드 바(132)를 지지하고, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 일측으로 연장되어 접촉될 수 있다. 상기 다이오드 마운트(131)는, 상기 레이저 다이오드 바(132)로부터 상기 히트 싱크 하우징(110)으로 열을 효율적으로 전달하기 위해 열전도도가 높은 재료를 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 다이오드 마운트(131)에는 베릴륨옥사이드(BeO)를 적어도 일부 포함될 수 있다.
상기 레이저 다이오드 바(132)와, 상기 다이오드 마운트(131)의 상부 표면에는 전도층(134)이 마련될 수 있다. 상기 전도층(134)은 솔더링 공정으로 형성될 수 있다. 상기 솔더링 공정은 고온솔더링을 포함할 수 있으며, 상기 고온솔더링 공정은, 적어도 일부는 다이렉트 본디드 카파(Direct Bonded Copper) 를 적용하는 공정을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 고온솔더링 공정으로 형성될 수 있는 상기 전도층(134)은 통전의 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 고온솔더링 공정으로, 상기 레이저 다이오드 바(132)와 상기 다이오드 마운트(131)의 접촉력을 향상시킬 수도 있다. 따라서, 상기 전도층(134)은 음극 및 양극과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전도층(134)의 전기적 연결로 인해, 상기 다이렉트 액티브 쿨링 구조체(100)는 외부로부터 전기적 신호를 공급받을 수 있다. 상기 공급 받은 전기적 신호로, 상기 레이저 다이오드 바(132)에서 레이저광이 생성될 수 있다.
상기 접촉된 레이저 다이오드 바(132)와 다이오드 마운트(131) 일측에는 베이스 기판(120)이 마련될 수 있다. 상기 베이스 기판(120)은 세라믹으로 구성될 수 있다. 상기 세라믹으로 구성된 베이스 기판(120)은 상기 레이저 다이오드 바(132)의 효율적인 열 방출을 위해 열전도도가 높은 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 기판(120)은 베릴륨옥사이드(BeO)를 적어도 일부 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(120)과 상기 일측으로 연장된 다이오드 마운트(131)는 접합 공정으로 인해 접착될 수 있다. 상기 접합 공정은 종류에 따라 제한되지 않으며, 저온솔더링 공정을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 연장된 다이오드 마운트(131)는 상기 접합 공정에 의해 상기 베이스 기판(120)에 고정되어 지지될 수 있다.
상기 베이스 기판(120) 일측에는 상기 히트 싱크 하우징(110)이 접촉되어 마련될 수 있다. 상기 히트 싱크 하우징(110)은 구리 혹은 철-니켈-크롬 합금강(Kovar) 중 적어도 하나를 적어도 일부 포함할 수 있다.
따라서, 상기 일측으로 연장된 다이오드 마운트(131)는 상기 베이스 기판(120)에 접촉하면서 상기 히트 싱크 하우징(110) 내측에 마련된 냉각 유체(111)에 직접 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 다이오드 마운트(131)는 상기 냉각 유체(111)와의 직접적인 열교환으로 인해 냉각될 수 있고, 상기 다이오드 마운트(131)와 접촉되어 지지될 수 있는 상기 레이저 다이오드 바(132)는, 상기 냉각된 다이오드 마운트(131)와의 열교환으로 인해 냉각될 수 있다. 즉, 상기와 같이 레이저 다이오드 바(132) 동작시 발생하는 열을 상기 다이오드 마운트(131)를 통해 상기 냉각 유체(111)에 전달하여 외부로 방출할 수 있게 되는 것이다. 연속된 냉각 작용으로 인해, 상기 레이저 다이오드 바(132)로부터의 열 방출이 연속적으로 가능할 수 있고, 따라서, 상기 레이저 다이오드 바(132)의 안정적인 연속 동작이 가능할 수 있다.
100: 다이렉트 액티브 쿨링 구조체
110: 히트 싱크 하우징
111: 냉각 유체
112: 유입부
113: 유출부
120: 베이스 기판
121: 제 1 접합부
130: 레이저 다이오드 마운트 바 유닛
131: 다이오드 마운트
132: 레이저 다이오드 바
133: 제 2 접합부
134: 전도층
135: 음극
136: 양극

Claims (13)

  1. 레이저 다이오드 바;
    상기 레이저 다이오드 바에 접촉되며, 상기 레이저 다이오드 바를 지지하고, 일측으로 연장되는 다이오드 마운트;
    상기 레이저 다이오드 바와, 상기 다이오드 마운트 표면에 마련되는 도전층;
    상기 연장된 다이오드 마운트를 고정 지지하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 일측에 접촉되어 마련되고 내측에 냉각 유체가 흐를 수 있는 히트 싱크 하우징;
    상기 연장된 다이오드 마운트의 적어도 일부는 상기 히트 싱크 하우징 내측에 마련되는 상기 냉각 유체에 접촉될 수 있는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체;
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 다이오드 마운트는 상기 레이저 다이오드 바로부터 발생한 열을 상기 유로내부의 상기 냉각 유체로 직접 전달할 수 있는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 다이오드 마운트는 베릴륨옥사이드(BeO)를 포함하는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 도전층은 전기적 도전 성질을 가지고, 다이렉트 본디드 카파(Direct Bonded Copper)로 고온솔더링 공정으로 마련되는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 베릴륨옥사이드(BeO)를 포함하는 세라믹을 포함하는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 다이오드 마운트와 상기 베이스 기판 사이는 저온솔더링 공정으로 접합되는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 히트 싱크 하우징은, 구리(Cu) 및 철-니켈-크롬합금강(Kovar)중 적어도 하나를 포함하는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스 기판과 상기 히트 싱크 하우징은 브레이징 공정으로 접합되는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 히트 싱크 하우징은, 상기 냉각 유체가 유출입될 수 있는 유체 유출입부를 적어도 하나 이상 포함하는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 냉각 유체는, 상기 다이오드 마운트를 냉각시키기 위한 냉매를 포함하는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체.
  11. 레이저 다이오드 바;
    상기 레이저 다이오드 바에 접촉되며, 상기 레이저 다이오드 바를 지지하고, 일측으로 연장되는 다이오드 마운트;
    상기 레이저 다이오드 바와, 상기 다이오드 마운트 표면에 마련되는 도전층;
    상기 연장된 다이오드 마운트를 고정 지지하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 일측에 접촉되어 마련되고 내측에 냉각 유체가 흐를 수 있는 히트 싱크 하우징;
    상기 연장된 다이오드 마운트의 적어도 일부는 상기 히트 싱크 하우징 내측에 마련되는 상기 냉각 유체에 접촉될 수 있는 다이렉트 액티브 쿨링 구조체;
    상기 다이렉트 액티브 쿨링 구조체 및 이를 포함하는 레이저 소스;
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 레이저 소스는 2개 이상의 상기 레이저 다이오드 바를 포함하고,
    상기 레이저 다이오드 바 각각은 개별 구동되어 균일하게 발광될 수 있는 레이저 소스.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 레이저 다이오드 바 각각의 개별 구동은,
    음극을 고정하고, 양극을 개별 제어하거나 혹은, 양극을 고정하고 음극을 개별 제어하여 개별 구동하는 레이저 소스.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3787705B2 (ja) * 1996-09-30 2006-06-21 コンパニイ・アンデュストリエル・デ・ラゼール・セーイーエルアーエス 半導体レーザダイオード装置およびその製造方法
EP2034572A1 (de) * 2007-09-07 2009-03-11 iie Gesellschaft für innovative Industrieelektronik mbH Laserdioden-Anordnung
JP4804751B2 (ja) * 2002-06-20 2011-11-02 クラミック エレクトロニクス ゲーエムベーハー 電気回路またはモジュール用の金属セラミック基板と、そのような基板およびそのような基板を含むモジュールを製作する方法
JP2014154851A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Fujikura Ltd 半導体レーザ装置
US9054482B1 (en) * 2014-05-07 2015-06-09 Jiang Li Laser diode stack assembly and method of manufacturing

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3787705B2 (ja) * 1996-09-30 2006-06-21 コンパニイ・アンデュストリエル・デ・ラゼール・セーイーエルアーエス 半導体レーザダイオード装置およびその製造方法
JP4804751B2 (ja) * 2002-06-20 2011-11-02 クラミック エレクトロニクス ゲーエムベーハー 電気回路またはモジュール用の金属セラミック基板と、そのような基板およびそのような基板を含むモジュールを製作する方法
EP2034572A1 (de) * 2007-09-07 2009-03-11 iie Gesellschaft für innovative Industrieelektronik mbH Laserdioden-Anordnung
JP2014154851A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Fujikura Ltd 半導体レーザ装置
US9054482B1 (en) * 2014-05-07 2015-06-09 Jiang Li Laser diode stack assembly and method of manufacturing

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